特許第6583989号(P6583989)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6583989ＳｉＣ単結晶シード、ＳｉＣインゴット、ＳｉＣ単結晶シードの製造方法及びＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法
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