(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記清澄管の長さ方向における少なくとも1つの第1板部材の位置において、前記第1板部材よりも上方を流れる熔融ガラスの流量を前記第1板部材よりも上方の流路断面積で除した流速と、前記第1板部材よりも下方を流れる熔融ガラスの流量を前記第1板部材よりも下方の流路断面積で除した流速とが等しくなるように、前記清澄管を流れる前記熔融ガラスの流量および流速を制御する、請求項2に記載のガラス基板の製造方法。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
清澄工程においては、白金族金属の単体又は合金からなる清澄管に通電することによって清澄管が加熱されることで清澄管を通過する熔融ガラスが加熱される(通電加熱)。このとき、清澄管の中心付近を通過する熔融ガラスの温度は、清澄管の内壁の近傍の熔融ガラスの温度よりも低くなる。また、清澄管を通過する熔融ガラスの速度は、壁面抵抗があるために、管路の中心付近のほうが清澄管の内壁の近傍よりも速くなる。このため、清澄管の中心付近を通過する熔融ガラスが充分に加熱されないまま清澄管を通過してしまい、清澄が不充分となってしまうおそれがある。
【0006】
一方、清澄管の中心付近の熔融ガラスの温度を上げるために、清澄管の加熱量を増やすと、清澄管を構成する白金族金属の単体又は合金の酸化による揮発が促進される。揮発した金族酸化物が清澄管の局所的に温度が低下した位置で還元されると、還元された白金族金属が清澄管の内壁面に付着する。内壁面に付着した白金族金属は脱泡工程中の熔融ガラス中に落下して混入し、ガラス基板に異物として混入するおそれがある。
【0007】
清澄管内の熔融ガラスの温度を均一にするために、熔融ガラスを撹拌する撹拌手段を清澄管内に設けることも考えられる。しかし、清澄管内で泡が浮上する気相空間に撹拌手段があると、泡に含まれていた酸素、CO
2、SO
2等の気体が気相空間から清澄管の外部へ排出される流れを妨げるおそれがある。気相空間の気体の流れが妨げられると、還元された白金族金属が清澄管の内壁面に付着し、脱泡工程中の熔融ガラス中に落下して混入し、ガラス基板に異物として混入するおそれがある。
【0008】
本発明は、気相空間の気体の流れを妨げることなく、清澄管内の熔融ガラスを均一に撹拌することができるガラス基板の製造方法およびガラス基板の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の第一の態様は、ガラス基板の製造方法であって、
略水平方向に配置される清澄管に、熔融ガラスを加熱しながら上流側から下流側へと流し、前記熔融ガラス中の気泡を、前記熔融ガラスの界面と前記清澄管の内壁とによって囲まれる気相空間に向けて放出させる清澄工程を含み、
前記清澄管には、前記清澄管の内壁の最下部および最上部と間隔を空けて前記清澄管の長さ方向と垂直な板部材が設けられ、
前記清澄工程では、前記熔融ガラスの界面の高さが前記板部材の上端部よりも高くな
り、さらに、前記清澄管の長さ方向における前記板部材の位置で、前記板部材よりも上方を流れる熔融ガラスの流量を前記板部材よりも上方の流路断面積で除した流速と、前記板部材よりも下方を流れる熔融ガラスの流量を前記板部材よりも下方の流路断面積で除した流速とが等しくなるように、前記清澄管を流れる前記熔融ガラスの流量および流速を制御することを特徴とする。
【0011】
本発明の第二の態様は、ガラス基板の製造方法であって、
略水平方向に配置される清澄管に、熔融ガラスを加熱しながら上流側から下流側へと流し、前記熔融ガラス中の気泡を、前記熔融ガラスの界面と前記清澄管の内壁とによって囲まれる気相空間に向けて放出させる清澄工程を含み、
前記清澄管には、前記清澄管の長さ方向と垂直な複数の板部材からなる板部材群が設けられ、
前記板部材群は、
前記清澄管の内壁の最下部および最上部と間隔を空けた第1の高さに設けられる複数の第1板部材が前記清澄管の長さ方向に間隔を空けて配置されてなる第1板部材群と、
前記第1の高さよりも高くかつ前記清澄管の内壁の最上部と間隔を空けた第2の高さに設けられる複数の第2板部材が、前記清澄管の長さ方向に前記
第1板部材と間隔を空けて交互に配置されてなる第2板部材群と、
前記第1の高さよりも低い第3の高さに前記清澄管の内壁の最下部と間隔を空けずに設けられる複数の第3板部材が、前記清澄管の長さ方向に前記
第1板部材と間隔を空けて交互に配置されてなる第3板部材群と、
からなり、
前記清澄工程では、前記熔融ガラスの界面の高さが前記複数の板部材の上端部の最も高い位置よりも高くなるように前記熔融ガラスの流量および流速を制御することを特徴とする。
【0012】
前記清澄管の長さ方向における少なくとも1つの第1板部材の位置において、前記第1板部材よりも上方を流れる熔融ガラスの流量を前記第1板部材よりも上方の流路断面積で除した流速
と、前記第1板部材よりも下方を流れる熔融ガラスの流量を前記第1板部材よりも下方の流路断面積で除した流速とが等しくなるように、前記清澄管を流れる前記熔融ガラスの流量および流速を制御することが好ましい。
【0013】
本発明の第三の態様は、ガラス基板の製造装置であって、
略水平方向に配置され、熔融ガラスを加熱しながら上流側から下流側へと流
す清澄管であって、前記熔融ガラス中の気泡を、前記熔融ガラスの界面と前記清澄管の内壁とによって囲まれる気相空間に向けて放出させる清澄工程が行われる
前記清澄管を含み、
前記清澄管には、前記清澄管の内壁の最下部および最上部と間隔を空けて前記清澄管の長さ方向と垂直な板部材が設けられ、
前記熔融ガラスの界面の高さが前記板部材の上端部よりも高くな
り、さらに、前記清澄管の長さ方向における前記板部材の位置で、前記板部材よりも上方を流れる熔融ガラスの流量を前記板部材よりも上方の流路断面積で除した流速と、前記板部材よりも下方を流れる熔融ガラスの流量を前記板部材よりも下方の流路断面積で除した流速とが等しくなるように、前記清澄管を流れる前記熔融ガラスの流量および流速が制御されることを特徴とする。
【0014】
本発明の第四の態様は、ガラス基板の製造装置であって、
略水平方向に配置され、熔融ガラスを加熱しながら上流側から下流側へと流
す清澄管であって、前記熔融ガラス中の気泡を、前記熔融ガラスの界面と前記清澄管の内壁とによって囲まれる気相空間に向けて放出させる清澄工程が行われる
前記清澄管を含み、
前記清澄管には、前記清澄管の長さ方向と垂直な複数の板部材からなる板部材群が設けられ、
前記板部材群は、
前記清澄管の内壁の最下部および最上部と間隔を空けた第1の高さに設けられる複数の第1板部材が前記清澄管の長さ方向に間隔を空けて配置されてなる第1板部材群と、
前記第1の高さよりも高くかつ前記清澄管の内壁の最上部と間隔を空けた第2の高さに設けられる複数の第2板部材が、前記清澄管の長さ方向に前記
第1板部材と間隔を空けて交互に配置されてなる第2板部材群と、
前記第1の高さよりも低い第3の高さに前記清澄管の内壁の最下部と間隔を空けずに設けられる複数の第3板部材が、前記清澄管の長さ方向に前記
第1板部材と間隔を空けて交互に配置されてなる第3板部材群と、
からなり、
前記熔融ガラスの界面の高さが前記複数の板部材の上端部の最も高い位置よりも高くなるように前記熔融ガラスの流量および流速が制御されることを特徴とする。
【発明の効果】
【0015】
上述の態様のガラス板の製造方法およびガラス板の製造装置によれば、気相空間の気体の流れを妨げることなく、清澄管内の熔融ガラスを均一に撹拌することができる。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明のガラス基板の製造方法およびガラス基板の製造装置について説明する。
(ガラス基板の製造方法の全体概要)
図1は、本実施形態のガラス基板の製造方法の工程の一例を示す図である。ガラス基板の製造方法は、熔解工程(ST1)、清澄工程(ST2)、均質化工程(ST3)、供給工程(ST4)、成形工程(ST5)、徐冷工程(ST6)、および、切断工程(ST7)を主に有する。この他に、研削工程、研磨工程、洗浄工程、検査工程、梱包工程等を有してもよい。製造されたガラス基板は、必要に応じて梱包工程で積層され、納入先の業者に搬送される。
【0018】
熔解工程(ST1)では、ガラス原料を加熱することにより熔融ガラスを作る。
清澄工程(ST2)では、熔融ガラスが昇温されることにより、熔融ガラス中に含まれる酸素、CO
2あるいはSO
2を含んだ泡が発生する。この泡が熔融ガラス中に含まれる清澄剤(酸化スズ等)の還元反応により生じた酸素を吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上して放出される。その後、清澄工程では、熔融ガラスの温度を低下させることにより、清澄剤の還元反応により得られた還元物質が酸化反応をする。これにより、熔融ガラスに残存する泡中の酸素等のガス成分が熔融ガラス中に再吸収されて、泡が消滅する。清澄剤による酸化反応及び還元反応は、熔融ガラスの温度を制御することにより行われる。
なお、清澄工程は、熔融ガラスに存在する泡を減圧雰囲気で成長させて脱泡させる減圧脱泡方式を用いることもできる。減圧脱泡方式は、清澄剤を用いない点で有効である。しかし、減圧脱泡方式は装置が複雑化及び大型化する。このため、清澄剤を用い、熔融ガラス温度を上昇させる清澄方法を採用することが好ましい。
【0019】
均質化工程(ST3)では、スターラを用いて熔融ガラスを撹拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。これにより、脈理等の原因であるガラスの組成ムラを低減することができる。均質化工程は、後述する撹拌槽において行われる。
供給工程(ST4)では、撹拌された熔融ガラスが成形装置に供給される。
【0020】
成形工程(ST5)及び徐冷工程(ST6)は、成形装置で行われる。
成形工程(ST5)では、熔融ガラスをシートガラスに成形し、シートガラスの流れを作る。成形には、オーバーフローダウンドロー法が用いられる。
徐冷工程(ST6)では、成形されて流れるシートガラスが所望の厚さになり、内部歪が生じないように、さらに、反りが生じないように冷却される。
切断工程(ST7)では、徐冷後のシートガラスを所定の長さに切断することで、板状のガラス基板を得る。切断されたガラス基板はさらに、所定のサイズに切断され、目標サイズのガラス基板が作られる。
【0021】
図2は、本実施形態における熔解工程(ST1)〜切断工程(ST7)を行うガラス基板の製造装置の概略図である。ガラス基板の製造装置は、
図2に示すように、主に熔解装置100と、成形装置200と、切断装置300と、を有する。熔解装置100は、熔解槽101と、清澄管120と、撹拌槽103と、移送管104、105と、ガラス供給管106と、を有する。
図2に示す熔解槽101には、図示されないバーナー等の加熱手段が設けられている。熔解槽には清澄剤が添加されたガラス原料が投入され、熔解工程(ST1)が行われる。熔解槽101で熔融した熔融ガラスは、移送管104を介して清澄管102に供給される。
清澄管120では、熔融ガラスMGの温度を調整して、清澄剤の酸化還元反応を利用して熔融ガラスの清澄工程(ST2)が行われる。具体的には、清澄管102内の熔融ガラスが昇温されることにより、熔融ガラス中に含まれる酸素、CO
2あるいはSO
2を含んだ泡が、清澄剤の還元反応により生じた酸素を吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上して気相空間に放出される。その後、熔融ガラスの温度を低下させることにより、清澄剤の還元反応により得られた還元物質が酸化反応をする。これにより、熔融ガラスに残存する泡中の酸素等のガス成分が熔融ガラス中に再吸収されて、泡が消滅する。清澄後の熔融ガラスは、移送管105を介して撹拌槽103に供給される。
撹拌槽103では、撹拌子103aによって熔融ガラスが撹拌されて均質化工程(ST3)が行われる。撹拌槽103で均質化された熔融ガラスは、ガラス供給管106を介して成形装置200に供給される(供給工程ST4)。
成形装置200では、オーバーフローダウンドロー法により、熔融ガラスからシートガラスSGが成形され(成形工程ST5)、徐冷される(徐冷工程ST6)。
切断装置300では、シートガラスSGから切り出された板状のガラス基板が形成される(切断工程ST7)。
【0022】
(清澄管の構成)
次に、
図3、
図4を参照して、清澄管120の構成について説明する。
図3は、実施の形態の清澄管120の構成を示す概略斜視図であり、
図4は清澄管120の長手方向における鉛直断面図である。
図3、
図4に示すように、清澄管120の長さ方向の両端の外周面には、電極121a、121bが設けられており、清澄管120の気相空間120a(
図4参照)と接する壁には、排気管127が設けられている。
【0023】
清澄管120の本体、電極121a、121bおよび排気管127は、白金族金属から構成されている。なお、本明細書において、「白金族金属」は、白金族元素からなる金属を意味し、単一の白金族元素からなる金属のみならず白金族元素の合金を含む用語として使用する。ここで、白金族元素とは、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)の6元素を指す。白金族金属は高価ではあるが、融点が高く、熔融ガラスに対する耐食性にも優れている。
なお、本実施例では、清澄管120が白金族金属から構成されている場合を具体例として説明するが、清澄管120の一部が、耐火物や他の金属などから構成されていてもよい。
【0024】
電極121a、121bは、電源装置122に接続されている。電極121a、121bの間に電圧が印加されることにより、電極121a、121bの間の清澄管120に電流が流れて、清澄管120が通電加熱される。この通電加熱により、清澄管120の本体の最高温度が例えば、1600℃〜1750℃、より好ましくは1630℃〜1750℃となるように加熱され、移送管104から供給された熔融ガラスの最高温度は、脱泡に適した温度、例えば、1600℃〜1720℃、より好ましくは1620℃〜1720℃に加熱される。
また、通電加熱によって熔融ガラスの温度を制御することで、熔融ガラスの粘度を調節し、これにより清澄管120を通過する熔融ガラスの流速を調節することができる。
【0025】
また、電極121a、121bには、図示しない温度計測装置(熱電対等)が設けられていてもよい。温度計測装置は電極121a、121bの温度を計測し、計測した結果を、制御装置123に出力する。
制御装置123は電源装置122が清澄管120に通電させる電流量を制御し、これにより清澄管120を通過する熔融ガラスの温度および流速を制御する。制御装置123は、CPU、メモリ等を含むコンピュータである。
【0026】
清澄管120の気相空間と接する壁には、排気管127が設けられている。排気管127は気相空間120aの上部に設けられている。排気管127は、清澄管120における熔融ガラスの流れ方向の上流側端部と下流側端部の間の位置に設けられていることが好ましい。排気管127は、清澄管120の本体外壁面から外側に向かって煙突状に突出する形状であってもよい。排気管127は、気相空間120a(
図4参照)と、清澄管120の外部空間とを連通している。排気管127から気相空間120a内の気体を排出することで、清澄管120内の熔融ガラスから放出される酸素を排出することができる。これにより、白金族金属が酸化されて揮発することを抑制し、揮発した白金族金属が還元されることによる白金族金属の析出量を低減することができる。
【0027】
本実施形態では、
図4に示すように、清澄管120が略水平方向に延在するように配置されている。清澄管120の内部には、複数の板部材124、125、126からなる板部材群が設けられている。板部材群は、複数の第1板部材124からなる第1板部材群、複数の第2板部材125からなる第2板部材群、複数の第3板部材126からなる第3板部材群を含む。第1板部材124、第2板部材125、第3板部材126は、清澄管120の本体と同様に、白金族金属から構成されている。
【0028】
複数の第1板部材124は、清澄管120の内壁の最下部および最上部と間隔を空けた第1の高さに設けられている。複数の第1板部材124は、清澄管120の長さ方向に間隔を空けて配置される。第1板部材124は、清澄管120の中心付近を清澄管120の長さ方向に流れる熔融ガラスの流れを妨げ、第1板部材124よりも上側と第1板部材124よりも下側に分岐させる。
【0029】
複数の第2板部材125は、第1板部材124の高さ(第1の高さ)よりも高くかつ清澄管120の内壁の最上部と間隔を空けた第2の高さに設けられている。複数の第2板部材125は、清澄管120の長さ方向に、複数の第1板部材124と間隔を空けて交互に配置される。第2板部材125は、清澄管120内の熔融ガラスの界面付近を清澄管120の長さ方向に流れる熔融ガラスの流れを妨げ、熔融ガラスの流れを第2板部材125よりも下側(清澄管の中心付近)に向かわせる。
【0030】
複数の第3板部材126は、第1板部材124の高さ(第1の高さ)よりも低い第3の高さに、清澄管120の内壁の最下部と間隔を空けずに設けられている。複数の第3板部材126は、清澄管120の長さ方向に、複数の第1板部材124と間隔を空けて交互に配置される。第3板部材126は、清澄管120内の熔融ガラスの最下部を清澄管120の長さ方向に流れる熔融ガラスの流れを妨げ、熔融ガラスの流れを第3板部材126よりも上側(清澄管の中心付近)に向かわせる。
【0031】
このように、第1板部材124、第2板部材125、第3板部材126が設けられることで、清澄管120内の熔融ガラスが清澄管120の長さ方向に流れるのみでなく、熔融ガラスが上下方向にも移動するように変更されるため、清澄管120内で熔融ガラスが均一に撹拌され、熔融ガラスの温度を均一にすることができる。
【0032】
なお、
図4に示すように、第2板部材125と第3板部材126とは、清澄管120の長さ方向の同じ位置にあってもよい。すなわち、第2板部材125の下方に第3板部材126を設けてもよい。
【0033】
ここで、第1板部材124の位置において、第1板部材124の上側を流れる熔融ガラスの流量を前記第1板部材の上側の流路断面積で除した流速とが、第1板部材124の下側を流れる熔融ガラスの流量を第1板部材124の下側の流路断面積で除した流速とが等しくなるように、清澄管120を流れる熔融ガラスの流量および流速を制御することが好ましい。第1板部材124の上側を流れる熔融ガラスの流速と第1板部材124の下側を流れる熔融ガラスの流速とを等しくすることで、清澄管120内で熔融ガラスを均一に撹拌することができる。
【0034】
第1板部材124の上側を流れる熔融ガラスの流速と第1板部材124の下側を流れる熔融ガラスの流速は、清澄管120による加熱量により調整することができる。
例えば、清澄管120の加熱量を増加させることで、清澄管120の内壁に近い、第1板部材124の下側を流れる熔融ガラスの温度を上昇させ、粘性を低下させることで、第1板部材124の下側を流れる熔融ガラスの流速を上げることができる。一方、清澄管120の加熱量を減少させることで、清澄管120の内壁に近い、第1板部材124の下側を流れる熔融ガラスの温度を低下させ、粘性を上昇させることで、第1板部材124の下側を流れる熔融ガラスの流速を下げることができる。
なお、第1板部材124の上側を流れる熔融ガラスは、清澄管120の内壁から遠いため、清澄管120の加熱量の変化による温度の変化量は、第1板部材124の下側を流れる熔融ガラスよりも小さい。
【0035】
本実施形態においては、清澄管120内の熔融ガラスMGの界面の高さが、第1板部材124、第2板部材125、第3板部材126の上端部の最も高い位置よりも高くなるように、熔融ガラスの流量および流速を制御する。すなわち、第1板部材124、第2板部材125、第3板部材126のいずれもが熔融ガラス内にあり、気相空間120aに第1板部材124、第2板部材125、第3板部材126がないように、清澄管120内の熔融ガラスMGの界面の高さを調整する。
【0036】
熔融ガラスMGの界面の高さを変更するには、移送管104、105を流れる熔融ガラスの流量を変更すればよい。例えば、移送管104から清澄管120へ流入する熔融ガラスの流量を、移送管105により清澄管120から流出する熔融ガラスの流量よりも大きくすることで、清澄管120内の熔融ガラスMGの界面の高さを上げることができる。一方、移送管104から清澄管120へ流入する熔融ガラスの流量を、移送管105により清澄管120から流出する熔融ガラスの流量よりも小さくすることで、清澄管120内の熔融ガラスMGの界面の高さを下げることができる。
【0037】
移送管104、105における熔融ガラスの流量を制御するには、移送管104、105を流れる熔融ガラスの温度を変化させ、熔融ガラスの粘性を調整すればよい。例えば、熔融ガラスの温度を上昇させ、熔融ガラスの粘性を下げることで、熔融ガラスの流量および流速を上昇させることができる。一方、熔融ガラスの温度を下降させ、熔融ガラスの粘性を上げることで、熔融ガラスの流量および流速を低下させることができる。
【0038】
このように、清澄管120内における熔融ガラスMGの界面の高さを調整することで、気相空間120a内に第1板部材124、第2板部材125、第3板部材126が露出することを防ぐことができる。このため、第1板部材124、第2板部材125、第3板部材126は、気相空間120aに放出された酸素、CO
2、SO
2等の気体が排気管127に向かう流れを妨げることがない。
【0039】
また、第1板部材124、第2板部材125、第3板部材126が気相空間120a内に放出された酸素、CO
2、SO
2等の気体に接触することを防ぐことで、第1板部材124、第2板部材125、第3板部材126を構成する白金族金属が酸化されることで揮発されることを防ぐことができる。
【0040】
以上、本発明のガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【0041】
本実施形態のガラス基板の製造方法によって製造されるガラス基板には、歪点や徐冷点が高く良好な寸法安定性を有する無アルカリのボロアルミノシリケートガラスあるいはアルカリ微量含有ガラスが用いられる。
【0042】
本実施形態が適用されるガラス基板は、例えば以下の組成を含む無アルカリガラスからなる。
SiO
2:56−65質量%
Al
2O
3:15−19質量%
B
2O
3:8−13質量%
MgO:1−3質量%
CaO:4−7質量%
SrO:1−4質量%
BaO:0−2質量%
Na
2O:0−1質量%
K
2O:0−1質量%
As
2O
3:0−1質量%
Sb
2O
3:0−1質量%
SnO
2:0−1質量%
Fe
2O
3:0−1質量%
ZrO
2:0−1質量%
【0043】
本実施形態で製造されるガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板を含むディスプレイ用ガラス基板に好適である。IGZO(インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素)等の酸化物半導体を使用した酸化物半導体ディスプレイ用ガラス基板及びLTPS(低温度ポリシリコン)半導体を使用したLTPSディスプレイ用ガラス基板に好適である。また、本実施形態で製造されるガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量が極めて少ないことが求められる液晶ディスプレイ用ガラス基板に好適である。また、有機ELディスプレイ用ガラス基板にも好適である。言い換えると、本実施形態のガラス基板の製造方法は、ディスプレイ用ガラス基板の製造に好適であり、特に、液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造に好適である。その他、携帯端末機器などのディスプレイや筐体用のカバーガラス、タッチパネル板、太陽電池のガラス基板やカバーガラスとしても用いることができる。特に、ポリシリコンTFTを用いた液晶ディスプレイ用ガラス基板に好適である。
また、本実施形態で製造されるガラス基板は、カバーガラス、磁気ディスク用ガラス、太陽電池用ガラス基板などにも適用することが可能である。