特許6588220窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法

発明の名称　窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法

出願人　シャープ株式会社　（識別番号 5049）

　　　　特許公開件数ランキング 17 位（917件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 29 位（607件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6588220

公報発行日　2019年10月9

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6588220

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