【実施例】
【0043】
以下の実施例は本発明を説明することのみを意図するものであって、本発明を限定すると決して解釈されるべきではない。
【0044】
合成手順
以下で示すスキーム1は実施例1及び2にて記載されている本発明の化合物に至る合成経路の概要を示す。
【0045】
以下で示すスキーム2は実施例3〜6及び8〜35にて記載されている化合物に至る合成経路の概要を示す。
【0046】
以下のスキーム(スキーム3)は実施例7にて記載されている本発明の化合物に至る合成経路を示す。
【0047】
スキーム4は実施例36〜39にて記載されている化合物に至る合成経路の概要を示す。
実施例1
4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから):
【0048】
工程1:2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸エチル
【0049】
酢酸パラジウム(3.3mg,0.015ミリモル)及びSPhos(11.8mg,0.029ミリモル)を2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロペント−1−エンカルボン酸エチル(Combiblocks,Inc.,411mg,1.43ミリモル)のTHF(1.43mL)溶液に加えた。反応混合物を窒素でパージし、塩化3,5−ジメトキシベンジル亜鉛(Aldrich,0.5MのTHF溶液を3.4mL,1.7ミリモル)を一滴ずつ加えた。室温で一晩撹拌した後、飽和NH
4Cl水溶液(25mL)で反応混合物の反応を止め、EtOAc(75mLで3回)で抽出した。合わせた抽出物を乾燥させ(Na
2SO
4)、濾過し、濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(40gの金カラム、ヘキサン→50%EtOAc/ヘキサンの勾配)で精製し、353mg(85%)の2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸エチルを得た。
【0050】
工程2:2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボン酸エチル
【0051】
炭素上のパラジウム(10重量%,5mg)を2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸エチル(100mg,0.34ミリモル)のメタノール(3.4mL)溶液に加えた。排気し、水素で再充填する(3回)ことによって水素雰囲気を確立した。反応混合物を40℃の水槽に入れ、水素のバルーンのもとで一晩撹拌した。次いで混合物を冷却し、セライトを介して濾過し、過剰のメタノールで洗浄した。濾液を真空にて濃縮して100mg(定量)の2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボン酸エチルを得た。
【0052】
工程3.2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボン酸
【0053】
シンチレーションバイアルにて水酸化リチウム(1.0M溶液を1.7mL,1.7ミリモル)水溶液を2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボン酸エチル(100mg、0.34ミリモル)のTHF(3.4mL)溶液に加えた。バイアルを60℃で3日間加熱し、次いで室温に冷却した。窒素の流れのもとで有機溶媒を取り除き、次いで残留物を水(5mL)で希釈し、1NのHCl(2mL)で酸性化し、EtOAcで抽出した(20mLで3回)。抽出物を乾燥させ(Na
2SO
4)、濾過し、濃縮して98mg(定量)の2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボン酸を得た。
【0054】
工程4:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0055】
トリエチルアミン(28μL,0.20ミリモル)とDMAP(56mg,0.45ミリモル)と4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(41mg,0.20ミリモル)とN−(3−ジメチルアミノプロピル)−N’−エチルカルボジイミド塩酸塩(50mg,0.26ミリモル)を順に2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボン酸(52mg,0.20ミリモル)のCH
2Cl
2(2.0mL)溶液に加えた。不均質な混合物を室温で一晩撹拌し、その時間の間に反応物は均質になった。反応溶液を飽和NH
4Cl水溶液(10mL)で処理し、EtOAcで抽出した(20mLで3回)。合わせた抽出物を乾燥させ(Na
2SO
4)、濾過し、濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(4gの金カラム、ヘキサン→EtOAc、勾配)で精製して13mg(16%)の4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び3.6mg(4%)の4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)を得た。
【0056】
工程5:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0057】
1ドラムのバイアルにて水酸化リチウム水溶液(1.0M溶液を0.15mL,0.15ミリモル)を4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,13mg,0.032ミリモル)のTHF(0.3mL)溶液に加えた。バイアルを一晩50℃で加熱し、次いで室温に冷却した。窒素の流れのもとで有機溶媒を取り除き、次いで残留物を水(0.5mL)で希釈し、1NのHCl(0.5mL)で酸性化し、EtOAcで抽出した(2mLで3回)。抽出物を乾燥させ(Na
2SO
4)、濾過し、濃縮して11mg(88%)の表題の化合物を得た。
【0058】
実施例2
4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから,実施例1を参照):
実施例1、工程5の手順に従って、4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,3.6mg,0.009ミリモル)を3mg(86%)の表題の化合物に変換した。
【0059】
実施例3
4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸:
工程1:2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸
【0060】
水酸化リチウム水溶液(1.0M溶液を4.1mL,4.1ミリモル)を2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸エチル(68.7mg,0.237ミリモル)のTHF(4.1mL)溶液に加えた。バイアルを60℃で24時間加熱した後、TLC分析は反応が起きたかどうかをほとんど示さなかった。水酸化リチウム(351mg,8.20ミリモル)の第2の部分を加え、60℃で混合物をさらに18時間撹拌した。次いで混合物を室温に冷却し、1NのHClで酸性化し、CH
2Cl
2で抽出した(3回)。抽出物を乾燥させ(MgSO
4)、濾過し、濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(4gの金カラム、5%EtOAc/ヘキサン→60%EtOAc/ヘキサンの勾配)で精製して22.5mg(36%)の2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸を得た。
【0061】
工程2:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0062】
TBTU(ヘキサフルオロホウ酸O−ベンゾトリアゾール−1−イル−N,N,N’,N’−テトラメチルウロニウム(28.0mg,0.0863ミリモル)と、4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(18.1mg,0.0870ミリモル)と、ジイソプロピルエチルアミン(45μL,0.26ミリモル)とを2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸(22.5mg,0.858ミリモル)のDMF(0.43ミリモル)溶液に加えた。40℃で18時間撹拌した後、反応混合物をEtOAcで希釈し、1NのHCl(2回)、1NのNaOH(2回)及びブラインで洗浄した。有機相を乾燥させ(MgSO
4)、濾過し、真空で濃縮し、白色固形物として35mg(99%)の4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルを得た。
【0063】
工程3:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0064】
水(363μL)及び水酸化リチウム水溶液(1.0M溶液を0.56mL,0.56mL)を4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(11.0mg,0.0269ミリモル)のTHF(0.75mL)溶液に加えた。30℃で18時間撹拌した後、混合物を冷却し、1NのHClで酸性化し、CH
2Cl
2で抽出した(3回)。合わせた抽出物を乾燥させ(MgSO
4)、濾過し、濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(4gの金カラム、30%EtOAc/ヘキサン→60%EtOAc/ヘキサン(双方の溶媒は0.5%AcOHを含有する)の勾配)で精製して5.9mg(55%)の表題の化合物を得た。
【0065】
実施例4
4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸:
工程1:2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸エチル
【0066】
酢酸パラジウム(3.1mg,0.014ミリモル)及びSPhos(10.9mg,0.0258ミリモル)を2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロペント−1−エンカルボン酸エチル(Combiblocks,Inc.,380mg,1.25ミリモル)のTHF(1.3mL)溶液に加えた。反応混合物を窒素で10分間パージし、塩化3−トリフルオロメチルベンジル亜鉛(Aldrich,0.5MのTHF溶液を3.1mL,1.6ミリモル)の溶液を一滴ずつ加えた。室温で一晩撹拌した後、飽和NH
4Cl水溶液で反応混合物の反応を止め、EtOAcで抽出した(3回)。合わせた抽出物を乾燥させ(MgSO
4)、濾過し、濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(40gの金カラム、ヘキサン→15%EtOAc/ヘキサンの勾配)で精製して342mg(92%)の2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸エチルを得た。
【0067】
工程2:2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸
【0068】
水酸化リチウム水溶液(3.0M溶液を6.5mL,20ミリモル)を2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸エチル(111mg,0.373ミリモル)の1,4−ジオキサン(6.5mL)溶液に加えた。反応混合物を70℃で18時間撹拌し、次いで室温に冷却した。反応混合物を1NのHClで酸性化し、CH
2Cl
2で抽出した(3回)。抽出物を乾燥させ(MgSO
4)、濾過し、真空で濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、5%EtOAc/ヘキサン→40%EtOAc/ヘキサンの勾配)で精製して83.1mg(83%)の2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸を得た。
【0069】
工程3:4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0070】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボン酸(81.7mg,0.302ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(63.1mg,0.304ミリモル)を126mg(定量)の4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0071】
工程4:4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0072】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(10.4mg,0.0249ミリモル)を6.8mg(68%)の表題の化合物に変換した。
【0073】
実施例5
4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから,実施例4を参照):
工程1:4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0074】
炭素上のパラジウム(10重量%,8.7mg)を4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(47.9mg,0.115ミリモル)のエタノール(1.7mL)溶液に加えた。排気し、水素で再充填する(3回)ことによって水素雰囲気を確立した。反応混合物を40℃の水槽に入れ、水素のバルーンのもとで一晩撹拌した。次いで混合物を冷却し、セライトを介して濾過し、過剰のエタノールで洗浄し、濾液を真空で濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(4gの金カラム、20%EtOAc/ヘキサン→50%EtOAc/ヘキサンの勾配)で精製して30.5mg(63%)の4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び13.8mg(29%)の4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)を得た。
【0075】
工程2:4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0076】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,17.2mg,0.0410ミリモル)を8.2mg(49%)の表題の化合物に変換した。
【0077】
実施例6
4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから,実施例5を参照):
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペンタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,5.9mg,0.014ミリモル)を2.6mg(46%)の表題の化合物に変換した。
【0078】
実施例7
4−((N−メチル−2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸:
工程1:4−((N−メチル−2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0079】
リチウムジイソプロピルアミドの溶液(THF/ヘプタン/エチルベンゼンにおける2.0M溶液を0.09mL,0.2ミリモル)を-78℃の4−((2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(実施例4を参照,64.5mg,0.155ミリモル)のTHF(1.0mL)溶液に加えた。−78℃で20分後、ヨードメタン(t−ブチルエーテルにおける2.0M溶液を0.10mL,0.20ミリモル)を加えた。混合物を室温に温め、18時間撹拌した。飽和NH
4Cl水溶液で反応を止め、CH
2Cl
2で抽出した(3回)。合わせた抽出物を乾燥させ(MgSO
4)、濾過し、濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、20%EtOAc/ヘキサン→50%EtOAc/ヘキサンの勾配)で精製して46.6mg(70%)の4−((N−メチル−2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルを得たが、それはアミド回転異性体の3:2の比として現れる。
【0080】
工程2:4−((N−メチル−2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0081】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((N−メチル−2−(3−(トリフルオロメチル)ベンジル)シクロペント−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(10.0mg,0.0232ミリモル)を4.8mg(50%)の表題の化合物に変換した。
【0082】
実施例8
4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸:
工程1:2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル
【0083】
水素化ナトリウム(油中で60重量%,228mg,5.70ミリモル)を0℃の2−オキソシクロヘキサンカルボン酸エチル(888mg,4.96ミリモル)のTHF(25mL)溶液に加えた。0℃で40分後、N−フェニル−ビス(トリフルオロメタンスルホンイミド)(2.14g,5.93ミリモル)を加え、溶液を室温に温め、一晩撹拌した。飽和NaHCO
3水溶液で反応混合物の反応を止め、CH
2Cl
2で抽出した(3回)。合わせた抽出物を乾燥させ(MgSO
4)、濾過し、濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(120gの金カラム、ヘキサン→25%EtOAc/ヘキサンの勾配)で精製して879mg(59%)の2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチルを得た。
【0084】
工程2:2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル
【0085】
酢酸パラジウム(2.8mg,0.012ミリモル)及びSPhos(10.1mg,0.0239ミリモル)を2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(293mg,0.967ミリモル)のTHF(1.0mL)溶液に加えた。反応混合物を窒素で10分間パージし、塩化3,5−ジメトキシベンジル亜鉛(Aldrich,THFにおける0.5M溶液を2.3mL,1.2ミリモル)の溶液を一滴ずつ加えた。室温で一晩撹拌した後、飽和NH
4Cl水溶液で反応混合物の反応を止め、EtOAcで抽出した(3回)。合わせた抽出物を乾燥させ(MgSO
4)、濾過し、濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(24gの金カラム、ヘキサン→25%EtOAc/ヘキサンの勾配)で精製して194mg(66%)の2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチルを得た。
【0086】
工程3:2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸
【0087】
実施例4、工程2の手順に従って、2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(189mg,0.619ミリモル)を122mg(72%)の2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸に変換した。
【0088】
工程4:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0089】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸(120mg,0.435ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(90.6mg,0.436ミリモル)を188mg(定量)の4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0090】
工程5:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0091】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(11.4mg,0.0269ミリモル)を5.0mg(45%)の表題の化合物に変換した。
【0092】
実施例9
4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
工程1:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0093】
実施例5、工程1の手順に従って、4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(42.9mg,0.101ミリモル)を25.0mg(58%)の4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び14.0mg(33%)の4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)に変換した。
【0094】
工程2:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0095】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,24.3mg,0.0571ミリモル)を14.8mg(63%)の表題の化合物に変換した。
【0096】
立体化学配置
その相対的な立体化学を決定するためにROESY NMR実験にて、実施例9、工程1で単離された2つのジアステレオマー[4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)]を調べた。観察された増大に基づいて高いR
fのジアステレオマーはシクロヘキサンのコアに付加された基のシス配置を有し、低いR
fのジアステレオマーはシクロヘキサンのコアに付加された基のトランス配置を有することが決定された(以下の
図1を参照のこと)。この配置は本明細書に記載されているジアステレオマーのセットすべてについて成り立つと予想されるが、当業者は当該技術で既知の日常の技法(たとえば、ROESY NMR)を用いることによって相対的な及び/または絶対的な立体化学を決定することができる。
【0097】
実施例10
4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから,実施例9を参照):
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,13.7mg,0.0322ミリモル)を5.8mg(44%)の表題の化合物に変換した。
【0098】
実施例11
4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸:
工程1:2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘプト−1−エンカルボン酸メチル
【0099】
実施例8、工程1の手順に従って、2−オキソシクロヘプタンカルボン酸メチル(797mg,4.64ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(80gの金カラム、ヘキサン→25%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、621mg(44%)の2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘプト−1−エンカルボン酸メチルに変換した。
【0100】
工程2:2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボン酸メチル
【0101】
実施例8、工程2の手順に従って、2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘプト−1−エンカルボン酸メチル(256mg,0.846ミリモル)を167mg(65%)の2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボン酸メチルに変換した。
【0102】
工程3:2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボン酸
【0103】
実施例4、工程2の手順に従って、2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボン酸メチル(167mg,0.549ミリモル)を137mg(86%)の2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボン酸に変換した。
【0104】
工程4:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0105】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボン酸(124mg,0.427ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(89.2mg,0.429ミリモル)を189mg(定量)の4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0106】
工程5:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0107】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(8.6mg,0.020ミリモル)を2.3mg(28%)の表題の化合物に変換した。
【0108】
実施例12
4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプタンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから,実施例11を参照):
工程1:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0109】
実施例5、工程1の手順に従って、4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(41.6mg,0.0951ミリモル)を25.0mg(62%)の4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び9.6mg(23%)の4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)に変換した。
【0110】
工程2:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプタンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0111】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,23.8mg,0.0541ミリモル)を15.3mg(67%)の表題の化合物に変換した。
【0112】
実施例13
4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプタンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから,実施例12を参照):
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロヘプタンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,9.5mg,0.022ミリモル)を3.3mg(36%)の表題の化合物に変換した。
【0113】
実施例14
4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸:
工程1:2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル
【0114】
実施例8、工程2の手順に従って、2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸(193mg,0.64ミリモル)及び塩化2,3−ジメトキシベンジル亜鉛(Rieke Metals,THF中0.5M溶液を1.5mL,0.75ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→25%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、123mg(63%)の2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチルに変換した。
【0115】
工程2:2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸
【0116】
実施例4、工程2の手順に従って、2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(120mg,0.395ミリモル)を66.6mg(61%)の2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸に変換した。
【0117】
工程3:4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0118】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸(64.8mg,0.234ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(49mg,0.235ミリモル)を103mg(定量)の4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0119】
工程4:4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0120】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(12.0mg,0.0283ミリモル)を5.4mg(47%)の表題の化合物に変換した。
【0121】
実施例15
4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから):
工程1:4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0122】
実施例5、工程1の手順に従って、4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(38.8mg,0.0916ミリモル)を20.1mg(52%)の4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び15.0mg(39%)の4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)に変換した。
【0123】
工程2:4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0124】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,20.1mg,0.0472ミリモル)を11.2mg(58%)の表題の化合物に変換した。
【0125】
実施例16
4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから,実施例14を参照):
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(2,3−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,15.0mg,0.0353ミリモル)を6.4mg(44%)の表題の化合物に変換した。
【0126】
実施例17
4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸:
工程1:2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル
【0127】
実施例8、工程2の手順に従って、2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(193mg,0.637ミリモル)及び塩化2,5−ジメトキシベンジル亜鉛(Rieke Metals,THF中0.5M溶液を1.5mL,0.75ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→25%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、142mg(73%)の2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチルに変換した。
【0128】
工程2:2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸
【0129】
実施例4、工程2の手順に従って、2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(137mg,0.450ミリモル)を73.5mg(59%)の2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸に変換した。
【0130】
工程3:4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0131】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸(71.9mg,0.260ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(54.0mg,0.260ミリモル)を110mg(定量)の4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0132】
工程4:4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0133】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(10.3mg,0.0243ミリモル)を5.8mg(58%)の表題の化合物に変換した。
【0134】
実施例18
4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから):
工程1:4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0135】
実施例5、工程1の手順に従って、4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(40.3mg,0.0952ミリモル)を21.0mg(52%)の4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び13.8mg(34%)の4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)に変換した。
【0136】
工程2:4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0137】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,20.0mg,0.0470ミリモル)を6.7mg(35%)の表題の化合物に変換した。
【0138】
実施例19
4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから,実施例18を参照):
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(2,5−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,13.8mg,0.0324ミリモル)を5.4mg(41%)の表題の化合物に変換した。
【0139】
実施例20
4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸:
工程1:2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロオクト−1−エンカルボン酸エチル
【0140】
実施例8、工程1の手順に従って、2−オキソシクロオクタンカルボン酸エチル(Aldrich,829mg,4.06ミリモル)を497mg(37%)の2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロオクト−1−エンカルボン酸エチルに変換した。
【0141】
工程2:2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボン酸エチル
【0142】
実施例8、工程2の手順に従って、2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(224mg,0.679ミリモル)及び塩化3,5−ジメトキシベンジル亜鉛(Aldrich,THF中の0.5M溶液を1.6mL,0.80ミリモル)を98.4mg(44%)の2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボン酸エチルに変換した。
【0143】
工程3:2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボン酸
【0144】
実施例4、工程2の手順に従って、80℃で撹拌しながら、2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボン酸エチル(94.8mg,0.285ミリモル)を60mg(63%)の出発エステルと共に20.7mg(24%)の2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボン酸に変換した。
【0145】
工程4:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0146】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボン酸(62.3mg,0.205ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(42.7mg,0.205ミリモル)を85.8mg(93%)の4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0147】
工程5:4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0148】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3,5−ジメトキシベンジル)シクロオクト−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(11.1mg,0.0246ミリモル)を5.7mg(53%)の表題の化合物に変換した。
【0149】
実施例21
4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
工程1:2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル
【0150】
実施例8、工程2の手順に従って、2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(198mg,0.654ミリモル)及び塩化3,4−ジメトキシベンジル亜鉛(Rieke Metals,THF中0.5M溶液を1.6mL,0.80ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→20%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、122mg(61%)の2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチルに変換した。
【0151】
工程2:2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸
【0152】
実施例4、工程2の手順に従って、2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(120mg,0.393ミリモル)を92mg(85%)の2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸に変換した。
【0153】
工程3:4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0154】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸(92mg,0.33ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(69mg,0.33ミリモル)を131mg(93%)の4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0155】
工程4:4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0156】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(11.2mg,0.0264ミリモル)を4.3mg(40%)の表題の化合物に変換した。
【0157】
実施例22
4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
工程1:4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0158】
実施例5、工程1の手順に従って、4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(40mg,0.095ミリモル)を27.5mg(68%)の4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び10.9mg(27%)の4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)に変換した。
【0159】
工程2:4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0160】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,27.5mg,0.0646ミリモル)を16.1mg(61%)の表題の化合物に変換した。
【0161】
実施例23
4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから,実施例22を参照)
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3,4−ジメトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,10.4mg,0.0244ミリモル)を4.1mg(41%)の表題の化合物に変換した。
【0162】
実施例24
4−((2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
工程1:2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル
【0163】
実施例8、工程2の手順に従って、2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(300mg,0.993ミリモル)及び塩化2−クロロベンジル亜鉛(II)(Aldrich,THF中0.5M溶液を2.4mL,1.2ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(24gの金カラム、ヘキサン→15%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、144mg(52%)の2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチルに変換した。
【0164】
工程2:2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸
【0165】
実施例4、工程2の手順に従って、2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(55mg,0.197ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(4gの金カラム、ヘキサン→35%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、42.4mg(86%)の2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸に変換した。
【0166】
工程3:4−((2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0167】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸(41mg,0.16ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(34mg,0.16ミリモル)を64mg(99%)の4−((2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0168】
工程4:4−((2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0169】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(9.4mg,0.0236ミリモル)を4.0mg(44%)の表題の化合物に変換した。
【0170】
実施例25
4−((2−ベンジルシクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
工程1:4−((2−ベンジルシクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0171】
実施例5、工程1の手順に従って、4−((2−(2−クロロベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(47mg,0.12ミリモル)を26.6mg(62%)の4−((2−ベンジルシクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び9.3mg(22%)の4−((2−ベンジルシクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)に変換した。出発のクロロ置換基を含有する生成物は単離されなかった。
【0172】
工程2:4−((2−ベンジルシクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0173】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−ベンジルシクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,26.6mg,0.0728ミリモル)を18.7mg(73%)の表題の化合物に変換した。
【0174】
実施例26
4−((2−ベンジルシクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから)
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−ベンジルシクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,9.3mg,0.0254ミリモル)を4.5mg(50%)の表題の化合物に変換した。
【0175】
実施例27
4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
工程1:2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル
【0176】
実施例8、工程2の手順に従って、2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(190mg,0.628ミリモル)及び塩化3−メトキシベンジル亜鉛(II)(Rieke Metals,THF中0.5M溶液を1.5mL,0.75ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→15%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、トリフラート出発物質が混入した152mgの2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチルに変換した。1H−NMR分析に基づいて不純物を説明する、所望の生成物の推定収量はおよそ115mg(約67%)である。
【0177】
工程2:2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸
【0178】
実施例4、工程2の手順に従って、2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(工程1からの152mgの不純物質,約0.42ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→35%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、86.4mg(約84%)の2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸に変換した。
【0179】
工程3:4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0180】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸(83mg,0.34ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(70mg,0.34ミリモル)を136mg(定量)の4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0181】
工程4:4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0182】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(8.3mg,0.021ミリモル)を2.9mg(36%)の表題の化合物に変換した。
【0183】
実施例28
4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
工程1:4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0184】
実施例5、工程1の手順に従って、4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(37mg,0.094ミリモル)を15mg(40%)の4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び7.2mg(19%)の4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)に変換した。
【0185】
工程2:4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0186】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,15mg,0.038ミリモル)を8.2mg(57%)の表題の化合物に変換した。
【0187】
実施例29
4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから)
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(3−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,7.2mg,0.018ミリモル)を2.9mg(42%)の表題の化合物に変換した。
【0188】
実施例30
4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
工程1:2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル
【0189】
実施例8、工程2の手順に従って、2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(190mg,0.628ミリモル)及び塩化2−メトキシベンジル亜鉛(II)(Rieke Metals,THF中0.5M溶液を1.5mL,0.75ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→15%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、トリフラート出発物質が混入した160mgの2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチルに変換した。1H−NMR分析に基づいて不純物を説明する、所望の生成物の推定収量はおよそ119mg(約69%)である。
【0190】
工程2:2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸
【0191】
実施例4、工程2の手順に従って、2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(工程1に由来する160mgの不純物質,約0.42ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→35%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、84mg(約81%)の2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸に変換した。
【0192】
工程3:4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0193】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸(80mg,0.33ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(68mg,0.33ミリモル)を121mg(94%)の4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0194】
工程4:4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0195】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(10.3mg,0.0262ミリモル)を4.5mg(45%)の表題の化合物に変換した。
【0196】
実施例31
4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
工程1: 4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0197】
実施例5、工程1の手順に従って、4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(40mg,0.10ミリモル)を18.8mg(47%)の4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び13.5mg(34%)の4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)に変換した。
【0198】
工程2:4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0199】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,18.8mg,0.0475ミリモル)を8.9mg(49%)の表題の化合物に変換した。
【0200】
実施例32
4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから)
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(2−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,13.5mg,0.0341ミリモル)を7.2mg(55%)の表題の化合物に変換した。
【0201】
実施例33
4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
工程1:2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル
【0202】
実施例8、工程2の手順に従って、2−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(199mg,0.659ミリモル)及び塩化4−メトキシベンジル亜鉛(II)(Rieke Metals,THF中の0.5M溶液を1.6mL,0.80ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→15%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、トリフラート出発物質が混入した156mgの2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチルに変換した。1H−NMR分析に基づいて不純物を説明する、所望の生成物の推定収量はおよそ135mg(約75%)である。
【0203】
工程2:2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸
【0204】
実施例4、工程2の手順に従って、2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸エチル(工程1に由来する156mgの不純物質,約0.49ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→35%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、98mg(約81%)の2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸に変換した。
【0205】
工程3:4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0206】
実施例3、工程2の手順に従って、2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボン酸(96.3mg,0.39ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(81.3mg,0.39ミリモル)を153mg(99%)の4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0207】
工程4:4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸
【0208】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(10.6mg,0.0269ミリモル)を5.6mg(55%)の表題の化合物に変換した。
【0209】
実施例34
4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
工程1:4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0210】
実施例5、工程1の手順に従って、4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘクス−1−エンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(40mg,0.10ミリモル)を26.1mg(65%)の4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー)及び10.1mg(25%)の4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー)に変換した。
【0211】
工程2:4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0212】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,25.7mg,0.065ミリモル)を15.9mg(64%)の表題の化合物に変換した。
【0213】
実施例35
4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから)
実施例3、工程3の手順に従って、4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,9.8mg,0.0248ミリモル)を3.2mg(34%)の表題の化合物に変換した。
【0214】
実施例36
4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸
工程1:3−オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボン酸メチル
【0215】
リチウムジイソプロピルアミド(THF中2.0M溶液を2.3mL,4.6ミリモル)溶液を―78℃でのノルカンファー(Aldrich,459mg,4.08ミリモル)のTHF(23.5mL)溶液に加えた。−78℃で15分後、シアノギ酸メチル(421mg,4.90ミリモル)のTHF(1mL+1mLすすぎ)溶液を加えた。混合物を室温に温め、18時間撹拌した。飽和NH
4Cl水溶液で反応物の反応を止め、CH
2Cl
2で抽出した(3回)。合わせた抽出物を乾燥させ(MgSO
4)、濾過し、濃縮した。得られた粗精製の残留物をTeledyne−Isco社のCombiflash装置(40gの金カラム、10%EtOAc/ヘキサン→30%EtOAc/ヘキサンの勾配)で精製して572mg(83%)の3−オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボン酸メチルを得た。
【0216】
工程2:3−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸メチル
【0217】
実施例8、工程1の手順に従って、3−オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボン酸メチル(446mg,2.65ミリモル)を316mg(40%)の3−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸メチルに変換した。
【0218】
工程3:3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸メチル
【0219】
実施例8、工程2の手順に従って、3−(((トリフルオロメチル)スルホニル)オキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸メチル(160mg,0.533ミリモル)及び塩化3,5−ジメトキシベンジル亜鉛(II)(Aldrich,THF中0.5M溶液を1.3mL,0.65ミリモル)を室温で3日間撹拌した後、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→15%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、99mg(61%)の3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸メチルに変換した。
【0220】
工程4:3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸
【0221】
実施例4、工程2の手順に従って、3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸メチル(98mg,0.32ミリモル)を、Teledyne−Isco社のCombiflash装置(12gの金カラム、ヘキサン→35%EtOAc/ヘキサンの勾配)での精製後、31.4mg(34%)の3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸及び60.5mg(65%)の(E)−3−(3,5−ジメトキシベンジリデン)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボン酸(2つの立体異性体の混合物として)に変換した。
【0222】
工程5:4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0223】
実施例3、工程2の手順に従って、3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]−2−エン−2−カルボン酸(31.4mg,0.109ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(22.8mg,0.11ミリモル)を47mg(定量)の4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0224】
工程6:4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸
【0225】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(9.2mg,0.021ミリモル)を4.0mg(45%)の表題の化合物に変換した。
【0226】
実施例37
4−(((1S,2R,4R,E)−3−(3,5−ジメトキシベンジリデン)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸(ラセミ体)
工程1:(E)−4−((3−(3,5−ジメトキシベンジリデン)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0227】
実施例3、工程2の手順に従って、(E)−3−(3,5−ジメトキシベンジリデン)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボン酸(2つの立体異性体の混合物,60.5mg,0.210ミリモル)及び4−(アミノメチル)安息香酸メチル塩酸塩(43.6mg,0.210ミリモル)を43.4mg(48%)のラセミ体4−(((1S,2R,4R,E)−3−(3,5−ジメトキシベンジリデン)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル及び23.3mg(26%)のラセミ体4−(((1S,2S,4R,E)−3−(3,5−ジメトキシベンジリデン)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチルに変換した。
【0228】
工程2:4−(((1S,2R,4R,E)−3−(3,5−ジメトキシベンジリデン)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸(ラセミ体)
【0229】
実施例3、工程3の手順に従って、ラセミ体4−(((1S,2R,4R,E)−3−(3,5−ジメトキシベンジリデン)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(8.4mg,0.019ミリモル)を3.1mg(39%)の表題の化合物に変換した。同じ条件を用いて、ラセミ体4−(((1S,2S,4R,E)−3−(3,5−ジメトキシベンジリデン)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(前の工程の他のジアステレオマー,6.5mg,0.014ミリモル)は1.2mg(19%)の同じ表題の生成物を生じた。
【0230】
実施例38
4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
工程1:4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル
【0231】
実施例5、工程1の手順に従って、4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(40mg,0.092ミリモル)を32mg(80%)の4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,おそらく1つのラセミ化合物シス異性体)及び3.8mg(10%)の4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,3つの異性体,おそらく他のラセミ体のシス異性体と2つのトランス異性体の混合物)に変換した。
【0232】
工程2:4−((2−(4−メトキシベンジル)シクロヘキサンカルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの高いエステルジアステレオマーから)
【0233】
実施例3、工程3の手順に従って、4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの高いジアステレオマー,10.4mg,0.0238ミリモル)を7.1mg(70%)の表題の化合物に変換した。
【0234】
実施例39
4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸(R
fの低いエステルジアステレオマーから)
実施例3、工程3の手順に従って、4−((3−(3,5−ジメトキシベンジル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−カルボキサミド)メチル)安息香酸メチル(R
fの低いジアステレオマー,3つの異性体の混合物,3.8mg,0.0087ミリモル)を1.4mg(38%)の表題の化合物に今なお3つの異性体の混合物として変換した。
【0235】
生物データ
結合データ
本発明の化合物に関する稼働する結合及び活性の研究に由来するデータは、その内容が参照によって本明細書に組み入れられる米国特許第7,427,685号に記載されているように実行された。
【0236】
K
i結合データ
競合結合実験は、総容量300μLにてハンクスの平衡塩類溶液、20mMのHepes、pH7.3、ヒトEP
2受容体を安定して発現しているHEK293細胞に由来する膜(約60μgのタンパク質)または2×10
5個の細胞、[
3H]PGE2(10nM)及び種々の濃度の試験化合物を含有する培地にて実施した。反応混合物を23℃で60分間インキュベートし、真空下でWatmanGFIBフィルター上にて濾過した。50mMのTris/HCl(pH7.3)を含有する氷冷緩衝液5mLで3回フィルターを洗浄した。過剰な非標識のPGE2(10μM)の存在下で非特異的な結合を推定した。非線形回帰解析を用いて単一クラスの結合部位についての結合モデルに結合データを当て嵌めた。こうして得られたIC
50値を、K
i=(IC
50/(1+[L]/K
D)の方程式を用いてK
iに変換した。式中、[L]はPGE2の濃度(10nM)を表し、K
DはヒトEP
2受容体での[
3H]PGE2についての解離定数(40nM)を表す。
【0237】
放射性リガンドの結合
EP
1、EP
2、EP
4及びFPの受容体を安定して発現している細胞
ヒト及びネコのFP受容体またはEP
1、EP
2、またはEP
4の受容体を安定して発現しているHEK−293細胞をTME緩衝液で洗浄し、フラスコの底から掻き取り、Brinkman PT10/35ポリトロンを用いて30秒間均質化した。TME緩衝液を加えて遠心分離管における40mLの最終容量を達成した(TMEの組成は100mMのTRIS塩基、20mMのMgCl
2、2MのEDTAである;ION HClを加えて7.4のpHを達成する)。
【0238】
BeckmanTi−60ロータを用い4℃にて19000rpmで20分間、細胞ホモジネートを遠心分離した。得られたペレットをTME緩衝液に再懸濁してBioradアッセイによって測定されたように1mg/mLの最終タンパク質濃度を得た。[
3H−]17−フェニルPGF
2α(5nM)に対する放射性リガンドの結合競合アッセイは100μLの容量にて60分間行った。原形質膜分画を加えることによって結合反応を開始した。4mLの氷冷TRIS−HCl緩衝液の添加及びBrandel細胞収集装置を用いたガラス繊維GF/Bフィルターを介した迅速な濾過によって反応を終結させた。氷冷緩衝液でフィルターを3回洗浄し、オーブンで1時間乾燥させた。
【0239】
EP受容体の放射性リガンドとして[
3H−]PGE
2(比活性180Ciミリモル)を用いた。FP受容体結合試験には[
3H−]17−フェニルPGF
2αを採用した。EP
1、EP
2、EP
4及びFPの受容体を用いた結合試験は少なくとも3回の別々の実験にて2つ組で実施した。200μLのアッセイ容量を用いた。インキュベートは25℃で60分間であり、4mLの氷冷50mMのTRIS−HClの添加、その後のWhatmanGF/Bフィルターを介した迅速な濾過と細胞収集装置(Brandel)における追加の4mLの洗浄3回によって終結させた。競合試験は、5nMの[
3H−]PGE
2または5nMの[
3H−]17−フェニルPGF
2αの最終濃度を用いて行い、非特異的な結合は、調べた受容体の亜型に従って10
-5Mの非標識のPGE
2または17−フェニルPGF
2αによって決定した。
【0240】
FLIPR(商標)試験の方法
(a)細胞培養
100mmの培養皿にて10%ウシ胎児血清、2mMのI−グルタミン、選択マーカーとしての250μg/mlのゲネチシン(G418)及び200μg/mlハイグロマイシンB、及び100単位/mlのペニシリンG、100μg/mlのストレプトマイシン及び0.25μg/mlのアムホテリシンBを含有する高グルコースDMEM培地中で、組換えヒトプロスタグランジン受容体の型または亜型(発現されるプロスタグランジン受容体:hDP/Gqs5;hEP
1;hEP
2/Gqs5;hEP
3A/Gqi5;hEP
4/Gqs5;hFP;hIP;hTP)を安定して発現しているHEK−293(EBNA)細胞を培養した。
【0241】
(b)FLIPR(商標)におけるカルシウムシグナル試験
Biocoat(登録商標)ポリ−D−リジンを被覆した黒色壁で透明底の96穴プレート(Becton−Dickinson)にてウェル当たり5×10
4個の密度で細胞を播き、37℃のインキュベータで一晩付着させた。次いでDenley Cellwashプレート洗浄器(Labsystems)を用いてHBSS−HEPES緩衝液(重炭酸塩及びフェノールレッドを含まないハンクスの平衡塩類溶液,20mMのHEPES,pH7.4)で細胞を2回洗浄した。2μMの最終濃度でカルシウム感受性色素Fluo−4AMを用いた暗所での45分間の色素負荷の後、HBSS−HEPES緩衝液でプレートを4回洗浄して過剰な色素を除き、各ウェルにて100μLを残した。プレートを37℃で数分間再平衡化した。
【0242】
488nmのアルゴンレーザーで細胞を励起し、510〜570nmの帯域幅での放射フィルター(FLIPR(商標),Molecular Devices,Sunnyvale,CA)を介して放射を測定した。薬剤溶液を50μLの容量にて各ウェルに加え、所望の最終濃度を得た。蛍光強度におけるピークの上昇を各ウェルについて記録した。各プレートにて4つのウェルがそれぞれ陰性対照(HBSS−HEPES緩衝液)及び陽性対照(標準アゴニスト:受容体に応じてBW245C(hDP);PGE
2(hEP
1;hEP
2/Gqs5;hEP
3A/Gqi5;hEP
4/Gqs5);PGF
2α(hFP);カルバサイクリン(hIP);U−46619(hTP))としての役目を果たした。次いで、薬剤を含有する各ウェルにおけるピークの蛍光変化を対照に比べて表した。
【0243】
高処理能力(HTS)形式または濃度−応答(CoRe)形式にて化合物を調べた。HTS形式では、プレート当たり44の化合物を2つ組にて10
-5Mの濃度で調べた。濃度−応答曲線を生成するために、プレート当たり4つの化合物を10
-5〜10
-11の濃度範囲にて2つ組で調べた。2つ組の値を平均した。HTSまたはCoReの形式のいずれかにて、n≧3が得られる異なる継代に由来する細胞を用いた少なくとも3枚の別々のプレートにて各化合物を調べた。
【0244】
cAMPアッセイ
Biomekステーションを用い、3つ組で16の連続希釈にて6つの試験化合物、PGE
2及びcAMPを含有するように384穴薬剤プレートを準備した。刺激緩衝液(HBSS、0.1%BSA,0.5mMのIBMX及び5mMのHEPES,pH7.4)にて10
4個/5μLの密度で、標的PG受容体亜型(EP
2またはEP
4)を発現しているHEK−EBNA細胞を浮遊させた。ウェルにて5μLの薬剤希釈液を5μLのHEK−EBNA細胞と混合することによって反応を開始し、室温でそれを30分間実行し、その後、Tween20を伴った対照緩衝液(25mMのNaCl,0.03%のTween−20,5mMのHEPES,pH7.4)における5μLの抗cAMPアクセプタービーズを加えた。室温にて暗所での30分後、溶解/検出緩衝液(0.1%BSA,0.3%Tween−20及び5mMのHEPES,pH7.4)における15μLのビオチン化cAMP/ストレプトアビジンドナービーズとともに室温にて45分間、混合物をインキュベートした。Fusion−アルファHTマイクロプレートリーダーを用いて蛍光の変化を読み取った。
【0245】
表1にて以下で示す結果は、本明細書にて開示されている化合物が選択的なプロスタグランジンEP
4のアゴニスト及びアンタゴニストであるので、EP
4受容体に関連する病的状態の治療に有用であることを明らかにしている。表1では、「NA」は活性がないことを示す。
【0246】
製剤及び組成物
当業者は、薬物の投与または製造のために、本明細書にて開示されている化合物はそれ自体当該技術で既知である薬学上許容される賦形剤と混ぜることができることを容易に理解するであろう。具体的には、全身的に投与される薬剤、それは、経口または非経口の投与または吸入に好適な粉剤、丸薬、錠剤等として、または溶液、エマルション、懸濁液、エアロゾル、シロップまたはエリキシルとして調製されてもよい。
【0247】
固形の剤形または薬物については、非毒性の固形キャリアには、医薬等級のマンニトール、ラクトース、デンプン、ステアリン酸マグネシウム、サッカリンナトリウム、ポリアルキレングリコール、タルカム、セルロース、グルコース、スクロース及び炭酸マグネシウムが挙げられるが、これらに限定されない。固形剤形は被覆されなくてもよいし、またはそれらは既知の技法によって被覆されて消化管における崩壊及び吸収を遅延させ、それによって長い時間にわたる持続する作用を提供してもよい。たとえば、モノステアリン酸グリセリルまたはジステアリン酸グリセリルのような時間遅延物質が採用されてもよい。その全体が参照によって本明細書に組み入れられる米国特許第4,256,108号;同第4,166,452号;及び同第4,265,874号にて記載された技法によってそれらが被覆されて制御放出のための浸透圧性の治療用錠剤を形成してもよい。液状の薬学的に投与できる剤形は、たとえば、現在有用な化合物の1以上と、たとえば、水、生理食塩水、水性デキストロース、グリセロール、エタノール等のようなキャリアにおける任意の医薬補助剤の溶液または懸濁液を含み、それによって溶液または懸濁液を形成することができる。所望であれば、投与される医薬組成物は、軽微な量の、たとえば、湿潤剤または乳化剤、pH緩衝剤等のような非毒性の補助物質も含有してもよい。そのような補助剤の典型的な例は、酢酸ナトリウム、モノラウリン酸ソルビタン、トリエタノールアミン、酢酸ナトリウム、オレイン酸トリエタノールアミン等である。そのような剤形を調製する実際の方法は既知であり、または当業者に明らかであろう;たとえば、RemingtonのPharmaceutical Sciences,Mack Publishing Company,Easton,Pa.,第16版,1980を参照されたい。投与される製剤の組成物はとにかく、所望の治療効果を提供するのに有効な量での現在有用な化合物の1以上の数量を含有する。
【0248】
非経口投与は一般に皮下注射、筋肉内注射または静脈内注射のいずれかを特徴とする。注射剤は、液状の溶液または懸濁液、注射に先立つ液体での溶液または懸濁液に好適な固形形態、またはエマルションのいずれかとして従来の形態で調製することができる。好適な賦形剤は、たとえば、水、生理食塩水、デキストロース、グリセロール、エタノール等である。加えて所望であれば、投与される注射用医薬組成物は軽微な量の、たとえば、湿潤剤または乳化剤、pH緩衝剤等のような非毒性の補助物質も含有してもよい。
【0249】
投与される化合物(単数)または化合物(複数)の量は当然、所望の治療の効果(単数)または効果(複数)、治療される特定の哺乳類、哺乳類の状態の重症度または性質、投与の方法、採用される特定の化合物(単数)または化合物(複数)の効能及び薬物動態、及び主治医の判断に左右される。化合物の治療上有効な投与量は約0.5または約1〜約100mg/kg/日であることができる。
【0250】
一部の実施形態では、医薬組成物における活性化合物の量は、0.01%、0.02%、0.03%、0.04%、0.05%、0.06%、0.07%、0.08%、0.09%、0.1%、0.2%、0.3%、0.4%、0.5%、0.6%、0.7%、0.8%、0.9%、1.0%、1.1%、1.2%、1.3%、1.4%、1.5%、1.6%、1.7%、1.8%、1.9%、2.0%、3.0%、4.0%及び5.0%w/wである。
【0251】
一部の実施形態では、医薬組成物における活性化合物の有効量、たとえば、治療上有効な量は、約1×10
-7〜50%(w/w)、約0.001〜50%(w/w)、約0.01〜50%(w/w)、約0.1〜50%(w/w)、または約1〜50%(w/w)の濃度で提供される。一部の実施形態では、医薬組成物における活性化合物の治療上有効な量は、0.01%、0.02%、0.03%、0.04%、0.05%、0.06%、0.07%、0.08%、0.09%、0.1%、0.2%、0.3%、0.4%、0.5%、0.6%、0.7%、0.8%、0.9%及び1.0%、1.1%、1.2%、1.3%、1.4%、1.5%、1.6%、1.7%、1.8%、1.9%、2.0%、3.0%、4.0%及び5.0%w/wである。
【0252】
眼科用に許容される液体はそれを眼に局所的に投与できるように製剤化される。時には製剤の検討事項(たとえば、薬剤の安定性)が最適とは言えない快適さを余儀なくし得るけれども、快適さは出来るだけ最大化されるべきである。快適さが最大化できない場合、液体が局所の眼科用途について患者にとって耐容できるように液体は製剤化されるべきである。さらに、眼科用に許容される液体は単回使用のために包装されるべきであり、または複数回の使用にわたって汚染を防ぐように保存剤を含有すべきである。
【0253】
眼科適用については、主要な溶剤として生理食塩水溶液を用いて溶液または薬物が調製されることが多い。眼科溶液は適当な緩衝液系によって快適なpHで維持することができる。製剤はまた、従来の薬学上許容される保存剤、安定剤及び界面活性剤も含有してもよい。
【0254】
本発明の医薬組成物で使用されてもよい保存剤には、塩化ベンザルコニウム、クロロブタノール、チメロサール、酢酸フェニル水銀、及び硝酸フェニル水銀が挙げられるが、これらに限定されない。有用な界面活性剤は、たとえば、Tween80である。同様に、本発明の眼科製剤では種々の有用な溶剤が使用されてもよい。これらの溶剤には、ポリビニルアルコール、ポビドン、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポロキサマー、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、及び精製水が挙げられるが、これらに限定されない。
【0255】
等張化剤は必要に応じてまたは都合に応じて添加されてもよい。それらには、塩、特に塩化ナトリウム、塩化カリウム、マンニトール及びグリセリン、または他の好適な眼科用に許容される等張化剤が挙げられるが、これらに限定されない。
【0256】
得られる製剤が眼科用に許容される限り、pHを調整するための種々の緩衝液及び手段が使用されてもよい。従って、緩衝液には、酢酸緩衝液、クエン酸緩衝液、リン酸緩衝液及びホウ酸緩衝液が挙げられる。酸または塩基を使用して必要に応じてこれらの製剤のpHを調整してもよい。
【0257】
同じように、本発明での使用のための眼科用に許容される抗酸化剤には、メタ重亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、アセチルシステイン、ブチル化ヒドロキシアニソール及びブチル化ヒドロキシトルエンが挙げられるが、これらに限定されない。
【0258】
眼科製剤に含められてもよい他の賦形剤成分はキレート剤である。他のキレート剤をその代わりにまたはそれと併せて使用してもよいけれども、有用なキレート剤はエデト酸二ナトリウムである。
【0259】
成分は普通、以下の量で使用される:
【0260】
局所用途については、本明細書にて開示されている化合物を含有するクリーム、軟膏、ジェル、溶液または懸濁液等が採用される。局所製剤は一般に医薬キャリア、共溶媒、乳化剤、浸透増強剤、保存剤系及び皮膚軟化剤で構成されてもよい。
【0261】
組成物は、週に1日〜7日の間で所望の成績を達成するのに必要な時間投与されてもよいが、それは数日から数カ月であってもよい。所望の効果に応じて組成物は1日に1回または数回(2、3、4回以上)投与することができる。特定の実施形態では、組成物は、1、2、3、4、5、6または7日ごとに投与することができる。別の実施形態では、組成物は1、2、3または4週ごとに1回以上投与することができる。投与は毎月基準または2ヵ月基準であることができる。さらに、組成物は1、2、3、6、9または12ヵ月以上投与することができる。特定の実施形態では、組成物は継続的に投与されて所望の成績を維持することができる。
【0262】
開示されている化合物を組成物の一部として投与することができる。本明細書で使用されるとき、「製剤」及び「組成物」は相互交換可能に使用されてもよく、所与の目的にために一緒に提示される要素の組み合わせを指す。そのような用語は当業者に周知である。
【0263】
本明細書で使用されるとき、「キャリア」、「不活性キャリア」及び「許容されるキャリア」は相互交換可能に使用されてもよく、所望の組成物を提供するために現在開示されている化合物と組み合わせられてもよいキャリアを指す。当業者は、特定の医薬組成物及び/または化粧品組成物を作製するために周知である多数のキャリアを認識するであろう。望ましくは、キャリアは身体の角質表面または他の領域への適用に好適である。適用の際、許容されるキャリアは皮膚及び他の角質表面との有害反応を実質的に含まない。たとえば、キャリアは、脂肪性または非脂肪性のクリーム、ミルク様の懸濁液または油中エマルションまたは水中油型、ローション、ジェルまたはゼリー、コロイド状のまたは非コロイド状の水溶液または油性溶液、ペースト、エアロゾル、可溶性の錠剤またはスティックの形態を取ってもよい。一実施形態によれば、組成物には皮膚科学的に適合性のある溶剤またはキャリアが含まれる。組成物を調製するのに採用されてもよい溶剤は、たとえば、生理食塩水のような水溶液、油溶液または軟膏を含んでもよい。溶剤はさらに、皮膚科学的に適合性のある保存剤、たとえば、塩化ベンザルコニウム、界面活性剤等、たとえば、ポリソルベート80、リポソームまたはポリマー、たとえば、メチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びヒアルロン酸を含有してもよく;これらは粘度を高めるために使用されてもよい。
【0264】
本組成物に含めることができる追加の作用剤の例は、痒み止め剤、脂肪沈着防止剤、瘢痕化防止剤、及び抗炎症の作用剤、麻酔剤、抗刺激剤、血管収縮剤、血管拡張剤、と同様に出血を防ぐ/止める作用剤、及び色素沈着を改善する/取り除く作用剤、保湿剤、剥離剤、緊張剤、ニキビ抑制剤である。痒み止め剤には、メチルスルホニルメタン、重炭酸ナトリウム、カラミン、アラントイン、カオリン、ペパーミント、ティーツリー油、及びそれらの組み合わせを挙げることができる。脂肪沈着防止剤には、フォルスコリン、たとえば、カフェイン、テオフィリン、テオブロミン及びアミノフィリンのような、しかし、これらに限定されないキサンチン化合物、及びそれらの組み合わせを挙げることができる。麻酔剤には、リドカイン、ベンゾカイン、ブタムベン、ジブカイン、オキシブプロカイン、プラモキシン、プロパラカイン、プロキシメタカイン、テラカイン及びそれらの組み合わせを挙げることができる。瘢痕化防止剤には、IFN−ガンマ、フルオロウラシル、ポリ(乳酸−co−グリコール酸)、メチル化ポリエチレングリコール、ポリ乳酸、ポリエチレングリコール及びそれらの組み合わせを挙げることができる。抗炎症剤には、デキサメタゾン、プレドニゾロン、コルチコステロン、ブデソニド、エストロゲン、スルファサラジン、メサラミン及びそれらの誘導体及び組み合わせを挙げることができる。さらに、たとえば、エピネフリン、チミジン、シチジン、ウリジン、アンチピリン、アミノカプロン酸、トラネキサム酸、ユーカリプトール、アラントイン、グリセリン及び亜セレン酸ナトリウムのような活性剤を含めることができる。製剤はさらに分解抑制剤を含むことができる。分解抑制剤には、グリコサミノグリカン(たとえば、ヘパリン、ヘパリン硫酸、デルマタン硫酸、コンドロイチン硫酸、o−硫酸化HA、リナマリン及びアミグダリン)、抗酸化剤(たとえば、アスコルビン酸、メラトニン、ビタミンC、ビタミンE)、タンパク質(たとえば、血清のヒアルロニダーゼ阻害剤)、及び脂肪酸(たとえば、飽和C
10〜C
22脂肪酸)が挙げられるが、これらに限定されない。特定の実施形態では、追加の活性剤は抗酸化剤である。特定の実施形態では、抗酸化剤は、ビタミンC及び/またはビタミンE、たとえば、d−アルファ―トコフェリルポリエチレングリコール1000スクシネート(TPGS)を含む。
【0265】
開示されている組成物は、局所、皮下、皮内、皮下、皮下及び経皮の投与に上手く適合する。局所投与は、局所作用の発揮のために皮膚傷の部位にて皮膚の表面に塗布される組成物の使用に関する。従って、そのような局所組成物には、組成物が、たとえば、顔、頸、腕、脚及び/または胴のような治療される皮膚表面との直接の接触によって外部に塗布される医薬品形態または化粧品形態が含まれる。この目的での従来の医薬品形態または化粧品形態には、軟膏、塗布薬、クリーム、シャンプー、ローション、ペースト、ゼリー、スプレー、エアロゾル、等が挙げられ、治療される傷及び皮膚の領域に応じて直接、または貼付剤にてまたは含浸包帯にてさらに塗布されてもよい。用語「軟膏」は油性の、水溶性の及びエマルション型の基剤、たとえば、ワセリン、ラノリン、ポリエチレングリコール、と同様にこれらの混合物を有する製剤(クリームを含む)を包含する。
【0266】
組成物は同様にメソセラピーの応用に適する。メソセラピーは組成物の表皮内、皮内及び/または皮下への注射が関与する非外科的な美容治療技法である。組成物は小さな複数の液滴の形態で表皮、真皮−表皮接合部、及び/または真皮に投与される。
【0267】
本発明の活性化合物の実際の用量は特定の化合物及び治療される状態に左右され;適当な用量の選択は、十分に、技量のある熟練者の知識の範囲内である。
【0268】
本明細書にて開示されている化合物は緑内障または他の状態の治療に有用な他の薬剤との併用でも有用である。
【0269】
緑内障の治療については、以下のクラスの薬剤との併用治療が熟考される:
カルテオロール、レボブノロール、メチパラノロール、チモロール半水和物、マレイン酸チモロール、β1−選択性アンタゴニスト、たとえば、ベタキソロール等、または薬学上許容されるそれらの塩またはプロドラッグを含むβブロッカー(またはβ−アドレナリンアンタゴニスト);
非選択性アドレナリンアゴニスト、たとえば、ホウ酸エピネフリン、エピネフリン塩酸塩、及びジピベフリン等、または薬学上許容されるそれらの塩またはプロドラッグを含むアドレナリンアゴニスト;
α
2選択性アドレナリンアゴニスト、たとえば、アプラクロニジン、ブリモニジン等または薬学上許容されるそれらの塩またはプロドラッグ;
アセタゾラミド、ジクロロフェナミド、メタゾラミド、ブリノゾラミド、ドルゾラミド等または薬学上許容されるそれらの塩またはプロドラッグを含む炭酸脱水酵素阻害薬;
直接作用するコリン作用性アゴニスト、たとえば、カルバコール、ピロカルピン塩酸塩、ピロカルピン硝酸塩、ピロカルピン等、または薬学上許容されるそれらの塩またはプロドラッグを含むコリン作用性アゴニスト;
コリンエステラーゼ阻害薬、たとえば、デメカリウム、エコチオフェート、フィソスチグミン等、または薬学上許容されるそれらの塩またはプロドラッグ;
グルタミン酸アンタゴニスト及び他の神経保護剤、たとえば、Ca
2+チャンネルブロッカー、たとえば、メマンチン、アマンタジン、リマンタジン、ニトログリセリン、デキストロファン、デキストロメトルファン、CGS−19755、ジヒドロピリジン、ベラパミル、エモパミル、ベンゾチアゼピン、ベプリジル、ジフェニルブチルピペリジン、ジフェニルピペラジン、HOE166及び関連する薬剤、フルスピリレン、エリプロジル、イフェンプロジル、CP−101、606、チバロシン、2309BT及び840S、フルナリジン、ニカルジピン、ニフェジムピン、ニモジピン、バルニジピン、ベラパミル、リドフラジン、プレニラミン乳酸塩、アミロリド等、または薬学上許容されるそれらの塩またはプロドラッグ;
プロスタミド、たとえば、ビマトプロストまたは薬学上許容されるそれらの塩またはプロドラッグ;
トラボプロスト、UFO−21、クロプロステノール、フルプロステノール、13,14−ジヒドロ−クロプロステノール、イソプロピルウノプロストン、ラタノプロスト等を含むプロスタグランジン;
CB1アゴニスト、たとえば、WIN−55212−2及びCP−55940等、または薬学上許容されるそれらの塩またはプロドラッグを含むカンナビノイド。
【0270】
緑内障を含む眼を冒す疾患の治療については、これらの化合物を局所的に、眼の周囲に、眼内に、または当該技術で既知の他の有効な手段によって投与することができる。
【0271】
EP4受容体に関連する病的な状態には、急性肝炎、喘息、気管支炎、火傷、慢性閉塞性肺疾患、クローン病、消化器潰瘍、緑内障(及び眼圧の上昇に関連する他の疾患)、血球貪食症候群、肝障害、透析の際の高サイトカイン血症、高血圧症、免疫性疾患(自己免疫疾患、臓器移植等)、炎症(たとえば、関節リウマチ)、カワサキ病、肝臓の損傷、マクロファージ活性化症候群、心筋虚血、腎炎、神経細胞死、骨粗鬆症及び骨障害に関連する疾患、早産、肺気腫、肺線維症、肺損傷、腎不全、敗血症、性機能障害、ショック、睡眠障害、スチル病、口内炎、全身性肉芽腫、全身性炎症症候群、血栓症及び卒中、及び潰瘍性大腸炎が挙げられるが、これらに限定されない。
【0272】
本明細書の全体を通して、たとえば、米国及び外国の特許出願、雑誌の論文、書籍の章等のような出版物が参照される。そのような出版物はすべて、特に指示されない限りあらゆる目的で、相当する参考文献と共に公開された補足/支持情報を含めてその全体が参照によって明白に組み入れられる。
【0273】
前述の記載は本発明を実践するのに採用することができる具体的な方法及び組成物を詳述し、熟考された最良の方法を示している。前述の記載は本発明に関して範囲全体を限定すると解釈されるべきではなく、むしろ、本発明の範囲は、添付のクレームの適法な構成によってのみ決定されるべきである。