特許 6592923 電子部品およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6592923

(24)【登録日】2019年10月4日

(45)【発行日】2019年10月23日

(54)【発明の名称】電子部品およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20191010BHJP

   H01G 4/252 20060101ALI20191010BHJP

【ＦＩ】

   H01G4/30 513

   H01G4/252 V

   H01G4/30 517

   H01G4/30 516

   H01G4/30 201F

   H01G4/30 201A

   H01G4/30 201G

   H01G4/30 311

【請求項の数】15

【全頁数】27

(21)【出願番号】特願2015-57896(P2015-57896)

(22)【出願日】2015年3月20日

(65)【公開番号】特開2016-178219(P2016-178219A)

(43)【公開日】2016年10月6日

【審査請求日】2017年12月8日

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】特許業務法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西坂 康弘

(72)【発明者】

【氏名】田中 友絵

【審査官】 田中 晃洋

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１５−０３７１８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−３５９１０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−２８６１４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０８６７１８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｇ ４／３０

Ｈ０１Ｇ ４／２５２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

内部電極が埋設され、１対の主面、該主面同士の間を結ぶ１対の側面、および、前記１対の主面と前記１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する素体と、
前記素体の表面上に設けられて前記内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え、
前記外部電極は、焼結金属を含む焼結体層、電気絶縁性を有する材料からなるガラス層、並びに、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属層を含み、
前記焼結体層は、各前記端面を覆うように各前記端面上から少なくとも一方の前記主面上に亘って設けられ、
前記ガラス層は、前記側面に直交する方向に延在するように各前記端面側の前記焼結体層上に直接設けられて前記外部電極の表面の一部を構成し、
前記金属層は、前記ガラス層に覆われている部分以外の前記焼結体層を覆うように設けられて前記外部電極の表面の他の一部を構成しており、
前記ガラス層の一部は、前記素体の前記１対の主面のうちのいずれか一方の主面上に直接設けられており、
前記素体の厚さの寸法をＬ_Tとし、
前記素体の前記１対の主面のうちの、前記ガラス層の前記一部が直接設けられている他方の前記主面とは異なる一方の前記主面と、前記素体の前記主面に直交する方向に積層されている前記内部電極のうちの一方の前記主面に最も近接している内部電極における一方の前記主面側の縁部との間の距離の寸法をＬ₁とし、
前記素体の各端面側において、前記素体の一方の前記主面と前記ガラス層における一方の前記主面側の端部の位置との間における前記素体の前記主面に直交する方向に沿った距離の寸法をＬ₂とし、
前記素体の一方の前記主面と、前記素体の前記側面に直交する方向に積層されている前記内部電極における一方の前記主面側の縁との間の距離の寸法をＬ₅とすると、
Ｌ_T／１０＜Ｌ₂＜Ｌ₁またはＬ₅、の関係を満たしている、電子部品。

【請求項2】

前記金属層は、各前記端面側から一方の前記主面側に亘って設けられている、請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記端面側の前記ガラス層における一方の前記主面側の縁の位置と、一方の前記主面側の前記外部電極の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面上に、前記内部電極が位置していない、請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記ガラス層は、前記主面に直交する方向にて、前記内部電極において一方の前記主面に最も近接している縁部の位置と、一方の前記主面との間に、前記ガラス層の少なくとも一部が位置するように、各前記端面側の前記焼結体層上に直接設けられている、請求項２に記載の電子部品。

【請求項5】

前記焼結体層が、各前記端面上からさらに各前記側面上に亘るように設けられ、
前記ガラス層が、前記端面に直交する方向に延在するように、さらに各前記側面側の前記焼結体層上に直接設けられている、請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品。

【請求項6】

前記外部電極が、ＮｉまたはＣｕを含む補強層をさらに含み、
前記補強層は、前記焼結体層と前記金属層との間に設けられている、請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品。

【請求項7】

前記外部電極が、前記補強層とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層をさらに含み、
前記下地層は、前記焼結体層と前記補強層との間に設けられている、請求項６に記載の電子部品。

【請求項8】

内部電極が埋設され、１対の主面、該主面同士の間を結ぶ１対の側面、および、前記１対の主面と前記１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する素体を準備する工程と、
前記内部電極と電気的に接続されるように前記素体の表面上に外部電極を設ける工程とを備え、
前記外部電極を設ける工程は、焼結金属を含む焼結体層を設ける工程、電気絶縁性を有する材料からなるガラス層を設ける工程、並びに、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属層を設ける工程を含み、
前記焼結体層を設ける工程にて、各前記端面を覆うように各前記端面上から少なくとも一方の前記主面上に亘って前記焼結体層を設け、
前記ガラス層を設ける工程にて、前記側面に直交する方向に延在して前記外部電極の表面の一部を構成するように前記ガラス層を各前記端面側の前記焼結体層上に直接設け、かつ、前記ガラス層の一部を前記素体の前記１対の主面のうちのいずれか一方の主面上に直接設け、
前記金属層を設ける工程にて、前記ガラス層に覆われている部分以外の前記焼結体層を覆って前記外部電極の表面の他の一部を構成するように前記金属層を設け、
前記素体の厚さの寸法をＬ_Tとし、
前記素体の前記１対の主面のうちの、前記ガラス層の前記一部が直接設けられている他方の前記主面とは異なる一方の前記主面と、前記素体の前記主面に直交する方向に積層されている前記内部電極のうちの一方の前記主面に最も近接している内部電極における一方の前記主面側の縁部との間の距離の寸法をＬ₁とし、
前記素体の各端面側において、前記素体の一方の前記主面と前記ガラス層における一方の前記主面側の端部の位置との間における前記素体の前記主面に直交する方向に沿った距離の寸法をＬ₂とし、
前記素体の一方の前記主面と、前記素体の前記側面に直交する方向に積層されている前記内部電極の一方における前記主面側の縁との間の距離の寸法をＬ₅とすると、
Ｌ_T／１０＜Ｌ₂＜Ｌ₁またはＬ₅、の関係を満たしている、電子部品の製造方法。

【請求項9】

前記金属層を設ける工程にて、各前記端面側から一方の前記主面側に亘って前記金属層を設ける、請求項８に記載の電子部品の製造方法。

【請求項10】

前記外部電極を設ける工程にて、前記端面側の前記ガラス層における一方の前記主面側の縁の位置と、一方の前記主面側の前記外部電極の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面上に、前記内部電極が位置しないように前記外部電極を設ける、請求項９に記載の電子部品の製造方法。

【請求項11】

前記ガラス層を設ける工程にて、前記主面に直交する方向にて、前記内部電極において一方の前記主面に最も近接している縁部の位置と、一方の前記主面との間に、前記ガラス層の少なくとも一部が位置するように、前記ガラス層を各前記端面側の前記焼結体層上に直接設ける、請求項９に記載の電子部品の製造方法。

【請求項12】

前記焼結体層を設ける工程にて、各前記端面上からさらに各前記側面上に亘って前記焼結体層を設け、
前記ガラス層を設ける工程にて、前記端面に直交する方向に延在するように、前記ガラス層をさらに各前記側面側の前記焼結体層上に直接設ける、請求項８から１１のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。

【請求項13】

前記外部電極を設ける工程が、ＮｉまたはＣｕを含む補強層を設ける工程をさらに含み、
前記補強層を設ける工程にて、前記焼結体層と前記金属層との間に前記補強層を設ける、請求項８から１２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。

【請求項14】

前記外部電極を設ける工程が、前記補強層とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層を設ける工程をさらに含み、
前記下地層を設ける工程にて、前記焼結体層と前記補強層との間に前記下地層を設ける、請求項１３に記載の電子部品の製造方法。

【請求項15】

前記焼結体層を設ける工程にて、前記素体に含まれる誘電体層と前記焼結体層とを同時に焼成する、請求項８から１４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子部品およびその製造方法に関し、特に、半田によって実装される電子部品およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半田フィレットの熱収縮に起因して発生したクラックによって内部電極が短絡することを抑制した積層セラミックコンデンサを開示した先行文献として、特開２００３−２２９２９号公報(特許文献１)がある。

【0003】

特許文献１に記載された積層セラミックコンデンサにおいては、半田フィレットの張力によって一方の外部電極近傍の素体中にクラックが生じた場合に、他方の外部電極に接続されている内部電極がこのクラックの隙間内に露出することがないようにしている。これにより、クラック内に水分が進入した場合に内部電極の短絡が発生することを抑制している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００３−２２９２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

半田フィレットの熱収縮による引張応力によって素体にクラックが生じて内部電極が切断されると、積層セラミックコンデンサの静電容量が低下する。このように半田フィレットの熱収縮による引張応力によって電子部品にクラックが生じた場合、電子部品の電気的特性が低下する。

【0006】

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、半田フィレットの熱収縮による引張応力によって素体にクラックが生じることを抑制した電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明に基づく電子部品は、内部電極が埋設され、１対の主面、上記主面同士の間を結ぶ１対の側面、および、上記１対の主面と上記１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する素体と、素体の表面上に設けられて内部電極に電気的に接続された外部電極とを備える。外部電極は、焼結金属を含む焼結体層、電気絶縁性を有する材料からなるガラス層、並びに、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属層を含む。焼結体層は、各上記端面を覆うように各上記端面上から少なくとも一方の上記主面上に亘って設けられている。ガラス層は、上記側面に直交する方向に延在するように各上記端面側の焼結体層上に直接設けられて外部電極の表面の一部を構成している。金属層は、ガラス層に覆われている部分以外の焼結体層を覆うように設けられて外部電極の表面の他の一部を構成している。

【0008】

本発明の一形態においては、金属層は、各上記端面側から一方の上記主面側に亘って設けられている。

【0009】

本発明の一形態においては、上記端面側のガラス層における一方の上記主面側の縁の位置と、一方の上記主面側の外部電極の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面上に、内部電極が位置していない。

【0010】

本発明の一形態においては、ガラス層は、上記主面に直交する方向にて、内部電極において一方の上記主面に最も近接している縁部の位置と、一方の上記主面との間に、ガラス層の少なくとも一部が位置するように、各上記端面側の焼結体層上に直接設けられている。

【0011】

本発明の一形態においては、焼結体層が、各上記端面上からさらに各上記側面上に亘るように設けられている。ガラス層が、上記端面に直交する方向に延在するように、さらに各上記側面側の焼結体層上に直接設けられている。

【0012】

本発明の一形態においては、外部電極が、ＮｉまたはＣｕを含む補強層をさらに含む。補強層は、焼結体層と金属層との間に設けられている。

【0013】

本発明の一形態においては、外部電極が、補強層とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層をさらに含む。下地層は、焼結体層と補強層との間に設けられている。

【0014】

本発明に基づく電子部品の製造方法は、内部電極が埋設され、１対の主面、上記主面同士の間を結ぶ１対の側面、および、上記１対の主面と上記１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する素体を準備する工程と、内部電極と電気的に接続されるように素体の表面上に外部電極を設ける工程とを備える。外部電極を設ける工程は、焼結金属を含む焼結体層を設ける工程、電気絶縁性を有する材料からなるガラス層を設ける工程、並びに、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属層を設ける工程を含む。焼結体層を設ける工程にて、各上記端面を覆うように各上記端面上から少なくとも一方の上記主面上に亘って焼結体層を設ける。ガラス層を設ける工程にて、上記側面に直交する方向に延在して外部電極の表面の一部を構成するようにガラス層を各上記端面側の焼結体層上に直接設ける。金属層を設ける工程にて、ガラス層に覆われている部分以外の焼結体層を覆って外部電極の表面の他の一部を構成するように金属層を設ける。

【0015】

本発明の一形態においては、金属層を設ける工程にて、各上記端面側から一方の上記主面側に亘って金属層を設ける。

【0016】

本発明の一形態においては、外部電極を設ける工程にて、上記端面側のガラス層における一方の上記主面側の縁の位置と、一方の上記主面側の外部電極の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面上に、内部電極が位置しないように外部電極を設ける。

【0017】

本発明の一形態においては、ガラス層を設ける工程にて、上記主面に直交する方向にて、内部電極において一方の上記主面に最も近接している縁部の位置と、一方の上記主面との間に、ガラス層の少なくとも一部が位置するように、ガラス層を各上記端面側の焼結体層上に直接設ける。

【0018】

本発明の一形態においては、焼結体層を設ける工程にて、各上記端面上からさらに各上記側面上に亘って焼結体層を設ける。ガラス層を設ける工程にて、上記端面に直交する方向に延在するように、ガラス層をさらに各上記側面側の焼結体層上に直接設ける。

【0019】

本発明の一形態においては、外部電極を設ける工程が、ＮｉまたはＣｕを含む補強層を設ける工程をさらに含む。補強層を設ける工程にて、焼結体層と金属層との間に補強層を設ける。

【0020】

本発明の一形態においては、外部電極を設ける工程が、補強層とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層を設ける工程をさらに含む。下地層を設ける工程にて、焼結体層と補強層との間に下地層を設ける。

【0021】

本発明の一形態においては、焼結体層を設ける工程にて、素体に含まれる誘電体層と焼結体層とを同時に焼成する。

【発明の効果】

【0022】

本発明によれば、半田フィレットの熱収縮による引張応力によって素体にクラックが生じることを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明の実施形態１に係る電子部品の外観を示す斜視図である。

【図2】図１の電子部品をＩＩ−ＩＩ線矢印方向から見た断面図である。

【図3】図２の電子部品をＩＩＩ−ＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。

【図4】図２の電子部品をＩＶ−ＩＶ線矢印方向から見た断面図である。

【図5】図２の電子部品をＶ−Ｖ線矢印方向から見た断面図である。

【図6】同実施形態に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。

【図7】同実施形態に係る電子部品を半田によって基板上に実装した状態を示す斜視図である。

【図8】本発明の実施形態２に係る電子部品の構成を示す断面図である。

【図9】本発明の実施形態２に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。

【図10】本発明の実施形態３に係る電子部品の構成を示す断面図である。

【図11】本発明の実施形態３に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。

【図12】本発明の実施形態４に係る電子部品の外観を示す斜視図である。

【図13】図１２の電子部品をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。

【図14】本発明の実施形態５に係る電子部品の外観を示す斜視図である。

【図15】図１４の電子部品をＸＶ−ＸＶ線矢印方向から見た断面図である。

【図16】図１４の電子部品をＸＶＩ−ＸＶＩ線矢印方向から見た断面図である。

【図17】図１５，１６の電子部品をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線矢印方向から見た断面図である。

【図18】図１５，１６の電子部品をＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。

【図19】本発明の実施形態６に係る電子部品の外観を示す斜視図である。

【図20】図１９の電子部品をＸＸ−ＸＸ線矢印方向から見た断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、本発明の実施形態１に係る電子部品について図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。以下の説明においては、電子部品として積層セラミックコンデンサについて説明するが、電子部品は、コンデンサに限られず、圧電部品、サーミスタまたはインダクタなどでもよい。

【0025】

(実施形態１)
図１は、本発明の実施形態１に係る電子部品の外観を示す斜視図である。図２は、図１の電子部品をＩＩ−ＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図３は、図２の電子部品をＩＩＩ−ＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図４は、図２の電子部品をＩＶ−ＩＶ線矢印方向から見た断面図である。図５は、図２の電子部品をＶ−Ｖ線矢印方向から見た断面図である。図１においては、後述する素体の長手方向をＬ、素体の幅方向をＷ、素体の厚さ方向をＴで示している。

【0026】

図１〜５に示すように、本発明の実施形態１に係る電子部品１００は、内部電極１３０が埋設された略直方体状の素体１１０と、素体１１０の表面上に設けられて内部電極１３０と電気的に接続された外部電極１２０とを備える。

【0027】

素体１１０においては、誘電体層１４０と平板状の内部電極１３０とが交互に積層されている。誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向は、素体１１０の長手方向Ｌおよび素体１１０の幅方向Ｗに対して直交している。すなわち、誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向は、素体１１０の厚さ方向Ｔと平行である。

【0028】

素体１１０は、厚さ方向Ｔと直交する１対の主面、長手方向Ｌと直交する１対の端面、および、幅方向Ｗと直交する１対の側面を有する。１対の主面は、一方の主面１０と他方の主面１１とからなる。一方の主面１０は、実装時の電子部品１００において、電子部品１００の実装面側に位置する面である。すなわち、電子部品１００が基板上に実装される場合には、一方の主面１０は基板と対向する面である。

【0029】

このように、素体１１０は、誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向に対して直交する１対の主面、主面同士の間を結ぶ１対の側面、および、１対の主面と１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する。

【0030】

なお、素体１１０は、角部に丸みを有する略直方体状の外形を有しているが、角部に丸みを有していなくてもよい。また、１対の主面、１対の端面および１対の側面のいずれかの面に、凹凸が形成されていてもよい。

【0031】

互いに隣り合って対向する内部電極１３０同士において、一方の内部電極１３０は素体１１０の一方の端面側において外部電極１２０に電気的に接続され、他方の内部電極１３０は素体１１０の他方の端面側において外部電極１２０に電気的に接続されている。

【0032】

以下、各構成について詳細に説明する。
誘電体層１４０を構成する材料としては、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃またはＣａＺｒＯ₃などを主成分とする誘電体セラミックスを用いることができる。また、これらの主成分に、副成分として、Ｍｎ化合物、Ｃｏ化合物、Ｓｉ化合物または希土類化合物などが添加された材料を用いてもよい。

【0033】

内部電極１３０は、平面視にて略矩形状の外形を有する。積層方向において互いに隣り合う内部電極１３０同士は、誘電体層１４０を間に挟んで互いに対向している。上記の一方の内部電極１３０と他方の内部電極１３０とは、素体１１０の厚さ方向Ｔに沿って等間隔に交互に配置されている。

【0034】

一方の内部電極１３０は、素体１１０の一方の端面から他方の端面に向けて延在している。図３に示すように、一方の内部電極１３０は、素体１１０の一方の端面において後述する外部電極１２０の焼結体層１２１と接続されている。

【0035】

他方の内部電極１３０は、素体１１０の他方の端面から一方の端面に向けて延在している。図４に示すように、他方の内部電極１３０は、素体１１０の他方の端面において後述する外部電極１２０の焼結体層１２１と接続されている。

【0036】

内部電極１３０を構成する材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎなどの金属、または、これらの金属の少なくとも１種を含む合金、たとえばＡｇとＰｄとの合金などを用いることができる。本実施形態においては、内部電極１３０はＮｉからなる。

【0037】

図２に示すように、外部電極１２０は、焼結金属を含む焼結体層１２１、電気絶縁性を有する材料からなるガラス層１２２、並びに、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属層１２３を含む。

【0038】

焼結体層１２１は、素体１１０の各端面を覆うように各端面上から少なくとも一方の主面１０上に亘って設けられている。本実施形態においては、焼結体層１２１は、素体１１０の一方の端面全体を覆いつつ、一方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体１１０の他方の端面全体を覆いつつ、他方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。素体１１０の一方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている焼結体層１２１と、素体１１０の他方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている焼結体層１２１とは、互いに離間して電気的に接続されていない。

【0039】

焼結体層１２１を構成する材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属、または、これらの金属の少なくとも１種を含む合金を主成分とする導電性ペーストを用いることができる。本実施形態においては、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを素体１１０の表面に塗布して、たとえば７００℃程度の温度において加熱することにより焼結体層１２１を素体１１０に焼き付けている。

【0040】

なお、焼結体層１２１は、ガラス成分を含んでいる。焼結体層１２１のガラス含有率は、表層部の方が内部より高くなっている。焼結体層１２１の表層部のガラス含有率を高くすることにより、後述するガラス層１２２と焼結体層１２１との密着性を高めて、後述するめっき処理時または実装時にガラス層１２２が剥離することを抑制できる。

【0041】

ガラス層１２２は、素体１１０の側面に直交する方向である幅方向Ｗに延在するように各端面側の焼結体層１２１上に直接設けられて外部電極１２０の表面の一部を構成している。

【0042】

本実施形態においては、ガラス層１２２は、素体１１０の各端面側において、素体１１０の幅方向Ｗの全体に亘って延在している。図２に示すように、素体１１０の端面側のガラス層１２２における一方の主面１０側の縁の位置と、素体１１０の一方の主面１０側の外部電極１２０の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面Ｐ₁上に、内部電極１３０が位置していない。

【0043】

なお、本実施形態においては図２に示すように、素体１１０の側面に平行な任意の面における電子部品１００の断面において、仮想面Ｐ₁を構成する仮想線と全ての内部電極１３０とは交差していないが、上記仮想線と交差する内部電極１３０が含まれていてもよい。ただし、上記仮想線と全ての内部電極１３０とが交差していない方が好ましい。

【0044】

また、ガラス層１２２は、素体１１０の主面に直交する方向である厚さ方向Ｔにて、内部電極１３０において素体１１０の一方の主面１０に最も近接している縁部の位置と、素体１１０の一方の主面１０との間に、ガラス層１２２の少なくとも一部が位置するように、素体１１０の各端面側の焼結体層１２１上に直接設けられている。

【0045】

具体的には、素体１１０の一方の主面１０と、一方の主面１０に最も近接している内部電極１３１の一方の主面１０側の縁部との間の距離の寸法をＬ₁とすると、素体１１０の各端面側において、素体１１０の一方の主面１０とガラス層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法Ｌ₂は、Ｌ₂＜Ｌ₁の関係を満たしている。

【0046】

本実施形態においては、Ｌ₂＞０である。すなわち、ガラス層１２２は、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。なお、素体１１０の厚さの寸法をＬ_Tとすると、Ｌ₂＞Ｌ_T／１０であることが後述する理由により好ましい。そのため、電子部品１００において、Ｌ₂＜Ｌ₁の関係、および、Ｌ₂＞Ｌ_T／１０の関係を両方満たすことが好ましい。本実施形態においては、電子部品１００は、Ｌ_T／１０＜Ｌ₂＜Ｌ₁の関係を満たしている。

【0047】

また、ガラス層１２２は、素体１１０の各側面側において、素体１１０の端面に直交する方向である長手方向Ｌに延在している。本実施形態においては、ガラス層１２２は、素体１１０の各側面側において、素体１１０の長手方向Ｌの全体に亘って延在している。すなわち、ガラス層１２２の一部は、素体１１０の各側面側において焼結体層１２１上に直接設けられている。ガラス層１２２の他の一部は、素体１１０の各側面上に直接設けられている。

【0048】

素体１１０の各端面側に設けられたガラス層１２２と、素体１１０の各側面側に設けられたガラス層１２２とは、互いに繋がって環状の形状を有している。素体１１０の各側面側において、素体１１０の一方の主面１０とガラス層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法はＬ₂である。

【0049】

さらに、ガラス層１２２は、素体１１０の他方の主面１１側の全体を覆っている。すなわち、ガラス層１２２の一部は、素体１１０の他方の主面１１側において焼結体層１２１上に直接設けられている。ガラス層１２２の他の一部は、素体１１０の他方の主面１１上に直接設けられている。素体１１０の他方の主面１１側を覆っているガラス層１２２は、素体１１０の各端面側に設けられたガラス層１２２および素体１１０の各側面側に設けられたガラス層１２２の各々と互いに繋がっている。

【0050】

このように、ガラス層１２２の一部は、素体１１０の他方の主面１１上および素体１１０の各側面上に直接設けられている。ガラス層１２２は、焼結体層１２１より素体１１０との密着性が高い。そのため、ガラス層１２２の一部を素体１１０上に直接設けることにより、後述するめっき処理時または実装時にガラス層１２２が剥離することを抑制できる。

【0051】

ガラス層１２２を構成する材料としては、めっき液への耐性に優れるガラス材料であって、Ｓｉのモル分率が２０ｍｏｌ％以上６５ｍｏｌ％以下であるガラス材料が好ましい。

【0052】

ここで、ガラス材料のＳｉのモル分率を変えてガラス層を焼結体層上に形成した５種類の積層体について行なったテープ剥離試験について説明する。テープ剥離試験においては、ｐＨ２で６０℃の硫酸水溶液に積層体を８時間浸漬した後、ガラス層に貼り付けたテープを引き剥がした際の、ガラス層の剥離の有無を確認した。５種類の積層体の各々１０個について行なったテープ剥離試験におけるガラス層の剥離の発生率を下記の表１に示す。

【0053】

【表1】

【0054】

表１に示すように、ガラス層におけるＳｉのモル分率が１０ｍｏｌ％および７０ｍｏｌ％であるときにガラス層の剥離が確認され、ガラス層におけるＳｉのモル分率が２０ｍｏｌ％、４０ｍｏｌ％および６５ｍｏｌ％であるときにはガラス層の剥離は確認されなかった。

【0055】

ガラス層におけるＳｉのモル分率が２０ｍｏｌ％未満である場合、めっき液への耐性が不十分となり、ガラス層が剥離しやすくなる。ガラス層におけるＳｉのモル分率が６５ｍｏｌ％より高い場合、ガラス材料のガラス軟化点が高くなって、焼結体層に対するガラス材料の濡れ性が低下し、ガラス層の焼結体層に対する固着力自体が低下するため、ガラス層が剥離しやすくなる。

【0056】

金属層１２３は、ガラス層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように焼結体層１２１上に設けられて外部電極１２０の表面の他の一部を構成している。

【0057】

本実施形態においては、金属層１２３は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられている。上記のように、ガラス層１２２が、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、金属層１２３は、素体１１０の各端面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。

【0058】

また、金属層１２３は、素体１１０の一方の主面１０側において、ガラス層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。さらに、金属層１２３は、素体１１０の各側面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。

【0059】

上記のように、焼結体層１２１は、素体１１０の一方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体１１０の他方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。

【0060】

よって、素体１１０の一方の端面側から一方の主面１０側および各側面側に亘って金属層１２３が設けられている。また、素体１１０の他方の端面側から一方の主面１０側および各側面側に亘って金属層１２３が設けられている。

【0061】

素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って設けられている金属層１２３と、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って設けられている金属層１２３とは、互いに離間して電気的に接続されていない。

【0062】

金属層１２３を構成する材料としては、半田との濡れ性が良好な材料である、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属材料を用いることができる。具体的には、金属層１２３を構成する材料としては、ＳｎもしくはＳｎ合金、または、ＣｕもしくはＣｕ合金を用いることができる。本実施形態においては、金属層１２３はＳｎからなる。

【0063】

金属層１２３をＣｕで構成した場合、積層セラミックコンデンサの外部電極１２０に耐レーザー性を付与することができる。外部電極１２０に耐レーザー性を付与することにより、積層セラミックコンデンサを内蔵させた基板にレーザーを照射して、外部電極１２０に到達するビアを形成することが可能となる。このビアの内側に、無電解めっきによりＣｕ膜を形成することにより、基板の表面の導電パターンと外部電極１２０とを電気的に接続することができる。

【0064】

以下、本実施形態に係る電子部品の製造方法について説明する。図６は、本実施形態に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。図６に示すように、素体１１０を準備する工程(Ｓ１００)と、内部電極１３０と電気的に接続されるように素体１１０の表面上に外部電極１２０を設ける工程(Ｓ１１０)とを備える。

【0065】

素体１１０は、下記のように作製される。
まず、セラミック粉末を含むセラミックペーストを、ダイコータ法、グラビアコータ法またはマイクログラビアコータ法などによりシート状に塗布して乾燥させることにより、セラミックグリーンシートを作製する。

【0066】

作製した複数のセラミックグリーンシートのうちの一部において、セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法またはグラビア印刷法などにより内部電極形成用の導電ペーストを所定のパターンとなるように塗布する。このようにして、内部電極となる導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートとを用意する。なお、セラミックペーストおよび内部電極形成用の導電ペーストには、公知のバインダーおよび溶媒が含まれていてもよい。

【0067】

導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に、導電パターンが形成された複数のセラミックグリーンシートを順次積層し、さらにその上に、導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層することにより、マザーブロックを作製する。必要に応じて、静水圧プレスなどの手段により、マザーブロックを積層方向にプレスしてもよい。

【0068】

マザーブロックを所定の形状にカットして分割することにより、複数の直方体状の軟質素体を作製する。直方体状の軟質素体をバレル研磨して、軟質素体の角部を丸める。ただし、バレル研磨は必ずしも行なわなくてもよい。

【0069】

軟質素体を焼成することにより硬化させて、素体１１０を作製する。焼成温度は、セラミック材料および導電材料の種類に応じて適宜設定され、たとえば、９００℃以上１３００℃以下の範囲内で設定される。

【0070】

外部電極１２０を設ける工程(Ｓ１１０)は、焼結金属を含む焼結体層１２１を設ける工程(Ｓ１１１)、電気絶縁性を有する材料からなるガラス層１２２を設ける工程(Ｓ１１２)、並びに、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属層１２３を設ける工程(Ｓ１１３)を含む。

【0071】

焼結体層１２１を設ける工程(Ｓ１１１)にて、素体１１０の各端面を覆うように素体１１０の各端面上から少なくとも素体１１０の一方の主面上に亘って焼結体層１２１を設ける。本実施形態においては、ディップ法により素体１１０の両端部に焼結体層１２１となる導電性ペーストを塗布している。このように、焼結体層１２１を設ける工程(Ｓ１１１)にて、素体１１０の各端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って焼結体層１２１を設ける。

【0072】

上述したように、本実施形態においては、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを素体１１０の表面に塗布して、たとえば７００℃程度の温度において加熱することにより焼結体層１２１を素体１１０に焼き付ける。

【0073】

なお、導電性ペーストの塗布と乾燥を繰り返すことにより、複数層の焼結体層１２１を設けてもよい。この場合、表層に位置する焼結体層１２１のガラス含有率を高くするために、先に塗布する導電性ペーストのガラス含有率より、後に塗布する導電性ペーストのガラス含有率を高くすることが好ましい。このようにすることにより、後に形成されるガラス層１２２と焼結体層１２１との密着性を高めて、後述するめっき処理時または実装時にガラス層１２２が剥離することを抑制できる。

【0074】

焼結体層を設ける工程(Ｓ１１１)にて、誘電体層１４０と焼結体層１２１とを同時に焼成してもよい。すなわち、軟質素体に導電性ペーストを塗布した後で焼成することにより、素体１１０と焼結体層１２１とを同時に形成してもよい。

【0075】

ガラス層１２２を設ける工程(Ｓ１１２)にて、素体１１０の側面に直交する方向である幅方向Ｗに延在して外部電極１２０の表面の一部を構成するように、ガラス層１２２を素体１１０の各端面側の焼結体層１２１上に直接設ける。

【0076】

本実施形態においては、ガラス層１２２を下記の方法により設ける。たとえば、粒径(Ｄ５０)が１μｍ以上３μｍ以下であるガラス粉に、ワニスおよび溶剤を混ぜてガラスペーストを作製する。ガラスペーストに含まれるガラス材料の体積分率は、たとえば、２０ｖｏｌ％である。ガラスペーストを、たとえば、厚さが３０μｍのスキージを用いてステージ上に塗膜を形成する。その塗膜に、焼結体層１２１が設けられた素体１１０の他方の主面１１側を浸漬することにより、素体１１０の各端面側、各側面側および他方の主面１１側の各々にガラスペーストを付着させることができる。素体１１０に付着したガラスペーストを、たとえば、１５０℃の温度下にて乾燥させた後、ベルト炉を用いて６５０℃の温度にて加熱して焼き付けることにより、ガラス層１２２を設ける。

【0077】

金属層１２３を設ける工程(Ｓ１１３)にて、ガラス層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆って外部電極１２０の表面の他の一部を構成するように金属層１２３を設ける。

【0078】

本実施形態においては、金属層１２３を電気めっきにより設ける。具体的には、バレルめっき法により金属層１２３を設ける。焼結体層１２１とガラス層１２２とが設けられた複数の素体１１０を収容したバレルをめっき槽内のめっき液中に浸漬した状態で回転させつつ通電することにより、ガラス層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１上に金属層１２３を設ける。

【0079】

上記のように、ガラス層１２２は、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、金属層１２３は、素体１１０の各端面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。また、金属層１２３は、素体１１０の一方の主面１０側において、ガラス層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆う。その結果、金属層１２３は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられる。

【0080】

さらに、金属層１２３は、素体１１０の各側面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って金属層１２３が設けられる。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って金属層１２３が設けられる。

【0081】

上記のように製造された電子部品１００は、半田によって実装される。半田としては、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｃｕ系またはＳｎ−Ａｇ系の半田を用いることができる。

【0082】

図７は、本実施形態に係る電子部品を半田によって基板上に実装した状態を示す斜視図である。図７に示すように、基板２０上にパターニングされたクリーム半田と外部電極１２０の金属層１２３とが接触するように、基板２０上に電子部品１００を配置してリフローすることにより、半田フィレット３０が形成されて電子部品１００が基板２０上に実装される。

【0083】

本実施形態に係る電子部品１００においては、外部電極１２０の表面にガラス層１２２が設けられているため、半田フィレット３０は、ガラス層１２２上を濡れ上がることができずに、外部電極１２０の表面においてガラス層１２２に覆われていない金属層１２３が位置する部分のみに形成される。

【0084】

すなわち、ガラス層１２２が、素体１１０の各端面側において幅方向Ｗの全体に亘って延在し、かつ、素体１１０の各側面側において長手方向Ｌの全体に亘って延在するように設けられているため、半田フィレット３０の濡れ上がりが素体１１０の全周に亘って低減されている。

【0085】

本実施形態に係る電子部品１００の外部電極１２０においては、上記のように、ガラス層１２２を焼結体層１２１上に直接設けているため、リフロー時にクリーム半田と金属層１２３とが融合した際に、ガラス層１２２が剥離することがない。そのため、半田フィレット３０の濡れ上がりを効果的に低減することができる。

【0086】

仮に、金属層１２３上にガラス層１２２を設けている場合、リフロー時にクリーム半田と金属層１２３とが融合した際に、融解した金属層１２３上に位置していたガラス層１２２が剥離する。そのため、ガラス層１２２が剥離して露出した金属層１２３上を半田フィレットが濡れ上がることになり、半田フィレットの濡れ上がりを効果的に低減することができない。

【0087】

本実施形態に係る電子部品１００においては、素体１１０の少なくとも各端面側にガラス層１２２を設けることにより、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体１１０にクラックが生じることを抑制することができる。

【0088】

また、上記のように、素体１１０の端面側のガラス層１２２における一方の主面１０側の縁の位置と、一方の主面１０側の外部電極１２０の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面Ｐ₁上に、内部電極１３０が位置していない。仮に、半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によってクラックが生じた場合、クラックは仮想面Ｐ₁に沿って進展しやすい。そのため、仮想面Ｐ₁上に内部電極１３０が位置していないことにより、クラックによって内部電極１３０が切断されることを抑制できる。その結果、クラックの発生によって電子部品１００の電気的特性が低下することを抑制できる。

【0089】

さらに、上記のように、素体１１０の一方の主面１０と内部電極１３１の一方の主面１０側の縁部との間の距離の寸法をＬ₁、素体１１０の各端面側において素体１１０の一方の主面１０とガラス層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法をＬ₂、素体１１０の厚さの寸法をＬ_Tとすると、Ｌ_T／１０＜Ｌ₂＜Ｌ₁の関係を満たしている。

【0090】

Ｌ_T／１０＜Ｌ₂の関係を満たすことにより、適度な半田フィレット３０を形成して実装時の電子部品１００の姿勢安定性を確保することができる。また、実装された電子部品１００が衝撃などによって基板２０から脱落することを抑制できる。

【0091】

なお、素体１１０の各側面側において、ガラス層１２２が最も外側に位置するように焼結体層１２１を覆っていることが好ましい。このようにすることにより、複数の電子部品１００を互いに近接して実装した際に、仮に、電子部品１００の姿勢安定性が不十分で、互いに隣接する電子部品１００の側面同士がくっついてそれぞれのガラス層１２２が互いに接触した状態で実装された場合に、くっついた電子部品１００同士が電気的に短絡することを防止できる。

【0092】

Ｌ₂＜Ｌ₁の関係を満たすことにより、素体１１０中において内部電極１３０が積層されている領域である機能領域に半田フィレット３０が重なって形成されないため、半田フィレット３０の熱収縮による引張応力を機能領域に作用しにくくすることができる。その結果、半田フィレット３０の熱収縮に起因して機能領域にクラックが発生することを抑制できる。

【0093】

また、Ｌ₂＜Ｌ₁の関係を満たすことにより、いわゆる「鳴き」(acoustic noise)の発生を低減できる。その理由を以下に説明する。

【0094】

素体１１０が圧電性または電歪性を有する材料で構成されている場合、電子部品１００に交流電圧または交流成分が重畳された直流電圧が印加されると、電子部品１００に機械的歪みの振動が生じる。歪みの振動が基板２０に伝播すると基板２０から音が発生する。２０Ｈｚ以上２０ｋＨｚ以下の音は、可聴音として、人に不快感を与える。この現象がいわゆる「鳴き」である。

【0095】

電子部品１００において、機械的歪みの振動の発生源となるのは、上記の機能領域である。機能領域で発生した機械的歪みの振動は、外部電極１２０から半田フィレットを通じて基板２０に伝播する。

【0096】

Ｌ₂＜Ｌ₁の関係を満たすことにより、機能領域に半田フィレット３０が重なって形成されないため、機能領域から半田フィレット３０を通じて基板２０に伝播する振動を低減することができる。その結果、基板２０から発生する音、すなわち「鳴き」の発生を低減できる。特に、比誘電率ε_rが３０００以上の誘電体からなる誘電体層１４０を含む素体１１０を備える積層セラミックコンデンサ、または、公称静電容量が１０μＦ以上である積層セラミックコンデンサなど、「鳴き」が発生しやすい電子部品に対して効果が顕著となる。

【0097】

以下、本発明の実施形態２に係る電子部品およびその製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る電子部品１００ａは、補強層を備える点のみ実施形態１に係る電子部品１００とは異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。

【0098】

(実施形態２)
図８は、本発明の実施形態２に係る電子部品の構成を示す断面図である。図９は、本発明の実施形態２に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。なお、図８においては、図２と同一の方向から電子部品を見た断面を示している。

【0099】

図８に示すように、本発明の実施形態２に係る電子部品１００ａは、外部電極１２０ａが、ＮｉまたはＣｕを含む補強層１２４をさらに含む。補強層１２４は、焼結体層１２１と金属層１２３との間に設けられている。

【0100】

補強層１２４は、ガラス層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように焼結体層１２１上に設けられている。本実施形態においては、補強層１２４は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられている。上記のように、ガラス層１２２が、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、補強層１２４は、素体１１０の各端面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。

【0101】

また、補強層１２４は、素体１１０の一方の主面１０側において、ガラス層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。さらに、補強層１２４は、素体１１０の各側面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。

【0102】

上記のように、焼結体層１２１は、素体１１０の一方の端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体１１０の他方の端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って設けられている。

【0103】

よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って補強層１２４が設けられている。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って補強層１２４が設けられている。

【0104】

補強層１２４を構成する材料としては、ＮｉもしくはＮｉ合金、または、ＣｕもしくはＣｕ合金を用いることができる。本実施形態においては、補強層１２４はＮｉからなる。

【0105】

なお、ガラス層１２２の端部上に補強層１２４が数μｍ程度乗り上げて形成されていてもよい。この場合、ガラス層１２２の表面粗さが粗い方が好ましい。また、補強層１２４の厚さの寸法より、ガラス層１２２の端部上に乗り上げている部分において素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った補強層１２４の長さの寸法の方が大きいことが好ましい。

【0106】

このようにした場合、ガラス層１２２の端部上に乗り上げている補強層１２４がガラス層１２２の表面の凹部内に浸入してスパイク状になり、ガラス層１２２との密着性が高くなる。その結果、ガラス層１２２と補強層１２４との境界が密に接合されて、実装時に半田フィレットがガラス層１２２と補強層１２４との境界に浸入することをより抑制できる。

【0107】

本実施形態においては、金属層１２３は、ガラス層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように補強層１２４上に設けられて外部電極１２０ａの表面の他の一部を構成している。

【0108】

図９に示すように、本実施形態に係る電子部品１００ａの製造方法は、素体１１０を準備する工程(Ｓ１００)と、内部電極１３０と電気的に接続されるように素体１１０の表面上に外部電極１２０ａを設ける工程(Ｓ２１０)とを備える。

【0109】

外部電極１２０ａを設ける工程(Ｓ２１０)は、焼結金属を含む焼結体層１２１を設ける工程(Ｓ１１１)、電気絶縁性を有する材料からなるガラス層１２２を設ける工程(Ｓ１１２)、ＮｉまたはＣｕを含む補強層１２４を設ける工程(Ｓ２１１)、並びに、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属層１２３を設ける工程(Ｓ１１３)を含む。

【0110】

補強層１２４を設ける工程(Ｓ２１１)にて、ガラス層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように補強層１２４を設ける。本実施形態においては、補強層１２４を電気めっきにより設ける。具体的には、バレルめっき法により補強層１２４を設ける。焼結体層１２１とガラス層１２２とが設けられた複数の素体１１０を収容したバレルをめっき槽内のめっき液中に浸漬した状態で回転させつつ通電することにより、ガラス層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１上に補強層１２４を設ける。

【0111】

上記のように、ガラス層１２２は、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、補強層１２４は、素体１１０の各端面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。また、補強層１２４は、素体１１０の一方の主面１０側において、ガラス層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆う。その結果、補強層１２４は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられる。

【0112】

さらに、補強層１２４は、素体１１０の各側面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って補強層１２４が設けられる。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って補強層１２４が設けられる。

【0113】

金属層１２３を設ける工程(Ｓ１１３)にて、ガラス層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆って外部電極１２０の表面の他の一部を構成するように補強層１２４上に金属層１２３を設ける。

【0114】

本実施形態においては、金属層１２３を電気めっきにより設ける。具体的には、バレルめっき法により金属層１２３を設ける。焼結体層１２１とガラス層１２２と補強層１２４とが設けられた複数の素体１１０を収容したバレルをめっき槽内のめっき液中に浸漬した状態で回転させつつ通電することにより、補強層１２４上に金属層１２３を設ける。その結果、金属層１２３は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられる。さらに、金属層１２３は、素体１１０の各側面側において、補強層１２４上に設けられる。

【0115】

よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って金属層１２３が設けられる。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って金属層１２３が設けられる。

【0116】

本実施形態に係る電子部品１００ａにおいても、素体１１０の少なくとも各端面側にガラス層１２２を設けることにより、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体１１０にクラックが生じることを抑制することができる。

【0117】

以下、本発明の実施形態３に係る電子部品およびその製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る電子部品１００ｂは、下地層を備える点のみ実施形態２に係る電子部品１００ａとは異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。

【0118】

(実施形態３)
図１０は、本発明の実施形態３に係る電子部品の構成を示す断面図である。図１１は、本発明の実施形態３に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。なお、図１０においては、図２と同一の方向から電子部品を見た断面を示している。

【0119】

図１０に示すように、本発明の実施形態３に係る電子部品１００ｂは、外部電極１２０ｂが、補強層１２４とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層１２５をさらに含む。下地層１２５は、焼結体層１２１と補強層１２４との間に設けられている。

【0120】

下地層１２５は、ガラス層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように焼結体層１２１上に設けられている。本実施形態においては、下地層１２５は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられている。上記のように、ガラス層１２２が、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、下地層１２５は、素体１１０の各端面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。

【0121】

また、下地層１２５は、素体１１０の一方の主面１０側において、ガラス層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。さらに、下地層１２５は、素体１１０の各側面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。

【0122】

上記のように、焼結体層１２１は、素体１１０の一方の端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体１１０の他方の端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って設けられている。

【0123】

よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って下地層１２５が設けられている。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って下地層１２５が設けられている。

【0124】

下地層１２５を構成する材料としては、補強層１２４を構成する材料とは異なる材料であって、ＮｉもしくはＮｉ合金、または、ＣｕもしくはＣｕ合金を用いることができる。本実施形態においては、下地層１２５はＣｕからなる。

【0125】

なお、ガラス層１２２の端部上に下地層１２５が数μｍ程度乗り上げて形成されていてもよい。この場合、ガラス層１２２の表面粗さが粗い方が好ましい。また、下地層１２５の厚さの寸法より、ガラス層１２２の端部上に乗り上げている部分において素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った下地層１２５の長さの寸法の方が大きいことが好ましい。

【0126】

このようにした場合、ガラス層１２２の端部上に乗り上げている下地層１２５がガラス層１２２の表面の凹部内に浸入してスパイク状になり、ガラス層１２２との密着性が高くなる。その結果、ガラス層１２２と下地層１２５との境界が密に接合されて、実装時に半田フィレットがガラス層１２２と下地層１２５との境界に浸入することをより抑制できる。

【0127】

本実施形態においては、補強層１２４は、下地層１２５の全体を覆うように下地層１２５上に設けられている。本実施形態においては、補強層１２４はＮｉからなる。

【0128】

図１１に示すように、本実施形態に係る電子部品１００ｂの製造方法は、素体１１０を準備する工程(Ｓ１００)と、内部電極１３０と電気的に接続されるように素体１１０の表面上に外部電極１２０ｂを設ける工程(Ｓ３１０)とを備える。

【0129】

外部電極１２０ｂを設ける工程(Ｓ３１０)は、焼結金属を含む焼結体層１２１を設ける工程(Ｓ１１１)、電気絶縁性を有する材料からなるガラス層１２２を設ける工程(Ｓ１１２)、補強層１２４とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層１２５を設ける工程(Ｓ３１１)、ＮｉまたはＣｕを含む補強層１２４を設ける工程(Ｓ２１１)、並びに、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属層１２３を設ける工程(Ｓ１１３)を含む。

【0130】

下地層１２５を設ける工程(Ｓ３１１)にて、焼結体層１２１と補強層１２４との間に下地層１２５を設ける。

【0131】

本実施形態においては、下地層１２５を電気めっきにより設ける。具体的には、バレルめっき法により下地層１２５を設ける。焼結体層１２１とガラス層１２２とが設けられた複数の素体１１０を収容したバレルをめっき槽内のめっき液中に浸漬した状態で回転させつつ通電することにより、ガラス層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１上に下地層１２５を設ける。

【0132】

上記のように、ガラス層１２２は、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため下地層１２５は、素体１１０の各端面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。また、下地層１２５は、素体１１０の一方の主面１０側において、ガラス層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆う。その結果、下地層１２５は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられる。

【0133】

さらに、下地層１２５は、素体１１０の各側面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って下地層１２５が設けられる。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って下地層１２５が設けられる。

【0134】

本実施形態においては、補強層１２４を電気めっきにより設ける。具体的には、バレルめっき法により補強層１２４を設ける。焼結体層１２１とガラス層１２２と下地層１２５とが設けられた複数の素体１１０を収容したバレルをめっき槽内のめっき液中に浸漬した状態で回転させつつ通電することにより、下地層１２５上に補強層１２４を設ける。

【0135】

下地層１２５上に補強層１２４を設けることにより、補強層１２４を焼結体層１２１上に設ける場合に比較して、補強層１２４をめっきによって容易に設けることができる。

【0136】

本実施形態に係る電子部品１００ｂにおいても、素体１１０の少なくとも各端面側にガラス層１２２を設けることにより、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体１１０にクラックが生じることを抑制することができる。

【0137】

以下、本発明の実施形態４に係る電子部品について説明する。なお、本実施形態に係る電子部品４００は、ガラス層、金属層および補強層の形成位置のみ実施形態２に係る電子部品１００ａとは異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。

【0138】

(実施形態４)
図１２は、本発明の実施形態４に係る電子部品の外観を示す斜視図である。図１３は、図１２の電子部品をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。

【0139】

図１２，１３に示すように、本発明の実施形態４に係る電子部品４００は、素体１１０と、素体１１０の表面上に設けられて内部電極１３０と電気的に接続された外部電極４２０とを備える。外部電極４２０は、焼結金属を含む焼結体層１２１、電気絶縁性を有する材料からなるガラス層４２２、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属層４２３並びに、ＮｉまたはＣｕを含む補強層４２４を含む。補強層４２４は、焼結体層１２１と金属層４２３との間に設けられている。なお、補強層４２４は、必ずしも設けられなくてもよい。

【0140】

ガラス層４２２は、素体１１０の側面に直交する方向である幅方向Ｗに延在するように各端面側の焼結体層１２１上に直接設けられて外部電極４２０の表面の一部を構成している。本実施形態においては、ガラス層４２２は、素体１１０の各端面側の焼結体層１２１の全体を覆っている。ガラス層４２２は、素体１１０の各主面側および各側面側の焼結体層１２１は覆っていない。

【0141】

ガラス層４２２の形成方法として、上記のように作製したガラスペーストを、たとえば、厚さが３０μｍのスキージを用いてステージ上に塗膜を形成し、その塗膜に、焼結体層１２１が設けられた素体１１０の各端面側を順次浸漬することにより、素体１１０の各端面側にガラスペーストを付着させることができる。素体１１０に付着したガラスペーストを、たとえば、１５０℃の温度下にて乾燥させた後、ベルト炉を用いて６５０℃の温度にて加熱して焼き付けることにより、ガラス層４２２を設けることができる。

【0142】

補強層４２４は、ガラス層４２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように焼結体層１２１上に設けられている。上記のように、ガラス層４２２は、素体１１０の各主面側および各側面側の焼結体層１２１は覆っていない。そのため、補強層４２４は、素体１１０の各主面側および各側面側において、ガラス層４２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。

【0143】

補強層４２４を構成する材料としては、ＮｉもしくはＮｉ合金、または、ＣｕもしくはＣｕ合金を用いることができる。本実施形態においては、補強層４２４はＮｉからなる。

【0144】

金属層４２３は、ガラス層４２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように補強層４２４上に設けられて外部電極４２０の表面の他の一部を構成している。補強層４２４が設けられない場合には、金属層４２３は、ガラス層４２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１上に設けられる。

【0145】

本実施形態においては、金属層４２３は、素体１１０の各端面側および各側面側において、ガラス層４２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。

【0146】

本実施形態においては、電子部品４００の外部電極４２０において、素体１１０の一方の主面１０側および他方の主面１１側の両方を基板２０との実装面にすることができる。

【0147】

すなわち、電子部品４００の外部電極４２０において、素体１１０の一方の主面１０側および他方の主面１１側のいずれを実装面にした場合においても、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体１１０にクラックが生じることを抑制することができる。

【0148】

そのため、本実施形態に係る電子部品４００においては、素体１１０の厚さ方向Ｔにおける電子部品４００の向きに制限されることなく電子部品４００を実装することができる。

【0149】

以下、本発明の実施形態５に係る電子部品について説明する。なお、本実施形態に係る電子部品５００は、内部電極の積層方向のみ実施形態１に係る電子部品１００とは異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。

【0150】

(実施形態５)
図１４は、本発明の実施形態５に係る電子部品の外観を示す斜視図である。図１５は、図１４の電子部品をＸＶ−ＸＶ線矢印方向から見た断面図である。図１６は、図１４の電子部品をＸＶＩ−ＸＶＩ線矢印方向から見た断面図である。図１７は、図１５，１６の電子部品をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図１８は、図１５，１６の電子部品をＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図１４においては、素体の長手方向をＬ、素体の幅方向をＷ、素体の厚さ方向をＴで示している。

【0151】

図１４〜１８に示すように、本発明の実施形態５に係る電子部品５００は、内部電極１３０が埋設された略直方体状の素体５１０と、素体５１０の表面上に設けられて内部電極１３０と電気的に接続された外部電極１２０とを備える。

【0152】

素体５１０においては、誘電体層１４０と平板状の内部電極１３０とが交互に積層されている。誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向は、素体５１０の長手方向Ｌおよび素体５１０の厚さ方向Ｔに対して直交している。すなわち、誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向は、素体５１０の幅方向Ｗと平行である。

【0153】

素体５１０は、厚さ方向Ｔと直交する１対の主面、長手方向Ｌと直交する１対の端面、および、幅方向Ｗと直交する１対の側面を有する。１対の主面は、一方の主面１０と他方の主面１１とからなる。一方の主面１０は、実装時の電子部品５００において、電子部品５００の実装面側に位置する面である。すなわち、電子部品５００が基板上に実装される場合には、一方の主面１０は基板と対向する面である。

【0154】

このように、素体５１０は、誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向に対して直交する１対の側面、側面同士の間を結ぶ１対の主面、および、１対の主面と１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する。

【0155】

なお、素体５１０は、角部に丸みを有する略直方体状の外形を有しているが、角部に丸みを有していなくてもよい。また、１対の主面、１対の端面および１対の側面のいずれかの面に、凹凸が形成されていてもよい。

【0156】

互いに隣り合って対向する内部電極１３０同士において、一方の内部電極１３０は素体５１０の一方の端面側において外部電極１２０に電気的に接続され、他方の内部電極１３０は素体５１０の他方の端面側において外部電極１２０に電気的に接続されている。

【0157】

本実施形態においては、ガラス層１２２は、素体５１０の各端面側において、素体５１０の幅方向Ｗの全体に亘って延在している。図１５，１６に示すように、素体５１０の端面側のガラス層１２２における一方の主面１０側の縁の位置と、素体５１０の一方の主面１０側の外部電極１２０の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面Ｐ₁上に、内部電極１３０が位置していない。

【0158】

なお、本実施形態においては図１５，１６に示すように、素体５１０の側面に平行な任意の面における電子部品５００の断面において、仮想面Ｐ₁を構成する仮想線と全ての内部電極１３０とは交差していないが、上記仮想線と交差する内部電極１３０が含まれていてもよい。ただし、上記仮想線と全ての内部電極１３０とが交差していない方が好ましい。

【0159】

また、ガラス層１２２は、素体５１０の主面に直交する方向である厚さ方向Ｔにて、内部電極１３０において素体５１０の一方の主面１０に最も近接している縁部の位置と、素体５１０の一方の主面１０との間に、ガラス層１２２の少なくとも一部が位置するように、素体５１０の各端面側の焼結体層１２１上に直接設けられている。

【0160】

具体的には、素体５１０の一方の主面１０と内部電極１３０の一方の主面１０側の縁との間の距離の寸法をＬ₅とすると、素体５１０の各端面側において、素体５１０の一方の主面１０とガラス層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体５１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法Ｌ₂は、Ｌ₂＜Ｌ₅の関係を満たしている。

【0161】

本実施形態においては、Ｌ₂＞０である。すなわち、ガラス層１２２は、素体５１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。なお、素体５１０の厚さの寸法をＬ_Tとすると、Ｌ₂＞Ｌ_T／１０であることが好ましい。そのため、電子部品５００において、Ｌ₂＜Ｌ₅の関係、および、Ｌ₂＞Ｌ_T／１０の関係を両方満たすことが好ましい。本実施形態においては、電子部品５００は、Ｌ_T／１０＜Ｌ₂＜Ｌ₅の関係を満たしている。

【0162】

また、ガラス層１２２は、素体５１０の各側面側において、素体５１０の端面に直交する方向である長手方向Ｌに延在している。本実施形態においては、ガラス層１２２は、素体５１０の各側面側において、素体５１０の長手方向Ｌの全体に亘って延在している。すなわち、ガラス層１２２の一部は、素体５１０の各側面側において焼結体層１２１上に直接設けられている。ガラス層１２２の他の一部は、素体５１０の各側面上に直接設けられている。

【0163】

素体５１０の各端面側に設けられたガラス層１２２と、素体５１０の各側面側に設けられたガラス層１２２とは、互いに繋がって環状の形状を有している。素体５１０の各側面側において、素体５１０の一方の主面１０とガラス層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体５１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法はＬ₂である。

【0164】

さらに、ガラス層１２２は、素体５１０の他方の主面１１側の全体を覆っている。すなわち、ガラス層１２２の一部は、素体５１０の他方の主面１１側において焼結体層１２１上に直接設けられている。ガラス層１２２の他の一部は、素体５１０の他方の主面１１上に直接設けられている。素体５１０の他方の主面１１側を覆っているガラス層１２２は、素体５１０の各端面側に設けられたガラス層１２２および素体５１０の各側面側に設けられたガラス層１２２の各々と互いに繋がっている。

【0165】

このように、ガラス層１２２の一部は、素体５１０の他方の主面１１上および素体５１０の各側面上に直接設けられている。ガラス層１２２は、焼結体層１２１より素体５１０との密着性が高い。そのため、ガラス層１２２の一部を素体５１０上に直接設けることにより、めっき処理時または実装時にガラス層１２２が剥離することを抑制できる。

【0166】

本実施形態においては、金属層１２３は、素体５１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられている。上記のように、ガラス層１２２が、素体５１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、金属層１２３は、素体５１０の各端面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。

【0167】

また、金属層１２３は、素体５１０の一方の主面１０側において、ガラス層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。さらに、金属層１２３は、素体５１０の各側面側において、ガラス層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。

【0168】

上記のように、焼結体層１２１は、素体５１０の一方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体５１０の他方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。

【0169】

よって、素体５１０の一方の端面側から一方の主面１０側および各側面側に亘って金属層１２３が設けられている。また、素体５１０の他方の端面側から一方の主面１０側および各側面側に亘って金属層１２３が設けられている。

【0170】

素体５１０の一方の端面側から素体５１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って設けられている金属層１２３と、素体５１０の他方の端面側から素体５１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って設けられている金属層１２３とは、互いに離間して電気的に接続されていない。

【0171】

本実施形態に係る電子部品５００においても、素体５１０の少なくとも各端面側にガラス層１２２を設けることにより、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体５１０にクラックが生じることを抑制することができる。

【0172】

上記のように、素体５１０の端面側のガラス層１２２における一方の主面１０側の縁の位置と、一方の主面１０側の外部電極１２０の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面Ｐ₁上に、内部電極１３０が位置していない。仮に、半田フィレットの熱収縮による引張応力によってクラックが生じた場合、クラックは仮想面Ｐ₁に沿って進展しやすい。そのため、仮想面Ｐ₁上に内部電極１３０が位置していないことにより、クラックによって内部電極１３０が切断されることを抑制できる。その結果、クラックの発生によって電子部品５００の電気的特性が低下することを抑制できる。

【0173】

さらに、上記のように、素体５１０の一方の主面１０と内部電極１３０の一方の主面１０側の縁との間の距離の寸法をＬ₅、素体５１０の各端面側において素体５１０の一方の主面１０とガラス層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体５１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法をＬ₂、素体５１０の厚さの寸法をＬ_Tとすると、Ｌ_T／１０＜Ｌ₂＜Ｌ₅の関係を満たしている。

【0174】

Ｌ_T／１０＜Ｌ₂の関係を満たすことにより、適度な半田フィレットを形成して実装時の電子部品５００の姿勢安定性を確保することができる。また、実装された電子部品５００が衝撃などによって基板から脱落することを抑制できる。

【0175】

なお、素体５１０の各側面側において、ガラス層１２２が最も外側に位置するように焼結体層１２１を覆っていることが好ましい。このようにすることにより、複数の電子部品５００を互いに近接して実装した際に、仮に、電子部品５００の姿勢安定性が不十分で、互いに隣接する電子部品５００の側面同士がくっついてそれぞれのガラス層１２２が互いに接触した状態で実装された場合に、くっついた電子部品５００同士が電気的に短絡することを防止できる。

【0176】

Ｌ₂＜Ｌ₅の関係を満たすことにより、素体５１０中において内部電極１３０が積層されている領域である機能領域に半田フィレットが重なって形成されないため、半田フィレットの熱収縮による引張応力を機能領域に作用しにくくすることができる。その結果、半田フィレットの熱収縮に起因して機能領域にクラックが発生することを抑制できる。

【0177】

なお、実施形態２に係る電子部品１００ａ、実施形態３に係る電子部品１００ｂ、および、実施形態４に係る電子部品４００の各々において、内部電極１３０の積層方向を本実施形態の電子部品５００と同様にしてもよい。

【0178】

以下、本発明の実施形態６に係る電子部品について説明する。なお、本実施形態に係る電子部品６００は、焼結体層、ガラス層、金属層および補強層の形成位置のみ実施形態２に係る電子部品１００ａとは異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。

【0179】

(実施形態６)
図１９は、本発明の実施形態６に係る電子部品の外観を示す斜視図である。図２０は、図１９の電子部品をＸＸ−ＸＸ線矢印方向から見た断面図である。

【0180】

図１９，２０に示すように、本発明の実施形態６に係る電子部品６００は、素体１１０と、素体１１０の表面上に設けられて内部電極１３０と電気的に接続された外部電極６２０とを備える。外部電極６２０は、焼結金属を含む焼結体層６２１、電気絶縁性を有する材料からなるガラス層６２２、ＳｎおよびＣｕの少なくとも一方を含む金属層６２３並びに、ＮｉまたはＣｕを含む補強層６２４を含む。補強層６２４は、焼結体層６２１と金属層６２３との間に設けられている。なお、補強層６２４は、必ずしも設けられなくてもよい。

【0181】

焼結体層６２１は、素体１１０の各端面を覆うように各端面上から一方の主面１０上に亘って設けられている。本実施形態においては、焼結体層６２１は、素体１１０の一方の端面全体を覆いつつ、一方の端面上から一方の主面１０上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体１１０の他方の端面全体を覆いつつ、他方の端面上から一方の主面１０上に亘って設けられている。焼結体層６２１は、素体１１０の他方の主面１１上および各側面上には設けられていない。素体１１０の一方の端面上から一方の主面１０上に亘って設けられている焼結体層６２１と、素体１１０の他方の端面上から一方の主面１０上に亘って設けられている焼結体層６２１とは、互いに離間して電気的に接続されていない。

【0182】

焼結体層６２１を構成する材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属、または、これらの金属の少なくとも１種を含む合金を主成分とする導電性ペーストを用いることができる。本実施形態においては、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを素体１１０の表面に塗布して、たとえば７００℃程度の温度において加熱することにより焼結体層６２１を素体１１０に焼き付けている。

【0183】

ガラス層６２２は、素体１１０の側面に直交する方向である幅方向Ｗに延在するように各端面側の焼結体層６２１上に直接設けられて外部電極６２０の表面の一部を構成している。本実施形態においては、ガラス層６２２は、素体１１０の各端面側の焼結体層６２１の全体を覆っている。ガラス層６２２は、素体１１０の一方の主面１０側の焼結体層６２１は覆っていない。

【0184】

ガラス層６２２の形成方法として、上記のように作製したガラスペーストを、たとえば、厚さが３０μｍのスキージを用いてステージ上に塗膜を形成し、その塗膜に、焼結体層６２１が設けられた素体１１０の各端面側を順次浸漬することにより、素体１１０の各端面側にガラスペーストを付着させることができる。素体１１０に付着したガラスペーストを、たとえば、１５０℃の温度下にて乾燥させた後、ベルト炉を用いて６５０℃の温度にて加熱して焼き付けることにより、ガラス層６２２を設けることができる。

【0185】

補強層６２４は、ガラス層６２２に覆われている部分以外の焼結体層６２１を覆うように焼結体層６２１上に設けられている。上記のように、ガラス層６２２は、素体１１０の一方の主面１０側の焼結体層６２１は覆っていない。そのため、補強層６２４は、一方の主面１０側において、ガラス層６２２に覆われていない焼結体層６２１を覆っている。

【0186】

補強層６２４を構成する材料としては、ＮｉもしくはＮｉ合金、または、ＣｕもしくはＣｕ合金を用いることができる。本実施形態においては、補強層６２４はＮｉからなる。

【0187】

金属層６２３は、ガラス層６２２に覆われている部分以外の焼結体層６２１を覆うように補強層６２４上に設けられて外部電極６２０の表面の他の一部を構成している。補強層６２４が設けられない場合には、金属層６２３は、ガラス層６２２に覆われている部分以外の焼結体層６２１上に設けられる。

【0188】

本実施形態においては、金属層６２３は、素体１１０の一方の主面１０側において、ガラス層６２２に覆われていない焼結体層６２１を覆っている。

【0189】

本実施形態に係る電子部品６００においても、素体１１０の少なくとも各端面側にガラス層６２２を設けることにより、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体１１０にクラックが生じることを抑制することができる。

【0190】

上記の実施形態１〜６の各々における電子部品において、組み合わせ可能な構成を互いに組み合わせてもよい。

【0191】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0192】

１０，１１ 主面、２０ 基板、３０ 半田フィレット、１００，１００ａ，１００ｂ，４００，５００，６００ 電子部品、１１０，５１０ 素体、１２０，１２０ａ，１２０ｂ，４２０，６２０ 外部電極、１２１，６２１ 焼結体層、１２２，４２２，６２２ ガラス層、１２３，４２３，６２３ 金属層、１２４，４２４，６２４ 補強層、１２５ 下地層、１３０，１３１ 内部電極、１４０ 誘電体層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】