特許 6593669 支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6593669

(24)【登録日】2019年10月4日

(45)【発行日】2019年10月23日

(54)【発明の名称】支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体

(51)【国際特許分類】

   C03C 3/091 20060101AFI20191010BHJP

   C03C 3/093 20060101ALI20191010BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20191010BHJP

【ＦＩ】

   C03C3/091

   C03C3/093

   H01L23/12 501P

【請求項の数】11

【全頁数】15

(21)【出願番号】特願2014-176864(P2014-176864)

(22)【出願日】2014年9月1日

(65)【公開番号】特開2015-78113(P2015-78113A)

(43)【公開日】2015年4月23日

【審査請求日】2017年8月2日

(31)【優先権主張番号】特願2013-189065(P2013-189065)

(32)【優先日】2013年9月12日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000232243

【氏名又は名称】日本電気硝子株式会社

(72)【発明者】

【氏名】池田 光

(72)【発明者】

【氏名】三和 晋吉

【審査官】 和瀬田 芳正

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１１／０９０１６４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１２−０１５２１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−３１１４９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１６４３１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１３６８９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１３７６３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０２−０３０６４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０３−２３７０３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１７７０３４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０３Ｃ １／００ − １４／００

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が５０×１０^−７／℃以上、且つ６６×１０^−７／℃以下であり、板厚偏差が５μｍ以下であり、半導体チップが樹脂でモールドされた加工基板の支持に用いることを特徴とする支持ガラス基板。

【請求項2】

３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が５０×１０^−７／℃以上、且つ７０×１０^−７／℃以下であり、板厚偏差が５μｍ以下であり、半導体チップが樹脂でモールドされた加工基板の支持に用いることを特徴とする支持ガラス基板。

【請求項3】

板厚方向、波長３００ｎｍにおける紫外線透過率が４０％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の支持ガラス基板。

【請求項4】

ヤング率が６５ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の支持ガラス基板。

【請求項5】

ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５０〜８０％、Ａｌ_２Ｏ_３ １〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３ ３〜２０％、ＭｇＯ ０〜１０％、ＣａＯ ０〜１０％、ＳｒＯ ０〜７％、ＢａＯ ０〜７％、ＺｎＯ ０〜７％、Ｎａ_２Ｏ ５〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜１０％を含有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の支持ガラス基板。

【請求項6】

ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５５〜７０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜１５％、Ｂ_２Ｏ_３ ５〜２０％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ０〜１０％、ＳｒＯ ０〜５％、ＢａＯ ０〜５％、ＺｎＯ ０〜５％、Ｎａ_２Ｏ ５〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜１０％を含有することを特徴とする請求項５に記載の支持ガラス基板。

【請求項7】

板厚が２．０ｍｍ未満であり、直径１００〜５００ｍｍのウェハ形状又は略円板形状であり、且つ板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の支持ガラス基板。

【請求項8】

少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える搬送体であって、支持ガラス基板が請求項１〜７の何れかに記載の支持ガラス基板であり、加工基板が半導体チップが樹脂でモールドされた基板であることを特徴とする搬送体。

【請求項9】

少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える搬送体を用意する工程と、
搬送体を搬送する工程と、
加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項１〜７の何れかに記載の支持ガラス基板であり、加工基板が半導体チップが樹脂でモールドされた基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

【請求項10】

加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。

【請求項11】

加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体に関し、具体的には、半導体パッケージ（半導体装置）の製造工程で加工基板の支持に用いる支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体に関する。

【背景技術】

【0002】

携帯電話、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄａｔａ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯型電子機器には、小型化及び軽量化が要求されている。これに伴い、これらの電子機器に用いられる半導体チップの実装スペースも厳しく制限されており、半導体チップの高密度な実装が課題になっている。そこで、近年では、三次元実装技術、すなわち半導体チップ同士を積層し、各半導体チップ間を配線接続することにより、半導体パッケージの高密度実装を図っている。

【0003】

また、従来のウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）は、バンプをウェハの状態で形成した後、ダイシングで個片化することにより作製されている。しかし、従来のＷＬＰは、ピン数を増加させ難いことに加えて、半導体チップの裏面が露出した状態で実装されるため、半導体チップの欠け等が発生し易いという問題があった。

【0004】

そこで、新たなＷＬＰとして、ｆａｎ ｏｕｔ型のＷＬＰが提案されている。ｆａｎ ｏｕｔ型のＷＬＰは、ピン数を増加させることが可能であり、また半導体チップの端部を保護することにより、半導体チップの欠け等を防止することができる。

【発明の開示】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ｆａｎ ｏｕｔ型のＷＬＰでは、複数の半導体チップを樹脂の封止材でモールドして、加工基板を形成した後に、加工基板の一方の表面に配線する工程、半田バンプを形成する工程等を有する。

【0006】

これらの工程は、約２００℃の熱処理を伴うため、封止材が変形して、加工基板が寸法変化する虞がある。加工基板が寸法変化すると、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが困難になり、また半田バンプを正確に形成することも困難になる。

【0007】

加工基板の寸法変化を抑制するために、加工基板を支持するための支持基板を用いることが有効である。しかし、支持基板を用いた場合であっても、加工基板の寸法変化が生じる場合があった。

【0008】

本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、その技術的課題は、加工基板の寸法変化を生じさせ難い支持基板及びこれを用いた搬送体を創案することにより、半導体パッケージの高密度実装に寄与することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明者等は、種々の実験を繰り返した結果、支持基板としてガラス基板を採択すると共に、このガラス基板の熱膨張係数を厳密に規制することにより、上記技術的課題を解決し得ることを見出し、本発明として、提案するものである。すなわち、本発明の支持ガラス基板は、２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が５０×１０^−７／℃以上、且つ６６×１０^−７／℃以下であることを特徴とする。ここで、「２０〜２００℃の温度範囲における平均熱膨張係数」は、ディラトメーターで測定可能である。

【0010】

ガラス基板は、表面を平滑化し易く、且つ剛性を有する。よって、支持基板としてガラス基板を用いると、加工基板を強固、且つ正確に支持することが可能になる。またガラス基板は、紫外光等の光を透過し易い。よって、支持基板としてガラス基板を用いると、接着層等を設けることにより加工基板と支持ガラス基板を容易に固定することができる。また剥離層等を設けることにより加工基板と支持ガラス基板を容易に分離することもできる。

【0011】

また、本発明の支持ガラス基板では、２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が５０×１０^−７／℃以上、且つ６６×１０^−７／℃以下に規制されている。このようにすれば、加工基板内で半導体チップの割合が少なく、封止材の割合が多い場合に、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し易くなる。そして、両者の熱膨張係数が整合すると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に、反り変形）を抑制し易くなる。結果として、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが可能になり、また半田バンプを正確に形成することも可能になる。

【0012】

第二に、本発明の支持ガラス基板は、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が５０×１０^−７／℃以上、且つ７０×１０^−７／℃以下であることを特徴とする。ここで、「３０〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数」は、ディラトメーターで測定可能である。

【0013】

第三に、本発明の支持ガラス基板は、半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いることが好ましい。

【0014】

第四に、本発明の支持ガラス基板は、板厚方向、波長３００ｎｍにおける紫外線透過率が４０％以上であることが好ましい。ここで、「板厚方向、波長３００ｎｍにおける紫外線透過率」は、例えば、ダブルビーム型分光光度計を用いて、波長３００ｎｍの分光透過率を測定することで評価可能である。

【0015】

第五に、本発明の支持ガラス基板は、ヤング率が６５ＧＰａ以上であることが好ましい。ここで、「ヤング率」は、曲げ共振法により測定した値を指す。なお、１ＧＰａは、約１０１．９Ｋｇｆ／ｍｍ^２に相当する。

【0016】

第六に、本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５０〜８０％、Ａｌ_２Ｏ_３ １〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３ ３〜２０％、ＭｇＯ ０〜１０％、ＣａＯ ０〜１０％、ＳｒＯ ０〜７％、ＢａＯ ０〜７％、ＺｎＯ ０〜７％、Ｎａ_２Ｏ ５〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜１０％を含有することが好ましい。

【0017】

第七に、本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５５〜７０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜１５％、Ｂ_２Ｏ_３ ５〜２０％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ０〜１０％、ＳｒＯ ０〜５％、ＢａＯ ０〜５％、ＺｎＯ ０〜５％、Ｎａ_２Ｏ ５〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜１０％を含有することが好ましい。

【0018】

第八に、本発明の支持ガラス基板は、板厚が２．０ｍｍ未満であり、直径１００〜５００ｍｍのウェハ形状又は略円板形状であり、且つ板厚偏差が３０μｍ以下であることが好ましい。

【0019】

第九に、本発明の搬送体は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える搬送体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。

【0020】

第十に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える搬送体を用意する工程と、搬送体を搬送する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。なお、「搬送体を搬送する工程」と「加工基板に対して、加工処理を行う工程」とは、別途に行う必要はなく、同時であってもよい。

【0021】

第十一に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことが好ましい。

【0022】

第十二に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことが好ましい。

【0023】

第十三に、本発明の半導体パッケージは、上記の半導体パッケージの製造方法により作製されたことを特徴とする。

【0024】

第十四に、本発明の電子機器は、半導体パッケージを備える電子機器であって、半導体パッケージが、上記の半導体パッケージであることを特徴とする。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】本発明の搬送体の一例を示す概念斜視図である。

【図2】ｆａｎ ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

本発明の支持ガラス基板において、２０〜２００℃の温度範囲における平均熱膨張係数は５０×１０^−７／℃以上、且つ６６×１０^−７／℃以下であり、好ましくは５３×１０^−７／℃以上、且つ６５×１０^−７／℃以下、特に５５×１０^−７／℃以上、且つ６３×１０^−７／℃以下である。２０〜２００℃の温度範囲における平均熱膨張係数が上記範囲外になると、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し難くなる。そして、両者の熱膨張係数が不整合になると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に、反り変形）が生じ易くなる。

【0027】

３０〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数は５０×１０^−７／℃以上、且つ７０×１０^−７／℃以下であり、好ましくは５５×１０^−７／℃以上、且つ６５×１０^−７／℃以下である。３０〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数が上記範囲外になると、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し難くなる。そして、両者の熱膨張係数が不整合になると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に、反り変形）が生じ易くなる。

【0028】

本発明の支持ガラス基板において、板厚方向、波長３００ｎｍにおける紫外線透過率は、好ましくは４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、特に８０％以上である。紫外線透過率が低過ぎると、紫外光の照射により、接着層により加工基板と支持基板を接着し難くなることに加えて、剥離層により加工基板から支持基板を剥離し難くなる。

【0029】

本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５０〜８０％、Ａｌ_２Ｏ_３ １〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３ ３〜２０％、ＭｇＯ ０〜１０％、ＣａＯ ０〜１０％、ＳｒＯ ０〜７％、ＢａＯ ０〜７％、ＺｎＯ ０〜７％、Ｎａ_２Ｏ ５〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜１０％を含有することが好ましい。上記のように各成分の含有量を限定した理由を以下に示す。なお、各成分の含有量の説明において、％表示は、特に断りがある場合を除き、質量％を表す。

【0030】

ＳｉＯ_２は、ガラスの骨格を形成する主成分である。ＳｉＯ_２の含有量は、好ましくは５０〜８０％、５５〜７５％、５５〜７０％、特に５５〜６５％である。ＳｉＯ_２の含有量が少な過ぎると、ヤング率、耐酸性が低下し易くなる。一方、ＳｉＯ_２の含有量が多過ぎると、高温粘度が高くなり、溶融性が低下し易くなることに加えて、クリストバライト等の失透結晶が析出し易くなって、液相温度が上昇し易くなる。

【0031】

Ａｌ_２Ｏ_３は、ヤング率を高める成分であると共に、分相、失透を抑制する成分である。Ａｌ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは１〜２０％、３〜１８％、４〜１６％、５〜１３．５％、６〜１２％、特に７〜１０％である。Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が少な過ぎると、ヤング率が低下し易くなり、またガラスが分相、失透し易くなる。一方、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が多過ぎると、高温粘度が高くなり、溶融性、成形性が低下し易くなる。

【0032】

Ｂ_２Ｏ_３は、溶融性、耐失透性を高める成分であり、また傷の付き易さを改善して、強度を高める成分である。Ｂ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは３〜２０％、５〜２０％、７〜１８％、特に１０〜１５％である。Ｂ_２Ｏ_３の含有量が少な過ぎると、溶融性、耐失透性が低下し易くなり、またフッ酸系の薬液に対する耐性が低下し易くなる。一方、Ｂ_２Ｏ_３の含有量が多過ぎると、ヤング率、耐酸性が低下し易くなる。

【0033】

ＭｇＯは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であり、アルカリ土類金属酸化物の中では、ヤング率を顕著に高める成分である。ＭｇＯの含有量は、好ましくは０〜１０％、０〜８％、０〜６％、０〜５％、特に０〜１％である。ＭｇＯの含有量が多過ぎると、耐失透性が低下し易くなる。

【0034】

ＣａＯは、高温粘性を下げて、溶融性を顕著に高める成分である。またアルカリ土類金属酸化物の中では、導入原料が比較的安価であるため、原料コストを低廉化する成分である。ＣａＯの含有量は、好ましくは０〜１０％、０．５〜８％、１〜６％、特に２〜５％である。ＣａＯの含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなる。なお、ＣａＯの含有量が少な過ぎると、上記効果を享受し難くなる。

【0035】

ＳｒＯは、分相を抑制する成分であり、また耐失透性を高める成分である。ＳｒＯの含有量は、好ましくは０〜７％、０〜５％、０〜３％、特に０〜１％未満である。ＳｒＯの含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなる。

【0036】

ＢａＯは、耐失透性を高める成分である。ＢａＯの含有量は、好ましくは０〜７％、０〜５％、０〜３％、０〜１％未満である。ＢａＯの含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなる。

【0037】

ＺｎＯは、高温粘性を下げて、溶融性を顕著に高める成分である。ＺｎＯの含有量は、好ましくは０〜７％、０．１〜５％、特に０．５〜３％である。ＺｎＯの含有量が少な過ぎると、上記効果を享受し難くなる。なお、ＺｎＯの含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなる。

【0038】

Ｎａ_２Ｏは、熱膨張係数を適正化するために重要な成分であり、また高温粘性を下げて、溶融性を顕著に高めると共に、ガラス原料の初期の溶融に寄与する成分である。Ｎａ_２Ｏの含有量は、好ましくは５〜１５％、６〜１３．５％、特に７〜１３％である。Ｎａ_２Ｏの含有量が少な過ぎると、溶融性が低下し易くなることに加えて、熱膨張係数が不当に低くなる虞がある。一方、Ｎａ_２Ｏの含有量が多過ぎると、熱膨張係数が不当に高くなる虞がある。

【0039】

質量比（Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｎａ_２Ｏ）／ＳｉＯ_２は、熱膨張係数を適正化する観点から、好ましくは０．２〜０．４、０．２３〜０．３５、０．２５〜０．３、特に０．２６〜０．２９である。

【0040】

Ｋ_２Ｏは、熱膨張係数を調整するための成分であり、また高温粘性を下げて、溶融性を高めると共に、ガラス原料の初期の溶融に寄与する成分である。Ｋ_２Ｏの含有量は、好ましくは０〜１５％、０〜１０％、０〜５％、特に０〜１％である。Ｋ_２Ｏの含有量が多過ぎると、熱膨張係数が不当に高くなる虞がある。

【0041】

上記成分以外にも、任意成分として、他の成分を導入してもよい。なお、上記成分以外の他の成分の含有量は、本発明の効果を的確に享受する観点から、合量で１０％以下、特に５％以下が好ましい。

【0042】

Ｆｅ_２Ｏ_３は、不純物成分、或いは清澄剤成分として導入し得る成分である。しかし、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量が多過ぎると、紫外線透過率が低下する虞がある。すなわち、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量が多過ぎると、樹脂層、剥離層を介して、加工基板と支持ガラス基板の接着と脱着を適正に行うことが困難になる。よって、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは０．０５％以下、０．０３％以下、特に０．０２％以下である。なお、本発明でいう「Ｆｅ_２Ｏ_３」は、２価の酸化鉄と３価の酸化鉄を含み、２価の酸化鉄は、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して、取り扱うものとする。他の酸化物についても、同様にして、表記の酸化物を基準にして取り扱うものとする。

【0043】

清澄剤として、Ａｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３が有効に作用するが、環境的観点で言えば、これら成分を極力低減することが好ましい。Ａｓ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下であり、実質的に含有させないことが望ましい。ここで、「実質的にＡｓ_２Ｏ_３を含有しない」とは、ガラス組成中のＡｓ_２Ｏ_３の含有量が０．０５％未満の場合を指す。また、Ｓｂ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下であり、実質的に含有させないことが望ましい。ここで、「実質的にＳｂ_２Ｏ_３を含有しない」とは、ガラス組成中のＳｂ_２Ｏ_３の含有量が０．０５％未満の場合を指す。

【0044】

ＳｎＯ_２は、高温域で良好な清澄作用を有する成分であり、また高温粘性を低下させる成分である。ＳｎＯ_２の含有量は、好ましくは０〜１％、０．００１〜１％、０．０１〜０．９％、特に０．０５〜０．７％である。ＳｎＯ_２の含有量が多過ぎると、ＳｎＯ_２の失透結晶が析出し易くなる。なお、ＳｎＯ_２の含有量が少な過ぎると、上記効果を享受し難くなる。

【0045】

更に、ガラス特性が損なわれない限り、清澄剤として、Ｆ、Ｃｌ、ＳＯ_３、Ｃ、或いはＡｌ、Ｓｉ等の金属粉末を各々３％程度まで導入してもよい。また、ＣｅＯ_２等も３％程度まで導入し得るが、紫外線透過率の低下に留意する必要がある。

【0046】

Ｃｌは、ガラスの溶融を促進する成分である。ガラス組成中にＣｌを導入すれば、溶融温度の低温化、清澄作用の促進を図ることができ、結果として、溶融コストの低廉化、ガラス製造窯の長寿命化を達成し易くなる。しかし、Ｃｌの含有量が多過ぎると、ガラス製造窯周囲の金属部品を腐食させる虞がある。よって、Ｃｌの含有量は、好ましくは３％以下、１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下である。

【0047】

Ｐ_２Ｏ_５は、失透結晶の析出を抑制し得る成分である。但し、Ｐ_２Ｏ_５を多量に導入すると、ガラスが分相し易くなる。よって、Ｐ_２Ｏ_５の含有量は、好ましくは０〜２．５％、０〜１．５％、０〜０．５％、特に０〜０．３％である。

【0048】

ＴｉＯ_２は、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であると共に、ソラリゼーションを抑制する成分である。しかし、ＴｉＯ_２を多量に導入すると、ガラスが着色し、透過率が低下し易くなる。よって、ＴｉＯ_２の含有量は、好ましくは０〜５％、０〜３％、０〜１％、特に０〜０．０２％である。

【0049】

ＺｒＯ_２は、耐薬品性、ヤング率を改善する成分である。しかし、ＺｒＯ_２を多量に導入すると、ガラスが失透し易くなり、また導入原料が難熔解性であるため、未熔解の結晶性異物が製品基板に混入する虞がある。よって、ＺｒＯ_２の含有量は、好ましくは０〜５％、０〜３％、０〜１％、特に０〜０．５％である。

【0050】

Ｙ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｌａ_２Ｏ_３には、歪点、ヤング率等を高める働きがある。しかし、これらの成分の含有量が各々５％、特に１％より多いと、原料コスト、製品コストが高騰する虞がある。

【0051】

本発明の支持ガラス基板は、以下の特性を有することが好ましい。

【0052】

本発明の支持ガラス基板において、ヤング率は、好ましくは６５ＧＰａ以上、６７ＧＰａ以上、６８ＧＰａ以上、６９ＧＰａ以上、７０ＧＰａ以上、特に７１ＧＰａ以上である。ヤング率が低過ぎると、搬送体の剛性を維持し難くなり、加工基板の変形、反り、破損が発生し易くなる。

【0053】

液相温度は、好ましくは１１５０℃未満、１１２０℃以下、１１００℃以下、１０８０℃以下、１０５０℃以下、１０１０℃以下、９８０℃以下、９６０℃以下、９５０℃以下、特に９４０℃以下である。このようにすれば、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法でガラス基板を成形し易くなるため、板厚が小さいガラス基板を作製し易くなると共に、表面を研磨しなくても、板厚偏差を低減することができ、結果として、ガラス基板の製造コストを低廉化することもできる。更に、ガラス基板の製造工程時に、失透結晶が発生して、ガラス基板の生産性が低下する事態を防止し易くなる。ここで、「液相温度」は、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れた後、温度勾配炉中に２４時間保持して、結晶が析出する温度を測定することにより算出可能である。

【0054】

液相温度における粘度は、好ましくは１００００ｄＰａ・ｓ以上、３００００ｄＰａ・ｓ以上、６００００ｄＰａ・ｓ以上、１０００００ｄＰａ・ｓ以上、１５００００ｄＰａ・ｓ以上、２０００００ｄＰａ・ｓ以上、２５００００ｄＰａ・ｓ以上、３０００００ｄＰａ・ｓ以上、３５００００ｄＰａ・ｓ以上、特に４０００００ｄＰａ・ｓ以上である。このようにすれば、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法でガラス基板を成形し易くなるため、板厚が小さいガラス基板を作製し易くなると共に、表面を研磨しなくても、板厚偏差を低減することができ、結果として、ガラス基板の製造コストを低廉化することができる。更に、ガラス基板の製造工程時に、失透結晶が発生して、ガラス基板の生産性が低下する事態を防止し易くなる。ここで、「液相温度における粘度」は、白金球引き上げ法で測定可能である。なお、液相温度における粘度は、成形性の指標であり、液相温度における粘度が高い程、成形性が向上する。

【0055】

１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、好ましくは１５８０℃以下、１５５０℃以下、１５２０℃以下、１５００℃以下、１４８０℃以下、特に１３００〜１４７０℃である。１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が高くなると、溶融性が低下して、ガラス基板の製造コストが高騰する。ここで、「１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度」は、白金球引き上げ法で測定可能である。なお、１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、溶融温度に相当し、この温度が低い程、溶融性が向上する。

【0056】

本発明の支持ガラス基板は、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。オーバーフローダウンドロー法は、耐熱性の樋状構造物の両側から溶融ガラスを溢れさせて、溢れた溶融ガラスを樋状構造物の下頂端で合流させながら、下方に延伸成形してガラス基板を製造する方法である。オーバーフローダウンドロー法では、ガラス基板の表面となるべき面は樋状耐火物に接触せず、自由表面の状態で成形される。このため、板厚が小さいガラス基板を作製し易くなると共に、表面を研磨しなくても、板厚偏差を低減することができ、結果として、ガラス基板の製造コストを低廉化することができる。なお、樋状構造物の構造や材質は、所望の寸法や表面精度を実現できるものであれば、特に限定されない。また、下方への延伸成形を行う際に、力を印加する方法も特に限定されない。例えば、充分に大きい幅を有する耐熱性ロールをガラスに接触させた状態で回転させて延伸する方法を採用してもよいし、複数の対になった耐熱性ロールをガラスの端面近傍のみに接触させて延伸する方法を採用してもよい。

【0057】

ガラス基板の成形方法として、オーバーフローダウンドロー法以外にも、例えば、スロットダウン法、リドロー法、フロート法等を採択することもできる。

【0058】

本発明のガラス基板は、略円板状又はウェハ状が好ましく、その直径は１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下、特に１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下が好ましい。このようにすれば、半導体パッケージの製造工程に適用し易くなる。必要に応じて、それ以外の形状、例えば矩形等の形状に加工してもよい。

【0059】

本発明の支持ガラス基板において、板厚は、好ましくは２．０ｍｍ未満、１．５ｍｍ以下、１．２ｍｍ以下、１．１ｍｍ以下、１．０ｍｍ以下、特に０．９ｍｍ以下である。板厚が薄くなる程、搬送体の質量が軽くなるため、ハンドリング性が向上する。一方、板厚が薄過ぎると、支持基板自体の強度が低下して、支持基板としての機能を果たし難くなる。よって、板厚は、好ましくは０．１ｍｍ以上、０．２ｍｍ以上、０．３ｍｍ以上、０．４ｍｍ以上、０．５ｍｍ以上、０．６ｍｍ以上、特に０．７ｍｍ超である。

【0060】

本発明の支持ガラス基板において、板厚偏差は、好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１０μｍ以下、５μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、特に０．１〜１μｍ未満である。また算術平均粗さＲａは、好ましくは１００ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１０ｎｍ以下、５ｎｍ以下、２ｎｍ以下、１ｎｍ以下、特に０．５ｎｍ以下である。表面精度が高い程、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。また支持ガラス基板の強度が向上して、支持ガラス基板及び搬送体が破損し難くなる。更に支持ガラス基板の再利用回数を増やすことができる。なお、「算術平均粗さＲａ」は、触針式表面粗さ計又は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定可能である。

【0061】

本発明の支持ガラス基板は、オーバーフローダウンドロー法で成形した後に、表面を研磨されてなることが好ましい。このようにすれば、板厚偏差を２μｍ以下、１μｍ以下、特に１μｍ未満に規制し易くなる。

【0062】

本発明の支持ガラス基板は、製造効率の観点から、化学強化処理がなされていないことが好ましく、機械的強度の観点から、化学強化処理がなされていることが好ましい。つまり製造効率の観点から、表面に圧縮応力層を有しないことが好ましく、機械的強度の観点から、表面に圧縮応力層を有することが好ましい。

【0063】

本発明の搬送体は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える搬送体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。ここで、本発明の搬送体の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。

【0064】

本発明の搬送体は、加工基板と支持ガラス基板の間に、接着層を有することが好ましい。接着層は、樹脂であることが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化樹脂）等が好ましい。また半導体パッケージの製造工程で使用される種々の薬液、或いはドライエッチングの際に使用されるガスやプラズマに対して、耐性を有するものが好ましい。また半導体パッケージの製造工程における熱処理に耐える耐熱性を有するものが好ましい。これにより、半導体パッケージの製造工程で接着層が融解し難くなり、加工処理の精度を高めることができる。

【0065】

本発明の搬送体は、更に加工基板と支持ガラス基板の間に、より具体的には加工基板と接着層の間に、剥離層を有することが好ましい。このようにすれば、加工基板に対して、所定の加工処理を行った後に、加工基板を支持ガラス基板から剥離し易くなる。加工基板の剥離は、生産性の観点から、レーザー光等の照射光により行うことが好ましい。

【0066】

剥離層は、レーザー光等の照射光により「層内剥離」又は「界面剥離」が生じる材料で構成される。つまり一定の強度の光を照射すると、原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失又は減少して、アブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じ、剥離を生じさせる材料で構成される。なお、照射光の照射により、剥離層に含まれる成分が気体となって放出されて分離に至る場合と、剥離層が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。

【0067】

本発明の搬送体において、支持ガラス基板は、加工基板よりも大きいことが好ましい。これにより、加工基板と支持ガラス基板を支持する際に、両者の中心位置が僅かに離間した場合でも、支持ガラス基板から加工基板の縁部が食み出し難くなる。

【0068】

本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える搬送体を用意する工程と、搬送体を搬送する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。ここで、本発明の半導体パッケージの製造方法の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板及び搬送体の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。

【0069】

本発明の半導体パッケージの製造方法において、加工処理は、加工基板の一方の表面に配線する処理、或いは加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する処理が好ましい。本発明の半導体パッケージの製造方法では、これらの処理時に加工基板が寸法変化し難いため、これらの工程を適正に行うことができる。

【0070】

加工処理として、上記以外にも、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）を機械的に研磨する処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をドライエッチングする処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をウェットエッチングする処理の何れかであってもよい。なお、本発明の半導体パッケージの製造方法では、加工基板に反りが発生し難いと共に、搬送体の剛性を維持することができる。結果として、上記加工処理を適正に行うことができる。

【0071】

本発明の半導体パッケージは、上記の半導体パッケージの製造方法により作製されたことを特徴とする。ここで、本発明の半導体パッケージの技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板、搬送体及び半導体パッケージの製造方法の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。

【0072】

本発明の電子機器は、半導体パッケージを備える電子機器であって、半導体パッケージが、上記の半導体パッケージであることを特徴とする。ここで、本発明の電子機器の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板、搬送体、半導体パッケージの製造方法、半導体パッケージの技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。

【0073】

図面を参酌しながら、本発明を更に説明する。

【0074】

図１は、本発明の搬送体１の一例を示す概念斜視図である。図１では、搬送体１は、支持ガラス基板１０と加工基板（半導体基板）１１とを備えている。支持ガラス基板１０は、加工基板１１の寸法変化を防止するために、加工基板１１に貼着されている。支持ガラス基板１０と加工基板１１との間には、剥離層１２と接着層１３が配置されている。剥離層１２は、支持ガラス基板１０と接触しており、接着層１３は、加工基板１１と接触している。

【0075】

図１から分かるように、搬送体１は、支持ガラス基板１０、剥離層１２、接着層１３、加工基板１１の順に積層配置されている。支持ガラス基板１０の形状は、加工基板１１に応じて決定されるが、図１では、支持ガラス基板１０及び加工基板１１の形状は、何れも略円板形状である。剥離層１２は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）以外にも、酸化ケイ素、ケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等が用いられる。剥離層１２は、プラズマＣＶＤ、ゾル−ゲル法によるスピンコート等により形成される。接着層１３は、樹脂で構成されており、例えば、各種印刷法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法等により塗布形成される。接着層１３は、剥離層１２により加工基板１１から支持ガラス基板１０が剥離された後、溶剤等により溶解除去される。

【0076】

図２は、ｆａｎ ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。図２（ａ）は、支持部材２０の一方の表面上に接着層２１を形成した状態を示している。必要に応じて、支持部材２０と接着層２１の間に剥離層を形成してもよい。次に、図２（ｂ）に示すように、接着層２１の上に複数の半導体チップ２２を貼付する。その際、半導体チップ２２のアクティブ側の面を接着層２１に接触させる。次に、図２（ｃ）に示すように、半導体チップ２２を樹脂の封止材２３でモールドする。封止材２３は、圧縮成形後の寸法変化、配線を成形する際の寸法変化が少ない材料が使用される。続いて、図２（ｄ）、（ｅ）に示すように、支持部材２０から半導体チップ２２がモールドされた加工基板２４を分離した後、接着層２５を介して、支持ガラス基板２６と接着固定させる。その際、加工基板２４の表面の内、半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面とは反対側の表面が支持ガラス基板２６側に配置される。このようにして、搬送体２７を得ることができる。なお、必要に応じて、接着層２５と支持ガラス基板２６の間に剥離層を形成してもよい。更に、得られた搬送体２７を搬送した後に、図２（ｆ）に示すように、加工基板２４の半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面に配線２８を形成した後、複数の半田バンプ２９を形成する。最後に、支持ガラス基板２６から加工基板２４を分離した後に、加工基板２４を半導体チップ２２毎に切断し、後のパッケージング工程に供される。

【実施例1】

【0077】

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、以下の実施例は単なる例示である。本発明は、以下の実施例に何ら限定されない。

【0078】

表１は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１〜７）を示している。

【0079】

【表1】

【0080】

まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れ、１５５０℃で４時間溶融した。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出し、板状に成形した後、徐冷点より２０℃程度高い温度から、３℃／分で常温まで徐冷した。得られた各試料について、２０〜２００℃の温度範囲における平均熱膨張係数α_{２０〜２００}、３０〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数α_{３０〜３８０}、密度ρ、歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓ、高温粘度１０^４．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０^３．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０^２．０ｄＰａ・ｓにおける温度、液相温度ＴＬ、及び液相温度ＴＬにおける粘度η、ヤング率Ｅ、波長３００ｎｍにおける紫外線透過率Ｔを評価した。

【0081】

２０〜２００℃の温度範囲における平均熱膨張係数α_{２０〜２００}、３０〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数α_{３０〜３８０}は、ディラトメーターで測定した値である。

【0082】

密度ρは、周知のアルキメデス法によって測定した値である。

【0083】

歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓは、ＡＳＴＭ Ｃ３３６の方法に基づいて測定した値である。

【0084】

高温粘度１０^４．０ｄＰａ・ｓ、１０^３．０ｄＰａ・ｓ、１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、白金球引き上げ法で測定した値である。

【0085】

液相温度ＴＬは、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、温度勾配炉中に２４時間保持した後、結晶が析出する温度を顕微鏡観察にて測定した値である。液相温度における粘度ηは、液相温度ＴＬにおけるガラスの粘度を白金球引き上げ法で測定した値である。

【0086】

ヤング率Ｅは、共振法により測定した値を指す。

【0087】

波長３００ｎｍにおける紫外線透過率Ｔは、ダブルビーム型分光光度計を用いて、板厚方向、波長３００ｎｍの分光透過率を測定した値である。測定試料として、板厚０．７ｍｍ、両面を光学研磨面（鏡面）に研磨したものを使用した。なお、ＡＦＭにより、この評価試料の算術表面粗さＲａを測定したところ、測定領域１０μｍ×１０μｍで０．５〜１．０ｎｍであった。

【0088】

表１から明らかなように、試料Ｎｏ．１〜７は、２０〜２００℃の温度範囲における平均熱膨張係数α_{３０〜２００}が５６×１０^−７／℃〜６５×１０^−７／℃、３０〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数α_{３０〜３８０}が５８×１０^−７／℃〜６８×１０^−７／℃であった。また、試料Ｎｏ．１〜７は、ヤング率Ｅが７０ＧＰａ以上であり、波長３００ｎｍにおける紫外線透過率Ｔが５５％以上であった。よって、試料Ｎｏ．１〜７は、半導体製造装置の製造工程で加工基板の支持に用いる支持ガラス基板として好適であると考えられる。

【実施例2】

【0089】

まず、表１に記載の試料Ｎｏ．１〜７のガラス組成になるように、ガラス原料を調合した後、ガラス溶融炉に供給して１５００〜１６００℃で溶融し、次いで溶融ガラスをオーバーフローダウンドロー成形装置に供給し、板厚が０．７ｍｍになるようにそれぞれ成形した。得られたガラス基板について、両表面を機械研磨して、板厚偏差を１μｍ未満に低減した。

【符号の説明】

【0090】

１、２７ 搬送体
１０、２６ 支持ガラス基板
１１、２４ 加工基板
１２ 剥離層
１３、２１、２５ 接着層
２０ 支持部材
２２ 半導体チップ
２３ 封止材
２８ 配線
２９ 半田バンプ

【図1】

【図2】