公報発行日 2019年10月23
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【図1】本発明の実施の形態の透光板の製造方法であって、SiCのターゲットを用い、基材上にSi−C結合を形成する臨界出力より小さい出力でセラミック被膜をPVD法で形成する製造方法の説明図であり、(a)はPVD工程を示し、(b)はPVD工程後に大気開放したあとの透光板を示す。
【図2】本発明の透光板の製造方法とは異なる透光板の製造方法の説明図であり、SiCのターゲットを用い、基材上にSi−C結合を形成する臨界出力以上の出力でセラミック被膜をPVD法で形成する製造方法の説明図であり、(a)はPVD工程を示し、(b)はPVD工程後に大気開放したあとの透光板を示す。
【図3】本発明の透光板の製造方法とは異なる透光板の製造方法であって、SiCの原料ガスを用いプラズマCVD法でセラミック被膜を形成する製造方法の説明図である。
【図4】本発明の透光板の製造方法とは異なる透光板の製造方法であって、ゾルゲル法を用い、シリカからなるセラミック被膜を形成する製造方法の説明図である。
【図5】本発明の実施例1の透光板のセラミック被膜のXPS法による深さ方向への元素の含有量の分析結果である。
【図6】本発明の実施例1の透光板のセラミック被膜部分のFE−TEMによる拡大写真である。
【図7】本発明の実施例1の透光板のセラミック被膜部分のFE−TEMによる極微電子線回折測定の解析結果である。
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