特許 6594859 有機発光デバイスおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6594859

(24)【登録日】2019年10月4日

(45)【発行日】2019年10月23日

(54)【発明の名称】有機発光デバイスおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/22 20060101AFI20191010BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20191010BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20191010BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20191010BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/22 Z

   H05B33/12 B

   H05B33/14 A

   H05B33/10

【請求項の数】12

【全頁数】24

(21)【出願番号】特願2016-512597(P2016-512597)

(86)(22)【出願日】2015年4月3日

(86)【国際出願番号】JP2015001910

(87)【国際公開番号】WO2015155971

(87)【国際公開日】20151015

【審査請求日】2016年9月8日

(31)【優先権主張番号】特願2014-79330(P2014-79330)

(32)【優先日】2014年4月8日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】514188173

【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110001900

【氏名又は名称】特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】高田 昌和

【審査官】 中山 佳美

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−３３５１８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−２７６８０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−３１１２３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−２０００４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−０５９７９６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ５１／５０−５１／５６

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

下地基板と、当該下地基板の表面に沿った一方向に伸長する複数本の縦バンクと、前記複数本の縦バンクによって区画された複数の溝領域のそれぞれに前記一方向に沿って列設された複数の発光素子とを備え、
前記各発光素子が、電極対に挟まれた１以上の塗布膜からなる機能層を有し、
前記複数の溝領域内において、前記機能層は前記一方向に隣接する複数の発光素子にまたがって形成され、
前記複数の溝領域のうち、溝幅が８０μｍ以上である溝領域には、
前記一方向に沿って伸長し、高さが前記縦バンクの高さ以下のサブバンクが形成され、
前記１以上の機能層のそれぞれが、前記サブバンクを挟んだ両側の溝領域部分にそれぞれ存在する同一材料の部分からなり、
前記溝領域が前記サブバンクによって区画されてなる各溝領域部分の幅は８０μｍ以下である、
有機発光デバイス。

【請求項2】

前記サブバンクは、前記溝領域内に、
前記一方向に沿って、前記発光素子の一端から他端まで連続して形成されている、
請求項１記載の有機発光デバイス。

【請求項3】

前記サブバンクの上端は、前記縦バンクの上端より
前記下地基板の表面からの距離が小さい、
請求項１又は２に記載の有機発光デバイス。

【請求項4】

前記各溝領域には、
前記一方向に隣接する発光素子の間を区画する横バンクが複数形成されており、
前記機能層は少なくとも１つの前記横バンクを超えて複数の発光素子にまたがって形成されている、
請求項１〜３のいずれかに記載の有機発光デバイス。

【請求項5】

前記横バンクの上端は、前記縦バンクの上端よりも前記下地基板の表面からの距離が小さい、
請求項４に記載の有機発光デバイス。

【請求項6】

前記下地基板上には、発光素子ごとに機能層の下に画素電極が設けられ、
前記サブバンクが形成された溝領域に存在する画素電極は、
当該サブバンクを挟んだ両側の機能層にまたがって形成されている、
請求項１〜５のいずれかに記載の有機発光デバイス。

【請求項7】

前記下地基板上に存在する複数の溝領域は、溝幅に大小が存在し、
溝幅が８０μｍ以上の溝領域には、前記サブバンクが１以上形成され、
溝幅が８０μｍ未満の溝領域には、前記サブバンクが形成されていない
請求項１〜６のいずれかに記載の有機発光デバイス。

【請求項8】

前記機能層の膜厚は、前記サブバンクの高さよりも小さい、
請求項１〜７のいずれかに記載の有機発光デバイス。

【請求項9】

下地基板と、当該下地基板の表面に沿った一方向に伸長する複数本のバンクとを備えるバンク付基板を準備し、前記バンク付基板の各溝領域に、発光素子の機能層を形成するためのインクを塗布し、乾燥することによって当該機能層を形成する形成方法であって、
前記バンク付基板にインクを塗付するのに先立って、
前記バンク付基板における複数本のバンクによって区画される複数の溝領域のうち、溝幅が８０μｍ以上である溝領域に前記一方向に沿って伸長する１本以上のサブバンクを形成することで、前記溝領域が前記サブバンクによって区画されてなる各溝領域部分の幅を８０μｍ以下としておき、
前記サブバンクが形成された溝領域にインクを塗布するときに、当該サブバンクを挟んだ両側の溝領域部分に当該インクを塗布して前記一方向に伸長する機能層を形成し、
前記サブバンクを含まない溝領域にインクを塗布して、前記一方向に伸長する機能層を形成する
機能層の形成方法。

【請求項10】

前記サブバンクは、前記バンクと比べて、前記機能層を形成するインクに対する撥液性が小さい、
請求項９に記載の機能層の形成方法。

【請求項11】

前記サブバンクが形成された溝領域にインクを塗布するときに、当該サブバンクを覆うように前記インクを塗布する、
請求項９又は１０に記載の機能層の形成方法。

【請求項12】

下地基板上に機能層を形成することによって有機発光デバイスを製造する方法であって、
前記機能層を形成する際に、請求項９〜１１のいずれかに記載の機能層の形成方法を用いて、溝領域のそれぞれに複数の発光素子を前記一方向に沿って列設する、
有機発光デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、有機発光デバイスに関し、特に、バンクで区画された溝領域にインクを塗布することによって発光素子の機能層を形成した有機発光デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

近年、発光型の表示装置として、基板上に複数の有機ＥＬ素子が、縦方向と横方向にマトリックス状に配置された有機ＥＬ装置が実用化されている。この有機ＥＬ装置は、各有機ＥＬ素子が自己発光するので視認性が高く、完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる。

【0003】

有機ＥＬ装置において、各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極とからなる一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。フルカラー表示の有機ＥＬ装置においては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色のサブピクセルを形成し、隣り合うＲＧＢのサブピクセルが合わさって一画素が形成されている。

【0004】

有機ＥＬ装置において、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子の発光層とは、絶縁材料からなるバンクで仕切られている。また、陽極と発光層との間には、ホール注入層、ホール輸送層又はホール注入兼輸送層といった有機層が必要に応じて介挿され、陰極と発光層との間にも、必要に応じて電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層が介挿されている。これらのホール注入層、ホール輸送層、ホール注入兼輸送層、電子注入層、電子輸送層、電子注入兼輸送層などは、総称して機能層といわれている。

【0005】

このような有機ＥＬ装置を製造する際には、特許文献１に示されるように、基板上に縦方向に伸長するストライプ状のバンクを複数本形成して、バンクで区画された溝領域に機能層を形成する工程がある。機能層の形成には、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子を含む発光層形成用のインクを、インクジェット法等で溝領域に塗布するウェット方式が多く用いられている。このウェット方式によれば、大型のパネルにおいても有機層や発光層を比較的容易に形成することができる。

【0006】

また基板上に、縦方向のバンクに加えて、それと直交する横方向にもバンクを形成して、縦方向に隣接する画素領域どうしを区画しているものもある。

【0007】

このように、基板上にバンクを形成したものに対して、機能層形成用のインクを、ラインバンク間の溝領域全体に連続的に塗布することによって、溝領域の伸長方向において比較的厚みむらの少ない機能層を形成することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開２００７−２３４２３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

上記のような有機発光装置において、縦方向に伸長するバンクで区画された溝領域の開口幅を広く設定することもある。例えば、青色の発光素子は、他の色の発光素子と比べて劣化が生じやすいので、その劣化を抑えるために、青色の発光素子を形成する溝領域の幅を他の色の発光素子を形成する溝領域の幅よりも大きく設定して、青色の発光素子に流れる電流密度を低く設定することもある。

【0010】

ここで、開口幅の広い溝領域において、その溝領域にインクを塗布して形成した機能層の膜厚分布が均一的に形成されないことがある。そして、発光素子内における機能層の膜厚が均一的でなく、膜厚の差が大きいと、駆動時において膜厚の小さい箇所で電流密度が高くなるので、それによって素子が劣化しやすくなることもある。

【0011】

本発明は、このような課題に鑑み、複数のバンクで区画された溝領域内に発光素子が列設された有機発光デバイスにおいて、発光素子内における機能層の膜厚の差を抑えて、均一的な膜厚分布の機能層を有する有機発光デバイスを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、下地基板と、当該下地基板の表面に沿った一方向に伸長する複数本の縦バンクと、複数本の縦バンクによって区画された複数の各溝領域内に一方向に沿って列設された複数の発光素子とを備え、各発光素子が、電極対に挟まれた１以上の機能層を有するものであって、複数の溝領域の少なくとも１つには、一方向に沿って伸長し、高さが縦バンクの高さ以下のサブバンクを形成し、前記１以上の機能層のそれぞれが、前記サブバンクを挟んだ両側の溝領域部分にそれぞれ存在する同一材料の部分からなることとした。

【0013】

ここで、両溝領域部分に存在する１つの機能層の部分同士は、サブバンクの上でつながっていてもよいし、切れていてもよい。

【発明の効果】

【0014】

上記態様に係る有機発光デバイスによれば、バンク付基板における複数の縦バンクによって区画されてなる複数の溝領域の少なくとも１つには、１本以上のサブバンクが形成され、その溝領域に列設されている複数の発光素子の各々に含まれる機能層が、サブバンクを挟んで両側の領域部分にまたがって存在している。従って、サブバンクが形成された溝領域の開口幅は広くても、サブバンクによって区画された各溝領域部分の開口幅は狭くなっている。

【0015】

ここで、溝領域の溝幅が狭いほど、その溝領域にウェット方式で形成される機能層の膜厚分布が均一的なものとなる。よって、サブバンクが形成された発光素子の機能層の膜厚分布は均一的なものとなる。

【0016】

そして、各発光素子内における機能層の膜厚分布が均一的になると、発光素子内での電流密度の分布も均一的になるので発光素子の長寿命化につながる。また、各発光素子の中での輝度むらも生じにくい。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。

【図2】表示パネル１０におけるサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃの配置形態を示す模式平面図である。

【図3】図２のＡ−Ａ断面での構成を示す模式断面図である。

【図4】表示パネル１０の製造工程を示す工程図である。

【図5】バンク付基板１５０の概略斜視図である。

【図6】（ａ）バンクを形成する工程においてバンク材料を塗布する工程を説明する図である。（ｂ）バンクを形成する工程において露光工程を説明する図である。（ｃ）バンクを形成する工程において現像工程を説明する図である。（ｄ）バンクを形成する工程においてバンク材料を塗布する工程を説明する図である。（ｅ）バンクを形成する工程において露光工程を説明する図である。（ｆ）バンクを形成する工程において現像工程を説明する図である。

【図7】（ａ）ホール輸送層を形成する工程においてインクを塗布する工程を説明する断面模式図である。（ｂ）ホール輸送層を形成する工程においてインクを塗布する工程を説明する断面模式図である。（ｃ）ホール輸送層を形成する工程においてインクを塗布する工程を説明する断面模式図である。（ｄ）発光層を形成する工程においてインクを塗布する工程を説明する断面模式図である。（ｅ）発光層を形成する工程においてインクを塗布する工程を説明する断面模式図である。（ｆ）発光層を形成する工程においてインクを塗布する工程を説明する断面模式図である。

【図8】（ａ）Ｎｏ．１のバンク付基板において溝領域に形成された機能層の膜厚分布に関する実験結果を示すグラフである。（ｂ）Ｎｏ．２のバンク付基板において溝領域に形成された機能層の膜厚分布に関する実験結果を示すグラフである。（ｃ）Ｎｏ．３のバンク付基板において溝領域に形成された機能層の膜厚分布に関する実験結果を示すグラフである。（ｄ）Ｎｏ．４のバンク付基板において溝領域に形成された機能層の膜厚分布に関する実験結果を示すグラフである。（ｅ）Ｎｏ．５のバンク付基板において溝領域に形成された機能層の膜厚分布に関する実験結果を示すグラフである。

【図9】溝領域の開口幅の大きさと、機能層の膜厚分布との関係を示す図表である。

【図10】ピクセルバンクを有する表示パネルにおいて、サブバンクを形成する変形例の模式平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

［発明に到る経緯］
本発明者は、下地基板の表面に沿った複数本のバンクによって区画された複数の各溝領域内に複数の発光素子が列設された有機発光デバイスを製造する際に、各溝領域にインクの塗布を行うことによって機能層を形成するときに、形成した機能層において発光素子内で膜厚の違いが発生する度合と、溝領域の開口幅との間に相関関係があることを見出した。

【0019】

詳しくは、後述する「溝領域の開口幅の大きさと機能層の膜厚分布との関係」で説明するが、溝領域の開口幅が８０μｍ以下の場合は、溝領域内における発光層の膜厚が比較的均一であるのに対して、溝領域の開口幅が８０μｍ以上の場合、溝領域内における発光層の膜厚は、中央部と端部付近とで差が大きくなる。

【0020】

その原因としては、以下のような内容が考えられる。

【0021】

溝領域にインクを塗布して形成されたインク層は、表面張力によって溝の中央部で盛り上がった形状となる。

【0022】

インク層を乾燥する過程においては、コーヒーステイン現象として知られているように、インク層の中央部よりも両端部の方で乾燥速度が速く、それによってインク層の中央部から両端部に向かって流れが生じる。

【0023】

乾燥後の機能層の形状は、このインクの流れによって中央部から両端部に機能性材料がどの程度分散されるかによって左右される。すなわち、インク層内における流れが弱ければ、中央が盛り上がった形状が機能層の最終形状に反映されて中央部の膜厚が大きくなるが、インク層内で中央部から両端部に向かって十分な流れが形成されると、形成される機能層の中央部の膜厚は減り、両端部の膜厚が大きくなる。

【0024】

また、溝領域の開口幅が狭ければ、インク層の中央部から両端部までの距離が短いので、インクの流れによって中央部と両端部との間で膜厚の平均化がされやすいが、溝領域の開口幅が広いと、中央部から両端部までの距離が長いため、インクの流れによる膜厚平均化作用が中央部では不十分となり、中央部が若干盛り上がった形状となりやすい。

【0025】

このような知見に基づいて本発明に至った。

【0026】

なお、バンクは本来、隣り合う発光素子同士の間を仕切るものであって、発光素子の内部に設けることはないが、本発明者は、バンク付基板におけるバンクによって規定される溝領域内に、サブバンクを設けることとした。

【0027】

そして、発光素子が形成される領域内をそのサブバンクで区画して、機能層を形成するためのインクを塗布する溝領域の開口幅を狭くすることによって、形成する機能層の膜厚をより均一化することを思い付いた。

【0028】

［発明の態様］
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、下地基板と、当該下地基板の表面に沿った一方向に伸長する複数本の縦バンクと、複数本の縦バンクによって区画された複数の各溝領域内に一方向に沿って列設された複数の発光素子とを備え、各発光素子が、電極対に挟まれた１以上の機能層を有するものであって、複数の溝領域の少なくとも１つには、一方向に沿って伸長し、高さが縦バンクの高さ以下のサブバンクを形成し、１以上の機能層は、サブバンクを挟んだ両側の溝領域部分にそれぞれ存在する同一材料の部分からなることとした。

【0029】

この態様の有機発光デバイスによれば、サブバンクが形成されている溝領域の幅は広くても、サブバンクで区画された各溝領域部分の幅は狭くなるので、ウェット方式で形成される機能層の膜厚が均一化される。従って、発光素子内で機能層の膜厚が均一的なものとなるので、駆動時に劣化が生じにくくなり、発光素子の長寿命に寄与する。また、各発光素子の中で輝度むらも生じにくい。

【0030】

上記態様の有機発光デバイスにおいて、以下のようにしてもよい。

【0031】

サブバンクは、溝領域内に、一方向に沿って、発光素子の一端から他端まで連続して形成される。

【0032】

サブバンクの上端は、縦バンクの上端より下地基板の表面からの距離を小さくする。

【0033】

通常の縦バンクは、機能層の材料が異なる発光素子同士を区画するために高さや溌液性が必要であるが、サブバンクは通常の縦バンクとは違って発光素子内で機能層を区画するものであり、その両側には同じ材料の機能層が存在する。従って、上端が縦バンクの上端よりも下地基板に近くてもよく、むしろ上端が縦バンクの上端よりも下地基板に近い方が好ましい。

【0034】

各溝領域に、当該溝領域内で一方向に隣接する発光素子同士を区画する横バンクを複数形成する。

【0035】

これによって、溝領域に列設された複数の発光素子同士の間で、機能層の膜厚を均一化することができる。

【0036】

ここで、横バンクの上端は、縦バンクの上端よりも下地基板の表面からの距離を小さくする。

【0037】

下地基板上に、発光素子ごとに機能層の下に画素電極を設け、サブバンクが形成された溝領域に存在する画素電極を、サブバンクを挟んだ両側の機能層にまたがって形成する。

【0038】

サブバンクを形成する溝領域は、溝幅が８０μｍ以上のものとし、溝領域がサブバンクによって区画されてなる各溝領域部分の幅は８０μｍ以下とする。

【0039】

下地基板上に存在する複数の溝領域において、溝幅に大小が存在する場合、少なくとも溝幅の最も大きい溝領域にサブバンクを形成する。

【0040】

本発明の一態様に係る機能層の形成方法は、下地基板と、当該下地基板の表面に沿った一方向に伸長する複数本のバンクとを備えるバンク付基板を準備し、バンク付基板の各溝領域に、発光素子の機能層を形成するためのインクを塗布し、乾燥することによって当該機能層を形成する形成方法であって、バンク付基板にインクを塗付するのに先立って、バンク付基板における複数本のバンクによって区画される複数の溝領域の少なくとも１つに、一方向に沿って伸長する１本以上のサブバンクを形成しておき、サブバンクが形成された溝領域にインクを塗布するときに、当該サブバンクによって区画された両溝領域部分に当該インクを塗布する。

【0041】

この態様の機能層の形成方法によれば、サブバンクが形成された溝領域の幅は広くても、サブバンクで区画された各溝領域部分の幅は狭くなっているので、機能層形成用のインクを塗布して形成される機能層の膜厚が均一化される。従って、発光素子の機能層は膜厚分布が均一的となり、駆動時における発光素子の劣化が少なくなる。また、各発光素子の中での輝度むらも生じにくい。

【0042】

ここで、サブバンクは、バンクと比べて、機能層を形成するインクに対する撥液性を小さくしてもよい。

【0043】

これによって、サブバンクに対するインクの塗れ性を高め、サブバンク上へのインクの付着性を高めることができる。

【0044】

サブバンクが形成された溝領域にインクを塗布するときに、当該サブバンクを覆うようにインクを塗布する。

【0045】

本発明の一態にかかる有機発光デバイスの製造方法は、下地基板上に機能層を形成することによって有機発光デバイスを製造する方法であって、機能層を形成する際に、上記形態の機能層の形成方法を用いる。

【0046】

［実施の形態］
以下、実施の形態に係る有機ＥＬ装置の構成及び製法について説明する。

【0047】

１．装置の概略構成
図１および図２を参照しながら、有機ＥＬ表示装置１の概略構成を説明する。

【0048】

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は表示パネル１０と、これに接続された駆動・制御回路部２０とを備えている。表示パネル１０は、有機発光デバイスの一種であって、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルである。

【0049】

図２に示すように、表示パネル１０においては、複数の発光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃがＸ方向およびＹ方向に二次元配置されている。この表示パネル１０では、一例として、発光素子１１ａは赤色光（Ｒ）を出射し、発光素子１１ｂは緑色光（Ｇ）を出射し、発光素子１１ｃは青色光（Ｂ）を出射する。そして、Ｘ方向に隣接する３つの発光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃで１つの画素が構成されている。

【0050】

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１における駆動・制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と１つの制御回路２５とから構成されている。

【0051】

なお、図２では３つの発光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃの組み合わせで１画素を構成する例を示したが、画素の構成はこれに限定されず、４つ以上の発光素子を組み合わせて１つの画素を構成してもよい。
２．表示パネル１０の構成
表示パネル１０には、図２に示すように、２次元配置された複数の発光素子１１ａ〜１１ｃが設けられている。各発光素子１１ａ〜１１ｃは、図２に示すように、Ｙ方向に延伸する複数の縦バンク（ラインバンク）１１２と、縦バンク１１２同士の間に、Ｙ方向に間隔をあけて形成された複数の横バンク１１３とによって区画された矩形状のサブピクセル領域に存在する。なお、図５において符号１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、発光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃに対応するサブピクセル領域を示している。

【0052】

図３は、図２のＡ−Ａ断面を示す模式断面図である。

【0053】

表示パネル１０は、基板１００上にＴＦＴ層１０１が形成されてなるＴＦＴ基板１１０をベースとしている。ＴＦＴ層１０１は、詳細な図示は省略しているが、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、半導体層、パッシベーション膜などで構成されている。

【0054】

ＴＦＴ基板１１０の上には層間絶縁層１０２が積層されている。

【0055】

この層間絶縁層１０２は、上面が略平坦に形成され、その上に発光素子１１ａ〜１１ｃが形成されている。

【0056】

各発光素子１１ａ〜１１ｃは、基本構成は同じであって、層間絶縁層１０２の上に順に積層形成された画素電極１０３及びホール注入層１０４、ホール輸送層１１６、発光層１１７、電子輸送層１１８、カソード１１９によって構成されている。

【0057】

縦バンク１１２は、層間絶縁層１０２の上において、ホール注入層１０４のＸ方向両縁を覆うように形成されている。

【0058】

そして、ホール輸送層１１６、発光層１１７は、縦バンク１１２同士の間に積層形成されている。

【0059】

なお、これらホール輸送層１１６、発光層１１７は、Ｙ方向に連続して形成されている。

【0060】

そして、発光層１１７の上及び縦バンク１１２の側面及び頂面の上を全体的に覆うように、電子輸送層１１８、カソード１１９および封止層１２０が順に形成されている。

【0061】

封止層１２０は、発光層１１７などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を持つ。

【0062】

封止層１２０の上には、樹脂層１２１を介して、ブラックマトリクス層１２２及びカラーフィルタ層１２３を有する基板１２４が貼り合せられている。

【0063】

以上の構成を有する表示パネル１０は、トップエミッション型であって、Ｚ方向に光を出射する。

【0064】

ただし、図２，図３に示されるように、青色発光素子１１ｃは、赤色発光素子１１ａ、緑色発光素子１１ｂよりもＸ方向の幅（サブピクセル幅）が広く設定されている。

【0065】

一般的に青色発光素子は、赤色発光素子や緑色発光素子と比べて駆動時に劣化しやすいが、このように青色発光素子１１ｃの幅を広くすることによって電流密度が小さくなるので、劣化を抑えることができる。

【0066】

そして、この青色発光素子１１ｃが形成されている溝領域１２５ｃの中央部には、Ｙ方向に伸長するサブバンク１１４が形成され、各青色発光素子１１ｃは、サブバンク１１４の両側にある２つの発光素子部分１１ｃ1及び発光素子部分１１ｃ2に分かれて存在している。

【0067】

画素電極１０３は、層間絶縁層１０２上において、発光素子１１ａ〜１１ｃごとに独立して設けられた電極であって、層間絶縁層１０２に設けられたコンタクトホール（不図示）を介して、ＴＦＴ層１０１の上部電極（ソースまたはドレインに接続された電極）に接続されている。

【0068】

図３に示されるように、青色発光素子１１ｃの画素電極１０３は、サブバンク１１４の下を通って２つの発光素子部分１１ｃ1及び発光素子部分１１ｃ2にまたがって形成されており、表示パネル１０の駆動時には発光素子部分１１ｃ1及び発光素子部分１１ｃ2が１つの発光素子として動作するようになっている。

【0069】

なお、青色発光素子１１ｃの画素電極は、発光素子部分１１ｃ1と発光素子部分１１ｃ2とに分けて形成してもよいが、発光素子部分１１ｃ1と発光素子部分１１ｃ2とが１つの発光素子として動作するように、分けた２つの画素電極を電気的に接続する必要がある。

【0070】

図２，図３に示されるように、各青色発光素子１１ｃの機能層（ホール輸送層１１６、発光層１１７）は、サブバンク１１４を挟んでその両側にある２つの発光素子部分１１ｃ1及び発光素子部分１１ｃ2に分かれている。

【0071】

横バンク１１３及びサブバンク１１４は、ホール注入層１０４の上に突出して設けられ、サブバンク１１４は、溝領域１２５ｃ内で複数の横バンク１１３と直交して形成されている。

【0072】

ここで横バンク１１３とサブバンク１１４の高さ（ＴＦＴ基板１１０の表面からの距離）は、縦バンク１１２の高さ以下に設定し、縦バンク１１２の高さよりも、ある程度低く設定することが好ましい。

【0073】

（サブバンク１１４の詳細と効果）
図５は、基板１００、層間絶縁層１０２を備える下地基板上に、縦バンク１１２、横バンク１１３、サブバンク１１４が形成されたバンク付基板１５０の概略斜視図である。

【0074】

図５に示すように、バンク付基板１５０には、縦バンク１１２で区画された各溝領域１２５を横切るように複数の横バンク１１３が形成され、青色の溝領域１２５ｃ内には、サブバンク１１４が、Ｙ方向に伸長して形成されている。そして、青色の溝領域１２５ｃは、このサブバンク１１４によって、溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2に仕切られている。
ここで、青色の溝領域１２５ｃの開口幅は８０μｍを超えているが、各溝領域部分１２５ｃ1、１２５ｃ2の開口幅は８０μｍ以下に設定されている。

【0075】

そして、青色発光素子１１ｃのホール輸送層１１６及び発光層１１７が、サブバンク１１４で分けられた溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2のそれぞれに分かれた状態で形成されている。

【0076】

サブバンク１１４の位置は、必ずしも溝領域１２５ｃの中央でなくてもよいが、溝領域１２５ｃの中央に縦バンク１１２と平行にサブバンク１１４を設けて、溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2の溝幅を均等にすることが好ましい。

【0077】

また、サブバンク１１４は、ホール輸送層１１６及び発光層１１７を２つの溝領域部分に分けて形成する役割がある。そのため、必ずしもＹ方向に沿って青色発光素子１１ｃの一端から他端まで連続していなくてもよいが、Ｙ方向に途切れることなく連続的に形成することが好ましい。

【0078】

また、サブバンク１１４が伸長する方向についても、必ずしも縦バンク１１２に平行でなくてもよく、縦バンク１１２に沿っていればよい。

【0079】

溝領域１２５ｃにサブバンク１１４を形成すると、サブバンク１１４の幅だけ青色サブピクセルの面積が小さくなり、開口率が下がるので、サブバンク１１４の幅はできるだけ狭い方が望ましい。ただし、製造技術上、サブバンク１１４の幅を狭くするにも限界があり、１０μｍ以下のバンク幅で製造するのは難しい。

【0080】

このように、青色発光素子１１ｃのホール輸送層１１６及び発光層１１７は、狭い溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2に分かれて存在し、各溝領域の開口幅は８０μｍ以下と狭くなっているので、ホール輸送層１１６、及び発光層１１７はサブピクセル領域内での膜厚の均一性が良好となる。

【0081】

なお、溝領域の開口幅が８０μｍ以下と狭くすることによって、機能層のサブピクセル領域内での膜厚が均一的になることは、後述する「５．溝領域の開口幅と機能層の膜厚分布に関する実験」の結果（図８，９参照）でも裏付けられている。

【0082】

発光素子１１内における機能層の膜厚分布における膜厚差が大きいと、膜厚の小さい箇所で電流密度が大きくなり、発光素子１１が早く劣化する原因となるが、上記のように青色発光素子１１ｃにおいてサブピクセル領域内での機能層（ホール輸送層１１６、発光層１１７）の膜厚が均一化されることによって、長寿命化の効果が得られる。また、表示パネル１０の画素内で輝度むらが発生するのが抑えられ、表示パネル１０の表示性能を向上する効果も得られる。

【0083】

３．表示パネル１０の各部構成材料
基板１００：
基板１００は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。

【0084】

プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。

【0085】

例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン、あるいは、これらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。また、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることもできる。

【0086】

層間絶縁層１０２：
表示パネル１０の製造工程において、エッチング処理、ベーク処理等が施されることがあるので、層間絶縁層１０２は、それらの処理に対して耐久性を有する材料で形成することが望ましい。層間絶縁層１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂などの有機化合物で形成される。

【0087】

画素電極１０３：
表示パネル１０はトップエミッション型なので、画素電極１０３の表面は高い反射性を有することが好ましい。画素電極１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料で構成される。

【0088】

画素電極１０３は、金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体とすることもできる。透明導電層の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）が挙げられる。

【0089】

ホール注入層１０４：
ホール注入層１０４は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる。

【0090】

縦バンク１１２：
縦バンク１１２の材料は、横バンク１１３の材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。

【0091】

縦バンク１１２は、ホール輸送層１１６や発光層１１７等をウェット法で形成するインクに対する撥液性を有することが好ましい。従って、縦バンク１１２の材料としては、フッ素系の樹脂を用いることが好ましい。

【0092】

縦バンク１１２の構造は、一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもでき、多層構造の場合には、層毎に上記材料を組み合わせて用いることができる。

【0093】

横バンク１１３：
横バンク１１３は、感光性の有機材料で形成する。有機材料の具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。

【0094】

ただし、横バンク１１３の材料は、有機材料に限られず、ＳｉＯ₂（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの無機絶縁材料で形成してもよい。

【0095】

サブバンク１１４：
サブバンク１１４も、感光性の有機材料で形成する。有機材料の具体例として、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。

【0096】

横バンク１１３とサブバンク１１４とは、同じ材料で同時に形成することも可能である。

【0097】

また、横バンク１１３及びサブバンク１１４は、縦バンク１１２と比べて、ホール輸送層１１６や発光層１１７を形成するインクに対する撥液性を低くすることが好ましい。

【0098】

この横バンク１１３及びサブバンク１１４における撥液性の調整は、バンクに使用するバンク材料を変えることによって、あるいは、バンクに対するＵＶ処理条件を変えることによって行うことができる。

【0099】

ホール輸送層１１６：
ホール輸送層１１６は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物を用いて形成することができる。

【0100】

発光層１１７：
発光層１１７の材料としては、リパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。

【0101】

電子輸送層１１８：
電子輸送層１１８は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などで形成される。

【0102】

カソード１１９：
表示パネル１０はトップエミッション型なので、カソード１１９は光透過性の材料で形成する。具体的な材料は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などである。

【0103】

封止層１２０：
封止層１２０も、光透過性の材料で形成される。

【0104】

封止層１２０の材料は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などである。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

【0105】

樹脂層１２１：
樹脂層１２１は、透明樹脂材料、例えば、エポキシ系樹脂材料から形成される。ただし、これ以外にもシリコーン系樹脂などを用いることもできる。

【0106】

ブラックマトリクス層１２２：
ブラックマトリクス層１２２は、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料で形成されている。紫外線硬化樹脂としては、アクリル系の紫外線硬化樹脂材料が挙げられる。

【0107】

カラーフィルタ層１２３
カラーフィルタ層１２３は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する材料、例えば公知のアクリル樹脂をベースにした材料で形成される。

【0108】

基板１２４：
基板１２４は、上記基板１００と同様に、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用いることができる。
４．表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図４の工程図に基づいて説明する。

【0109】

表示パネル１０の製造においては、先ず、ＴＦＴ基板を準備する（ステップＳ１）。このＴＦＴ基板は、基板１００の上面にＴＦＴ層１０１を形成したものであり、公知の技術で作製される。

【0110】

次に、ＴＦＴ基板上に有機材料を塗布して層間絶縁層１０２を形成する（ステップＳ２）。

【0111】

このようにＴＦＴ基板上に層間絶縁層１０２が形成したものを下地基板として、その層間絶縁層１０２上に、画素電極１０３およびホール注入層１０４を順に積層形成する（ステップＳ３、Ｓ４）。画素電極１０３の形成は、例えば、スパッタリング法若しくは真空蒸着法を用いて金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法でパターニングすることによってなされる。

【0112】

ホール注入層１０４の形成は、例えば、スパッタリング法を用いて酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成した後、フォトグラフィ法およびエッチング法を用いてパターニングすることでなされる。

【0113】

次に、横バンク１１３及びサブバンク１１４を形成する（ステップＳ５）。

【0114】

この横バンク１１３及びサブバンク１１４を形成する工程を図６（ａ）〜（ｃ）に示す。

【0115】

ここでは、横バンク１１３及びサブバンク１１４を、同じ材料で一括して形成することとする。

【0116】

図６（ａ）に示すように、横バンク１１３及びサブバンク１１４を形成するためのバンク材料（感光性を有するフォトレジスト材料）を、ホール注入層１０４上に一様に塗布する。

【0117】

その後、図６（ｂ）に示すように、塗布されたバンク材料層に、横バンク１１３及びサブバンク１１４のパターンに合わせた開口を有するフォトマスクを重ねて、ＵＶ照射して露光する。そして図６（ｃ）に示すように、未硬化の余分なバンク材料を現像液で除去することによって横バンク１１３及びサブバンク１１４を形成する。形成される横バンク１１３とサブバンク１１４の高さ（ＴＦＴ基板の表面からの距離）は同じ高さとなる。

【0118】

次に、縦バンク１１２を以下のように形成する（ステップＳ６）。この縦バンク１１２を形成する工程を図６（ｄ）〜（ｆ）に示す。

【0119】

図６（ｄ）に示すように、縦バンク１１２を形成するためのバンク材料（ネガ型感光性樹脂組成物を）を、横バンク１１３及びサブバンク１１４を形成した基板上に一様に塗布する。図６（ｅ）に示すように、塗布したバンク材料層上に、縦バンク１１２のパターンに合わせた開口を有するフォトマスクを重ねて、フォトマスクの上から露光する。

【0120】

その後図６（ｆ）に示すように、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出すことによって、バンク材料をパターニングして、縦バンク１１２を形成する。

【0121】

図５に示されるように、バンク付基板１５０の上面側には、複数の縦バンク１１２によって区画された溝領域１２５がＹ方向に複数本形成され、さらに各溝領域１２５が横バンク１１３によって区画されて複数のサブピクセル領域１２（１２ａ，１２ｂ、１２ｃ）が形成されている。

【0122】

次に、複数の縦バンク１１２で区画された各溝領域１２５に、ホール輸送層１１６を形成する（ステップＳ７）。ホール輸送層１１６の形成は、ウェット法を用い、ホール輸送層１１６の構成用材料を含むインクを隣り合う縦バンク１１２間の溝領域に塗布した後、焼成することでなされる。

【0123】

同様に、複数の縦バンク１１２で区画された溝領域１２５に、発光層１１７を積層形成する（ステップＳ８）。発光層１１７の形成についても、上記と同様に、各構成材料を含むインクを塗布した後、焼成することでなされる。

【0124】

なお、ホール輸送層１１６及び発光層１１７の形成工程については後で詳述する。

【0125】

次に、発光層１１７および縦バンク１１２の頂面部を被覆するように、電子輸送層１１８、カソード１１９および封止層１２０を順に積層形成する（ステップＳ９，Ｓ１０，Ｓ１１）。電子輸送層１１８，カソード１１９および封止層１２０は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法を用いて形成することができる。

【0126】

その後、基板１２４にカラーフィルタ層１２３およびブラックマトリクス層１２２が形成されたカラーフィルタ基板を貼り合わせることによって、表示パネル１０が完成する（ステップＳ１２）。

【0127】

形成される縦バンク１１２、横バンク１１３、発光素子１１ａ〜１１ｃの寸法を以下に例示する。

【0128】

縦バンク１１２の高さ（層間絶縁層１０２上面からの高さ）は１μｍ、幅は３０μｍ。

【0129】

横バンク１１３及びサブバンク１１４の高さ（層間絶縁層１０２上面からの高さ）は０．５μｍ、幅は１５〜２０μｍ。

【0130】

各色発光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃのＹ方向長さは３００μｍ。

【0131】

（ホール輸送層１１６を形成する工程）
図５に示すバンク付基板１５０における各溝領域１２５に対して、ホール輸送層形成用のインクを塗布し乾燥することによってホール輸送層１１６を形成する。

【0132】

図７（ａ）〜（ｃ）は、ホール輸送層用のインクを塗布する様子を示す断面模式図である。

【0133】

このインクは、ホール輸送層１１６の材料を溶剤に溶解した溶液である。インクの塗布は、インク塗布装置を用いて、バンク付基板１５０の各溝領域１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃに対して、ノズルヘッドを走査しながら、ノズルヘッドからホール輸送層用のインクを吐出することによって行う。

【0134】

ノズルヘッドを走査しながら、各溝領域１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃの全体にインクを塗布する。

【0135】

図７（ａ）は、複数の縦バンク１１２同士の間の各溝領域１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃに、ホール輸送層用のインクを塗布することによってインク層１１６ａが形成された状態を示している。塗布した直後のインク層１１６ａの高さは例えば２０μｍ程度である。

【0136】

当図に示すように、サブバンク１１４を有する青色の溝領域１２５ｃにおいては、インク層１１６ａは、サブバンク１１４を挟んだ２つの溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2にまたがって形成されている。また、インク層１１６ａは、サブバンク１１４の上を覆うように形成されている。

【0137】

なお、図には示さないが、各溝領域１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃにおいて、インク層１１６ａは、横バンク１１３の上も覆って形成されている。

【0138】

各溝領域１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃに形成されたインク層１１６ａを乾燥する。このインク層１１６ａの乾燥は、減圧乾燥で行うことが、低温で迅速に乾燥できる点で好ましい。

【0139】

乾燥に伴って、図７（ｂ）に示すように各インク層１１６ａの体積は減少する。そして、青色の溝領域１２５ｃに形成されたインク層１１６ａ（Ｂ）は、体積の減少に伴って、サブバンク１１４を挟んだ２つの溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2に分配される。

【0140】

そして、溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2のそれぞれにおいて、インク層１１６ａ（Ｂ）が乾燥されて、ホール輸送層１１６が形成される。

【0141】

乾燥後のホール輸送層１１６の膜厚は、サブバンク１１４の高さと比べてかなり小さくなり、数十ｎｍ（例えば２０ｎｍ）である。

【0142】

（発光層１１７を形成する工程）
バンク付基板１５０におけるホール輸送層１１６が形成された各溝領域１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃに対して、発光層形成用のインクを塗布し乾燥することによって発光層１１７を形成する。

【0143】

図７（ｄ）〜（ｆ）は、発光層用のインクを塗布する様子を示す断面模式図である。

【0144】

発光層形成用のインクは、発光層１１７の材料を溶剤に溶解した溶液である。

【0145】

このインクの塗布も、インク塗布装置を用いて、バンク付基板１５０の表面に沿ってノズルヘッドを走査しながら、各溝領域１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃに対してノズルヘッドから発光層用のインクを吐出することによって行う。ただし、溝領域１２５ａには赤色発光層用のインク、溝領域１２５ｂには緑色発光層用のインク、溝領域１２５ｃには青色発光層用のインクを塗布する。

【0146】

図７（ｄ）は、複数の縦バンク１１２同士の間の各溝領域１２５ａ，１２５ｂ、１２５ｃに、発光層形成用のインクを塗布することによってインク層１１７ａ（Ｒ），１１７ａ（Ｇ），１１７ａ（Ｂ）が形成された状態を示している。当図に示すように、サブバンク１１４を有する溝領域１２５ｃにおいては、インク層１１７ａがサブバンク１１４の上を覆って形成されている。なお、各溝領域１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃにおいて、インク層１１７ａは、横バンク１１３の上も覆って形成されている。

【0147】

各溝領域１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃに形成されたインク層１１７ａを乾燥する。

【0148】

このインク層１１７ａの乾燥も、減圧乾燥で行うことによって、低温で迅速に乾燥できる。

【0149】

図７（ｅ）に示すように、各インク層１１７ａの体積は乾燥に伴って減少するので、溝領域１２５ｃに形成されたインク層１１７ａ（Ｂ）は、サブバンク１１４で分けられる。そして、溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2の各々でインク層１１７ａ（Ｂ）が乾燥されて発光層１１７（Ｂ）が形成される。

【0150】

乾燥後の発光層１１７の膜厚も、サブバンク１１４の高さと比べるとかなり小さな厚みとなる。

【0151】

（上記ホール輸送層１１６及び発光層１１７の形成方法による効果）
上記ホール輸送層１１６の形成方法によれば、上述したように、青色サブピクセル用の溝領域１２５ｃに形成されたインク層１１６ａは、乾燥に伴ってサブバンク１１４で分けられ、溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2のそれぞれでインク層１１６ａが乾燥されて、ホール輸送層１１６が形成される。

【0152】

すなわち、溝幅の狭い各溝領域部分１２５ｃ1，１２５ｃ2において、インク層１１６ａの乾燥がなされるので、形成されるホール輸送層１１６はサブピクセル領域内での膜厚の均一性が良好となる。

【0153】

なお、溝領域にインクを塗布して乾燥することによって機能層を形成する際に、溝幅が狭い方が、形成される機能層のサブピクセル領域内での膜厚均一性が良好になることは、下記の「５．溝領域の開口幅と機能層の膜厚分布に関する実験」結果によって裏付けられている。

【0154】

また、上記発光層１１７の形成方法によっても同様に、溝領域１２５ｃに形成されたインク層１１７ａは、乾燥に伴ってサブバンク１１４で分けられ、溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2のそれぞれでインク層１１７ａ（Ｂ）が乾燥されて、発光層１１７（Ｂ）が形成される。

【0155】

すなわち、溝幅の狭い各溝領域部分１２５ｃ1，１２５ｃ2において、インク層１１７ａ（Ｂ）の乾燥がなされるので、形成される発光層１１７はサブピクセル領域内での膜厚の均一性が良好となる。

【0156】

発光素子１１内における機能層の膜厚分布における膜厚差が大きいと、膜厚の小さい箇所で電流密度が大きくなり、発光素子１１が早く劣化する原因となるが、上記のように青色発光素子１１ｃにおいてサブピクセル領域内での機能層（ホール輸送層１１６、発光層１１７）の膜厚が均一化されることによって、長寿命化の効果が得られる。また、表示パネル１０の画素内で輝度むらが発生するのが抑えられ、表示パネル１０の表示性能を向上する効果も得られる。

【0157】

（サブバンク１１４及び横バンク１１３の撥液性が低いことによる効果）
上記のように溝領域１２５ｃに形成されたインク層１１６ａあるいはインク層１１７ａは、乾燥に伴って、サブバンク１１４で溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2に分けられる。

【0158】

ここで、サブバンク１１４のインクに対する撥液性が高いと、乾燥の途中で、サブバンク１１４上に存在するインクが溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2のいずれか一方に流れ込んでしまうことがあるが、サブバンク１１４のインクに対する撥液性が低いと、サブバンク１１４上にインクがある程度付着した状態で乾燥される。これによって、インク層１１６ａ（Ｂ）あるいはインク層１１７ａ（Ｂ）は、溝領域部分１２５ｃ1と溝領域部分１２５ｃ2とに均等に分けられる。これは、青色の発光素子１１ｃを構成する発光素子部分１１ｃ1の機能層膜厚と、発光素子部分１１ｃ2の機能層膜厚とを均等にする効果を奏する。

【0159】

また、各溝領域１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃに設けられた横バンク１１３においても、インクに対する撥液性を低くすることによって、横バンク１１３上にインクがある程度付着した状態で乾燥がなされるので、インク層１１６ａは、Ｙ方向に隣接する２つのサブピクセル領域１２の間で均等に分けられる。

【0160】

これは、Ｙ方向に列設された発光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃの機能層膜厚を均等にする効果を奏する。

【0161】

５．溝領域の開口幅と機能層の膜厚分布に関する実験
溝領域の開口幅をいろいろな値に変えたＮｏ．１〜Ｎｏ．５のバンク付基板を準備し、各バンク付基板の溝領域にウェット法で機能層（ホール輸送層及び青色発光層）を形成し、形成した各機能層の膜厚分布を測定した。

【0162】

Ｎｏ．１は開口幅が約６０μｍ，Ｎｏ．２は開口幅が約８０μｍ，Ｎｏ．３は開口幅が約１００μｍ，Ｎｏ．４は開口幅が約１３０μｍ，Ｎｏ．５は開口幅が約１７５μｍである。

【0163】

Ｎｏ．１〜５の各バンク付基板に対して、ホール輸送層用のインクを塗布し乾燥してホール輸送層を形成し、青色発光層用のインクを塗布し乾燥して青色発光層を形成した。

【0164】

ここで、Ｎｏ．１〜５に対しては、同じインクを塗布し、溝領域の面積当たりの塗布量も同等である。

【0165】

そして、ホール輸送層の膜厚、発光層の膜厚、発光層表面の高さ（すなわちホール輸送層と発光層を合わせた膜厚）の分布を測定した。

【0166】

図８（ａ）〜（ｅ）は、その実験結果を示すグラフであって、横軸は溝領域を横断する方向の位置を示し、縦軸は機能層の各位置における膜厚を示す。

【0167】

Ｎｏ．１〜５のいずれも、機能層（特に発光層）の膜厚分布において、溝領域の端部付近で膜厚が小さくなる部分があり、溝領域の中央部で膜厚が大きくなっているが、開口幅が大きいほど、中央部の膜厚と端部付近の膜厚との差は大きい。

【0168】

図９は、実験結果から得られた溝領域の開口幅の大きさと機能層の膜厚分布との関係を示す図表である。

【0169】

開口幅が８０μｍ以下であるＮｏ．１，２では、中央部の膜厚と端部付近の膜厚との差が５μｍ以下であるのに対して、開口幅が８０μｍ以上のＮｏ．３〜５では中央部の膜厚と端部付近の膜厚との差が５μｍより大きく、またＮｏ．３、Ｎｏ．４、Ｎｏ．５の順にその膜厚差が大きくなっている。

【0170】

この結果から、溝領域の開口幅が８０μｍ以下の場合は、溝領域内に形成される機能層の膜厚分布が比較的均一であるのに対して、溝領域の開口幅が８０μｍ以上の場合、溝領域内の中央部と端部付近とにおける機能層の膜厚差が大きくなるということがいえる。

【0171】

また、上記実験結果から、溝領域の溝幅が８０μｍ未満の溝領域１１５ａ，１１５ｂに対してはサブバンクを設けなくても膜厚は均一的になりやすく、一方、溝領域の開口幅が８０μｍ以上である溝領域１１５ｃに対しては、サブバンク１１４を設けて、溝領域の開口幅が８０μｍ以下の溝領域部分に区画することが、膜厚の均一化にとって好ましいということもいえる。

【0172】

［変形例など］
（１）上記実施の形態では、青色の溝領域１１５ｃ内にサブバンク１１４を１本だけ設けたが、溝領域１１５ｃの幅が大きい場合には溝領域１１５ｃにサブバンクを複数本設けてもよい。この場合も、上記の実験結果に基づいて考察すると、サブバンクの本数は、サブバンクで分割された溝領域部分の幅が８０μｍ程度になるように設定すれば、膜厚を均一にする効果が十分に得られる。

【0173】

例えば、溝領域の幅が２４０μｍの場合、その溝領域に２本のサブバンク（バンク幅１５μｍ）を設けて、幅７０μｍの３つの溝領域部分に分けることによって、機能層の膜厚を均一化することができる。

【0174】

（２）上記実施の形態では、青色発光素子１１ｃのホール輸送層１１６及び発光層１１７がサブバンク１１４で区画された２つの溝領域部分１２５ｃ1，１２５ｃ2に分かれて存在していたが、例えば、ホール輸送層１１６は形成せず、発光層１１７だけがサブバンク１１４で区画された２つの溝領域部分１２５ｃ1，１２５ｃ2に分かれて存在している場合も、同様に青色発光素子１１ｃ内における発光層１１７の膜厚を均一化する効果を奏する。

【0175】

また、サブバンク１１４が画素電極１０３の上に形成されてホール注入層１０４もサブバンク１１４で区画された２つの溝領域部分１２５ｃ1，１２５ｃ2に分かれて存在していてもよいし、サブバンク１１４が層間絶縁層１０２の上に形成されて画素電極１０３もサブバンク１１４で区画された２つの溝領域部分１２５ｃ1，１２５ｃ2に分かれて存在していてもよい。なお、画素電極１０３が分かれて存在する場合は、上述したように、２つの画素電極部分が電気的に相互に接続されている必要がある。いずれの場合においても、サブバンク１１４の上端は、サブバンク１１４の下端の位置に関わらず、縦バンク１１２の上端よりＴＦＴ基板１１０の表面からの距離が小さいことが好ましい。また、サブバンク１１４の下端は縦バンク１１２の下端よりＴＦＴ基板１１０の表面からの距離が大きいか同じであるため、サブバンク１１４の高さ（厚み）は縦バンク１１２の高さ（厚み）より小さいことが好ましい。

【0176】

（３）上記実施の形態では、横バンクとサブバンクとを同じ工程で一括形成したが、横バンクとサブバンクとを別の工程で形成してもよい。また上記実施の形態では、横バンクとサブバンクとを同じ高さに形成したが、横バンクの高さとサブバンクの高さは異なっていてもよい。

【0177】

また、サブバンクを縦バンクと同じ工程で一括形成することもできる。その場合、サブバンクの高さは縦バンクの高さと同じ高さに形成してもよいが、例えば感光性のバンク材料層を露光して硬化させるときに、ハーフトーンマスクを使い、縦バンクの部分は十分硬化させ、サブバンクの部分は半硬化とすることによって、サブバンクの高さを縦バンクよりも低く形成することもできる。
（４）上記実施の形態では、青色の溝領域１１５ｃ内にサブバンク１１４を形成したが、赤色の溝領域１１５ａや緑色の溝領域１１５ｂの幅が広い場合には、その溝領域１１５ａや溝領域１１５ｂにサブバンク１１４を設けることによって、赤色の発光素子や緑色の発光素子内の機能層の膜厚を均一化することができる。

【0178】

（５）上記実施の形態では、表示パネル１０のホール輸送層１１６及び発光層１１７をウェット方式形成する場合について説明したが、ホール輸送層、発光層以外の機能層をウェット方式で形成する場合、例えば、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層をウェット方式で形成する場合にも、同様に実施することができ、同様の効果を得ることができる。

【0179】

また、有機ＥＬ表示パネルに限らず、例えば、有機ＥＬ照明における機能層を形成する場合にも適用することができ、同様の効果を得ることができる。

【0180】

（６）上記実施の形態では、ラインバンクによって区画された溝領域に、サブバンクを形成する場合を説明したが、ピクセルバンクによって区画された溝領域にサブバンクを形成して同様に実施することができる。

【0181】

図１０に、ピクセルバンクを有する表示パネルにおいて、青色の溝領域内にサブバンク１１４を形成する例を示す。

【0182】

図１０に示すピクセルバンクは、Ｙ方向に伸長する複数の縦バンク１１２と、Ｘ方向に伸長する複数の横バンク１１３とが交差して形成されている。そして、縦バンク１１２及び横バンク１１３で囲まれた各矩形領域に発光素子１１ａ、１１ｂ、１１ｃが形成されている。

【0183】

この変形例にかかる表示パネルにおいても、上記実施の形態と同様に、複数の縦バンク１１２で区画された各溝領域には、複数の発光素子１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）が列設されている。そして、青色の発光素子１１ｃが設けられた溝領域は、赤色の発光素子１１ａ，緑色の発光素子１１ｂと比べて、開口幅が大きく設定されている。

【0184】

このようにピクセルバンクを備える表示パネルにおいても、上記実施の形態と同様に、青色の溝領域にＹ方向に伸長するサブバンク１１４を設け、サブバンク１１４によって各発光素子１１ｃの機能層を分けることによって同様の効果が得られる。すなわち、サブバンク１１４によって区画された発光素子部分１１ｃ1と発光素子部分１１ｃ2は、開口幅が狭くなっているので、機能層の膜厚が均一化されることになる。

【0185】

（７）上記実施の形態では、トップエミッション型の表示パネル１０の機能層を形成する場合を例にとって説明したが、ボトムエミッション型の表示パネルの機能層を形成するのに適用することもでき、同様の効果を得ることができる。

【産業上の利用可能性】

【0186】

本発明に係る有機発光デバイスは、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に適用することができる。

【符号の説明】

【0187】

１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 表示パネル
１１ａ 赤色発光素子
１１ｂ 緑色発光素子
１１ｃ 青色発光素子
１１ｃ1，１１ｃ2 発光素子部分
１２ サブピクセル領域
１００ 基板
１０１ ＴＦＴ層
１０２ 層間絶縁層
１０３ 画素電極
１０４ ホール注入層
１１０ ＴＦＴ基板
１１２ 縦バンク
１１３ 横バンク
１１４ サブバンク
１１５ａ 溝領域
１１５ｂ 溝領域
１１５ｃ 溝領域
１１６ ホール輸送層
１１６ａ インク層
１１７ 発光層
１１７ａ インク層
１１８ 電子輸送層
１１９ カソード
１２０ 封止層
１２１樹脂層
１２４ 基板
１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃ 溝領域
１２５ｃ1，１２５ｃ2 溝領域部分
１５０ バンク付基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】