特許 6599891 導電性インク組成物

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6599891

(24)【登録日】2019年10月11日

(45)【発行日】2019年10月30日

(54)【発明の名称】導電性インク組成物

(51)【国際特許分類】

   C09D 11/52 20140101AFI20191021BHJP

   H01B 1/22 20060101ALI20191021BHJP

【ＦＩ】

   C09D11/52

   H01B1/22 A

【請求項の数】25

【全頁数】53

(21)【出願番号】特願2016-562809(P2016-562809)

(86)(22)【出願日】2015年4月15日

(65)【公表番号】特表2017-516887(P2017-516887A)

(43)【公表日】2017年6月22日

(86)【国際出願番号】US2015025953

(87)【国際公開番号】WO2015160938

(87)【国際公開日】20151022

【審査請求日】2018年4月12日

(31)【優先権主張番号】61/980,863

(32)【優先日】2014年4月17日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】61/980,827

(32)【優先日】2014年4月17日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】61/980,933

(32)【優先日】2014年4月17日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】61/980,870

(32)【優先日】2014年4月17日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】516306371

【氏名又は名称】エレクトロニンクス インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100078282

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 秀策

(74)【代理人】

【識別番号】100113413

【弁理士】

【氏名又は名称】森下 夏樹

(74)【代理人】

【識別番号】100181674

【弁理士】

【氏名又は名称】飯田 貴敏

(74)【代理人】

【識別番号】100181641

【弁理士】

【氏名又は名称】石川 大輔

(74)【代理人】

【識別番号】230113332

【弁護士】

【氏名又は名称】山本 健策

(72)【発明者】

【氏名】ウォーカー， スティーブン ブレット

【審査官】 櫛引 智子

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１４−０３４６０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１３／０９６６６４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００８−１７６９５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１３／０３６５１９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１３−１４２１７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１９７１３３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０９Ｄ １１／００

Ｈ０１Ｂ １／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

導電性インク組成物であって、前記インク組成物は、
カルボン酸銀；
前記カルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤；および
触媒
を混合することによって形成される銀錯体を含み、
ここで、前記溶解剤は、芳香族炭化水素を含み、
ここで、前記触媒が、前記カルボン酸銀を脱炭酸して前記導電性インク組成物を作製するアミンを含む、
インク組成物。

【請求項2】

導電性インク組成物であって、前記インク組成物は、
カルボン酸銀；
前記カルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤；および
前記カルボン酸銀の銀を還元して前記導電性インク組成物を作製する触媒
を混合することによって形成される銀錯体を含み、
ここで、前記溶解剤は、芳香族炭化水素を含み、
ここで、前記触媒がアミンを含む、
インク組成物。

【請求項3】

前記カルボン酸銀が、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される、請求項１または２に記載の組成物。

【請求項4】

前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀またはヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である、請求項３に記載の組成物。

【請求項5】

前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンまたはそれらの組合せを含む、請求項１または２に記載の組成物。

【請求項6】

前記触媒が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、ポリアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１または２に記載の組成物。

【請求項7】

前記触媒が、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、アリルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、ｔｅｒｔ−デシルアミン、ｔｅｒｔ−ドデシルアミン、ｔｅｒｔ−オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項６に記載の組成物。

【請求項8】

前記触媒が、少なくとも１つの第一級アミン、少なくとも１つの第二級アミン、少なくとも１つの第三級アミン、少なくとも１つのポリアミン、または少なくとも１つの、Ｃ_１〜１８を有するアルキルアミンを含む、請求項６に記載の組成物。

【請求項9】

前記導電性インク組成物が、前記導電性インク組成物の１〜４０ｗｔ％の濃度の銀を有する、請求項１または２に記載の組成物。

【請求項10】

前記銀錯体が、５センチポアズ〜５０センチポアズ、または５０センチポアズ〜１０００センチポアズの粘度を有する、請求項１または２に記載の組成物。

【請求項11】

前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、請求項１または２に記載の組成物。

【請求項12】

前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、請求項１または２に記載の組成物。

【請求項13】

前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンおよびテルピネオールを含み、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、請求項１または２に記載の組成物。

【請求項14】

導電性構造物を作製する方法であって、
アミンを含む触媒の存在下で、カルボン酸銀を混合して銀錯体を形成するステップであって、前記カルボン酸銀は、芳香族炭化水素を含む少なくとも１つの溶解剤中に溶解しているステップと；
前記銀錯体を基板に塗布するステップと；
前記基板上の前記銀錯体を、２００℃またはそれ未満の分解温度で加熱して前記導電性構造物を形成させるステップと
を含む方法。

【請求項15】

前記カルボン酸銀が、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀またはヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である、請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンまたはそれらの組合せを含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項18】

前記触媒が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、ポリアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。

【請求項19】

前記触媒が、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、アリルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、ｔｅｒｔ−デシルアミン、ｔｅｒｔ−ドデシルアミン、ｔｅｒｔ−オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１８に記載の方法。

【請求項20】

前記触媒が、少なくとも１つの第一級アミン、少なくとも１つの第二級アミン、少なくとも１つの第三級アミン、少なくとも１つのポリアミン、または少なくとも１つの、Ｃ_１〜１８を有するアルキルアミンを含む、請求項１８に記載の方法。

【請求項21】

前記導電性インク組成物が、前記導電性インク組成物の１〜４０ｗｔ％の濃度の銀を有する、請求項１４に記載の方法。

【請求項22】

前記銀錯体が、５センチポアズ〜５０センチポアズ、または５０センチポアズ〜１０００センチポアズの粘度を有する、請求項１４に記載の方法。

【請求項23】

前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、請求項１４に記載の方法。

【請求項24】

前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、請求項１４に記載の方法。

【請求項25】

前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンおよびテルピネオールを含み、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、請求項１４に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願
本願は、２０１４年４月１７日に出願された米国仮特許出願第６１／９８０，８６３号、２０１４年４月１７日に出願された米国仮特許出願第６１／９８０，９３３号、２０１４年４月１７日に出願された米国仮特許出願第６１／９８０，８２７号、２０１４年４月１７日に出願された米国仮特許出願第６１／９８０，８７０号に対する優先権を主張し、これらは参考として本明細書に援用される。

【0002】

発明の分野
本開示は、一般に新規なインク組成物に関する。より詳細には、本開示は、金属組成物をベースにした新規なインク配合物の調製のための方法に関する。

【背景技術】

【0003】

電子機器、ディスプレイおよびエネルギー産業は、有機および無機基板上に回路を形成させるための導電性材料のコーティングおよびパターンの製造および使用に依存している。プリントされた電子機器は、大面積の柔軟性のあるデバイスの低コストでの創出を可能にすることによって、従来技術に対して魅力的な代替手段を提示している。太陽電池電極、フレキシブルディスプレイ、無線識別タグ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｔａｇ）、アンテナなど、そして、さらに多くの最新電子機器において、微細なフィーチャー（ｆｅａｔｕｒｅ）を有する高導電性材料に対する多くの用途が存在する。これらの最先端技術のデバイスをますます手頃なものにしようとするのには、使用される基板は、典型的に、比較的小さい温度レジリエンスを有しており、完全性を維持するために低い加工温度を必要とする。

【0004】

商業的に生産されている導電性インクの圧倒的多数は、特に、微細なフィーチャーを有する大面積を短時間で処理するために、インクジェット、スクリーン印刷またはロールツーロール加工法に向けて設計されている。これらのインクは、全く異なる粘度および合成パラメーターを有している。粒子をベースとしたインクは、典型的に別個に合成され次いでインク配合物中に混ぜ込まれる導電性金属粒子をベースにしている。得られるインクは、次いで特定の粒子プロセス用に調整される。

【0005】

典型的に、前駆体ベースのインクは、加熱すると還元されて導電性金属となる熱的に不安定な前駆体錯体をベースにしている。従来の粒子および前駆体をベースとした方法は、一般に、導電性コーティングを形成させるために高温に依存しており、したがって、完全性を維持するために低い加工温度を必要とする基板には適合しない可能性がある。例えば、１５０℃近傍の温度で分解してバルク銀に近い電気伝導度をもたらす、カルバメートまたは他の比較的小さい分子量の配位子（ポリマー安定剤と比較して）を有する銀化合物が合成されている。残念ながら、こうした温度でも、このインクを、柔軟性のある電子および生物医学的デバイスにおいて使用される多くのプラスチックおよび紙基板とは適合しないものにしている。

【0006】

したがって、本発明の目的は、改善されたインク組成物を提供することである。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
導電性インク組成物であって、該インク組成物は、
カルボン酸銀；
前記カルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤；および
触媒
を混合することによって形成される銀錯体を含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀を脱炭酸して前記導電性インク組成物を作製するアミンを含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀を１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸するインク組成物。
（項目２）
導電性インク組成物であって、前記インク組成物は、
銀を含むカルボン酸銀；
前記カルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤；および
前記カルボン酸銀の銀を還元して前記導電性インク組成物を作製する触媒
を混合することによって形成される銀錯体を含み、前記触媒がアミンを含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀の銀を１００℃またはそれ未満の温度で還元するインク組成物。
（項目３）
前記カルボン酸銀が、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される、項目１〜２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀である、項目３に記載の組成物。
（項目５）
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である、項目３に記載の組成物。
（項目６）
前記溶解剤が、有機溶媒、キレート剤およびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目７）
前記溶解剤が少なくとも１つの有機溶媒である、項目６に記載の組成物。
（項目８）
前記溶解剤が、アルカン炭化水素、アルケン、環状炭化水素、芳香族炭化水素、カルバメート、アミン、ポリアミン、アミド、エーテル、エステル、アルコール、チオール、チオエーテル、ホスフィンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目６〜７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目９）
前記溶解剤が、長さＣ_５〜２０の少なくとも１つの直鎖状または分枝状アルカン炭化水素を含む、項目６〜８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１０）
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目９に記載の組成物。
（項目１１）
前記溶解剤が、長さＣ_６〜２０の少なくとも１つの環状炭化水素を含む、項目６〜８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２）
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１１に記載の組成物。
（項目１３）
前記溶解剤が、少なくとも１つの芳香族炭化水素を含む、項目６〜８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１４）
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１３に記載の組成物。
（項目１５）
前記溶解剤がキシレンである、項目１３〜１４のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６）
前記溶解剤が、少なくとも１つの直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルを含む、項目６〜８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１７）
前記溶解剤が、少なくとも１つの直鎖状エーテルまたは分枝状エーテルを含む、項目１６に記載の組成物。
（項目１８）
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１６〜１７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１９）
前記溶解剤が、少なくとも１つの環状エーテルを含む、項目１６に記載の組成物。
（項目２０）
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、１，４−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１９に記載の組成物。
（項目２１）
前記溶解剤がテルピネオールである、項目６〜７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２２）
前記溶解剤が、キシレンおよびテルピネオールを含む、項目６〜７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２３）
前記溶解剤が、約１対約１の体積比のキシレン対テルピネオールを有する、項目２２に記載の組成物。
（項目２４）
前記溶解剤が、少なくとも１つのキレート剤を含む、項目６に記載の組成物。
（項目２５）
前記溶解剤が、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、エチレンジアミン−ジ（ｏ−ヒドロキシフェニル酢酸）、ニトリロ三酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−五酢酸、グリコールエーテルジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、ジメチルスルホキシド、ジエチレントリアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミンおよびエチレンジアミンからなる群から選択される、項目２４に記載の組成物。
（項目２６）
前記触媒が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよびポリアミンからなる群から選択される、項目１〜２５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２７）
前記触媒が、少なくとも１つの第一級アミンを含む、項目２６に記載の組成物。
（項目２８）
前記触媒が、少なくとも１つの、Ｃ_１〜１８を有するアルキルアミンを含む、項目２６または２７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２９）
前記触媒が、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目２６〜２８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目３０）
前記触媒が、アリルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、ｔｅｒｔ−デシルアミン、ｔｅｒｔ−ドデシルアミン、ｔｅｒｔ−オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目２７に記載の組成物。
（項目３１）
前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目３０に記載の組成物。
（項目３２）
前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、項目３０に記載の組成物。
（項目３３）
前記触媒が、少なくとも１つの第二級アミンを含む、項目２６に記載の組成物。
（項目３４）
前記触媒が、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目３３に記載の組成物。
（項目３５）
前記触媒が、少なくとも１つの第三級アミンを含む、項目２６に記載の組成物。
（項目３６）
前記触媒が、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目３５に記載の組成物。
（項目３７）
前記触媒が、少なくとも１つのポリアミンを含む、項目２６に記載の組成物。
（項目３８）
前記触媒が、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目３７に記載の組成物。
（項目３９）
前記カルボン酸銀が、前記触媒を添加する前に、前記溶解剤中に溶解されている、項目１〜３８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４０）
前記カルボン酸銀が、前記カルボン酸銀を前記溶解剤に溶解する前に、前記触媒と混合されている、項目１〜３９のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４１）
前記導電性インク組成物が、前記導電性インク組成物の約１〜４０ｗｔ％の濃度の銀を有する、項目１〜４０のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４２）
前記銀錯体が、約５センチポアズ〜約５０センチポアズの粘度を有する、項目１〜４１のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４３）
前記銀錯体が、約５０センチポアズ〜約１０００センチポアズの粘度を有する、項目１〜４１のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４４）
前記粘度を、添加する触媒の量に基づいて調節する、項目４２〜４３のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４５）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、項目１〜２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４６）
前記カルボン酸銀が約０．５グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約１ｍＬのキシレンであり、前記触媒が約０．２ｍＬの２−エチルヘキシルアミンである、項目４５に記載の組成物。
（項目４７）
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目１〜２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４８）
前記カルボン酸銀が約０．４グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、約１ｍＬのキシレンであり、前記触媒が約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目４７に記載の組成物。
（項目４９）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンおよびテルピネオールを含み、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目１〜２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目５０）
前記カルボン酸銀が約０．５グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約０．５ｍＬのキシレンおよび約０．５ｍＬのテルピネオールを含み、前記触媒が約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目４９に記載の組成物。
（項目５１）
導電性構造物が、約２×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１×１０^−５Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目１〜５０のいずれか一項に記載の組成物。
（項目５２）
導電性構造物が、約１０ナノメートルまたはそれ未満のＲＭＳ値を有する、項目１〜５１のいずれか一項に記載の組成物。
（項目５３）
導電性構造物を作製する方法であって、
アミンを含む触媒の存在下で、カルボン酸銀を混合して銀錯体を形成するステップであって、前記カルボン酸銀は少なくとも１つの溶解剤中に溶解しているステップと；
前記銀錯体を基板に塗布するステップと；
前記基板上の前記銀錯体を、約２００℃またはそれ未満の分解温度で加熱して前記導電性構造物を形成させるステップと
を含む方法。
（項目５４）
前記カルボン酸銀が、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される、項目５３に記載の方法。
（項目５５）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀である、項目５４に記載の方法。
（項目５６）
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である、項目５４に記載の方法。
（項目５７）
前記溶解剤が、有機溶媒、キレート剤およびそれらの組合せからなる群から選択される、項目５３〜５６のいずれか一項に記載の方法。
（項目５８）
前記溶解剤が少なくとも１つの有機溶媒である、項目５７に記載の方法。
（項目５９）
前記溶解剤が、アルカン炭化水素、アルケン、環状炭化水素、芳香族炭化水素、カルバメート、アミン、ポリアミン、アミド、エーテル、エステル、アルコール、チオール、チオエーテル、ホスフィンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目５７〜５８のいずれか一項に記載の方法。
（項目６０）
前記溶解剤が、長さＣ_５〜２０の少なくとも１つの直鎖状または分枝状アルカン炭化水素を含む、項目５７〜５９のいずれか一項に記載の方法。
（項目６１）
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目６０に記載の方法。
（項目６２）
前記溶解剤が、長さＣ_６〜２０の少なくとも１つの環状炭化水素を含む、項目５７〜５９のいずれか一項に記載の方法。
（項目６３）
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目６２に記載の方法。
（項目６４）
前記溶解剤が、少なくとも１つの芳香族炭化水素を含む、項目５７〜５９のいずれか一項に記載の方法。
（項目６５）
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目６４に記載の方法。
（項目６６）
前記溶解剤がキシレンである、項目６４〜６５のいずれか一項に記載の方法。
（項目６７）
前記溶解剤が、少なくとも１つの直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルを含む、項目５７〜５９のいずれか一項に記載の方法。
（項目６８）
前記溶解剤が、少なくとも１つの直鎖状エーテルまたは分枝状エーテルを含む、項目６７に記載の方法。
（項目６９）
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目６７〜６８のいずれか一項に記載の方法。
（項目７０）
前記溶解剤が、少なくとも１つの環状エーテルを含む、項目６７に記載の方法。
（項目７１）
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、１，４−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目７０に記載の方法。
（項目７２）
前記溶解剤がテルピネオールである、項目５７〜５８のいずれか一項に記載の方法。
（項目７３）
前記溶解剤が、キシレンおよびテルピネオールを含む、項目５７〜５８のいずれか一項に記載の方法。
（項目７４）
前記溶解剤が、約１対約１の体積比のキシレン対テルピネオールを有する、項目７３に記載の方法。
（項目７５）
前記溶解剤が、少なくとも１つのキレート剤を含む、項目５７に記載の方法。
（項目７６）
前記溶解剤が、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、エチレンジアミン−ジ（ｏ−ヒドロキシフェニル酢酸）、ニトリロ三酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−五酢酸、グリコールエーテルジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、ジメチルスルホキシド、ジエチレントリアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミンおよびエチレンジアミンからなる群から選択される、項目７５に記載の方法。
（項目７７）
前記触媒が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよびポリアミンからなる群から選択される、項目５３〜７６のいずれか一項に記載の方法。
（項目７８）
前記触媒が、少なくとも１つの第一級アミンを含む、項目７７に記載の方法。
（項目７９）
前記触媒が、少なくとも１つの、Ｃ_１〜１８を有するアルキルアミンを含む、項目７７〜７８のいずれか一項に記載の方法。
（項目８０）
前記触媒が、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目７７〜７９のいずれか一項に記載の方法。
（項目８１）
前記触媒が、アリルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、ｔｅｒｔ−デシルアミン、ｔｅｒｔ−ドデシルアミン、ｔｅｒｔ−オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目７８に記載の方法。
（項目８２）
前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目８１に記載の方法。
（項目８３）
前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、項目８１に記載の方法。
（項目８４）
前記触媒が、少なくとも１つの第二級アミンを含む、項目７７に記載の方法。
（項目８５）
前記触媒が、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目８４に記載の方法。
（項目８６）
前記触媒が、少なくとも１つの第三級アミンを含む、項目７７に記載の方法。
（項目８７）
前記触媒が、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目８６に記載の方法。
（項目８８）
前記触媒が、少なくとも１つのポリアミンを含む、項目７７に記載の方法。
（項目８９）
前記触媒が、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目８８に記載の方法。
（項目９０）
前記カルボン酸銀を、前記触媒を添加する前に、前記溶解剤中に溶解する、項目５３〜８９のいずれか一項に記載の方法。
（項目９１）
前記カルボン酸銀を、前記カルボン酸銀を前記溶解剤に溶解する前に、前記触媒と混合する、項目５３〜８９のいずれか一項に記載の方法。
（項目９２）
前記導電性インク組成物が、前記導電性インク組成物の約１〜４０ｗｔ％の濃度の銀を有する、項目８３〜９１のいずれか一項に記載の方法。
（項目９３）
前記銀錯体が、約５センチポアズ〜約５０センチポアズの粘度を有する、項目１〜９２のいずれか一項に記載の方法。
（項目９４）
前記銀錯体が、約５０センチポアズ〜約１０００センチポアズの粘度を有する、項目１〜９２のいずれか一項に記載の方法。
（項目９５）
前記粘度を、添加する触媒の量に基づいて調節する、項目９３〜９４のいずれか一項に記載の方法。
（項目９６）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、項目５３に記載の方法。
（項目９７）
前記カルボン酸銀が約０．５グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約１ｍＬのキシレンであり、前記触媒が約０．２ｍＬの２−エチルヘキシルアミンである、項目９６に記載の方法。
（項目９８）
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目５３に記載の方法。
（項目９９）
前記カルボン酸銀が約０．４グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、約１ｍＬのキシレンであり、前記触媒が約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目９８に記載の方法。
（項目１００）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンおよびテルピネオールを含み、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目５３に記載の方法。
（項目１０１）
前記カルボン酸銀が約０．５グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約０．５ｍＬのキシレンおよび約０．５ｍＬのテルピネオールを含み、前記触媒が約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目１０１に記載の方法。
（項目１０２）
前記導電性構造物が、約２×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１×１０^−５Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目５３〜１０１のいずれか一項に記載の方法。
（項目１０３）
前記導電性構造物が、約１０ナノメートルまたはそれ未満のＲＭＳ値を有する、項目５３〜１０２のいずれか一項に記載の方法。
（項目１０４）
立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩；および
配位子
を含むインク組成物。
（項目１０５）
前記金属が、銀、銅、ニッケル、金、白金、パラジウム、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛およびスズからなる群から選択される、項目１０４に記載の組成物。
（項目１０６）
前記立体的にかさ高い対イオンが、カルボン酸イオン、シアン化物イオン、スルホン酸イオン、ホウ酸イオン、リン酸イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される、項目１０４〜１０５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１０７）
前記立体的にかさ高い対イオンが、テトラフルオロホウ酸イオン（［ＢＦ_４］⁻）、ヘキサフルオロリン酸イオン（［ＰＦ_６］⁻）、シアン化物イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される、項目１０４〜１０６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１０８）
前記立体的にかさ高い対イオンがＲ^１ＣＯＯ⁻であり；ここで、Ｒ^１は、置換アルキル、非置換または置換シクロアルキルおよび非置換または置換ヘテロシクロアルキルからなる群から選択される、項目１０４〜１０６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１０９）
Ｒ^１が置換Ｃ_１〜Ｃ_３０アルキルである、項目１０８に記載の組成物。
（項目１１０）
Ｒ^１が、アルキル基およびケト基の少なくとも１つで置換されたＣ_１〜Ｃ_３０アルキルである、項目１０８に記載の組成物。
（項目１１１）
前記立体的にかさ高い対イオンが、ネオデカン酸イオン、２−エチルオクタン酸イオン、２−エチルヘキサン酸イオン、２−エチルペンタン酸イオン、２−エチルブタン酸イオン、２−エチル−２−メチルブタン酸イオン、２，２−ジエチルブタン酸イオン、３−オキソブタン酸イオン、３−オキソペンタン酸イオンおよび３−オキソヘキサン酸イオンならびにそれらの組合せからなる群から選択される、項目１０４〜１０５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１２）
前記立体的にかさ高い対イオンがネオデカン酸イオンである、項目１１１に記載の組成物。
（項目１１３）
立体的にかさ高い対イオンを有する前記金属塩が、ネオデカン酸銀、２−エチルヘキサン酸銀およびβケトカルボン酸銀からなる群から選択される、項目１０４〜１１２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１４）
前記金属塩がネオデカン酸銀である、項目１０４〜１１３のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１５）
前記配位子がかさ高い配位子である、項目１０４〜１１４のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１６）
前記配位子が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、環状アミン、チオエーテル、環状チオエーテル、エーテル、分枝状エーテル、クラウンエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１０４〜１１５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１７）
前記配位子が、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、２−メチルブタン−２−アミン、２−メチルペンタン−２−アミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘプチルアミン、Ｎ−エチルヘキサン−１−アミン、Ｎ−エチルヘプタン−１−アミンおよびｔｅｒｔ−オクチルアミン、非置換または置換ピロリジン、非置換または置換ピペリジンならびにそれらの組合せからなる群から選択される、項目１０４〜１１６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１８）
前記配位子がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目１１７に記載の組成物。
（項目１１９）
前記配位子の前記金属塩に対するモル比が５０：１より大きい、項目１０４〜１１８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２０）
前記配位子の前記金属塩に対するモル比が３０：１より大きい、項目１０４〜１１９のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２１）
前記配位子の前記金属塩に対するモル比が１５：１より大きい、項目１０４〜１２０のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２２）
前記金属塩の前記配位子に対するモル比が約１である、項目１０４〜１２１のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２３）
さらに溶媒を含む、項目１０４〜１２２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２４）
前記溶媒が極性溶媒である、項目１２３に記載の組成物。
（項目１２５）
前記溶媒が、水、ジメチルホルムアミドおよびキシレンからなる群から選択される、項目１２３または１２４のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２６）
前記溶媒がキシレンである、項目１２３〜１２５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２７）
インク組成物を調製する方法であって、
立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩を溶媒に加えて第１の混合物を形成させるステップと；
配位子を前記第１の混合物に加えてインク組成物を形成させるステップと
を含む方法。
（項目１２８）
前記金属塩が、銀塩、銅塩、ニッケル塩、金塩、白金塩、パラジウム塩、アルミニウム塩、マグネシウム塩、亜鉛塩およびスズ塩からなる群から選択される、項目１２７に記載の方法。
（項目１２９）
前記立体的にかさ高い対イオンが、カルボン酸イオン、シアン化物イオン、スルホン酸イオン、ホウ酸イオン、リン酸イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される、項目１２７〜１２８のいずれか一項に記載の方法。
（項目１３０）
前記立体的にかさ高い対イオンがＲ^１ＣＯＯ⁻であり；ここで、Ｒ^１は、置換アルキル、非置換または置換シクロアルキルおよび非置換または置換ヘテロシクロアルキルからなる群から選択される、項目１２７〜１２８のいずれか一項に記載の方法。
（項目１３１）
導電性構造物を作製するためのインク組成物であって、
溶解剤中に溶解されている還元剤と、
金属を含む少なくとも１つの金属塩または金属錯体と
を混合することによって形成される還元性金属錯体を含み、前記還元剤が、前記金属塩または金属錯体の前記金属を還元して前記導電性構造物を形成させるインク組成物。
（項目１３２）
導電性構造物を作製するためのインク組成物であって、
溶解剤中に溶解されている還元剤と；
４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属を含む少なくとも１つの金属塩または金属錯体と
を混合することによって形成される還元性金属錯体を含み、前記還元剤が、前記金属を還元して前記導電性構造物を形成させるインク組成物。
（項目１３３）
前記還元性金属錯体が、基板上で分解されて前記導電性構造物を形成する、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１３４）
前記還元性金属錯体が、前記還元性金属錯体を約２７０℃またはそれ未満の温度で加熱することによって分解される、項目１３３に記載の組成物。
（項目１３５）
前記還元性金属錯体が、触媒を前記還元性金属錯体と混合して触媒還元性金属錯体を形成させることによって分解され、ここで前記触媒還元性金属錯体は約２２０℃またはそれ未満で加熱される、項目１３３に記載の組成物。
（項目１３６）
前記還元性金属錯体が、約１００ｎｍ〜約１５００ｎｍの波長の光源に前記還元性金属錯体を曝露させることによって分解される、項目１３３に記載の組成物。
（項目１３７）
前記還元剤が、アルカリ金属水素化物、アルカリ金属とホウ素との錯体水素化物、アルカリ金属とアルミニウムとの錯体水素化物、ギ酸塩、βケトカルボン酸塩およびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１３１〜１３６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１３８）
前記還元剤が、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化ルビジウム、水素化セシウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１３７に記載の組成物。
（項目１３９）
前記還元剤が水素化リチウムである、項目１３８に記載の組成物。
（項目１４０）
前記還元剤が、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１３７に記載の組成物。
（項目１４１）
前記還元剤が、水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムナトリウム、水素化アルミニウムカリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１３７に記載の組成物。
（項目１４２）
前記還元剤が水素化アルミニウムリチウムである、項目１４１に記載の組成物。
（項目１４３）
前記溶解剤が有機溶媒である、項目１３１〜１４２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１４４）
前記溶解剤が、飽和炭化水素、芳香族炭化水素、エーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１４３に記載の組成物。
（項目１４５）
前記溶解剤が、直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルである、項目１４４に記載の組成物。
（項目１４６）
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１４５に記載の組成物。
（項目１４７）
前記溶解剤がジエチルエーテルである、項目１４６に記載の組成物。
（項目１４８）
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、１，４−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１４５に記載の組成物。
（項目１４９）
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１４４に記載の組成物。
（項目１５０）
前記溶解剤が、直鎖状飽和炭化水素、分枝状飽和炭化水素または環状飽和炭化水素である、項目１４４に記載の組成物。
（項目１５１）
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１５０に記載の組成物。
（項目１５２）
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１５０に記載の組成物。
（項目１５３）
前記金属塩または金属錯体が式ＭＸ_ｎまたはＭ（Ｌ）_ｐＸ_ｎを有し、式中、Ｍは４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属であり、
Ｘは、ハライド、プソイドハライド、ニトレート、スルフェート、ホルメート、アセテート、シアネート、イソシアネート、アルコキシドまたはジケトネートであり、Ｌは、ＮＨ_３、ＣＯ、ＮＯ、Ｎ_２、Ｈ_２Ｓ、Ｃ_２Ｈ_４、Ｃ_６Ｈ_６、ＣＮ、ＮＣ、ＰＨ_３からなる群から選択され、
ｎは、Ｍの形式電荷をＸの形式電荷で除したものに等しく、ｐは、Ｍ上の配位部位の数からＸ_ｎによって占有されている配位部位を減じたものに等しい整数である、項目１３１〜１５２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１５４）
Ｍが、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ケイ素、バナジウム、亜鉛、スズ、銅、ニッケル、パラジウム、ジルコニウム、鉄、ニオブ、ゲルマニウム、マンガン、クロム、コバルト、タングステン、モリブデン、ビスマス、ルテニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１５３に記載の組成物。
（項目１５５）
前記導電性構造物が、元素金属または金属合金である、項目１３１〜１５４のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１５６）
前記導電性構造物がマグネシウムを含み、前記導電性構造物が、水素化リチウムとハロゲン化マグネシウムを混合して水素化マグネシウム錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１５７）
前記導電性構造物が亜鉛を含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムをハロゲン化亜鉛と混合して水素化亜鉛錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１５８）
前記導電性構造物がアルミニウムを含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムを塩化アルミニウムと混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１５９）
前記導電性構造物がチタン合金を含み、前記チタン合金が、水素化アルミニウムリチウム、バナジウム錯体およびチタン塩を混合して水素化チタン錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６０）
前記バナジウム錯体が、バナジルアセチルアセトネートかまたはバナジウムヘキサカルボニルである、項目１５９に記載の組成物。
（項目１６１）
前記導電性構造物がアルミニウム合金を含み、前記アルミニウム合金が、ケイ素アルキル錯体、アルミニウム塩および水素化アルミニウムリチウムを混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６２）
前記導電性構造物がニッケルを含み、前記導電性構造物が、ニッケルテトラカルボニルおよびカルボニルエクストラクターを混合してニッケル（０）錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６３）
前記導電性構造物がニッケル合金を含み、前記ニッケル合金が、ニッケル塩と環状アルケンを混合してニッケル（０）錯体を作り出すことによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６４）
前記触媒が水素化物引抜剤である、項目１３５に記載の組成物。
（項目１６５）
前記触媒が、チタン（ＩＶ）化合物、フェナジンメトスルフェート、フェナジンエトスルフェート、１−メトキシフェナジンメトスルフェート、メルドラブルーおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１６４に記載の組成物。
（項目１６６）
前記還元剤がチタン（ＩＶ）化合物である、項目１６４〜１６５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６７）
前記還元剤が、酸化チタン（ＩＶ）、硫化チタン（ＩＶ）、硝酸チタン（ＩＶ）、チタン（ＩＶ）アルコキシドおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１６４〜１６６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６８）
前記インク組成物が、前記インク組成物の約０．１〜４０ｗｔ％の濃度の金属塩を有する、項目１３１〜１６７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６９）
前記インク組成物が、前記インク組成物の約０．１〜４０ｗｔ％の濃度の金属錯体を有する、項目１３１〜１６７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１７０）
導電性構造物を作製する方法であって、
還元剤を、少なくとも１つの金属塩または金属錯体と混合して還元性金属錯体を形成させるステップであって、前記還元剤は少なくとも１つの溶解剤中に溶解しているステップと；
前記還元性金属錯体を基板に塗布するステップと；
前記基板上の前記還元性金属錯体を分解させて導電性構造物を形成させるステップと
を含む方法。
（項目１７１）
前記還元性金属錯体を分解させるステップが、前記還元性金属錯体を約２７０℃またはそれ未満の温度で加熱することを含む、項目１７０に記載の方法。
（項目１７２）
前記還元性金属錯体を分解させるステップが、触媒を前記還元性金属錯体と混合して触媒還元性金属錯体を形成させることを含み、前記触媒還元性金属錯体を約２２０℃またはそれ未満の温度に加熱する、項目１７０に記載の方法。
（項目１７３）
前記還元性金属錯体を分解させるステップが、前記還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約１５００ｎｍの波長の光源に曝露することを含む、項目１７０に記載の方法。
（項目１７４）
前記還元剤が、アルカリ金属水素化物、アルカリ金属とホウ素との錯体水素化物、アルカリ金属とアルミニウムとの錯体水素化物、ギ酸塩、βケトカルボン酸塩およびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１７０〜１７３のいずれか一項に記載の方法。
（項目１７５）
前記還元剤が、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化ルビジウム、水素化セシウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１７４に記載の方法。
（項目１７６）
前記還元剤が水素化リチウムである、項目１７５に記載の方法。
（項目１７７）
前記還元剤が、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１７４に記載の方法。
（項目１７８）
前記還元剤が、水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムナトリウム、水素化アルミニウムカリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１７４に記載の方法。
（項目１７９）
前記還元剤が水素化アルミニウムリチウムである、項目１７８に記載の方法。
（項目１８０）
前記溶解剤が有機溶媒である、項目１７０〜１７９のいずれか一項に記載の方法。
（項目１８１）
前記溶解剤が、飽和炭化水素、芳香族炭化水素、エーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８０に記載の方法。
（項目１８２）
前記溶解剤が、直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルである、項目１８１に記載の方法。
（項目１８３）
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８２に記載の方法。
（項目１８４）
前記溶解剤がジエチルエーテルである、項目１８３に記載の方法。
（項目１８５）
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、１，４−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８２に記載の方法。
（項目１８６）
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８１に記載の方法。
（項目１８７）
前記溶解剤が、直鎖状飽和炭化水素、分枝状飽和炭化水素または環状飽和炭化水素である、項目１８１に記載の方法。
（項目１８８）
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８７に記載の方法。
（項目１８９）
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８７に記載の方法。
（項目１９０）
前記金属塩または金属錯体が式ＭＸ_ｎまたはＭ（Ｌ）_ｐＸ_ｎを有し、式中、Ｍは４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属であり、
Ｘは、ハライド、プソイドハライド、ニトレート、スルフェート、ホルメート、アセテート、シアネート、イソシアネート、アルコキシドまたはジケトネートであり、Ｌは、ＮＨ_３、ＣＯ、ＮＯ、Ｎ_２、Ｈ_２Ｓ、Ｃ_２Ｈ_４、Ｃ_６Ｈ_６、ＣＮ、ＮＣ、ＰＨ_３からなる群から選択され、
ｎは、Ｍの形式電荷をＸの形式電荷で除したものに等しく、ｐは、Ｍ上の配位部位の数からＸ_ｎによって占有されている配位部位を減じたものに等しい整数である、項目１７０〜１８９のいずれか一項に記載の方法。
（項目１９１）
Ｍが、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ケイ素、バナジウム、亜鉛、スズ、銅、ニッケル、パラジウム、ジルコニウム、鉄、ニオブ、ゲルマニウム、マンガン、クロム、コバルト、タングステン、モリブデン、ビスマス、ルテニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１９０に記載の組成物。
（項目１９２）
前記導電性構造物が、元素金属または金属合金である、項目１７０〜１９１のいずれか一項に記載の方法。
（項目１９３）
前記導電性構造物がマグネシウムを含み、前記導電性構造物が、水素化リチウムとハロゲン化マグネシウムを混合して水素化マグネシウム錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目１９４）
前記導電性構造物が亜鉛を含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムをハロゲン化亜鉛と混合して水素化亜鉛錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目１９５）
前記導電性構造物がアルミニウムを含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムを塩化アルミニウムと混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目１９６）
前記導電性構造物がチタン合金を含み、前記チタン合金が、水素化アルミニウムリチウム、バナジウム錯体およびチタン塩を混合して水素化チタン錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目１９７）
前記バナジウム錯体が、バナジルアセチルアセトネートかまたはバナジウムヘキサカルボニルである、項目１９６に記載の方法。
（項目１９８）
前記導電性構造物がアルミニウム合金を含み、前記アルミニウム合金が、ケイ素アルキル錯体、アルミニウム塩および水素化アルミニウムリチウムを混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目１９９）
前記導電性構造物がニッケルを含み、前記導電性構造物が、ニッケルテトラカルボニルとカルボニルエクストラクターとを混合してニッケル（０）錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目２００）
前記導電性構造物がニッケル合金を含み、前記ニッケル合金が、ニッケル塩と環状アルケンとを混合してニッケル（０）錯体を作り出すことによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目２０１）
前記触媒が水素化物引抜剤である、項目１７２に記載の方法。
（項目２０２）
前記触媒が、チタン（ＩＶ）化合物、フェナジンメトスルフェート、フェナジンエトスルフェート、１−メトキシフェナジンメトスルフェート、メルドラブルーおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目２０１に記載の方法。
（項目２０３）
前記還元剤がチタン（ＩＶ）化合物である、項目２０１〜２０２のいずれか一項に記載の方法。
（項目２０４）
前記還元剤が、酸化チタン（ＩＶ）、硫化チタン（ＩＶ）、硝酸チタン（ＩＶ）、チタン（ＩＶ）アルコキシドおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目２０１〜２０３のいずれか一項に記載の方法。
（項目２０５）
化学添加剤をさらに含む、項目１５３に記載の組成物。
（項目２０６）
前記化学添加剤が、酸性亜硫酸塩、チオ硫酸ナトリウム、チオグリコール酸アンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム亜硝酸塩、ベンゾトリアゾール、四硝酸ペンタエリスリトールおよびジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩からなる群から選択される、項目２０５に記載の組成物。
（項目２０７）
前記化学添加剤がベンゾトリアゾールである、項目２０５〜２０６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２０８）
前記Ｍが銅であり、前記Ｘがホルメートである、項目２０５〜２０７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２０９）
前記導電性構造物が、約２×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１×１０^−５Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目１３１〜１６９のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２１０）
前記導電性構造物が、約３×１０^−６Ω・ｃｍ〜約６×１０^−６Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目１３１〜１６９のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２１１）
項目２０９〜２１０のいずれか一項に記載の組成物を、スロットダイコーティング、スピンコーティング、グラビア印刷、フレキソ印刷を含むロールツーロール印刷、ロータリースクリーン印刷、スクリーン印刷、エアロゾルジェット印刷、インクジェット印刷、エアーブラッシング、マイヤーロッドコーティング、フラッドコーティング、３Ｄ印刷、ディスペンサーまたは電気流体力学的印刷によって基板に塗布するステップを含む方法。
（項目２１２）
前記導電性構造物が、約２×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１×１０^−５Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目１７０〜２０４のいずれか一項に記載の方法。
（項目２１３）
前記導電性構造物が、約３×１０^−６Ω・ｃｍ〜約６×１０^−６Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目１７０〜２０４のいずれか一項に記載の方法。
（項目２１４）
前記還元性金属錯体を塗布するステップが、スロットダイコーティング、スピンコーティング、グラビア印刷、フレキソ印刷を含むロールツーロール印刷、ロータリースクリーン印刷、スクリーン印刷、エアロゾルジェット印刷、インクジェット印刷、エアーブラッシング、マイヤーロッドコーティング、フラッドコーティング、３Ｄ印刷、ディスペンサーまたは電気流体力学的印刷を含む、項目２１２〜２１３のいずれか一項に記載の方法。
反応性の金属および合金から導電体を形成させるための改善されたインク組成物および導電性構造物を作製するための方法を開示する。

【0008】

一態様では、導電性インク組成物は、カルボン酸銀；そのカルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤；および触媒を混合することによって形成される銀錯体を含み、その触媒は、そのカルボン酸銀を脱炭酸して導電性インク組成物を生成するアミンを含み、この触媒は、カルボン酸銀を２００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0009】

別の態様では、導電性インク組成物は、カルボン酸銀を混合することによって形成される銀錯体を含み、このカルボン酸銀は、銀；そのカルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤；カルボン酸銀の銀を還元して導電性インク組成物を作製する触媒を含み、この触媒はアミンを含む。この触媒は、カルボン酸銀の銀を２００℃またはそれ未満の温度で還元する。

【0010】

別の態様では、導電性構造物を作製する方法は、アミンの存在下で、溶解剤中に溶解しているカルボン酸銀を脱炭酸して銀錯体を形成するステップと；その銀錯体を基板に塗布するステップと；その基板上の銀錯体を約２００℃またはそれ未満の分解温度で加熱して導電性構造物を形成させるステップとを含む。

【0011】

別の態様では、インク組成物は、立体的にかさ高い対イオンおよび配位子を有する金属塩を含む。

【0012】

別の態様では、インクを作製する方法を開示する。この方法は、立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩を溶媒に加えて第１の混合物を形成させるステップと；配位子をその第１の混合物に加えてインク組成物を形成させるステップを含む。

【0013】

別の態様では、導電性構造物を作製する方法は、立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩を溶媒に加えて第１の混合物を形成させるステップと；配位子をその第１の混合物に加えてインク組成物を形成させるステップと；そのインク組成物を加熱して導電性構造物を形成させるステップとを含む。

【0014】

別の態様では、導電性構造物を作製するためのインク組成物は、溶解剤中に溶解された還元剤と、金属を含む少なくとも１つの金属塩または金属錯体を混合することによって形成された還元性金属錯体を含み、この還元剤は金属塩または金属錯体の金属を還元して導電性構造物を形成させる。

【0015】

別の態様では、導電性構造物を作製するためのインク組成物は、溶解剤に溶解された還元剤を、４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属を含む少なくとも１つの金属塩または金属錯体と混合することによって形成された還元性金属錯体を含み、この還元剤はその金属を還元して導電性構造物を形成し、還元剤は金属塩または金属錯体の金属を還元して導電性構造物を形成させる。

【0016】

別の態様では、導電性構造物を作製する方法は、少なくとも１つの溶解剤中に溶解している還元剤を、少なくとも１つの金属塩または金属錯体と混合して還元性金属錯体を形成させるステップと；その還元性金属錯体を基板に塗布するステップと；基板上の還元性金属錯体を分解して導電性構造物を形成させるステップを含む。

【発明を実施するための形態】

【0017】

銀前駆体から導電性構造物を作り出す方法
導電性インク構造物を提供するための組成物およびその組成物の作製方法を開示する。銀金属前駆体から誘導されるインク組成物は、２０１２年１２月２０日出願の「Ｉｎｋ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｍａｋｉｎｇ ａ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｓｉｌｖｅｒ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ」という名称の国際出願番号ＰＣＴ／ＵＳ２０１２／０７１０３４号に記載されており、その全体を参照により本明細書に組み込む。

【0018】

高い分解温度を必要としない銀錯体を作製することによって形成される改善されたインク組成物が開示されている。導電性構造物を形成させるために、より低い分解温度および短いタックタイムを用いることによって、改善されたインク組成物は、完全性を維持するために高い加工温度を必要としないより多くの基板と適合することになる。さらに、インク組成物を作製させるためのこの方法は、簡単かつ高収率である。

【0019】

このインク組成物は低粘度を有していてもよく、その結果、スロットダイコーティング、スピンコーティング、グラビア印刷、フレキソ印刷を含むロールツーロール印刷、ロータリースクリーン印刷、スクリーン印刷、エアロゾルジェット印刷、インクジェット印刷、エアーブラッシング、マイヤーロッドコーティング、フラッドコーティング、３Ｄ印刷および電気流体力学的印刷を含む広範囲のパターン化技術と適合することができる。パターン化されたフィーチャーは、室温で高度に導電性であり、温和な温度（例えば、約１００℃未満）で分解すると、バルク導電性を達成することができる。最後に、このインクは、粒子沈殿を伴うことなく、室温で数か月間安定なままであることができる。

【0020】

したがって、導電性インク組成物（「導電性インク」または「インク」とも称される）は、室温で高度に導電性のフィーチャーを印刷するために作り出される。そうしたインクは、安定で粒子フリーであり、広範囲のパターン化技術に適切であり得る。一実施形態では、「粒子フリー」なインクは、直径約１０ｎｍ超の粒子を含まないインクである。一実施形態では、「粒子フリー」なインクは、約１％未満の粒子、好ましくは約０．１％未満の粒子を有するインクである。銀塩は、最終的に導電性銀コーティング、ラインまたはパターンにおいて銀をもたらす前駆体材料としてのインクにおいて使用される。任意の適切な銀前駆体を使用することができる。

【0021】

一態様では、導電性インク組成物は、カルボン酸銀、そのカルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤および触媒を混合することによって形成される銀錯体を含む。この触媒は、そのカルボン酸銀を脱炭酸して導電性インク組成物を作製するアミンを含む。一実施形態では、カルボン酸銀は溶解剤に可溶性である。当業者に公知であるように、溶解性は、溶解剤などの溶媒中に溶解させるためのカルボン酸銀などの物質の性質である。一実施形態では、銀錯体を、最初に基板に塗布する。一実施形態では、その触媒は、カルボン酸銀を約２００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。一実施形態では、その触媒は、カルボン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。いくつかの実施形態では、その触媒は、カルボン酸銀を、約２２０℃、約２１０℃もしくはそれ未満、約１９０℃もしくはそれ未満、約１８０℃もしくはそれ未満、約１７０℃もしくはそれ未満、約１６０℃もしくはそれ未満、約１５０℃もしくはそれ未満、約１４０℃もしくはそれ未満、約１３０℃もしくはそれ未満、約１２０℃もしくはそれ未満、約１１０℃もしくはそれ未満、約９０℃もしくはそれ未満、約８０℃もしくはそれ未満、約７０℃もしくはそれ未満、約６０℃もしくはそれ未満または約５０℃もしくはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0022】

別の態様では、導電性インク組成物は、カルボン酸銀、そのカルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤、およびカルボン酸銀の銀を還元する触媒を混合することによって形成される銀錯体を含む。一実施形態では、カルボン酸銀は、溶解剤に可溶性である。この触媒はアミンを含む。一実施形態では、銀錯体を、最初に基板に塗布する。一実施形態では、その触媒は、カルボン酸銀の銀を約２００℃またはそれ未満の温度で還元する。一実施形態では、その触媒は、カルボン酸銀の銀を約１００℃またはそれ未満の温度で還元する。いくつかの実施形態では、その触媒は、カルボン酸銀の銀を約２１０℃もしくはそれ未満、約２２０℃もしくはそれ未満、約１９０℃もしくはそれ未満、約１８０℃もしくはそれ未満、約１７０℃もしくはそれ未満、約１６０℃もしくはそれ未満、約１５０℃もしくはそれ未満、約１４０℃もしくはそれ未満、約１３０℃もしくはそれ未満、約１２０℃もしくはそれ未満、約１１０℃もしくはそれ未満、約９０℃もしくはそれ未満、約８０℃もしくはそれ未満、約７０℃もしくはそれ未満、約６０℃もしくはそれ未満または約５０℃もしくはそれ未満の温度で還元する。
カルボン酸銀

【0023】

一実施形態では、そのカルボン酸銀は、脂肪族カルボン酸の銀塩を含む。一実施形態では、カルボン酸銀は、長鎖脂肪族カルボン酸の銀塩を含む。一実施形態では、カルボン酸銀は、１０〜３０個の炭素原子を有する長鎖脂肪族カルボン酸の銀塩を含む。一実施形態では、その触媒は、高温でカルボン酸銀の銀を還元する。

【0024】

一実施形態では、そのカルボン酸銀は、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される。一実施形態では、カルボン酸銀はネオデカン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はプロピオン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀は酪酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はペンタン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はヘキサン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はヘプタン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はエチルヘキサン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はベヘン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はオレイン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はノナン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はデカン酸銀である。

【0025】

一実施形態では、約０．４グラム〜約０．６グラムの量のカルボン酸銀を、溶解剤に溶解する。いくつかの実施形態では、約０．４グラム、約０．５グラムまたは約０．６グラムのカルボン酸銀を、溶解剤に溶解する。一実施形態では、約０．４グラム〜約０．６グラムの量のネオデカン酸銀を、溶解剤に溶解する。いくつかの実施形態では、約０．４グラム、約０．５グラムまたは約０．６グラムのネオデカン酸銀を、溶解剤に溶解する。一実施形態では、約０．４グラム〜約０．６グラムの量のヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀を、溶解剤に溶解する。いくつかの実施形態では、約０．４グラム、約０．５グラムまたは約０．６グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀を、溶解剤に溶解する。
溶解剤

【0026】

上記したように、少なくとも１つの溶解剤は、開示されているカルボン酸銀を溶解する。溶解剤は、カルボン酸銀のための安定剤および溶媒の役割を果たす。溶解剤は、カルボン酸銀のための還元剤としての役割を果たさせようとするものではない。一実施形態では、溶解剤は、約２００℃またはそれ未満の沸点を有する。一実施形態では、溶解剤は、約１００℃またはそれ未満の沸点を有する。いくつかの実施形態では、溶解剤は、約２２０℃もしくはそれ未満、約２１０℃もしくはそれ未満、約１９０℃もしくはそれ未満、約１８０℃もしくはそれ未満、約１７０℃もしくはそれ未満、約１６０℃もしくはそれ未満、約１５０℃もしくはそれ未満、約１４０℃もしくはそれ未満、約１３０℃もしくはそれ未満、約１２０℃もしくはそれ未満、約１１０℃もしくはそれ未満、約９０℃もしくはそれ未満、約８０℃もしくはそれ未満、約７０℃もしくはそれ未満、約６０℃もしくはそれ未満または約５０℃もしくはそれ未満の沸点を有する。

【0027】

一実施形態では、溶解剤は、インク組成物を作製するために使用されるカルボン酸銀の種類をもとにして選択することができる。一実施形態では、溶解剤は、特定の用途のための沸点／タックタイムをもとにして選択することができる。一実施形態では、溶解剤は、適合性および湿潤性の問題について、インク組成物が塗布されることになる基板の種類をもとにして選択することができる。例えば、インクジェット印刷またはｅジェットなどの固着法のためには、より高い安定性が一般に好ましく、したがって、より高い沸点を有する溶解剤を使用することが好ましい。

【0028】

一実施形態では、溶解剤は、有機溶媒、キレート剤およびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、溶解剤は少なくとも１つの有機溶媒である。一実施形態では、溶解剤は少なくとも１つの非極性有機溶媒である。一実施形態では、溶解剤は少なくとも１つのキレート剤である。一実施形態では、希釈剤は、１つまたは複数の溶解剤と１つまたは複数のキレート剤の混合物である。

【0029】

一実施形態では、溶解剤は、アルカン炭化水素、カルバメート、アルケン、環状炭化水素、芳香族炭化水素、アミン、ポリアミン、アミド、エーテル、エステル、アルコール、チオール、チオエーテル、ホスフィンおよびそれらの組合せからなる群から選択される。

【0030】

一実施形態では、溶解剤は有機溶媒である。一実施形態では、溶解剤は、長さＣ_５〜２０の１つもしくは複数の直鎖状または分枝状アルカン炭化水素を含むことができる。例えば、溶解剤は、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカンおよびイコサンを含むことができる。

【0031】

一実施形態では、溶解剤は、長さＣ_６〜２０の１つまたは複数の環状炭化水素を含むことができる。例えば、溶解剤は、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカンおよびデカリンを含むことができる。一実施形態では、溶解剤は、芳香族炭化水素を含むことができる。例えば、溶解剤は、ベンゼン、トルエン、キシレンおよびテトラリンを含むことができる。一実施形態では、溶解剤はキシレンである。

【0032】

一実施形態では、溶解剤は、直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルを含むことができる。一実施形態では、溶解剤は、直鎖状または分枝状エーテルを含むことができる。例えば、溶解剤は、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテルおよびメチルｔ−ブチルエーテルを含むことができる。一実施形態では、溶解剤は、１つまたは複数の環状エーテルを含むことができる。例えば、溶解剤は、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピランおよび１，４−ジオキサンを含むことができる。

【0033】

一実施形態では、溶解剤はアルコールである。一実施形態では、溶解剤は、第一級アルコール、第二級アルコールまたは第三級アルコールである。一実施形態では、アルコールは、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノールおよびオクタノールならびにそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、アルコールは、１−プロパノール、２−プロパノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、１−オクタノール、２−オクタノール、３−オクタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、シクロペンタノール、テルピネオールおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、溶解剤はテルピネオールである。

【0034】

一実施形態では、溶解剤はキレート剤である。一実施形態では、溶解剤は、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、エチレンジアミン−ジ（ｏ−ヒドロキシフェニル酢酸）、ニトリロ三酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン（ｄｅｔｈｙｌｅｎｅｔｒｉａｍｉｎｅ）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−五酢酸、グリコールエーテルジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、ジメチルスルホキシド、ジエチレントリアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、２−エチルヘキシルアミンおよびエチレンジアミンからなる群から選択される。一実施形態では、溶解剤はｔｅｒｔ−オクチルアミンである。一実施形態では、溶解剤はｔｅｒｔ−ブチルアミンである。一実施形態では、溶解剤は２−エチルヘキシルアミンである。

【0035】

一実施形態では、カルボン酸銀が溶解剤中に実質的に溶解する、または完全に溶解するような溶解剤の量を添加する。一実施形態では、「実質的に溶解する（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）」とは、カルボン酸銀が、溶解剤中に、２５℃で約４００ｇ／Ｌの溶解度を有することを意味する。

【0036】

一実施形態では、カルボン酸銀を、約０．５ｍＬ〜約２．０ｍＬの量の溶解剤中に溶解する。一実施形態では、カルボン酸銀を、約１．０ｍＬ〜約２．０ｍＬの量の溶解剤中に溶解する。いくつかの実施形態では、カルボン酸銀を、約０．５ｍＬ、約１．０ｍＬ、約１．５ｍＬまたは約２．０ｍＬの溶解剤中に溶解する。

【0037】

一実施形態では、カルボン酸銀を、約０．５ｍＬ〜約２．０ｍＬの量のキシレンに溶解する。一実施形態では、カルボン酸銀を、約１．０ｍＬ〜約２．０ｍＬの量のキシレンに溶解する。いくつかの実施形態では、カルボン酸銀を、約０．５ｍＬ、約１．０ｍＬ、約１．５ｍＬまたは約２．０ｍＬのキシレンに溶解する。

【0038】

一実施形態では、カルボン酸銀を、約０．５ｍＬ〜約２．０ｍＬの量のテルピネオールに溶解する。一実施形態では、カルボン酸銀を、約１．０ｍＬ〜約２．０ｍＬの量のテルピネオールに溶解する。いくつかの実施形態では、カルボン酸銀を、約０．５ｍＬ、約１．０ｍＬ、約１．５ｍＬおよび約２．０ｍＬのテルピネオールに溶解する。

【0039】

一実施形態では、カルボン酸銀を、約０．５ｍＬ〜約２．０ｍＬのキシレンとテルピネオールの混合物中に溶解する。一実施形態では、カルボン酸銀を、約１．０ｍＬ〜約２．０ｍＬのキシレンとテルピネオールの混合物中に溶解する。いくつかの実施形態では、カルボン酸銀を、約０．５ｍＬ、約１．０ｍＬ、約１．５ｍＬまたは約２．０ｍＬの、キシレンとテルピネオールの混合物中に溶解する。

【0040】

一実施形態では、溶解剤は２つの有機溶媒を含む。一実施形態では、２つの有機溶媒の体積比は、第１の有機溶媒対第２の有機溶媒が約１対約１である。一実施形態では、２つの有機溶媒の体積比は、第１の有機溶媒対第２の有機溶媒が約２対約１である。一実施形態では、２つの有機溶媒の体積比は、第１の有機溶媒対第２の有機溶媒が約３対約１である。一実施形態では、２つの有機溶媒の体積比は、第１の有機溶媒対第２の有機溶媒が約４対約１である。

【0041】

一実施形態では、溶解剤は、２つのキレート剤を含む。一実施形態では、２つのキレート剤の体積比は、第１のキレート剤対第２のキレート剤が約１対約１である。一実施形態では、２つのキレート剤の体積比は、第１のキレート剤対第２のキレート剤が約２対約１である。一実施形態では、２つのキレート剤の体積比は、第１のキレート剤対第２のキレート剤が約３対約１である。一実施形態では、２つのキレート剤の体積比は、第１のキレート剤対第２のキレート剤が約４対約１である。

【0042】

一実施形態では、溶解剤は、１つの有機溶媒および１つのキレート剤を含む。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約１対約１である。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約２対約１である。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約３対約１である。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約４対約１である。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約１対約２である。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約１対約３である。一実施形態では、有機溶媒とキレート剤の体積比は約１対約４である。
触媒

【0043】

上記で論じたように、触媒を開示する。一実施形態では、その触媒は還元剤である。一実施形態では、触媒は、銀塩を銀金属へ還元する。一実施形態では、触媒は脱炭酸剤である。一実施形態では、触媒は、カルボン酸銀を脱炭酸して導電性インク組成物を作製させる。一実施形態では、触媒は、カルボン酸銀の銀を還元して導電性インク組成物を作製させる。一実施形態では、触媒は、脱炭酸剤と還元剤の両方である。一実施形態では、触媒は、同時に、カルボン酸銀を脱炭酸し、カルボン酸銀の銀を還元して導電性インク組成物を作製させる。

【0044】

任意の適切な銀前駆体を使用することができる。一実施形態では、その銀前駆体は、Ａｇ（Ｉ）または＋１の酸化状態を含む。一実施形態では、銀前駆体は、Ａｇ（ＩＩ）または＋２の酸化状態を含む。一実施形態では、銀前駆体は、Ａｇ（ＩＩＩ）または＋３の酸化状態を含む。一実施形態では、触媒の量は、銀塩を、０の酸化状態を有する銀金属へ完全に還元するように添加する。一実施形態では、比較的少量の触媒を添加する。一実施形態では、添加される触媒の量は、インクの所望の粘度に依存する。

【0045】

一実施形態では、触媒は、銀イオン（Ａｇ^＋）を銀金属（Ａｇ^０）へ還元することができる。一実施形態では、触媒は、銀イオン（Ａｇ^２＋）を銀金属（Ａｇ^０）へ還元することができる。一実施形態では、触媒は、銀イオン（Ａｇ^３＋）を銀金属（Ａｇ^０）へ還元することができる。

【0046】

一態様では、触媒はアミンである。一実施形態では、触媒は、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンまたはポリアミンである。一実施形態では、触媒は第一級アミンである。「第一級アミン」は、アミン基の窒素と結合した２個の水素原子を有するアミンを指す。一実施形態では、触媒は、１〜１８の炭素数を有するアルキルアミンである。例えば、触媒は、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミンおよびそれらの組合せを含むことができる。使用できる触媒の他の例には、アリルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、ｔｅｒｔ−デシルアミン、ｔｅｒｔ−ドデシルアミン、ｔｅｒｔ−オクタデシルアミンおよびそれらの組合せが含まれる。一実施形態では、触媒はｔｅｒｔ−オクチルアミンである。一実施形態では、触媒は２−エチルヘキシルアミンである。

【0047】

一実施形態では、触媒は、第二級アミンを含むことができる。「第二級アミン」は、アミン基の窒素と結合した１個の水素原子を有するアミンを指す。例えば、触媒は、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミンおよびそれらの組合せを含むことができる。

【0048】

一実施形態では、触媒は、第三級アミンを含むことができる。「第三級アミン」は、アミン基の窒素と結合した水素原子をもたないアミンを指す。例えば、触媒は、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミンおよびそれらの組合せを含むことができる。

【0049】

一実施形態では、触媒は、ポリアミンを含むことができる。例えば、触媒は、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せを含むことができる。一実施形態では、触媒はエチレンジアミンである。一実施形態では、触媒は１，３−ジアミノプロパンである。一実施形態では、触媒はヘキサメチレンジアミンである。

【0050】

一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約１ｍＬの触媒を添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．８ｍＬの触媒を添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．７ｍＬの触媒を添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．６ｍＬの触媒を添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬの触媒を添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．５ｍＬの触媒を添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬの触媒を添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．３ｍＬ〜約０．４ｍＬの触媒を添加することによって形成される。いくつかの実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ、約０．２ｍＬ、約０．３ｍＬ、約０．４ｍＬ、約０．５ｍＬ、約０．６ｍＬ、約０．７ｍＬ、約０．８ｍＬ、約０．９ｍＬまたは約１．０ｍＬの触媒を添加することによって形成される。

【0051】

一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約１ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．８ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．７ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．６ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．５ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．３ｍＬ〜約０．４ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンを添加することによって形成される。他の実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ、約０．２ｍＬ、約０．３ｍＬ、約０．４ｍＬ、約０．５ｍＬ、約０．６ｍＬ、約０．７ｍＬ、約０．８ｍＬ、約０．９ｍＬまたは約１．０ｍＬの量のｔｅｒｔ−オクチルアミンを添加することによって形成される。

【0052】

一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約１ｍＬの２−エチルヘキシルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．８ｍＬの２−エチルヘキシルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．７ｍＬの２−エチルヘキシルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．６ｍＬの２−エチルヘキシルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬの２−エチルヘキシルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．５ｍＬの２−エチルヘキシルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬの２−エチルヘキシルアミンを添加することによって形成される。一実施形態では、銀錯体は、約０．３ｍＬ〜約０．４ｍＬの２−エチルヘキシルアミンを添加することによって形成される。他の実施形態では、銀錯体は、約０．１ｍＬ、約０．２ｍＬ、約０．３ｍＬ、約０．４、約０．５ｍＬ、約０．６ｍＬ、約０．７ｍＬ、約０．８ｍＬ、約０．９ｍＬまたは約１．０ｍＬの量の２−エチルヘキシルアミンを添加することによって形成される。

【0053】

一態様では、触媒は溶解剤である。一実施形態では、導電性インク組成物は、カルボン酸銀を触媒と混合することによって形成される銀錯体を含む。一実施形態では、カルボン酸銀を、触媒中に溶解する。触媒は、還元剤としての役目も果たす。触媒は、カルボン酸銀を還元して導電性インク組成物を作製するアミンを含む。一実施形態では、ｔｅｒｔ−オクチルアミンはカルボン酸銀を溶解し、カルボン酸銀を還元する。一実施形態では、ｔｅｒｔ−ブチルアミンはカルボン酸銀を溶解し、カルボン酸銀を還元する。一実施形態では、２−エチルヘキシルアミンはカルボン酸銀を溶解し、カルボン酸銀を還元する。
カルボン酸銀、溶解剤および触媒の導電性インク組成物組合せ

【0054】

一実施形態では、カルボン酸銀はネオデカン酸銀である。一実施形態では、カルボン酸銀はヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である。一実施形態では、溶解剤はキシレンである。一実施形態では、溶解剤はキシレンおよびテルピネオールを含む。一実施形態では、触媒はｔｅｒｔ−オクチルアミンである。一実施形態では、触媒は２−エチルヘキシルアミンである。

【0055】

一実施形態では、導電性インク組成物は、導電性インク組成物の約１〜約４０ｗｔ％の銀の濃度を有する。一実施形態では、導電性インク組成物は、導電性インク組成物の約１〜約３０ｗｔ％の銀の濃度を有する。一実施形態では、導電性インク組成物は、導電性インク組成物の約１〜約２０ｗｔ％の銀の濃度を有する。一実施形態では、導電性インク組成物は、導電性インク組成物の約１〜約１０ｗｔ％の銀の濃度を有する。一実施形態では、導電性インク組成物は、導電性インク組成物の約５〜約１５ｗｔ％の銀の濃度を有する。いくつかの実施形態では、導電性インク組成物は、導電性インク組成物の約１ｗｔ％、約２ｗｔ％、約３ｗｔ％、約４ｗｔ％、約５ｗｔ％、約６ｗｔ％、約７ｗｔ％、約８ｗｔ％、約９ｗｔ％、約１０ｗｔ％、約１１ｗｔ％、約１２ｗｔ％、約１３ｗｔ％、約１４ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１６ｗｔ％、約１７ｗｔ％、約１８ｗｔ％、約１９ｗｔ％、約２０ｗｔ％、約２１ｗｔ％、約２２ｗｔ％、約２３ｗｔ％、約２４ｗｔ％、約２５ｗｔ％、約２６ｗｔ％、約２７ｗｔ％、約２８ｗｔ％、約２９ｗｔ％、約３０ｗｔ％、約３１ｗｔ％、約３２ｗｔ％、約３３ｗｔ％、約３４ｗｔ％、約３５ｗｔ％、約３６ｗｔ％、約３７ｗｔ％、約３８ｗｔ％、約３９ｗｔ％または約４０ｗｔ％の銀の濃度を有する。

【0056】

一実施形態では、導電性構造物は、低い二乗平均平方根（ＲＭＳ）値を有する。一実施形態では、導電性構造物は、約２０ｎｍ未満のＲＭＳ値を有する。一実施形態では、導電性構造物は、約１０ｎｍ未満のＲＭＳ値を有する。

【0057】

一実施形態では、導電性構造物の電気伝導度を測定する。一実施形態では、導電性構造物の電気伝導度は、約２×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１×１０^−５Ω・ｃｍである。一実施形態では、導電性構造物の電気伝導度は、約３×１０^−６Ω・ｃｍ〜約６×１０^−６Ω・ｃｍである。いくつかの実施形態では、導電性構造物の電気伝導度は、少なくとも約２×１０^−６Ω・ｃｍ、約３×１０^−６Ω・ｃｍ、約４×１０^−６Ω・ｃｍ、約５×１０^−６Ω・ｃｍ、約６×１０^−６Ω・ｃｍ、約７×１０^−６Ω・ｃｍ、約８×１０^−６Ω・ｃｍまたは約９×１０^−６Ω・ｃｍである。いくつかの実施形態では、導電性構造物の電気伝導度は、最大約１×１０^−５Ω・ｃｍ、約９×１０^−６Ω・ｃｍ、約８×１０^−６Ω・ｃｍ、約７×１０^−６Ω・ｃｍ、約６×１０^−６Ω・ｃｍ、約５×１０^−６Ω・ｃｍ、約４×１０^−６Ω・ｃｍまたは約３×１０^−６Ω・ｃｍである。
ネオデカン酸銀、キシレンおよび２−エチルヘキシルアミンの組合せ

【0058】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレン中に溶解したネオデカン酸銀を２−エチルヘキシルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。２−エチルヘキシルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。別の実施形態では、２−エチルヘキシルアミンは、ネオデカン酸銀を約１９０℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0059】

一実施形態では、導電性インク組成物は、約１ｍＬのキシレン中に溶解した約０．５グラムのネオデカン酸銀を約０．２ｍＬの２−エチルヘキシルアミン（２−ｅｔｈｙｈｅｘｙｌａｍｉｎｅ）と混合することによって形成される銀錯体を含む。２−エチルヘキシルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。いくつかの実施形態では、２−エチルヘキシルアミンは、ネオデカン酸銀を約９５℃もしくはそれ未満または約１０５℃もしくはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0060】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレン中に溶解したネオデカン酸銀を２−エチルヘキシルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。２−エチルヘキシルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。いくつかの実施形態では、導電性インク組成物は、約１ｍＬのキシレン中に溶解した約０．５グラムのネオデカン酸銀を約０．４ｍＬまたは約０．６ｍＬの２−エチルヘキシルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。２−エチルヘキシルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0061】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレン中に溶解したネオデカン酸銀を２−エチルヘキシルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。２−エチルヘキシルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。一実施形態では、導電性インク組成物は、約１ｍＬのキシレン中に溶解した約０．４グラムまたは約０．６グラムのネオデカン酸銀を約０．２ｍＬの２−エチルヘキシルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。２−エチルヘキシルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。
ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀、キシレンおよびｔｅｒｔ−オクチルアミンの組合せ

【0062】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレン中に溶解したヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。別の実施形態では、ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀を約１６０℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0063】

一実施形態では、導電性インク組成物は、約１ｍＬのキシレン中に溶解した約０．４グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀を約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。いくつかの実施形態では、ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約９５℃もしくはそれ未満の温度または約１０５℃もしくはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0064】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレン中に溶解したヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。いくつかの実施形態では、導電性インク組成物は、約１ｍＬのキシレン中に溶解した約０．４グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀を約０．４ｍＬまたは約０．６ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0065】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレン中に溶解したヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。いくつかの実施形態では、導電性インク組成物は、約１ｍＬのキシレン中に溶解した約０．３グラムまたは約０．５グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀を約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。
ネオデカン酸銀、キシレン、テルピネオールおよびＴｅｒｔ−オクチルアミンの組合せ

【0066】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレンおよびテルピネオールの中に溶解したネオデカン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。別の実施形態では、ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約２００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0067】

一実施形態では、導電性インク組成物は、約０．５ｍＬのキシレンと約０．５ｍＬのテルピネオールの混合物中に溶解した約０．５グラムのネオデカン酸銀を約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。いくつかの実施形態では、ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を、約８０℃もしくはそれ未満の温度、約９０℃もしくはそれ未満の温度または約１１０℃もしくはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0068】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレンおよびテルピネオールの中に溶解したネオデカン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。いくつかの実施形態では、導電性インク組成物は、約０．５ｍＬのキシレンと約０．５ｍＬのテルピネオールの混合物中に溶解した約０．５グラムのネオデカン酸銀を約０．４ｍＬまたは約０．６ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0069】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレンおよびテルピネオールの中に溶解したネオデカン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。いくつかの実施形態では、導電性インク組成物は、約０．５ｍＬのキシレンと約０．５ｍＬのテルピネオールの混合物中に溶解した約０．４グラムまたは約０．６グラムのネオデカン酸銀を約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0070】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレンおよびテルピネオールの中に溶解したネオデカン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。一実施形態では、導電性インク組成物は、約０．６ｍＬのキシレンと約０．４ｍＬのテルピネオールの混合物中に溶解した約０．５グラムのネオデカン酸銀を約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0071】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレンおよびテルピネオールの中に溶解したネオデカン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。一実施形態では、導電性インク組成物は、約０．７ｍＬのキシレンと約０．３ｍＬのテルピネオールの混合物中に溶解した約０．５グラムのネオデカン酸銀を約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0072】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレンおよびテルピネオールの中に溶解したネオデカン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。一実施形態では、導電性インク組成物は、約０．８ｍＬのキシレンと約０．２ｍＬのテルピネオールの混合物中に溶解した約０．５グラムのネオデカン酸銀を約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0073】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレンおよびテルピネオールの中に溶解したネオデカン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。一実施形態では、導電性インク組成物は、約０．４ｍＬのキシレンと約０．６ｍＬのテルピネオールの混合物中に溶解した約０．５グラムのネオデカン酸銀を約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0074】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレンおよびテルピネオールの中に溶解したネオデカン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。一実施形態では、導電性インク組成物は、約０．３ｍＬのキシレンと約０．７ｍＬのテルピネオールの混合物中に溶解した約０．５グラムのネオデカン酸銀を約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。

【0075】

一実施形態では、導電性インク組成物は、キシレンおよびテルピネオールの中に溶解したネオデカン酸銀をｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。一実施形態では、導電性インク組成物は、約０．２ｍＬのキシレンと約０．８ｍＬのテルピネオールの混合物中に溶解した約０．５グラムのネオデカン酸銀を約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンと混合することによって形成される銀錯体を含む。ｔｅｒｔ−オクチルアミンは、ネオデカン酸銀を約１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸する。
導電性インク組成物を作製する方法

【0076】

一態様では、導電性構造物を作製する方法を開示する。一実施形態では、本方法は、アミンを含む触媒の存在下でカルボン酸銀を混合して銀錯体を形成するステップを含む。カルボン酸銀を、少なくとも１つの溶解剤中に溶解する。一実施形態では、本方法は、銀錯体を基板に塗布するステップも含む。いくつかの実施形態では、本方法は、基板上の銀錯体を、約２００℃またはそれ未満の分解温度で加熱して導電性構造物を形成させるステップを含む。いくつかの実施形態では、本方法は、基板上の銀錯体を、約１００℃またはそれ未満の分解温度で加熱して導電性構造物を形成させるステップを含む。いくつかの実施形態では、本方法は、基板上の銀錯体を、約２１０℃もしくはそれ未満、約２２０℃もしくはそれ未満、約１９０℃、約１８０℃もしくはそれ未満、約１７０℃もしくはそれ未満、約１６０℃、約１５０℃もしくはそれ未満、約１４０℃もしくはそれ未満、約１３０℃もしくはそれ未満、約１２０℃もしくはそれ未満、約１１０℃もしくはそれ未満、約９０℃もしくはそれ未満、約８０℃もしくはそれ未満、約７０℃もしくはそれ未満、約６０℃もしくはそれ未満または約５０℃もしくはそれ未満の分解温度で加熱して導電性構造物を形成させるステップを含む。一実施形態では、銀錯体を加熱源で加熱する。加熱源の例には、ＩＲランプ、オーブンまたは加熱基板が含まれる。

【0077】

一実施形態では、カルボン酸銀を、触媒を添加する前に、溶解剤中に溶解する。一実施形態では、カルボン酸銀を、カルボン酸銀を溶解剤に溶解する前に、触媒と混合する。一実施形態では、カルボン酸銀、溶解剤および触媒を同時に加える。

【0078】

一実施形態では、銀錯体は所望の粘度を有する。一実施形態では、所望の粘度は、ｍｉｃｒｏＶＩＳＣ粘度計を使用して得る。一実施形態では、銀錯体は、約５０センチポアズ〜約１０００センチポアズの粘度を有する。一実施形態では、銀錯体は、約５センチポアズ〜約５０センチポアズの粘度を有する。一実施形態では、銀錯体は、約１０センチポアズ〜約４０センチポアズの粘度を有する。一実施形態では、銀錯体は、約２０センチポアズ〜約３０センチポアズの粘度を有する。一実施形態では、銀錯体は、約１８センチポアズ〜約２０センチポアズの粘度を有する。いくつかの実施形態では、銀錯体は、約１８、約１９または約２０センチポアズの粘度を有する。いくつかの実施形態では、銀錯体は、少なくとも約５センチポアズ、約１０センチポアズ、約２０センチポアズ、約３０センチポアズ、約４０センチポアズ、約５０センチポアズ、約６０センチポアズ、約７０センチポアズ、約８０センチポアズ、約９０センチポアズ、約１００センチポアズ、約２００センチポアズ、約３００センチポアズ、約４００センチポアズ、約５００センチポアズ、約６００センチポアズ、約７００センチポアズ、約８００センチポアズまたは約９００センチポアズの粘度を有する。いくつかの実施形態では、銀錯体は、最大約１０００センチポアズ、約９００センチポアズ、約８００センチポアズ、約７００センチポアズ、約６００センチポアズ、約５００センチポアズ、約４００センチポアズ、約３００センチポアズ、約２００センチポアズ、約１００センチポアズ、約９０センチポアズ、約８０センチポアズ、約７０センチポアズ、約６０センチポアズ、約５０センチポアズ、約４０センチポアズ、約３０センチポアズ、約２０センチポアズまたは約１０センチポアズの粘度を有する。

【0079】

一実施形態では、錯体の粘度を、使用する溶媒の量に基づいて調節する。一実施形態では、錯体の粘度を、使用する溶媒の種類に基づいて調節する。溶解剤がテルピネオールおよびキシレンを含む実施形態では、より多くのテルピネオールを使用し、キシレンがより少ない場合、粘度は増大する。一実施形態では、銀錯体の粘度を、大きな割合のキシレンで５センチポアズに調整し、大部分のテルピネオールで５０センチポアズに調整することができる。

【0080】

さらに、錯体の粘度を、添加する触媒の量に基づいて調節する。より多くの触媒を使用した場合、銀錯体の粘度は増大する。一実施形態では、銀錯体の粘度は、触媒の量を増大させることによって、１０００センチポアズをはるかに上回って増大させることができる。一実施形態では、銀錯体の粘度は、触媒の量を約０．２ｍＬから約０．６ｍＬへ増大させることによって、１０００センチポアズをはるかに上回って増大させることができる。一実施形態では、より少ない触媒を使用した場合、銀錯体の粘度は減少する。
導電性インク組成物の用途

【0081】

導電性インク組成物は、スロットダイコーティング、スピンコーティング、グラビア印刷、フレキソ印刷を含むロールツーロール印刷、ロータリースクリーン印刷、スクリーン印刷、エアロゾルジェット印刷、インクジェット印刷、エアーブラッシング、マイヤーロッドコーティング、フラッドコーティング、３Ｄ印刷、ディスペンサーおよび電気流体力学的印刷を含む種々の印刷用途において使用することができる。さらに、パターンを、特定の領域から銀をエッチングするためのマスクを作り出すフォトリソグラフィーを使用して作り出し、それによって高忠実度のフィーチャーを作り出すことができる。ポジティブパターニング工程とネガティブパターニング工程の両方を用いてパターンを作り出すことができる。

【0082】

一実施形態では、カルボン酸銀の銀塩を、少なくとも１つの溶解剤に完全に溶解させる。完全に溶解した銀塩は、そこで極性錯体が十分には湿潤していない、多くの非極性ポリマー基板、ガラスおよびセラミック基板に適合する。一実施形態では、銀錯体を、ポリマー基板に塗布する。一実施形態では、銀錯体を、非極性ポリマー基板に塗布する。一実施形態では、銀錯体を、ガラス基板に塗布する。一実施形態では、銀錯体を、セラミック基板に塗布する。

【0083】

さらに、特異的に非平面状のトポグラフィーを有するエラストマーおよび３Ｄ基板を、導電性構造物と一緒に使用することができる。一実施形態では、銀錯体を、エラストマーに塗布する。一実施形態では、銀錯体を、３Ｄ基板に塗布する。

【0084】

導電性構造物の鏡面反射性（ｓｐｅｃｕｌａｒ ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ）は、導電性構造物の極端に低いＲＭＳ値の副産物である。一実施形態では、導電性構造物のＲＭＳ値は、約１０ナノメートルまたはそれ未満である。一実施形態では、導電性構造物は、平滑表面を有する基板上で使用される。一実施形態では、導電性構造物は、ＯＬＥＤディスプレイおよび光起電力技術のための電極構造物用に使用される。これらの構造物は、ディスプレイおよびタッチスクリーンならびにプリントアンテナにおける導電性のトレースおよび電極としても使用される。
インク組成物
定義

【0085】

本開示の化合物、組成物、方法およびプロセスを説明する場合、以下の用語は、別段の指定のない限り、以下の意味を有する。

【0086】

「アルキル」という用語は、指定された炭素数を有する（すなわち、Ｃ_１〜３０は１〜３０個の炭素原子を意味する）、直鎖状、環状もしくは分枝状またはそれらの組合せであってよい炭化水素基を意味する。アルキル基の例には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、（シクロヘキシル）メチル、シクロプロピルメチル、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、ビシクロ［２．２．２］オクタン等が含まれる。アルキル基は、別段の指定のない限り、置換されていても置換されていなくてもよい。

【0087】

「シクロアルキル」という用語は、飽和した単環式、二環式、三環式または他の多環式炭化水素基を指す。任意の原子は、例えば１つまたは複数の置換基によって置換されていてよい。環炭素は、シクロアルキル基の別の部分との結合点としての役目を果たす。シクロアルキル基は縮合環を含有することができる。縮合環は、共通する炭素原子を共有する環である。シクロアルキル部分は、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、アダマンチルおよびノルボルニル（ビシクロ（ｂｉｃｙｃｌｅ）［２．２．１］ヘプチル）を含むことができる。

【0088】

「かさ高い（ｂｕｌｋｙ）」という用語は、その基のサイズが立体障害をもたらすことができることを意味する。「立体的にかさ高い対イオン」は、立体障害をもたらすことができる対イオンである。

【0089】

「配位子」という用語は、単一の金属イオンと１つまたは複数の結合を形成することができる化合物を指す。配位子の例は、アミン、エーテルおよびチオエーテルである。
組成物

【0090】

本開示は、一般に、立体的にかさ高い対イオンおよび配位子を有する金属塩を含むインク組成物にも関する。

【0091】

立体的にかさ高い対イオンを有する任意の適切な金属塩を使用することができる。いくつかの実施形態では、金属塩は、銀塩、銅塩、ニッケル塩、金塩、白金塩、パラジウム塩、アルミニウム塩、マグネシウム塩、亜鉛塩およびスズ塩からなる群から選択される。一実施形態では、その塩は銀塩である。

【0092】

いくつかの実施形態では、立体的にかさ高い対イオンは、カルボン酸イオン、シアン化物イオン、スルホン酸イオン、ホウ酸イオン、リン酸イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される。いくつかの実施形態では、立体的にかさ高い対イオンは、長鎖または分枝状のカルボン酸イオンである。いくつかの実施形態では、立体的にかさ高い対イオンはＲ^１ＣＯＯ⁻である。Ｒ^１は、非置換または置換アルキル、非置換または置換シクロアルキルおよび非置換または置換ヘテロシクロアルキルからなる群から選択される。いくつかの実施形態では、Ｒ^１は置換Ｃ_１〜Ｃ_３０アルキルである。いくつかの実施形態では、Ｃ_１〜Ｃ_３０アルキルは、アルキルおよびケト基の少なくとも１つで置換されていてよい。選択される置換基は、好ましくは、立体的にかさ高い対イオンに立体障害特性を提供するのに十分大きいように選択される。いくつかの実施形態では、立体的にかさ高い対イオンは、ネオデカン酸イオン、２−エチルオクタン酸イオン、２−エチルヘキサン酸イオン、２−エチルペンタン酸イオン、２−エチルブタン酸イオン（２−ｅｔｈｙｌｂｕｔｙｌｎｏａｔｅ）、２−エチル−２−メチルブタン酸イオン、２，２−ジエチルブタン酸イオンおよびそれらの組合せである。一実施形態では、立体的にかさ高い対イオンはネオデカン酸イオンである。他の実施形態では、立体的にかさ高い対イオンは、βケトカルボン酸イオン、例えば３−オキソブタン酸イオン、３−オキソペンタン酸イオンまたは３−オキソヘキサン酸イオンである。

【0093】

他の実施形態では、立体的にかさ高い対イオンは、テトラフルオロホウ酸イオン（［ＢＦ_４］⁻）、ヘキサフルオロリン酸イオン（［ＰＦ_６］⁻）または過塩素酸イオンである。

【0094】

いくつかの実施形態では、立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩は、ネオデカン酸銀、２−エチルヘキサン酸銀またはβケトカルボン酸銀である。
一実施形態では、その塩は、ネオデカン酸銀である。

【0095】

配位子は、任意の適切な配位子であってよい。一般に、配位子は相対的に低い沸点（２００℃未満）を有する。温度を１００℃より高く増大させた場合、配位子は蒸発し始める。結果として、インクは、粒子またはポリマーが粘度を増大させる必要なく高い粘度を維持しながら、低いアニーリング温度を有する。

【0096】

いくつかの実施形態では、その配位子はかさ高い配位子である。いくつかの実施形態では、配位子は、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよび環状アミンからなる群から選択される。いくつかの実施形態では、配位子は、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、２−メチルブタン−２−アミン、２−メチルペンタン−２−アミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘプチルアミン、Ｎ−エチルヘキサン−１−アミン、Ｎ−エチルヘプタン−１−アミンおよびｔｅｒｔ−オクチルアミンからなる群から選択される。一実施形態では、配位子はｔｅｒｔ−オクチルアミンである。いくつかの実施形態では、配位子は、非置換または置換ピロリジンおよび非置換または置換ピペリジンである。

【0097】

いくつかの実施形態では、配位子は、チオエーテル、環状チオエーテル、エーテル、クラウンエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される。いくつかの実施形態では、配位子は、分枝状チオエーテルおよび分枝状エーテルからなる群から選択される。例えば、配位子は、式Ｒ’ＸＲ’’のものであってよい。Ｒ’およびＲ’’は独立に長鎖または分枝状アルキルである。ＸはＳまたはＯである。

【0098】

いくつかの実施形態では、配位子の金属塩に対するモル比は、約１０，０００：１〜約５０：１である。いくつかの実施形態では、配位子の金属塩に対するモル比は約３０：１より大きい。いくつかの実施形態では、配位子の金属塩に対するモル比は約１５：１より大きい。いくつかの実施形態では、配位子の金属塩に対するモル比は約１０：１より大きい。いくつかの実施形態では、金属塩と配位子とのモル比は約１である。

【0099】

インク組成物は、溶媒をさらに含むことができる。一般に、その溶媒は低い沸点を有する。いくつかの実施形態では、溶媒は、水およびジメチルホルムアミドなどの極性溶媒である。いくつかの実施形態では、キシレンを溶媒として使用する。
調製物

【0100】

本開示は、インク組成物を調製する方法も提供する。本方法は、立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩を溶媒に加えて混合物を形成させるステップと；配位子をその混合物に加えてインク組成物を形成させるステップを含む。

【0101】

この金属塩を溶媒中に溶解した場合、この混合物は相対的に低い粘度を有し、自由流動する。金属塩が添加されると、粘度は急速に増大する。配位子の添加後、粘度は約１００ｃＰｓに達する。より多くの配位子が添加されると、粘度は増大し続けて約１００００ｃＰｓに達することになる。理論に拘泥するわけではないが、金属塩のかさ高い対イオンは、それが適切な溶媒に溶解されたとき、金属イオンについて相当な程度（ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ ａｍｏｕｎｔ）の立体障害を生み出す。かさ高い配位子と障害の結びつき（ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）は、完全にゲル化した混合物を生み出す。この完全にゲル化した混合物は、高い粘度を有しており、自由には流動しない。一実施形態では、この混合物は、混合物で満たされた容器をひっくり返しても流動しない。

【0102】

本開示では、金属塩は、銀塩、銅塩、ニッケル塩、金塩、白金塩、パラジウム塩、アルミニウム塩、マグネシウム塩、亜鉛塩およびスズ塩からなる群から選択される。
一実施形態では、塩は銀塩である。

【0103】

いくつかの実施形態では、立体的にかさ高い対イオンは、カルボン酸イオン、シアン化物イオン、スルホン酸イオン、ホウ酸イオン、リン酸イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される。いくつかの実施形態では、立体的にかさ高い対イオンは、長鎖または分枝状のカルボン酸イオンである。いくつかの実施形態では、立体的にかさ高い対イオンはＲ^１ＣＯＯ⁻である。Ｒ^１は、非置換または置換アルキル、非置換または置換シクロアルキルおよび非置換または置換ヘテロシクロアルキルからなる群から選択される。いくつかの実施形態では、Ｒ^１は置換Ｃ_１〜Ｃ_３０アルキルである。いくつかの実施形態では、Ｃ_１〜Ｃ_３０アルキルは、アルキルおよびケト基の少なくとも１つで置換される。選択される置換基は、好ましくは、立体的にかさ高い対イオンに立体障害特性を提供するのに十分大きいように選択される。

【0104】

いくつかの実施形態では、立体的にかさ高い対イオンは、ネオデカン酸イオン、２−エチルオクタン酸イオン、２−エチルヘキサン酸イオン、２−エチルペンタン酸イオン、２−エチルブタン酸イオン、２−エチル−２−メチルブタン酸イオン、２，２−ジエチルブタン酸イオンおよびそれらの組合せである。一実施形態では、立体的にかさ高い対イオンはネオデカン酸イオンである。他の実施形態では、立体的にかさ高い対イオンは、βケトカルボン酸イオン、例えば３−オキソブタン酸イオン、３−オキソペンタン酸イオンまたは３−オキソヘキサン酸イオンである。

【0105】

他の実施形態では、立体的にかさ高い対イオンは、テトラフルオロホウ酸イオン（［ＢＦ_４］⁻）、ヘキサフルオロリン酸イオン（［ＰＦ_６］⁻）または過塩素酸イオンである。

【0106】

いくつかの実施形態では、立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩は、ネオデカン酸銀、２−エチルヘキサン酸銀またはβケトカルボン酸銀である。一実施形態では、その塩は、ネオデカン酸銀である。

【0107】

配位子は、任意の適切な配位子であってよい。いくつかの実施形態では、その配位子はかさ高い配位子である。いくつかの実施形態では、配位子は、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよび環状アミンからなる群から選択される。

【0108】

いくつかの実施形態では、配位子は、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、２−メチルブタン−２−アミン、２−メチルペンタン−２−アミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘプチルアミン、Ｎ−エチルヘキサン−１−アミン、Ｎ−エチルヘプタン−１−アミンおよびｔｅｒｔ−オクチルアミンからなる群から選択される。一実施形態では、配位子はｔｅｒｔ−オクチルアミンである。いくつかの実施形態では、配位子は、非置換または置換ピロリジンおよび非置換または置換ピペリジンである。

【0109】

いくつかの実施形態では、配位子は、チオエーテル、環状チオエーテル、エーテル、クラウンエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される。いくつかの実施形態では、配位子は、分枝状チオエーテルおよび分枝状エーテルからなる群から選択される。例えば、配位子は、式Ｒ’ＸＲ’’のものであってよい。Ｒ’およびＲ’’は独立に長鎖または分枝状アルキルである。ＸはＳまたはＯである。

【0110】

いくつかの実施形態では、配位子の金属塩に対するモル比は、約１０，０００：１〜約５０：１である。いくつかの実施形態では、配位子の金属塩に対するモル比は約３０：１より大きい。いくつかの実施形態では、配位子の金属塩に対するモル比は約１５：１より大きい。いくつかの実施形態では、配位子の金属塩に対するモル比は約１０：１より大きい。いくつかの実施形態では、金属塩と配位子とのモル比は約１：１である。

【0111】

溶媒は、任意の適切な溶媒であってよい。一般に、溶媒は低い沸点を有する。いくつかの実施形態では、溶媒は、水およびジメチルホルムアミドなどの極性溶媒である。いくつかの実施形態では、キシレンを溶媒として使用する。いくつかの実施形態では、配位子は、溶媒の役割を果たすことができる。
応用

【0112】

導電性構造物を作製する方法を開示する。本方法は、立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩を溶媒に加えて第１の混合物を形成させるステップと；配位子を第１の混合物に加えてインク組成物を形成させるステップと；インク組成物を加熱して導電性構造物を形成させるステップを含む。いくつかの実施形態では、本方法は、インク組成物を基板上に固着させるステップを含む。その基板には、ガラス、酢酸セルロース、セロファン、ポリイミドおよびポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ＩＴＯ、ＰＣ、ＣＰＯが含まれる。
反応性金属錯体およびそれらの合金

【0113】

導電性インク構造物を提供するための組成物およびその組成物の作製方法も開示する。改善されたインク組成物は、高い分解温度を必要としない還元性金属錯体を作製することによって形成される。導電性構造物を形成させるためにより低い分解温度を用いることによって、改善されたインク組成物は、完全性を維持するために高い加工温度を必要としないより多くの基板と適合する。さらに、インク組成物を作製させるためのこの方法は、簡単かつ高収率である。このインク組成物は低粘度を有していてもよく、その結果、スロットダイコーティング、スピンコーティング、グラビア印刷、フレキソ印刷を含むロールツーロール印刷、ロータリースクリーン印刷、スクリーン印刷、エアロゾルジェット印刷、インクジェット印刷、エアーブラッシング、マイヤーロッドコーティング、フラッドコーティング、３Ｄ印刷および電気流体力学的印刷を含む広範囲のパターン化技術と適合することができる。パターン化されたフィーチャーは、室温で高度に導電性であり、温和な温度（例えば、約１００℃未満）で分解すると、バルク導電性を達成することができる。最後に、このインクは、粒子沈殿を伴うことなく、室温で数か月間安定なままであることができる。

【0114】

いくつかのシステムおよび方法は、基板上の金属塩を還元して金属性インク配合物を形成する還元剤を開示している。米国特許第８，０６６，８０５号（その全体を参照により本明細書に組み込む）は、金属インク前駆体からの、印刷可能な金属配合物、その配合物を作製する方法、および薄膜をコーティングまたは印刷する方法を開示しており、その金属配合物は、１つまたは複数の４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属塩または金属錯体を含む。米国特許出願第２００５／０００６３３９号（その全体を参照により本明細書に組み込む）は金属パターンを固着させ、基板上の金属塩を還元する方法およびシステムを記載している。

【0115】

導電性インク構造物を提供するための組成物およびその組成物の作製方法を開示する。インク組成物（「導電性インク」または「インク」とも称する）は、室温で高度に導電性のフィーチャーを印刷するために作り出されている。そうしたインクは、安定で、粒子フリーであり、広範囲のパターン化技術に適している可能性がある。

【0116】

一態様では、インク組成物は、溶解剤中に溶解された還元剤を、少なくとも１つの金属塩または金属錯体と混合することによって形成される還元性金属錯体を含む。還元剤は、溶解剤に可溶性である。当業者に公知であるように、溶解性は、還元剤などの物質を、溶解剤などの溶媒中に溶解する性質である。一実施形態では、その還元剤は水素化物である。いくつかの実施形態では、還元剤は、ギ酸塩かまたはβケトカルボン酸塩である。一実施形態では、還元剤は、金属塩または金属錯体の金属を還元して導電性構造物を形成させる。一実施形態では、還元剤を少なくとも１つの金属塩または金属錯体と混合すると、沈殿物を形成する。一実施形態では、還元性金属錯体を基板に塗布する前に、沈殿物を除去する。一実施形態では、基板上の還元性金属錯体を分解させる前に、沈殿物を除去する。

【0117】

一態様では、導電性構造物を作製するためのインク組成物は、溶解剤中に溶解された還元剤を少なくとも１つの金属塩または金属錯体と混合することによって形成される還元性金属錯体を含む。金属塩または金属錯体の金属は、４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属である。一実施形態では、還元剤は水素化物である。いくつかの実施形態では、還元剤は、ギ酸塩かまたはβケトカルボン酸塩である。還元剤は、金属塩または金属錯体の金属を還元して導電性構造物を形成させる。
金属および金属錯体

【0118】

一実施形態では、金属塩は式ＭＸ_ｎを有する。一実施形態では、金属錯体は式Ｍ（Ｌ）_ｐＸ_ｎを有する。一実施形態では、Ｍは４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属である。一実施形態では、Ｘは、ハライド、プソイドハライド、ニトレート、スルフェート、ホルメート、アセテート、シアネート、イソシアネート、アルコキシドまたはジケトネートである。一実施形態では、Ｌは、ＮＨ_３、ＣＯ、ＮＯ、Ｎ_２、Ｈ_２Ｓ、Ｃ_２Ｈ_４、Ｃ_６Ｈ_６、ＣＮ、ＮＣ、ＰＨ_３からなる群から選択される。一実施形態では、ｎは、Ｍの形式電荷をＸの形式電荷で除したものに等しい。一実施形態では、ｐは、Ｍ上の配位部位の数からＸ_ｎによって占有されている配位部位を減じたものに等しい整数である。一実施形態では、Ｍ（Ｌ）_ｐＸ_ｎは、ニッケルテトラカルボニルを含む。一実施形態では、Ｍ（Ｌ）_ｐＸ_ｎは、コバルトテトラカルボニルを含む。

【0119】

一実施形態では、Ｍは：アルミニウム、マグネシウム、チタン、ケイ素、バナジウム、亜鉛、スズ、銅、ニッケル、パラジウム、ジルコニウム、鉄、ニオブ、ゲルマニウム、マンガン、クロム、コバルト、タングステン、モリブデン、ビスマス、ルテニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される。

【0120】

一実施形態では、金属錯体は、ケイ素アルキル錯体を含む。一実施形態では、金属錯体は、テトラメチルシラン、テトラエチルシラン、１，２−ジクロロテトラメチルシラン、１，２−ジフェニルテトラメチルシラン、１，２−ジクロロテトラエチルシラン、１，２−ジフェニルテトラエチルシラン、１，２，３−トリクロロテトラメチルシランまたは１，２，３−テトラメチルトリフェニルシランからなる群から選択される。一実施形態では、金属錯体は、テトラエチルシランを含む。

【0121】

一実施形態では、配位子Ｌは、アルケンかまたはアルキンである。一実施形態では、配位子Ｌは、シクロオクタジエン、ノルボルナジエンおよびエチレンからなる群から選択される。一実施形態では、金属錯体は、金属アルケン錯体を含む。一実施形態では、金属錯体は、ニッケル（０）アルケン錯体を含む。一実施形態では、金属錯体は、ビス（シクロオクタジエン）ニッケル（０）を含む。一実施形態では、金属錯体は、トリス（エチレン）ニッケル（０）を含む。一実施形態では、金属錯体は、金属アルキン錯体を含む。一実施形態では、金属錯体は、白金（０）アルキン錯体を含む。

【0122】

一実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約０．１〜４０ｗｔ％の濃度の金属塩を有する。一実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約１〜３０ｗｔ％の濃度の金属塩を有する。一実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約１〜２０ｗｔ％の濃度の金属塩を有する。一実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約１〜１０ｗｔ％の濃度の金属塩を有する。一実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約５〜１５ｗｔ％の濃度の金属塩を有する。いくつかの実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約０．１ｗｔ％、約０．２ｗｔ％、約０．３ｗｔ％、約０．４ｗｔ％、約０．５ｗｔ％、約０．６ｗｔ％、約０．７ｗｔ％、約０．８ｗｔ％、約０．９ｗｔ％、約１ｗｔ％、約２ｗｔ％、約３ｗｔ％、約４ｗｔ％、約５ｗｔ％、約６ｗｔ％、約７ｗｔ％、約８ｗｔ％、約９ｗｔ％、約１０ｗｔ％、約１１ｗｔ％、約１２ｗｔ％、約１３ｗｔ％、約１４ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１６ｗｔ％、約１７ｗｔ％、約１８ｗｔ％、約１９ｗｔ％または約２０ｗｔ％の濃度の金属を有する。

【0123】

いくつかの実施形態では、インク組成物は、インク組成物の少なくとも約０．１ｗｔ％、約０．２ｗｔ％、約０．３ｗｔ％、約０．４ｗｔ％、約０．５ｗｔ％、約０．６ｗｔ％、約０．７ｗｔ％、約０．８ｗｔ％、約０．９ｗｔ％、１ｗｔ％、約２ｗｔ％、約３ｗｔ％、約４ｗｔ％、約５ｗｔ％、約６ｗｔ％、約７ｗｔ％、約８ｗｔ％、約９ｗｔ％、約１０ｗｔ％、約１１ｗｔ％、約１２ｗｔ％、約１３ｗｔ％、約１４ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１６ｗｔ％、約１７ｗｔ％、約１８ｗｔ％、約１９ｗｔ％または約２０ｗｔ％の濃度の金属塩を有する。いくつかの実施形態では、インク組成物は、インク組成物の最大約４０ｗｔ％、約３９ｗｔ％、約３８ｗｔ％、約３７ｗｔ％、約３６ｗｔ％、約３５ｗｔ％、約３４ｗｔ％、約３３ｗｔ％、約３２ｗｔ％、３１ｗｔ％、約３０ｗｔ％、約２９ｗｔ％、約２８ｗｔ％、約２７ｗｔ％、約２６ｗｔ％、約２５ｗｔ％、約２４ｗｔ％、約２３ｗｔ％、約２２ｗｔ％、約２１ｗｔ％、約２０ｗｔ％、約１９ｗｔ％、約１８ｗｔ％、約１７ｗｔ％、約１６ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１４ｗｔ％、約１３ｗｔ％または約１２ｗｔ％の濃度の金属塩を有する。

【0124】

一実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約０．１〜４０ｗｔ％の濃度の金属錯体を有する。一実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約１〜３０ｗｔ％の濃度の金属錯体を有する。一実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約１〜２０ｗｔ％の濃度の金属錯体を有する。一実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約１〜１０ｗｔ％の濃度の金属錯体を有する。一実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約５〜１５ｗｔ％の濃度の金属錯体を有する。いくつかの実施形態では、インク組成物は、インク組成物の約０．１ｗｔ％、約０．２ｗｔ％、約０．３ｗｔ％、約０．４ｗｔ％、約０．５ｗｔ％、約０．６ｗｔ％、約０．７ｗｔ％、約０．８ｗｔ％、約０．９ｗｔ％、１ｗｔ％、約２ｗｔ％、約３ｗｔ％、約４ｗｔ％、約５ｗｔ％、約６ｗｔ％、約７ｗｔ％、約８ｗｔ％、約９ｗｔ％、約１０ｗｔ％、約１１ｗｔ％、約１２ｗｔ％、約１３ｗｔ％、約１４ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１６ｗｔ％、約１７ｗｔ％、約１８ｗｔ％、約１９ｗｔ％または約２０ｗｔ％の濃度の金属錯体を有する。

【0125】

いくつかの実施形態では、インク組成物は、インク組成物の少なくとも約０．１ｗｔ％、約０．２ｗｔ％、約０．３ｗｔ％、約０．４ｗｔ％、約０．５ｗｔ％、約０．６ｗｔ％、約０．７ｗｔ％、約０．８ｗｔ％、約０．９ｗｔ％、１ｗｔ％、約２ｗｔ％、約３ｗｔ％、約４ｗｔ％、約５ｗｔ％、約６ｗｔ％、約７ｗｔ％、約８ｗｔ％、約９ｗｔ％、約１０ｗｔ％、約１１ｗｔ％、約１２ｗｔ％、約１３ｗｔ％、約１４ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１６ｗｔ％、約１７ｗｔ％、約１８ｗｔ％、約１９ｗｔ％または約２０ｗｔ％の濃度の金属錯体を有する。いくつかの実施形態では、インク組成物は、インク組成物の最大約４０ｗｔ％、約３９ｗｔ％、約３８ｗｔ％、約３７ｗｔ％、約３６ｗｔ％、約３５ｗｔ％、約３４ｗｔ％、約３３ｗｔ％、約３２ｗｔ％、３１ｗｔ％、約３０ｗｔ％、約２９ｗｔ％、約２８ｗｔ％、約２７ｗｔ％、約２６ｗｔ％、約２５ｗｔ％、約２４ｗｔ％、約２３ｗｔ％、約２２ｗｔ％、約２１ｗｔ％、約２０ｗｔ％、約１９ｗｔ％、約１８ｗｔ％、約１７ｗｔ％、約１６ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１４ｗｔ％、約１３ｗｔ％または約１２ｗｔ％の濃度の金属錯体を有する。
溶解剤

【0126】

上記したように、少なくとも１つの溶解剤は、開示される還元剤を溶解する。溶解剤は、安定剤および還元剤のための溶媒としての役割を果たす。溶解剤は、金属および金属錯体の金属塩のための還元剤としての役割を果たさせようとするものではない。一実施形態では、溶解剤は、約２００℃またはそれ未満の沸点を有する。一実施形態では、溶解剤は、インク組成物を作製するために使用される還元剤の種類をもとにして選択することができる。一実施形態では、溶解剤は、インク組成物の特定の用途のための沸点をもとにして選択することができる。一実施形態では、溶解剤は、インク組成物が塗布されることになる基板の種類をもとにして選択することができる。インクジェット印刷またはｅジェットなどの固着法のためには、より高い安定性が一般に好ましく、したがって、より高い沸点を有する溶解剤を使用することが好ましい可能性がある。

【0127】

少なくとも１つの溶解剤を、還元剤を溶解させるために使用する。一実施形態では、溶解剤は少なくとも１つの有機溶媒である。一実施形態では、溶解剤は少なくとも１つの非極性有機溶媒である。

【0128】

一実施形態では、溶解剤は、飽和炭化水素、芳香族炭化水素、エーテル、アルコールおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、溶解剤は、１つもしくは複数の長さＣ_５〜２０の直鎖状または分枝状アルカン炭化水素を含むことができる。例えば、溶解剤は、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せを含むことができる。

【0129】

一実施形態では、溶解剤は、１つまたは複数の長さＣ_６〜２０の環状炭化水素を含むことができる。例えば、溶解剤は、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せを含むことができる。

【0130】

一実施形態では、溶解剤は、芳香族炭化水素を含むことができる。例えば、溶解剤は、ベンゼン、トルエン、キシレンおよびテトラリンを含むことができる。一実施形態では、溶解剤はキシレンである。

【0131】

一実施形態では、溶解剤は、直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルを含むことができる。一実施形態では、溶解剤は、直鎖状または分枝状エーテルを含むことができる。例えば、溶解剤は、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテルおよびそれらの組合せを含むことができる。一実施形態では、溶解剤はジエチルエーテルである。一実施形態では、溶解剤は、１つまたは複数の環状エーテルを含むことができる。例えば、溶解剤は、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピランおよび１，４−ジオキサンを含むことができる。

【0132】

一実施形態では、溶解剤はアルコールである。一実施形態では、溶解剤は、第一級アルコール、第二級アルコールまたは第三級アルコールである。一実施形態では、アルコールは、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノールおよびオクタノールおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、アルコールは、１−プロパノール、２−プロパノール、１−メトキシ−２−プロパノール、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、１−オクタノール、２−オクタノール、３−オクタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、シクロペンタノール、テルピネオールおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、溶解剤は２−アミノ−２−メチル−１−プロパノールである。

【0133】

一実施形態では、還元剤が溶解剤中に実質的に溶解するまたは完全に溶解するような量の溶解剤を添加する。一実施形態では、「実質的に溶解している（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）」は、還元剤が、２５℃で約１００〜５００ｇ／Ｌの溶解剤中への溶解度を有することを意味する。

【0134】

一実施形態では、還元剤を、約０．５ｍＬ〜約２．０ｍＬの量の溶解剤に溶解する。一実施形態では、還元剤を、約１．０ｍＬ〜約２．０ｍＬの量の溶解剤に溶解する。いくつかの実施形態では、還元剤を、約０．５ｍＬ、約１．０ｍＬ、約１．５ｍＬまたは約２．０ｍＬの溶解剤に溶解する。

【0135】

一実施形態では、還元剤を、約０．５ｍＬ〜約２．０ｍＬの量のジエチルエーテルに溶解する。一実施形態では、還元剤を、約１．０ｍＬ〜約２．０ｍＬの量のジエチルエーテルに溶解する。いくつかの実施形態では、還元剤を、約０．５ｍＬ、約１．０ｍＬ、約１．５ｍＬまたは約２．０ｍＬのジエチルエーテルに溶解する。

【0136】

一実施形態では、溶解剤は２つの有機溶媒を含む。一実施形態では、２つの有機溶媒の体積比は、第１の有機溶媒対第２の有機溶媒が約１対約１である。一実施形態では、２つの有機溶媒の体積比は、第１の有機溶媒対第２の有機溶媒が約２対約１である。一実施形態では、２つの有機溶媒の体積比は、第１の有機溶媒対第２の有機溶媒が約３対約１である。一実施形態では、２つの有機溶媒の体積比は、第１の有機溶媒対第２の有機溶媒が約４対約１である。
還元剤

【0137】

上記で論じたように、還元剤を開示する。一実施形態では、少なくとも１つの還元剤を、少なくとも１つの金属塩または金属錯体と混合する。一実施形態では、還元剤は、金属塩を還元して金属にする。一実施形態では、還元剤は、金属塩または金属錯体の金属を還元して導電性構造物を形成させる。

【0138】

任意の適切な金属前駆体を使用することができる。一実施形態では、金属前駆体はＭ（Ｉ）または＋１の酸化状態を含み、ここで、Ｍは金属塩を表す。一実施形態では、金属前駆体は、Ｍ（ＩＩ）または＋２の酸化状態を含む。一実施形態では、金属前駆体は、Ｍ（ＩＩＩ）または＋３の酸化状態を含む。一実施形態では、金属前駆体は、Ｍ（ＩＩＩ）または＋３の酸化状態を含む。一実施形態では、金属前駆体は、Ｍ（ＩＶ）または＋４の酸化状態を含む。一実施形態では、金属前駆体は、Ｍ（Ｖ）または＋５の酸化状態を含む。一実施形態では、金属前駆体は、Ｍ（ＶＩ）または＋６の酸化状態を含む。一実施形態では、金属前駆体は、Ｍ（ＶＩＩ）または＋７の酸化状態を含む。一実施形態では、金属前駆体は、Ｍ（ＶＩＩＩ）または＋８の酸化状態を含む。一実施形態では、その金属塩を完全に還元して０の酸化状態を有する金属にするように、還元剤の量が使用される。一実施形態では、還元剤は、金属イオンＭ^＋、Ｍ^２＋、Ｍ^３＋、Ｍ^４＋、Ｍ^５＋、Ｍ^６＋、Ｍ^７＋またはＭ^８＋を還元して金属Ｍ^０にすることができる。一実施形態では、比較的少量の還元剤が使用される。一実施形態では、粘度は、還元剤の量に依存しない。

【0139】

一実施形態では、還元剤は、アルカリ金属水素化物、アルカリ金属とホウ素の錯体水素化物、アルカリ金属とアルミニウムの錯体水素化物、ギ酸塩、βケトカルボン酸塩およびそれらの組合せからなる群から選択される。

【0140】

一実施形態では、還元剤は金属水素化物である。例えば、還元剤は、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化ルビジウム、水素化セシウムおよびそれらの組合せを含むことができる。一実施形態では、還元剤は水素化リチウムである。

【0141】

一実施形態では、還元剤は、アルカリ金属およびホウ素の錯体水素化物である。一実施形態では、還元剤は、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される。

【0142】

一実施形態では、還元剤は、アルカリ金属およびアルミニウムの錯体水素化物である。一実施形態では、還元剤は、水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムナトリウム、水素化アルミニウムカリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、還元剤は、水素化アルミニウムリチウムである。

【0143】

一実施形態では、還元剤は、ギ酸塩である。一実施形態では、還元剤は、ギ酸ナトリウム、ギ酸カリウム、ギ酸アンモニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、還元剤は、βケトカルボン酸塩である。

【0144】

一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約１ｍＬの還元剤を添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．８ｍＬの還元剤を添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．７ｍＬの還元剤を添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．６ｍＬの還元剤を添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬの還元剤を添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．５ｍＬの還元剤を添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬの還元剤を添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．３ｍＬ〜約０．４ｍＬの還元剤を添加することによって形成される。いくつかの実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ、約０．２ｍＬ、約０．３ｍＬ、約０．４ｍＬ、約０．５ｍＬ、約０．６ｍＬ、約０．７ｍＬ、約０．８ｍＬ、約０．９ｍＬまたは約１．０ｍＬの還元剤を添加することによって形成される。

【0145】

一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約１ｍＬの水素化アルミニウムリチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．８ｍＬの水素化アルミニウムリチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．７ｍＬの水素化アルミニウムリチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．６ｍＬの水素化アルミニウムリチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬの水素化アルミニウムリチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．５ｍＬの水素化アルミニウムリチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬの水素化アルミニウムリチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．３ｍＬ〜約０．４ｍＬの水素化アルミニウムリチウムを添加することによって形成される。他の実施形態では、還元性金属錯体は、水素化アルミニウムリチウムを、約０．１ｍＬ、約０．２ｍＬ、約０．３ｍＬ、約０．４ｍＬ、約０．５ｍＬ、約０．６ｍＬ、約０．７ｍＬ、約０．８ｍＬ、約０．９ｍＬまたは約１．０ｍＬの量で添加することによって形成される。

【0146】

一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約１ｍＬの水素化リチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．８ｍＬの水素化リチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．７ｍＬの水素化リチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．１ｍＬ〜約０．６ｍＬの水素化リチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬの水素化リチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．５ｍＬの水素化リチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．２ｍＬ〜約０．６ｍＬの水素化リチウムを添加することによって形成される。一実施形態では、還元性金属錯体は、約０．３ｍＬ〜約０．４ｍＬの水素化リチウムを添加することによって形成される。他の実施形態では、還元性金属錯体は、水素化リチウムを、約０．１ｍＬ、約０．２ｍＬ、約０．３ｍＬ、約０．４、約０．５ｍＬ、約０．６ｍＬ、約０．７ｍＬ、約０．８ｍＬ、約０．９ｍＬまたは約１．０ｍＬの量で添加することによって形成される。
分解

【0147】

一態様では、還元性金属錯体を基板上で分解させてその基板上に導電性構造物を形成させる。一実施形態では、還元性金属錯体は、還元性金属錯体を約２７０℃またはそれ未満の温度で加熱することによって分解させる。いくつかの実施形態では、還元性金属錯体は、還元性金属錯体を、約２６０℃もしくはそれ未満、約２５０℃もしくはそれ未満、約２４０℃もしくはそれ未満、約２３０℃もしくはそれ未満、約２２０℃もしくはそれ未満、約２１０℃もしくはそれ未満、約２００℃もしくはそれ未満、約１９０℃もしくはそれ未満、約１８０℃もしくはそれ未満、約１７０℃もしくはそれ未満、約１６０℃もしくはそれ未満、約１５０℃もしくはそれ未満、約１４０℃もしくはそれ未満、約１３０℃もしくはそれ未満、約１２０℃もしくはそれ未満、約１１０℃もしくはそれ未満、約１００℃もしくはそれ未満、約９０℃もしくはそれ未満、約８０℃もしくはそれ未満または約７０℃もしくはそれ未満の温度で加熱することによって分解させる。一実施形態では、還元性金属錯体を、加熱源によって加熱する。加熱源の例には、ＩＲランプ、オーブンまたは加熱基板が含まれる。

【0148】

一態様では、還元性金属錯体は、触媒を還元性金属錯体と混合して触媒還元性金属錯体を形成させることによって分解させる。一実施形態では、触媒還元性金属錯体を、還元性金属錯体を分解するために必要な温度より低い温度で分解させる。一実施形態では、触媒還元性金属錯体を、約２２０℃もしくはそれ未満、約２１０℃もしくはそれ未満、約２００℃もしくはそれ未満、約１９０℃もしくはそれ未満、約１８０℃もしくはそれ未満、約１７０℃もしくはそれ未満、約１６０℃もしくはそれ未満、約１５０℃もしくはそれ未満、約１４０℃もしくはそれ未満、約１３０℃もしくはそれ未満、約１２０℃もしくはそれ未満、約１１０℃もしくはそれ未満、約１００℃もしくはそれ未満、約９０℃もしくはそれ未満、約８０℃もしくはそれ未満または約７０℃もしくはそれ未満の温度に加熱する。

【0149】

一実施形態では、触媒は、水素化物引抜剤（ａｂｓｔｒａｃｔｏｒ）である。一実施形態では、触媒は、カルボニルエクストラクターである。一実施形態では、触媒は、チタン（ＩＶ）化合物、フェナジンメトスルフェート、フェナジンエトスルフェート、１−メトキシフェナジンメトスルフェート、メルドラブルーおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、触媒は、チタン（ＩＶ）化合物である。一実施形態では、触媒は、酸化チタン（ＩＶ）、硫化チタン（ＩＶ）、硝酸チタン（ＩＶ）、チタン（ＩＶ）アルコキシドおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、チタン（ＩＶ）アルコキシドは、チタン（ＩＶ）イソプロポキシドかまたはチタン（ＩＶ）２−エチルヘキシルオキシドである。一実施形態では、触媒はチタン（ＩＶ）エトキシドである。

【0150】

一態様では、還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約１５００ｎｍの波長の光源に還元性金属錯体を曝露させることによって分解させる。一実施形態では、還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約１０００ｎｍの波長のキセノンランプまたはＩＲランプなどの光源に還元性金属錯体を曝露させることによって分解させる。一実施形態では、還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約７００ｎｍの波長の光源に還元性金属錯体を曝露させることによって分解させる。一実施形態では、還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約５００ｎｍの波長の光源に還元性金属錯体を曝露させることによって分解させる。一実施形態では、還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約３００ｎｍの波長の光源に還元性金属錯体を曝露させることによって分解させる。いくつかの実施形態では、還元性金属錯体を、約１００ｎｍ、約２００ｎｍ、約３００ｎｍ、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約６００ｎｍ、約７００ｎｍ、約８００ｎｍ、約９００ｎｍまたは約１０００ｎｍの波長の光源に還元性金属錯体を曝露させることによって分解させる。

【0151】

一態様では、その金属錯体がゼロの酸化状態を有する金属を含むので、インク組成物を形成させるために、還元剤は必要とされない。一実施形態では、導電性構造物を作製するためのインク組成物は、その金属がゼロの酸化状態を有する４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属を含む金属（０）錯体を含む。金属（０）錯体を、基板上で分解して導電性構造物を形成させる。一実施形態では、金属（０）錯体を、約２７０℃またはそれ未満の温度で金属（０）錯体を加熱することによって分解させる。一実施形態では、金属（０）錯体を加熱源によって加熱する。加熱源の例には、ＩＲランプ、オーブンまたは加熱基板が含まれる。一実施形態では、金属（０）錯体は、触媒を金属水素化物錯体と混合して触媒金属（０）錯体を形成させ、この触媒金属（０）錯体を約２２０℃またはそれ未満の温度に加熱することによって分解させる。一実施形態では、金属（０）錯体を、約１００ｎｍ〜約１５００ｎｍの波長の光源に金属（０）錯体を曝露させることによって分解させる。一実施形態では、光源は、キセノンランプまたはＩＲランプである。

【0152】

一実施形態では、インクの表面が高温で酸化されるのを防止するために、化学添加剤を金属錯体に添加する。一実施形態では、化学添加剤は、インクの表面が約２５℃の高温で酸化するのを防止する。一実施形態では、化学添加剤は、インクの表面が約３０℃の高温で酸化するのを防止する。一実施形態では、化学添加剤は、インクの表面が約３５℃の高温で酸化するのを防止する。一実施形態では、化学添加剤は、インクの表面が約４０℃の高温で酸化するのを防止する。

【0153】

一実施形態では、化学添加剤は、金属の表面と錯体を形成する。一実施形態では、化学添加剤は、銅と錯体を形成する。一実施形態では、化学添加剤は、酸性亜硫酸塩、チオ硫酸ナトリウム、チオグリコール酸アンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム亜硝酸塩、ベンゾトリアゾール、四硝酸ペンタエリスリトールおよびジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩からなる群から選択される。一実施形態では、化学添加剤はベンゾトリアゾールである。
金属および／または金属錯体、溶解剤および還元剤のインク組成物組合せ

【0154】

一実施形態では、少なくとも１つの金属塩または金属錯体の金属は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ケイ素、バナジウム、亜鉛、スズ、銅、ニッケル、パラジウム、ジルコニウム、鉄、ニオブ、ゲルマニウム、マンガン、クロム、コバルト、タングステン、モリブデン、ビスマス、ルテニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、還元剤は水素化アルミニウムリチウムである。一実施形態では、還元剤は水素化リチウムである。一実施形態では、溶解剤はジエチルエーテルである。一実施形態では、導電性構造物は、元素金属または金属合金である。

【0155】

還元剤ならびに金属塩および錯体を、異なるモル比で一緒に混合する。一実施形態では、少なくとも１つの金属塩または金属錯体と混合される還元剤のモル比は、その少なくとも１つの金属塩または金属錯体の金属の酸化状態に依存する。一実施形態では、還元剤と少なくとも１つの金属塩または金属錯体とのモル比は、少なくとも１つの金属塩または金属錯体の金属の酸化状態と等しい。例えば、その金属塩または金属錯体の金属が＋２の酸化状態を有する場合、還元剤と少なくとも１つの金属塩または金属錯体とのモル比は２：１、すなわち２である。

【0156】

一実施形態では、その金属が＋１の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が１：１のモル比で、少なくとも１つの金属塩または金属錯体に加える。一実施形態では、その金属が＋２の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が２：１のモル比で、少なくとも１つの金属塩または金属錯体に加える。一実施形態では、その金属が＋３の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が３：１のモル比で、少なくとも１つの金属塩または金属錯体に加える。一実施形態では、その金属が＋４の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が４：１のモル比で、少なくとも１つの金属塩または金属錯体に加える。一実施形態では、その金属が＋５の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が５：１のモル比で、少なくとも１つの金属塩または金属錯体に加える。一実施形態では、その金属が＋６の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が６：１のモル比で、少なくとも１つの金属塩または金属錯体に加える。一実施形態では、その金属が＋７の酸化状態を有する場合、還元剤を、還元剤対金属塩または金属錯体が７：１のモル比で、少なくとも１つの金属塩または金属錯体に加える。

【0157】

当業者に公知であるように、鏡面反射は表面からの光の鏡様反射であり、そこで、単一の入射方向（ｉｎｃｏｍｉｎｇ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）が、単一の反射方向（ｏｕｔｇｏｉｎｇ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）へ反射される。導電性構造物の鏡面反射性は、導電性構造物の極端に低い二乗平均平方根（ＲＭＳ）値の副産物である。いくつかの実施形態では、その導電性構造物は、約１５ナノメートルもしくはそれ未満、約１４ナノメートルもしくはそれ未満、約１３ナノメートルもしくはそれ未満、約１２ナノメートルもしくはそれ未満、約１１ナノメートルもしくはそれ未満、約１０ナノメートルもしくはそれ未満、約９ナノメートルもしくはそれ未満、約８ナノメートルもしくはそれ未満、約７ナノメートルもしくはそれ未満、約６ナノメートルもしくはそれ未満、または約５ナノメートルもしくはそれ未満のＲＭＳ値を有する。

【0158】

一実施形態では、導電性構造物の電気伝導度を測定する。一実施形態では、導電性構造物の電気伝導度は、約１×１０^−６Ω・ｃｍまたはそれ超である。一実施形態では、導電性構造物の電気伝導度は、約１×１０^−６Ω・ｃｍ〜約８×１０^−４Ω・ｃｍである。一実施形態では、導電性構造物の電気伝導度は、約３×１０^−６Ω・ｃｍ〜約６×１０^−６Ω・ｃｍである。いくつかの実施形態では、導電性構造物の電気伝導度は、少なくとも約１×１０^−６Ω・ｃｍ、約２×１０^−６Ω・ｃｍ、約３×１０^−６Ω・ｃｍ、約４×１０^−６Ω・ｃｍ、約５×１０^−６Ω・ｃｍ、約６×１０^−６Ω・ｃｍ、約７×１０^−６Ω・ｃｍ、約８×１０^−６Ω・ｃｍ、約９×１０^−６Ω・ｃｍ、約１×１０^−５Ω・ｃｍ、約２×１０^−５Ω・ｃｍ、約３×１０^−５Ω・ｃｍ、約４×１０^−５Ω・ｃｍ、約５×１０^−５Ω・ｃｍ、約６×１０^−５Ω・ｃｍ、約７×１０^−５Ω・ｃｍ、約８×１０^−５Ω・ｃｍ、約９×１０^−５Ω・ｃｍ、約１×１０^−４Ω・ｃｍ、約２×１０^−４Ω・ｃｍ、約３×１０^−４Ω・ｃｍ、約４×１０^−４Ω・ｃｍ、約５×１０^−４Ω・ｃｍ、約６×１０^−４Ω・ｃｍまたは約７×１０^−４Ω・ｃｍである。一実施形態では、導電性構造物の電気伝導度は、最大約８×１０^−４Ω・ｃｍ、７×１０^−４Ω・ｃｍ、約６×１０^−４Ω・ｃｍ、約５×１０^−４Ω・ｃｍ、約４×１０^−４Ω・ｃｍ、約３×１０^−４Ω・ｃｍ、約２×１０^−４Ω・ｃｍまたは約１×１０^−４Ω・ｃｍ、約９×１０^−５Ω・ｃｍ、約８×１０^−５Ω・ｃｍ、約７×１０^−５Ω・ｃｍ、約６×１０^−５Ω・ｃｍ、約５×１０^−５Ω・ｃｍ、約４×１０^−５Ω・ｃｍ、約３×１０^−５Ω・ｃｍ、約２×１０^−５Ω・ｃｍ、約１×１０^−５Ω・ｃｍ、約９×１０^−６Ω・ｃｍ、約８×１０^−６Ω・ｃｍ、約７×１０^−６Ω・ｃｍ、約６×１０^−６Ω・ｃｍ、約５×１０^−６Ω・ｃｍ、約４×１０^−６Ω・ｃｍ、約３×１０^−６Ω・ｃｍまたは約２×１０^−６Ω・ｃｍである。
マグネシウム導電性構造物

【0159】

一実施形態では、導電性構造物は、マグネシウムである。一実施形態では、導電性構造物は、水素化リチウムとハロゲン化マグネシウムとを混合して水素化マグネシウム錯体を形成することによって形成される。
亜鉛導電性構造物

【0160】

一実施形態では、導電性構造物は、亜鉛である。一実施形態では、導電性構造物は、水素化アルミニウムリチウムをハロゲン化亜鉛と混合して水素化亜鉛錯体を形成することによって形成される。
アルミニウム導電性構造物

【0161】

一実施形態では、導電性構造物は、アルミニウムである。一実施形態では、導電性構造物は、アルゴンガス下で、ジエチルエーテル中に溶解された水素化アルミニウムリチウムを無水塩化アルミニウムと混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される。一実施形態では、水素化アルミニウムリチウムを無水塩化アルミニウムと混合すると、塩化リチウムが沈殿してくる。

【0162】

一実施形態では、水素化アルミニウム錯体を、アルゴンガス下、２５０℃の温度で加熱して純粋なアルミニウムフィルムを作り出す。一実施形態では、水素化アルミニウム錯体を、水素化物引抜剤としてチタン（ＩＶ）化合物などのチタン錯体を使用して触媒的に分解させて、約１８０℃〜約２００℃の分解温度でアルミニウムフィルムを作り出す。一実施形態では、水素化アルミニウム錯体の分解を促進するために、幅広い波長の光を使用する。一実施形態では、アルミニウムフィルムは、バルクアルミニウムの約３０％の伝導度を有する。一実施形態では、アルミニウムフィルムは、高度に反射性でバルク金属のように見える。
ニッケル導電性構造物

【0163】

一実施形態では、導電性構造物は、ニッケルである。一実施形態では、導電性構造物は、ニッケルテトラカルボニルをカルボニルエクストラクターと混合してニッケル（０）錯体を形成することによって形成される。

【0164】

一実施形態では、導電性構造物は、ニッケル（０）アルケンを混合し、ニッケル（０）アルケン錯体を溶解してインクを形成することによって形成される。一実施形態では、インクは、８０℃の温度で分解してニッケル導電性構造物を形成する。
銅導電性構造物

【0165】

一実施形態では、導電性構造物は、銅である。一実施形態では、導電性構造物は、ギ酸銅を２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール中に溶解して銅錯体を形成することによって形成される。

【0166】

一実施形態では、導電性構造物は、銅錯体をベンゾトリアゾールと混合してインクを形成することによって形成される。一実施形態では、インクは、１２０℃の温度で分解して銅導電性構造物を形成する。

【0167】

一実施形態では、導電性構造物は、銅錯体をベンゾトリアゾールおよび触媒と混合することによって形成される。次いで、インクを、８０℃の温度で分解して銅導電性構造物を形成する。一実施形態では、触媒は銀錯体かまたはパラジウム錯体である。
チタン合金導電性構造物

【0168】

一実施形態では、導電性構造物は、チタン合金である。一実施形態では、チタン合金は、水素化アルミニウムリチウム、バナジウム錯体およびチタン塩を混合して水素化チタン錯体を形成することによって形成される。一実施形態では、バナジウム錯体は、バナジルアセチルアセトネートかまたはバナジウムヘキサカルボニルである。
アルミニウム合金導電性構造物

【0169】

一実施形態では、導電性構造物は、アルミニウム合金である。一実施形態では、アルミニウム合金は、ケイ素アルキル錯体、アルミニウム塩および水素化アルミニウムリチウムを混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される。一実施形態では、ケイ素アルキル錯体はテトラエチルシランである。

【0170】

一実施形態では、インク組成物は、約０．２ｗｔ％〜約１．０ｗｔ％アルキルケイ素錯体のアルミニウム合金である。一実施形態では、インク組成物は、約０．４ｗｔ％〜約０．８ｗｔ％アルキルケイ素錯体のアルミニウム合金である。いくつかの実施形態では、インク組成物は、約０．２ｗｔ％、約０．３ｗｔ％、約０．４ｗｔ％、約０．５ｗｔ％、約０．６ｗｔ％、約０．７ｗｔ％、約０．８ｗｔ％、約０．９ｗｔ％または約１．０ｗｔ％アルキルケイ素錯体のアルミニウム合金である。一実施形態では、導電性構造物は、６０６１アルミニウムである。
銅合金導電性構造物

【0171】

一実施形態では、導電性構造物は、銅合金である。一実施形態では、銅合金は、ケイ素アルキル錯体、銅塩およびβケトカルボン酸塩を混合してβケトカルボン酸銅錯体を形成することによって形成される。一実施形態では、ケイ素アルキル錯体はテトラエチルシランである。

【0172】

一実施形態では、インク組成物は、約０．１ｗｔ％〜約０．６ｗｔ％アルキルケイ素錯体の銅合金である。一実施形態では、インク組成物は、約０．１５ｗｔ％〜約０．４ｗｔ％アルキルケイ素錯体の銅合金である。いくつかの実施形態では、インク組成物は、約０．１ｗｔ％、約０．２ｗｔ％、約０．３ｗｔ％、約０．４ｗｔ％、約０．５ｗｔ％または約０．６ｗｔ％アルキルケイ素錯体の銅合金である。
マグネシウム合金導電性構造物

【0173】

一実施形態では、導電性構造物は、マグネシウム合金である。一実施形態では、マグネシウム合金は、ケイ素アルキル錯体、マグネシウム塩および水素化リチウムを混合して水素化マグネシウム錯体を形成することによって形成される。一実施形態では、ケイ素アルキル錯体は、テトラエチルシランである。

【0174】

一実施形態では、インク組成物は、約０．５ｗｔ％〜約１．５ｗｔ％アルキルケイ素錯体のマグネシウム合金である。一実施形態では、インク組成物は、約０．８ｗｔ％〜約１．２ｗｔ％アルキルケイ素錯体のマグネシウム合金である。いくつかの実施形態では、インク組成物は、約０．５ｗｔ％、約０．６ｗｔ％、約０．７ｗｔ％、約０．８ｗｔ％、約０．９ｗｔ％、約１．０ｗｔ％、約１．１ｗｔ％、約１．２ｗｔ％、約１．３ｗｔ％、約１．４ｗｔ％または約１．５ｗｔ％アルキルケイ素錯体のマグネシウム合金である。
ニッケル合金導電性構造物

【0175】

一実施形態では、導電性構造物は、ニッケル合金である。一実施形態では、ニッケル合金は、ニッケル塩と環状アルケンとを混合してニッケル（０）錯体を作り出すことによって形成される。
インク組成物を作製するための方法

【0176】

一態様では、導電性構造物を作製する方法を開示する。一実施形態では、本方法は、還元剤を少なくとも１つの金属塩または金属錯体の金属と混合して還元性金属錯体を形成させるステップを含む。一実施形態では、還元剤を、少なくとも１つの溶解剤に溶解させる。一実施形態では、還元剤は水素化物である。いくつかの実施形態では、還元剤は、ギ酸塩かまたはβケトカルボン酸塩である。一実施形態では、本方法は、還元性金属錯体を基板に塗布するステップも含む。一実施形態では、還元剤を少なくとも１つの金属塩または金属錯体と混合するステップは、還元性金属錯体を基板に塗布するステップの前に行う。一実施形態では、本方法は、基板上の還元性金属錯体を分解させて導電性構造物を形成させるステップも含む。一実施形態では、還元性金属錯体を、アルゴンガスまたは窒素ガスの存在下で形成させる。

【0177】

一実施形態では、還元性金属錯体を形成させる方法は、無水条件下で形成する。一実施形態では、無水条件の使用は、還元性金属錯体を形成させるために使用される金属塩または金属錯体に依存する。一実施形態では、約−０．１５Ｖもしくはそれ未満、約−０．２５Ｖもしくはそれ未満または約−０．３５Ｖもしくはそれ未満の還元電位でインクを作製するために、無水条件を使用する。一実施形態では、還元性金属錯体の分解またはアニーリングの間に、不均化反応が起こるのを防止するために、無水条件を使用する。例えば、水素化銅錯体を作製する場合に、無水条件を使用する。

【0178】

一実施形態では、基板上の還元性金属錯体を分解して導電性構造物を形成させるステップは、還元性金属錯体を約２７０℃またはそれ未満の温度で加熱することを含む。いくつかの実施形態では、基板上の還元性金属錯体を分解して導電性構造物を形成させるステップは、還元性金属錯体を、約２６０℃もしくはそれ未満、約２５０℃もしくはそれ未満、約２４０℃もしくはそれ未満、約２３０℃もしくはそれ未満、約２２０℃もしくはそれ未満、約２１０℃もしくはそれ未満、約２００℃もしくはそれ未満、約１９０℃もしくはそれ未満、約１８０℃もしくはそれ未満、約１７０℃もしくはそれ未満、約１６０℃もしくはそれ未満、約１５０℃もしくはそれ未満、約１４０℃もしくはそれ未満、約１３０℃もしくはそれ未満、約１２０℃もしくはそれ未満、約１１０℃もしくはそれ未満、約１００℃もしくはそれ未満、約９０℃もしくはそれ未満、約８０℃もしくはそれ未満または約７０℃もしくはそれ未満の温度で加熱することを含む。一実施形態では、還元性金属錯体を加熱源で加熱する。加熱源の例には、ＩＲランプ、オーブンまたは加熱基板が含まれる。

【0179】

一実施形態では、基板上の還元性金属錯体を分解して導電性構造物を形成させるステップは、触媒を還元性金属錯体と混合して触媒還元性金属錯体を形成させることを含む。一実施形態では、還元性金属錯体を形成させる前に、触媒を還元剤および金属塩または金属錯体と混合する。一実施形態では、還元性金属錯体を基板に塗布する前に、触媒を還元性金属錯体と混合する。一実施形態では、還元性金属錯体を基板に塗布した後に、触媒を還元性金属錯体と混合する。

【0180】

一実施形態では、触媒還元性金属錯体を、約２２０℃もしくはそれ未満、約２１０℃もしくはそれ未満、約２００℃もしくはそれ未満、約１９０℃もしくはそれ未満、約１８０℃もしくはそれ未満、約１７０℃もしくはそれ未満、約１６０℃もしくはそれ未満、約１５０℃もしくはそれ未満、約１４０℃もしくはそれ未満、約１３０℃もしくはそれ未満、約１２０℃もしくはそれ未満、約１１０℃もしくはそれ未満、約１００℃もしくはそれ未満、約９０℃もしくはそれ未満、約８０℃もしくはそれ未満または約７０℃もしくはそれ未満の温度に加熱する。

【0181】

一実施形態では、触媒は、水素化物引抜剤である。一実施形態では、触媒は、カルボニルエクストラクターである。一実施形態では、触媒は、チタン（ＩＶ）化合物、フェナジンメトスルフェート、フェナジンエトスルフェート、１−メトキシフェナジンメトスルフェート、メルドラブルーおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、触媒は、チタン（ＩＶ）化合物である。一実施形態では、触媒は、酸化チタン（ＩＶ）、硫化チタン（ＩＶ）、硝酸チタン（ＩＶ）、チタン（ＩＶ）アルコキシドおよびそれらの組合せからなる群から選択される。一実施形態では、チタン（ＩＶ）アルコキシドは、チタン（ＩＶ）イソプロポキシドかまたはチタン（ＩＶ）２−エチルヘキシルオキシドである。一実施形態では、触媒はチタン（ＩＶ）エトキシドである。

【0182】

一実施形態では、基板上の還元性金属錯体を分解して導電性構造物を形成させるステップは、その還元性金属錯体を約１００ｎｍ〜約１５００ｎｍの波長の光源に曝露させることを含む。一実施形態では、基板上の還元性金属錯体を分解して導電性構造物を形成させるステップは、その還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約１０００ｎｍの波長の光源、キセノンランプまたはＩＲランプに曝露させることを含む。一実施形態では、基板上の還元性金属錯体を分解して導電性構造物を形成させるステップは、その還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約７００ｎｍの波長の光源に曝露させることを含む。一実施形態では、基板上の還元性金属錯体を分解して導電性構造物を形成させるステップは、その還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約５００ｎｍの波長の光源に曝露させることを含む。一実施形態では、基板上の還元性金属錯体を分解して導電性構造物を形成させるステップは、その還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約３００ｎｍの波長の光源に曝露させることを含む。いくつかの実施形態では、基板上の還元性金属錯体を分解して導電性構造物を形成させるステップは、その還元性金属錯体を、約１００ｎｍ、約２００ｎｍ、約３００ｎｍ、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約６００ｎｍ、約７００ｎｍ、約８００ｎｍ、約９００ｎｍまたは約１０００ｎｍの波長の光源に曝露させることを含む。

【0183】

一実施形態では、還元剤を添加する前に、還元剤を、溶解剤中に溶解させる。一実施形態では、還元剤を溶解剤に溶解させる前に、還元剤を還元剤と混合する。一実施形態では、還元剤、溶解剤および少なくとも１つの金属塩または金属錯体を同時に加える。

【0184】

一実施形態では、還元性金属錯体は所望の粘度を有する。一実施形態では、その所望の粘度は、ｍｉｃｒｏＶＩＳＣ粘度計を使用して得る。一実施形態では、還元性金属錯体は、約５０センチポアズ〜約１０００センチポアズの粘度を有する。一実施形態では、還元性金属錯体は、約５センチポアズ〜約５０センチポアズの粘度を有する。一実施形態では、還元性金属錯体は、約１０センチポアズ〜約４０センチポアズの粘度を有する。一実施形態では、還元性金属錯体は、約２０センチポアズ〜約３０センチポアズの粘度を有する。一実施形態では、還元性金属錯体は、約１８センチポアズ〜約２０センチポアズの粘度を有する。いくつかの実施形態では、還元性金属錯体は、約１８、約１９または約２０センチポアズの粘度を有する。

【0185】

一実施形態では、錯体の粘度を、使用する溶解剤の量にもとづいて調節する。一実施形態では、錯体の粘度を、使用する溶解剤の種類にもとづいて調節する。一実施形態では、錯体の粘度を、使用するジエチルエーテルの量にもとづいて調節する。一実施形態では、ジエチルエーテルの量を増大させると、還元性金属錯体の粘度は増大する。

【0186】

さらに、錯体の粘度を、添加される還元剤の量にもとづいて調節する。より多くの還元剤を使用すると、還元性金属錯体の粘度は増大する。一実施形態では、還元剤の量を増大させることによって、還元性金属錯体の粘度を、１０００センチポアズを十分に超えて増大させることができる。一実施形態では、還元剤の量を約０．２ｍＬから約０．６ｍＬへ増大させることによって、還元性金属錯体の粘度を、１０００センチポアズを十分に超えて増大させることができる。一実施形態では、より少ない還元剤を使用した場合、還元性金属錯体の粘度は低下する。
インク組成物の用途

【0187】

このインク組成物は、スロットダイコーティング、スピンコーティング、グラビア印刷、フレキソ印刷を含むロールツーロール印刷、ロータリースクリーン印刷、スクリーン印刷、エアロゾルジェット印刷、インクジェット印刷、エアーブラッシング、マイヤーロッドコーティング、フラッドコーティング、３Ｄ印刷および電気流体力学的印刷（ｅｌｅｃｔｒｏｈｙｄｒｏｄｙｎａｍｉｃ ｐａｉｎｔｉｎｇ）を含む種々の印刷用途で使用することができる。さらに、特定の領域から金属をエッチングするためのマスクを作り出すために、フォトリソグラフィーを使用してパターンを作り出し、それによって、高忠実度のフィーチャーを作り出すことができる。

【0188】

一実施形態では、この還元性金属錯体は、極性錯体がそれほど十分に湿潤していない多くの非極性ポリマー基板、ガラスおよびセラミック基板と適合する。一実施形態では、還元性金属錯体を、ポリマー基板に塗布する。一実施形態では、還元性金属錯体を、非極性ポリマー基板に塗布する。一実施形態では、還元性金属錯体を、ガラス基板に塗布する。一実施形態では、還元性金属錯体を、セラミック基板に塗布する。

【0189】

さらに、特異的に非平面状のトポグラフィーを有するエラストマーおよび３Ｄ基板を導電性構造物と一緒に使用することができる。一実施形態では、還元性金属錯体を、エラストマーに塗布する。一実施形態では、還元性金属錯体を、３Ｄ基板に塗布する。

【0190】

導電性構造物の鏡面反射性は、導電性構造物の極端に低いＲＭＳ値の副産物である。一実施形態では、導電性構造物のＲＭＳ値は、約１０ナノメートルまたはそれ未満である。一実施形態では、導電性構造物は、平滑表面を有する基板上で使用される。一実施形態では、導電性構造物は、エレクトロマイグレーションを防止するために、微細なフィーチャーのための電極構造物用に使用される。別の実施形態は、合金から構造フィーチャーを作り出すために用いられる。

【実施例】

【0191】

この導電性構造物の他の使用、実施形態および利点を、以下の実施例でさらに例示するが、これらの実施例において挙げられている具体的な材料および量、ならびに他の条件および詳細が、この導電性構造物を過度に限定するものと解釈されるべきではない。
（実施例１）

【0192】

一実施形態では、約０．５グラムのネオデカン酸銀を、約０．５ｍＬのキシレンと約０．５ｍＬのテルピネオールの混合物中に溶解する。約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンを、キシレンおよびテルピネオールに溶解したネオデカン酸銀に添加する。銀錯体は、約１８センチポアズ〜約２０センチポアズの粘度を有する。より多くのテルピネオールを使用し、より少ないキシレンを使用した場合、錯体の粘度は増大する。より多くのアミンを使用した場合、錯体の粘度は増大する。この錯体の粘度は、過剰のキシレンを使用することによる約５センチポアズから、過剰のテルピネオールを使用することによる約５０センチポアズまで調整することができる。ｔｅｒｔ−オクチルアミンの量を約０．２ｍＬから約０．６ｍＬへ増大させることによって、粘度を、１０００センチポアズ超にさらに増大させることができる。

【0193】

銀錯体インクをパターニングして、インクを、約１８０℃〜約２００℃の温度に加熱する。インクをパターニングして約５分後、キシレンおよびテルピネオールは大部分蒸発し、導電性構造物フィルムは黄色になり始める。パターニングして約１０〜１５分後、フィルムは赤褐色に変わり始める。インクをパターニングして約２０〜３０分後、フィルムは黒色に変わり始め、次いで、金属性の銀光沢（ｌｕｓｔｅｒ）に変質し、これは最終的にフィルム全体を覆い、それによって、錯体全体が金属導電性構造物へ分解していることが示される。

【0194】

導電性構造物は、約３×１０^−６Ω・ｃｍ〜約６×１０^−６Ω・ｃｍの電気伝導度を有する。導電性構造物の鏡面反射性は、導電性構造物の極端に低いＲＭＳ値の副産物である。導電性構造物のＲＭＳ値は、約１０ナノメートルまたはそれ未満である。
（実施例２）

【0195】

一実施形態では、約０．５グラムのネオデカン酸銀を、約１ｍＬのキシレンに溶解する。０．２ｍＬの２−エチルヘキシルアミンを、キシレン中に溶解したネオデカン酸銀に加える。銀錯体は、約１８センチポアズ〜約２０センチポアズの粘度を有する。より多くの２−エチルヘキシルアミンを使用した場合、錯体の粘度は増大する。２−エチルヘキシルアミンの量を約０．２ｍＬから約０．６ｍＬへ増大させることによって、粘度を、１０００センチポアズ超に増大させることができる。

【0196】

銀錯体インクをパターニングして、インクを、約１９０℃の温度に加熱する。インクをパターニングして約５分後、キシレンは大部分蒸発し、導電性構造物フィルムは黄色になり始める。パターニングして約１０〜１５分後、フィルムは赤褐色に変わり始める。インクをパターニングして約２０〜３０分後、フィルムは黒色に変わり始め、次いで、金属性の銀光沢に変質し、これは最終的にフィルム全体を覆い、それによって、錯体全体が金属導電性構造物へ分解していることが示される。

【0197】

導電性構造物は、約２×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１×１０^−５Ω・ｃｍの電気伝導度を有する。導電性構造物の鏡面反射性は、導電性構造物の極端に低いＲＭＳ値の副産物である。導電性構造物のＲＭＳ値は、約１０ナノメートルまたはそれ未満である。
（実施例３）

【0198】

一実施形態では、約０．４グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀を、約１ｍＬのキシレンに溶解する。約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンを、キシレンに溶解したヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀に加える。この銀錯体は、約１８センチポアズ〜約２０センチポアズの粘度を有する。より多くのｔｅｒｔ−オクチルアミンを使用した場合、錯体の粘度は増大する。ｔｅｒｔ−オクチルアミンの量を約０．２ｍＬから約０．６ｍＬへ増大させることによって、粘度を、１０００センチポアズ超に増大させることができる。

【0199】

銀錯体インクをパターニングして、インクを、約１６０℃の温度に加熱する。インクをパターニングして約５分後、キシレンは大部分蒸発し、導電性構造物フィルムは黄色になり始める。パターニングして約１０〜１５分後、フィルムは赤褐色に変わり始める。インクをパターニングして約２０〜３０分後、フィルムは黒色に変わり始め、次いで、金属性の銀光沢に変質し、これは最終的にフィルム全体を覆い、それによって、錯体全体が金属導電性構造物へ分解していることが示される。

【0200】

導電性構造物は、約２×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１×１０^−５Ω・ｃｍの電気伝導度を有する。導電性構造物の鏡面反射性は、導電性構造物の極端に低いＲＭＳ値の副産物である。導電性構造物のＲＭＳ値は、約１０ナノメートルまたはそれ未満である。
（実施例４）

【0201】

０．５グラム（０．１７９ｍｍｏｌ）のネオデカン酸銀を、２ｍＬのキシレンに溶解する。この溶液は、６ｃＰｓの粘度を有する。０．４ｍＬ（２．４９ｍｍｏｌ）のｔｅｒｔ−オクチルアミンを添加すると、溶液の粘度は１００ｃＰｓに増大した。ｔｅｒｔ−オクチルアミン（０．８ｍＬ超）をさらに添加すると、溶液の完全なゲル化がもたらされ、１００００ｃＰｓの粘度が得られた。
（実施例５）

【0202】

水素化アルミニウムリチウムを、水素化アルミニウムリチウム対塩化アルミニウムが３：１のモル比で、塩化アルミニウムのエーテル溶液と混合する。水素化アルミニウムリチウムを塩化アルミニウムと混合すると、塩化リチウムが沈殿し、水素化アルミニウムのエーテル溶液が残る。少量のチタン（ＩＶ）エトキシドをエーテル溶液に加える。次いで、得られた溶液を１４０℃で加熱してアルミニウムフィルムを得る。
（実施例６）

【0203】

水素化アルミニウムリチウムを、水素化アルミニウムリチウム対塩化アルミニウムが３：１のモル比で、塩化アルミニウムのエーテル溶液と混合する。水素化アルミニウムリチウムを塩化アルミニウムと混合すると、塩化リチウムが沈殿し、水素化アルミニウムのエーテル溶液が残る。この溶液を１８０〜２００℃に加熱してアルミニウムフィルムを得る。
（実施例７）

【0204】

水素化リチウムを、水素化リチウム対、テトラエチルシランおよび水素化マグネシウムの混合物が４：１のモル比で、テトラエチルシランおよび水素化マグネシウムのエーテル溶液と混合する。水素化リチウムを、テトラエチルシランと水素化マグネシウムの混合物と混合すると、ケイ酸リチウムが沈殿し、水素化マグネシウム錯体のエーテル溶液が残る。少量のチタン（ＩＶ）エトキシドをエーテル溶液に加える。次いで、得られた溶液を１４０℃で加熱してアルミニウム合金を得る。
（実施例８）

【0205】

水素化リチウムを、水素化リチウム対、テトラエチルシランおよび水素化マグネシウムの混合物が４：１のモル比で、テトラエチルシランおよび水素化マグネシウムのエーテル溶液と混合する。水素化リチウムを、テトラエチルシランと水素化マグネシウムの混合物と混合すると、ケイ酸リチウムが沈殿し、水素化マグネシウム錯体のエーテル溶液が残る。次いで、得られた溶液を、１８０〜２００℃で加熱してアルミニウム合金を得る。
（実施例９）

【0206】

水素化アルミニウムリチウムを、水素化アルミニウムリチウム対塩化亜鉛が２：１のモル比で、塩化亜鉛のエーテル溶液と混合する。水素化アルミニウムリチウムを塩化亜鉛と混合すると、塩化リチウムが沈殿し、水素化亜鉛のエーテル溶液が残る。少量のチタン（ＩＶ）エトキシドをエーテル溶液に加える。次いで、得られた溶液を１４０℃で加熱して亜鉛フィルムを得る。
（実施例１０）

【0207】

水素化アルミニウムリチウムを、水素化アルミニウムリチウム対塩化亜鉛が２：１のモル比で、塩化亜鉛のエーテル溶液と混合する。水素化アルミニウムリチウムを塩化亜鉛と混合すると、塩化リチウムが沈殿し、水素化亜鉛のエーテル溶液が残る。次いで、得られた溶液を１４０〜２００℃で加熱して亜鉛フィルムを得る。

【0208】

本明細書において本発明を、説明した実施形態と関連させて説明してきたが、添付の特許請求の範囲において定義されるような本発明の趣旨および範囲を逸脱することなく、具体的には説明されていない付加、改変、置換および削除を行うことができることを当業者は理解されよう。したがって、上記詳細な説明は限定ではなく、むしろ、例示とみなされることを意図するものであり、本発明の趣旨および範囲を定義しようとするものは、すべての均等物を含む以下の特許請求の範囲であることを理解されたい。