特許 6603487 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6603487

(24)【登録日】2019年10月18日

(45)【発行日】2019年11月6日

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20191028BHJP

   G03F 7/30 20060101ALI20191028BHJP

   G03F 7/16 20060101ALI20191028BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/30 569A

   H01L21/30 562

   H01L21/30 569C

   G03F7/30 501

   G03F7/16 502

【請求項の数】8

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2015-124777(P2015-124777)

(22)【出願日】2015年6月22日

(65)【公開番号】特開2017-11095(P2017-11095A)

(43)【公開日】2017年1月12日

【審査請求日】2017年12月22日

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100098305

【弁理士】

【氏名又は名称】福島 祥人

(74)【代理人】

【識別番号】100187931

【弁理士】

【氏名又は名称】澤村 英幸

(72)【発明者】

【氏名】田中 裕二

(72)【発明者】

【氏名】浅井 正也

(72)【発明者】

【氏名】春本 将彦

(72)【発明者】

【氏名】金山 幸司

【審査官】 今井 彰

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０００−１９９９５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０７５５７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−０２８９８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０５−１９０４４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−２８６２２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−１７８９４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−１３４４５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−０１６８２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０３２８０６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７、２１／３０

Ｇ０３Ｆ ７／２０−７／４２、９／００−９／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属を含有する金属含有塗布膜が形成された基板を保持する基板保持部と、
前記金属含有塗布膜の金属を溶解させる第１の処理液と、前記金属含有塗布膜の塗布膜を溶解させる第２の処理液とを前記基板保持部により保持される基板の被処理面に供給する処理液供給ユニットと、
基板に供給された後の使用済みの前記第１および第２の処理液を貯留する貯留部と、
前記貯留部に貯留された前記第１の処理液と前記第２の処理液とを比重に基づいて分離する処理液分離機構とを備え、
前記処理液分離機構は、分離された使用済みの前記第１および第２の処理液をそれぞれ排出する第１および第２の排出配管を含む、基板処理装置。

【請求項2】

前記処理液分離機構は、
前記第１の排出配管に介挿された第１の排出バルブと、
前記貯留部内に貯留された前記第１の処理液と前記第２の処理液との境界面を検出する境界面検出部と、
前記境界面検出部により検出された境界面を取得し、取得した検出面が予め定められた下限位置以下である場合には前記第１の排出バルブを閉止し、取得した検出面が前記下限位置よりも大きい場合には前記第１の排出バルブを開放するように前記第１の排出バルブを制御する制御部とを含み、
前記第１の排出配管は前記下限位置よりも下方における前記貯留部に接続され、前記第２の排出配管は前記下限位置よりも上方における前記貯留部に接続される、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記処理液分離機構は、前記第２の排出配管に介挿された第２の排出バルブをさらに含み、
前記制御部は、取得した検出面が予め定められかつ前記下限位置よりも大きい上限位置以下である場合には前記第２の排出バルブを開放し、取得した検出面が前記上限位置よりも大きい場合には前記第２の排出バルブを閉止する、請求項２記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１の処理液は水溶液を含み、
前記第２の処理液は有機溶媒を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記第１の処理液は、アルカリ性除去液または酸性除去液を含む、請求項４記載の基板処理装置。

【請求項6】

金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として吐出するように構成された塗布液供給ユニットをさらに備え、
前記基板保持部は、基板を水平姿勢で保持して回転させるように構成され、
前記塗布液供給ユニットは、前記基板保持部により回転される基板の被処理面に前記金属含有塗布液を吐出することにより基板の被処理面に前記金属含有塗布膜を形成し、
前記処理液供給ユニットは、基板の被処理面の周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように、前記第１および第２の処理液を前記基板保持部により回転される基板の被処理面の前記周縁部に供給する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記第１および第２の処理液を前記基板保持部により回転される基板の被処理面と反対側の裏面に供給する裏面処理ユニットをさらに備える、請求項６記載の基板処理装置。

【請求項8】

基板保持部により金属を含有する金属含有塗布膜が形成された基板を保持するステップと、
処理液供給ユニットにより前記金属含有塗布膜の金属を溶解させる第１の処理液と、前記金属含有塗布膜の塗布膜を溶解させる第２の処理液とを前記基板保持部により保持される基板の被処理面に供給するステップと、
前記処理液供給ユニットにより基板に供給された後の使用済みの前記第１および第２の処理液を貯留部に貯留するステップと、
前記貯留部に貯留された前記第１の処理液と前記第２の処理液とを比重に基づいて分離するステップと、
分離された使用済みの前記第１および第２の処理液をそれぞれ第１および第２の排出配管により排出するステップとを含む、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、処理液を用いて基板処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板上にレジスト液が供給されることによりレジスト膜が形成される。レジスト膜が露光された後、レジスト膜に現像液が供給されることにより、レジスト膜に所定のパターンが形成される（例えば、特許文献１参照）。

【0003】

特許文献１に記載された現像処理装置は、スピンチャック、可動カップおよび２つの現像液供給ノズルを含む。スピンチャックは、種々のレジスト膜が形成されたウエハを回転可能に保持する。可動カップは、スピンチャックを取り囲みかつ上下方向に移動可能に配置される。２つの現像液供給ノズルは、ウエハの上方に配置される。

【0004】

ウエハ上のレジスト膜がポジ型である場合には、可動カップが上昇するとともに、一方の現像液供給ノズルからポジ型現像液がウエハに供給される。ウエハに供給されたポジ型現像液は、可動カップの一方の排出口から排出される。ウエハ上のレジスト膜がネガ型である場合には、可動カップが下降するとともに、他方の現像液供給ノズルからネガ型現像液がウエハに供給される。ウエハに供給されたネガ型現像液は、可動カップの他方の排出口から排出される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１４−７５５７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１には、上記の構成によりポジ型現像液とネガ型現像液とを混合させることなく現像液の排出処理を行うことができると記載されている。しかしながら、ポジ型現像液およびネガ型現像液の排出流路が部分的に共用されているので、ポジ型現像液とネガ型現像液とがわずかに混合される。したがって、ポジ型現像液とネガ型現像液とを分離して回収することができない。

【0007】

本発明の目的は、異なる種類の処理液を分離して回収することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、金属を含有する金属含有塗布膜が形成された基板を保持する基板保持部と、金属含有塗布膜の金属を溶解させる第１の処理液と、金属含有塗布膜の塗布膜を溶解させる第２の処理液とを基板保持部により保持される基板の被処理面に供給する処理液供給ユニットと、基板に供給された後の使用済みの第１および第２の処理液を貯留する貯留部と、貯留部に貯留された第１の処理液と第２の処理液とを比重に基づいて分離する処理液分離機構とを備え、処理液分離機構は、分離された使用済みの第１および第２の処理液をそれぞれ排出する第１および第２の排出配管を含む。

【0009】

この基板処理装置においては、基板保持部により金属を含有する金属含有塗布膜が形成された基板が保持される。この状態で、処理液供給ユニットにより金属含有塗布膜の金属を溶解させる第１の処理液および金属含有塗布膜の塗布膜を溶解させる第２の処理液が基板の被処理面に供給される。基板に供給された後の使用済みの第１および第２の処理液が貯留部に貯留される。ここで、第２の処理液の比重は、第１の処理液の比重よりも小さいので、貯留部内では、第１の処理液の層と第２の処理液の層とが上下に分離するように形成される。これにより、第１の処理液と第２の処理液とを比重に基づいて分離することができる。

【0010】

この構成によれば、使用済みの第１および第２の処理液を共通の排出流路を通して排出した場合でも、貯留部内で分離することができる。その結果、第１および第２の処理液を分離して第１および第２の排出配管からそれぞれ回収することが可能になる。また、異なる種類の処理液を分離して回収することにより、処理液の廃棄コストを低減することができる。

【0011】

（２）処理液分離機構は、第１の排出配管に介挿された第１の排出バルブと、貯留部内に貯留された第１の処理液と第２の処理液との境界面を検出する境界面検出部と、境界面検出部により検出された境界面を取得し、取得した検出面が予め定められた下限位置以下である場合には第１の排出バルブを閉止し、取得した検出面が下限位置よりも大きい場合には第１の排出バルブを開放するように第１の排出バルブを制御する制御部とを含み、第１の排出配管は下限位置よりも下方における貯留部に接続され、第２の排出配管は下限位置よりも上方における貯留部に接続されてもよい。

【0012】

この場合、簡単な制御で使用済みの第１の処理液を貯留部から第１の排出配管を通して回収し、使用済みの第２の処理液を貯留部から第２の排出配管を通して回収することができる。また、使用者は、第１の処理液と第２の処理液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、処理液の廃棄コストをより低減することができる。

【0013】

（３）処理液分離機構は、第２の排出配管に介挿された第２の排出バルブをさらに含み、制御部は、取得した検出面が予め定められかつ下限位置よりも大きい上限位置以下である場合には第２の排出バルブを開放し、取得した検出面が上限位置よりも大きい場合には第２の排出バルブを閉止してもよい。

【0014】

この場合、簡単な構成で使用済みの第１の処理液が貯留部から第２の排出配管を通して回収されることを防止することができる。

【0015】

（４）第１の処理液は水溶液を含み、第２の処理液は有機溶媒を含んでもよい。この場合、基板処理装置の共通の部分で水溶液を含む処理液と有機溶媒を含む処理液とを用いた基板処理を行うことができる。また、水溶液を含む処理液と有機溶媒を含む処理液とを分離して回収することができる。
（５）第１の処理液は、アルカリ性除去液または酸性除去液を含んでもよい。

【0016】

（６）基板処理装置は、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として吐出するように構成された塗布液供給ユニットをさらに備え、基板保持部は、基板を水平姿勢で保持して回転させるように構成され、塗布液供給ユニットは、基板保持部により回転される基板の被処理面に金属含有塗布液を吐出することにより基板の被処理面に金属含有塗布膜を形成し、処理液供給ユニットは、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように、第１および第２の処理液を基板保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に供給してもよい。

【0017】

この場合、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成される。これにより、金属含有塗布膜を用いてより微細なパターン形成を行うことができる。また、基板の周縁部の金属成分および塗布液は第１および第２の処理液によりそれぞれ溶解される。これにより、基板の周縁部の塗布膜の残存に起因したパーティクルによる基板処理装置の汚染を防止するとともに、基板の周縁部の金属の残存による基板処理装置の汚染を防止することができる。

【0018】

また、比重に基づいて第１の処理液と第２の処理液とを分離することにより、第１および第２の処理液を分離して回収することが可能となる。それにより、第１および第２の処理液の廃棄コストを低減することができる。

【0019】

（７）基板処理装置は、第１および第２の処理液を基板保持部により回転される基板の被処理面と反対側の裏面に供給する裏面処理ユニットをさらに備えてもよい。

【0020】

この構成によれば、金属含有塗布液が基板の裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板の裏面に付着した金属含有塗布液は、裏面処理ユニットにより除去される。これにより、基板処理装置の汚染を十分に防止することができる。

【0023】

（８）第２の発明に係る基板処理方法は、基板保持部により金属を含有する金属含有塗布膜が形成された基板を保持するステップと、処理液供給ユニットにより金属含有塗布膜の金属を溶解させる第１の処理液と、金属含有塗布膜の塗布膜を溶解させる第２の処理液とを基板保持部により保持される基板の被処理面に供給するステップと、処理液供給ユニットにより基板に供給された後の使用済みの第１および第２の処理液を貯留部に貯留するステップと、貯留部に貯留された第１の処理液と第２の処理液とを比重に基づいて分離するステップと、分離された使用済みの第１および第２の処理液をそれぞれ第１および第２の排出配管により排出するステップとを含む。

【0024】

この基板処理方法においては、基板保持部により金属を含有する金属含有塗布膜が形成された基板が保持される。この状態で、処理液供給ユニットにより金属含有塗布膜の金属を溶解させる第１の処理液および金属含有塗布膜の塗布膜を溶解させる第２の処理液が基板の被処理面に供給される。基板に供給された後の使用済みの第１および第２の処理液が貯留部に貯留される。ここで、第２の処理液の比重は、第１の処理液の比重よりも小さいので、貯留部内では、第１の処理液の層と第２の処理液の層とが上下に分離するように形成される。これにより、第１の処理液と第２の処理液とを比重に基づいて分離することができる。

【0025】

この方法によれば、使用済みの第１および第２の処理液を共通の排出流路を通して排出した場合でも、貯留部内で分離することができる。その結果、第１および第２の処理液を分離して第１および第２の排出配管からそれぞれ回収することが可能になる。また、異なる種類の処理液を分離して回収することにより、処理液の廃棄コストを低減することができる。

【発明の効果】

【0026】

本発明によれば、異なる種類の処理液を分離して回収することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。

【図2】図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。

【図3】塗布処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。

【図4】塗布処理ユニットの構成を示す模式的側面図である。

【図5】回収バルブの制御を示すフローチャートである。

【図6】図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。

【図7】搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。

【0029】

（１）基板処理装置
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。

【0030】

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。

【0031】

図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

【0032】

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図７参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図７参照）が設けられる。

【0033】

第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図７参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図７参照）が設けられる。

【0034】

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図７参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

【0035】

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図７参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。

【0036】

（２）塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

【0037】

図３は、塗布処理ユニット１２９の構成を示す模式的平面図である。図４は、塗布処理ユニット１２９の構成を示す模式的側面図である。図３および図４に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、待機部２０、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の塗布液ノズル２８、ノズル搬送機構２９、複数のエッジリンスノズル４１，４３および複数のバックリンスノズル４２，４４を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７、エッジリンスノズル４１，４３およびバックリンスノズル４２，４４は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。

【0038】

図３に示すように、各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。待機時には、各塗布液ノズル２８は待機部２０に挿入される。各塗布液ノズル２８には、図示しない塗布液貯留部から塗布液配管を通して種々の塗布液が供給される。複数の塗布液ノズル２８のうちのいずれかの塗布液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。スピンチャック２５が回転しつつ塗布液ノズル２８から塗布液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に塗布液が塗布される。

【0039】

本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４の塗布液ノズル２８からは、反射防止膜用の塗布液（反射防止液）が吐出される。塗布処理室２１，２３の塗布液ノズル２８からは、レジスト膜用の塗布液（レジスト液）が吐出される。

【0040】

反射防止液およびレジスト液には、より微細なパターンを形成するために金属分子または金属酸化物等の金属成分が組成物として含有されている。本例では、金属成分として、例えばＳｎ（スズ）、ＨｆＯ_２（酸化ハフニウム）またはＺｒＯ_２（二酸化ジルコニウム）が反射防止液およびレジスト液に含有される。以下、金属成分を含有する反射防止液またはレジスト液等の塗布液を金属含有塗布液と総称する。また、金属含有塗布液により形成される膜を金属含有塗布膜と呼ぶ。

【0041】

図４に示すように、エッジリンスノズル４１，４３は、スピンチャック２５により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。ここで、被処理面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいう。基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの被処理面において、基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。バックリンスノズル４２，４４は、スピンチャック２５により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。ここで、裏面とは基板Ｗの被処理面と反対側の面をいう。

【0042】

エッジリンスノズル４１，４３には、それぞれ供給配管４１ｐ，４３ｐが接続される。バックリンスノズル４２，４４には、それぞれ供給配管４２ｐ，４４ｐが接続される。エッジリンスノズル４１およびバックリンスノズル４２には、図示しない第１の除去液供給タンクからそれぞれ供給配管４１ｐ，４２ｐを通して除去液が供給される。エッジリンスノズル４３およびバックリンスノズル４４には、図示しない第２の除去液供給タンクからそれぞれ供給配管４３ｐ，４４ｐを通して除去液が供給される。

【0043】

ここで、第１の除去液供給タンクには、除去液として有機溶媒が貯留されている。有機溶媒は、例えばシンナーを含む。第２の除去液供給タンクにはアルカリ性除去液または酸性除去液が貯留されている。アルカリ性除去液は、例えばアンモニアおよび過酸化水素を含む水溶液である。酸性除去液は、例えば希フッ酸を含む水溶液である。酸性除去液は、例えば硫酸および過酸化水素を含む水溶液であってもよい。

【0044】

以下、エッジリンスノズル４１およびバックリンスノズル４２から吐出される有機溶媒からなる除去液を有機除去液と呼ぶ。エッジリンスノズル４３およびバックリンスノズル４４から吐出されるアルカリ性除去液または酸性除去液を金属用除去液と呼ぶ。金属用除去液は、反射防止液またはレジスト液に含有された金属成分を溶解可能である。

【0045】

塗布処理ユニット１２９には、異なる種類の金属用除去液がそれぞれ貯留された２つの第２の供給タンクが設けられてもよい。この場合、各塗布処理ユニット１２９の２つのエッジリンスノズル４３からそれぞれ異なる種類の金属用除去液を吐出することができる。同様に、各塗布処理ユニット１２９の２つのバックリンスノズル４４からそれぞれ異なる種類の金属用除去液を吐出することができる。金属用除去液は、例えば３０℃〜４０℃に温度調整された状態でエッジリンスノズル４３およびバックリンスノズル４４から吐出されてもよい。

【0046】

スピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル４１から基板Ｗの周縁部に有機除去液が吐出されるとともに、バックリンスノズル４２から基板Ｗの裏面に有機除去液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部および裏面に塗布された塗布液が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部および裏面の塗布膜が除去され、基板処理装置１００がパーティクルにより汚染されることを防止することができる。

【0047】

しかしながら、基板Ｗの周縁部には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している。また、基板Ｗの裏面に金属含有塗布液が回り込んだ場合には、基板Ｗの裏面には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している。

【0048】

基板Ｗの周縁部または裏面に金属成分が付着した状態で基板Ｗが基板処理装置１００内で搬送されると、基板処理装置１００の内部の各搬送機構および各処理ユニットだけでなく、露光装置１５の内部にも金属成分による汚染が発生する。そこで、スピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル４３から基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出されるとともに、バックリンスノズル４４から基板Ｗの裏面に金属用除去液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が除去される。

【0049】

図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

【0050】

現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。この状態で、スリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗの現像処理が行われる。

【0051】

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では３つ）の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが設けられる。各洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいては、有機溶媒または純水を用いて露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。

【0052】

（３）除去液の回収処理
上記のように、塗布処理ユニット１２９の基板処理においては、有機除去液および金属用除去液が用いられる。そのため、カップ２７から使用済みの有機除去液と金属用除去液とを分離して回収することが好ましい。そこで、図４に示すように、カップ２７の排液部に回収配管５０が接続される。また、回収配管５０は、回収配管５０の下流の回収タンク５３に接続される。この場合、カップ２７からの使用済みの有機除去液および金属用除去液が共通の回収タンク５３に導かれる。

【0053】

ここで、有機除去液と金属用除去液とは互いに異なる比重を有し、金属用除去液の比重は有機除去液の比重よりも大きい。そのため、回収タンク５３内においては、金属用除去液の層と有機除去液の層とが上下に分離するように形成される。そこで、回収タンク５３には、金属用除去液と有機除去液との境界面を検出する境界検出部５４が設けられる。本実施の形態では、境界検出部５４は静電容量式の液面レベルセンサであるが、本発明はこれに限定されない。境界検出部５４は、フロート式、光学式、超音波式、電導率式、ピエゾ共振式等の他の方式の液面レベルセンサであってもよい。

【0054】

回収タンク５３には、金属用除去液と有機除去液との境界面の下限高さＬ１および上限高さＬ２が設定される。上限高さＬ２は下限高さＬ１よりも上方に位置する。回収タンク５３には、下限高さＬ１よりも低い位置に回収配管５５が取り付けられ、上限高さＬ２よりも高い位置に回収配管５６が取り付けられる。回収配管５５，５６は、それぞれ図示しない金属用除去液回収部および有機除去液回収部に接続される。回収配管５５，５６には、それぞれ回収バルブ５５ｖ，５６ｖが介挿される。

【0055】

境界検出部５４、回収配管５５，５６および回収バルブ５５ｖ，５６ｖおよび後述する図６のローカルコントローラＬＣ１により処理液分離機構５０Ａが構成される。処理液分離機構５０Ａは、異なる種類の処理液を分離して回収する。図５は、回収バルブ５５ｖ，５６ｖの制御を示すフローチャートである。なお、回収バルブ５５ｖ，５６ｖの動作は、ローカルコントローラＬＣ１により制御される。

【0056】

図５に示すように、ローカルコントローラＬＣ１は、境界検出部５４から回収タンク５３内の金属用除去液と有機除去液との境界面を取得する（ステップＳ１）。次に、ローカルコントローラＬＣ１は、取得した境界面の高さが下限高さＬ１未満であるか否かを判定する（ステップＳ２）。

【0057】

ステップＳ２において、境界面の高さが下限高さＬ１未満である場合、ローカルコントローラＬＣ１は回収バルブ５５ｖを閉止する（ステップＳ３）。その後、ローカルコントローラＬＣ１はステップＳ１の処理に戻る。なお、ステップＳ３の時点においては、回収バルブ５６ｖは開放されていてもよいし、閉止されていてもよい。一方、ステップＳ２において、境界面の高さが下限高さＬ１以上である場合、ローカルコントローラＬＣ１は、境界面の高さが上限高さＬ２未満であるか否かを判定する（ステップＳ４）。

【0058】

ステップＳ４において、境界面の高さが上限高さＬ２未満である場合、ローカルコントローラＬＣ１は、回収バルブ５５ｖを開放するとともに回収バルブ５６ｖを開放する（ステップＳ５）。その後、ローカルコントローラＬＣ１はステップＳ１の処理に戻る。一方、ステップＳ４において、境界面の高さが上限高さＬ２以上である場合、ローカルコントローラＬＣ１は、回収バルブ５５ｖを開放するとともに回収バルブ５６ｖを閉止する（ステップＳ６）。その後、ローカルコントローラＬＣ１はステップＳ１の処理に戻る。

【0059】

この処理においては、境界面の高さが下限高さＬ１未満である場合、回収バルブ５５ｖが閉止される。これにより、回収配管５５から有機除去液が排出されることが防止される。境界面の高さが下限高さＬ１以上でかつ上限高さＬ２未満である場合、回収バルブ５５ｖ，５６ｖが開放される。これにより、回収配管５５，５６からそれぞれ金属用除去液および有機除去液が排出される。境界面の高さが上限高さＬ２以上である場合、回収バルブ５６ｖが閉止される。これにより、回収配管５６から金属用除去液が排出されることが防止される。

【0060】

このように、本実施の形態における除去液の回収方式においては、有機除去液および金属用除去液の比重に基づいて、使用済みの有機除去液と使用済みの金属用除去液とが分離される。この回収方式によれば、有機除去液と金属用除去液とを分離して回収することが可能となる。この場合、使用者は、有機除去液と金属用除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、除去液の廃棄コストを低減することができる。

【0061】

上記の除去液の回収方式においては、回収配管５６に回収バルブ５６ｖが介挿されるが、本発明はこれに限定されない。回収配管５６が上限高さＬ２よりも十分に上方に取り付けられ、金属用除去液が回収配管５６から排出されないように構成されている場合には、回収配管５６に回収バルブ５６ｖが介挿されなくてもよい。この場合、図５のステップＳ４，Ｓ６の処理は行われず、ステップＳ５の処理では回収バルブ５５ｖのみが開放される。

【0062】

（４）熱処理部
図６は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図６に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

【0063】

熱処理部１２３の最上部にはローカルコントローラＬＣ１が設けられる。ローカルコントローラＬＣ１は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。

【0064】

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

【0065】

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。

【0066】

熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。ローカルコントローラＬＣ２は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。

【0067】

エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

【0068】

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが設けられる。各洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいては、有機溶媒または純水を用いて露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。洗浄乾燥処理部１６２に設けられる洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳは、図２の洗浄乾燥処理部１６１に設けられる洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳと同様の構成および機能を有する。

【0069】

（５）搬送部
図７は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図７に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

【0070】

塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部３０１（図６）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部３０２（図６）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。同様に、現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図６）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図６）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。

【0071】

搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

【0072】

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

【0073】

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

【0074】

基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

【0075】

基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

【0076】

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。

【0077】

搬送機構１２７は、塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図７）および上段熱処理部３０１（図６）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１２８は、塗布処理室２３，２４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図７）および下段熱処理部３０２（図６）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。

【0078】

搬送機構１３７は、現像処理室３１，３２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図７）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図７）および上段熱処理部３０３（図６）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１３８は、現像処理室３３，３４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図７）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図７）および下段熱処理部３０４（図６）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。

【0079】

（６）基板処理
図１、図２、図６および図７を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図７）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図７）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

【0080】

第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図７）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図６）、冷却ユニットＣＰ（図６）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）、冷却ユニットＣＰ（図６）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図７）に順に搬送する。

【0081】

この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

【0082】

また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図７）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図７）に搬送する。

【0083】

搬送機構１２８（図７）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図６）、冷却ユニットＣＰ（図６）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）、冷却ユニットＣＰ（図６）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図７）に順に搬送する。

【0084】

また、搬送機構１２８（図７）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図７）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図７）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図６）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図６）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。

【0085】

第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図７）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図６）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図７）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。

【0086】

また、搬送機構１３７（図７）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図６）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図６）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図７）に順に搬送する。

【0087】

この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

【0088】

搬送機構１３８（図７）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図６）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図７）に順に搬送する。

【0089】

また、搬送機構１３８（図７）は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図６）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図６）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図７）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。

【0090】

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図７）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１，１６２のいずれかの洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳ（図２または図６）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図７）に順に搬送する。

【0091】

この場合、いずれかの洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。その後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

【0092】

搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図７）に載置された露光処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図６）に順に搬送する。この場合、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

【0093】

搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図７）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５（図１）の基板搬入部に搬送する。また、搬送機構１４６は、露光装置１５の基板搬出部から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図７）に搬送する。

【0094】

本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。

【0095】

（７）効果
本実施の係る基板処理装置１００においては、エッジリンスノズル４１，４３およびバックリンスノズル４２，４４により基板Ｗに供給された後の使用済みの金属用除去液および有機除去液は、回収タンク５３に貯留される。有機除去液の比重は、金属用除去液の比重よりも小さいので、回収タンク５３内では、金属用除去液の層と有機除去液の層とが上下に分離するように形成される。これにより、金属用除去液と有機除去液とが比重に基づいて処理液分離機構５０Ａにより分離される。

【0096】

この構成によれば、使用済みの金属用除去液と使用済みの有機除去液とを共通の回収配管５０を通して排出した場合でも、回収タンク５３内で分離することができる。その結果、金属用除去液と有機除去液とを分離して回収することが可能になる。また、金属用除去液と有機除去液とを分離して回収することにより、除去液の廃棄コストを低減することができる。

【0097】

（８）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、現像処理室３１〜３４に処理液分離機構５０Ａが設けられないが、本発明はこれに限定されない。現像処理室３１〜３４において、基板Ｗに対してポジティブトーン現像処理とネガティブトーン現像処理とを混在させて行うことにより異なる種類の現像液が用いられる場合には、現像処理室３１〜３４に処理液分離機構５０Ａが設けられてもよい。

【0098】

例えば、現像処理室３１〜３４において、ポジティブトーン現像処理用の現像液としてアルカリ性水溶液、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Ｔｅｔｒａ Ｍｅｔｈｙｌ Ａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ：Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）等を用いることができる。また、現像処理室３１〜３４において、ネガティブトーン現像処理用の現像液として例えば酢酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ Ａｃｅｔａｔｅ）等の有機溶剤を含む現像液を用いることができる。この場合、現像処理室３１〜３４に処理液分離機構５０Ａを設けることにより、使用済みのポジティブトーン現像処理用の現像液と使用済みのネガティブトーン現像処理用の現像液とを分離して回収することができる。

【0099】

この構成においては、被処理面に形成されたレジスト膜に対してポジティブトーン現像処理が行われるべき基板Ｗがスピンチャック３５に保持されているときには、スリットノズル３８からポジティブトーン現像処理用の現像液が吐出される。これにより、当該基板Ｗのレジスト膜をポジティブトーンに現像することができる。一方、被処理面に形成されたレジスト膜に対してネガティブトーン現像処理が行われるべき基板Ｗがスピンチャック３５に保持されているときには、スリットノズル３８からネガティブトーン現像処理用の現像液が吐出される。これにより、当該基板Ｗのレジスト膜をネガティブトーンに現像することができる。

【0100】

（ｂ）上記実施の形態において、反射防止液およびレジスト液の両方に金属成分が含有されているが、本発明はこれに限定されない。反射防止液およびレジスト液の一方に金属成分が含有されなくてもよい。この場合、塗布処理室２１，２３または塗布処理室２２，２４の一方には、エッジリンスノズル４３およびバックリンスノズル４４が設けられない。

【0101】

（ｃ）上記実施の形態において、塗布液として反射防止液およびレジスト液に金属成分が含有されているが、本発明はこれに限定されない。例えば、ハードマスク（ＨＭ）膜を形成するための塗布液に金属成分が含有されていてもよい。この場合、金属成分として、例えば酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）、酸化タングステン（ＷＯ_ｘ）または酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_ｘ）が塗布液に含有される。

【0102】

（ｄ）上記実施の形態において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに２つの洗浄乾燥処理部１６１，１６２が設けられるが、本発明はこれに限定されない。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに洗浄乾燥処理部１６１および洗浄乾燥処理部１６２の一方が設けられ、洗浄乾燥処理部１６１および洗浄乾燥処理部１６２の他方が設けられなくてもよい。

【0103】

（ｅ）上記実施の形態において、塗布処理ユニット１２９にエッジリンスノズル４１およびバックリンスノズル４２が設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布処理ユニット１２９にエッジリンスノズル４１およびバックリンスノズル４２の一方または両方が設けられなくてもよい。

【0104】

（ｆ）上記実施の形態において、塗布処理ユニット１２９に有機除去液を吐出するエッジリンスノズル４１と金属用除去液を吐出するエッジリンスノズル４３とが別個に設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布処理ユニット１２９に有機除去液と金属用除去液とを選択的に吐出する共通のエッジリンスノズルが設けられてもよい。

【0105】

同様に、塗布処理ユニット１２９に有機除去液を吐出するバックリンスノズル４２と金属用除去液を吐出するバックリンスノズル４４とが別個に設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布処理ユニット１２９に有機除去液と金属用除去液とを選択的に吐出する共通のバックリンスノズルが設けられてもよい。

【0106】

（ｇ）上記実施の形態において、塗布処理ユニット１２９は回収配管５０および回収タンク５３を含むが、本発明はこれに限定されない。カップ２７が使用済みの処理液を貯留する貯留部として用いられる場合には、塗布処理ユニット１２９は回収配管５０および回収タンク５３を含まなくてもよい。この場合、カップ２７に処理液分離機構５０Ａの境界検出部５４および回収配管５５，５６が設けられる。

【0107】

（ｈ）上記実施の形態において、第１の処理液として水溶液を含有する処理液（金属用除去液またはポジティブトーン現像処理用の現像液）が用いられ、第２の処理液として有機溶媒を含有する処理液（有機除去液またはネガティブトーン現像処理用の現像液）が用いられるが、この発明はこれに限定されない。第２の処理液の比重が第１の処理液の比重よりも小さければ、第１および第２の処理液は上記の処理液とは異なる他の処理液であってもよい。

【0108】

（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

【0109】

上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、スピンチャック２５またはスピンチャック３５が基板保持部の例であり、エッジリンスノズル４１，４３またはスリットノズル３８が処理液供給ユニットの例である。回収タンク５３が貯留部の例であり、処理液分離機構５０Ａが処理液分離機構の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、回収配管５５，５６がそれぞれ第１および第２の排出配管の例である。

【0110】

回収バルブ５５ｖ，５６ｖがそれぞれ第１および第２の排出バルブの例であり、境界検出部５４が境界面検出部の例であり、ローカルコントローラＬＣ１が制御部の例である。塗布液ノズル２８が塗布液供給ユニットの例であり、バックリンスノズル４２，４４が裏面処理ユニットの例である。

【0111】

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
（１０）参考形態
（１０−１）第１の参考形態に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持部と、第１の比重を有する第１の処理液と、第１の比重よりも小さい第２の比重を有する第２の処理液とを基板保持部により保持される基板の被処理面に供給する処理液供給ユニットと、基板に供給された後の使用済みの第１および第２の処理液を貯留する貯留部と、貯留部に貯留された第１の処理液と第２の処理液とを比重に基づいて分離する処理液分離機構とを備える。
この基板処理装置においては、基板保持部により基板が保持される。この状態で、処理液供給ユニットにより第１および第２の処理液が基板の被処理面に供給される。基板に供給された後の使用済みの第１および第２の処理液が貯留部に貯留される。ここで、第２の処理液の比重は、第１の処理液の比重よりも小さいので、貯留部内では、第１の処理液の層と第２の処理液の層とが上下に分離するように形成される。これにより、第１の処理液と第２の処理液とを比重に基づいて分離することができる。
この構成によれば、使用済みの第１および第２の処理液を共通の排出流路を通して排出した場合でも、貯留部内で分離することができる。その結果、第１および第２の処理液を分離して回収することが可能になる。また、異なる種類の処理液を分離して回収することにより、処理液の廃棄コストを低減することができる。
（１０−２）処理液分離機構は、貯留部から使用済みの第１の処理液を排出するように設けられた第１の排出配管と、貯留部から使用済みの第２の処理液を排出するように設けられた第２の排出配管と、第１の排出配管に介挿された第１の排出バルブと、貯留部内に貯留された第１の処理液と第２の処理液との境界面を検出する境界面検出部と、境界面検出部により検出された境界面を取得し、取得した検出面が予め定められた下限位置以下である場合には第１の排出バルブを閉止し、取得した検出面が下限位置よりも大きい場合には第１の排出バルブを開放するように第１の排出バルブを制御する制御部とを含み、第１の排出配管は下限位置よりも下方における貯留部に接続され、第２の排出配管は下限位置よりも上方における貯留部に接続されてもよい。
この場合、簡単な制御で使用済みの第１の処理液を貯留部から第１の排出配管を通して回収し、使用済みの第２の処理液を貯留部から第２の排出配管を通して回収することができる。また、使用者は、第１の処理液と第２の処理液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、処理液の廃棄コストをより低減することができる。
（１０−３）処理液分離機構は、第２の排出配管に介挿された第２の排出バルブをさらに含み、制御部は、取得した検出面が予め定められかつ下限位置よりも大きい上限位置以下である場合には第２の排出バルブを開放し、取得した検出面が上限位置よりも大きい場合には第２の排出バルブを閉止してもよい。
この場合、簡単な構成で使用済みの第１の処理液が貯留部から第２の排出配管を通して回収されることを防止することができる。
（１０−４）第１の処理液は水溶液を含み、第２の処理液は有機溶媒を含んでもよい。この場合、基板処理装置の共通の部分で水溶液を含む処理液と有機溶媒を含む処理液とを用いた基板処理を行うことができる。また、水溶液を含む処理液と有機溶媒を含む処理液とを分離して回収することができる。
（１０−５）基板処理装置は、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として吐出するように構成された塗布液供給ユニットをさらに備え、基板保持部は、基板を水平姿勢で保持して回転させるように構成され、第１の処理液は、金属含有塗布液の金属を溶解させ、第２の処理液は、金属含有塗布液の塗布液を溶解させ、塗布液供給ユニットは、基板保持部により回転される基板の被処理面に金属含有塗布液を吐出することにより基板の被処理面に金属含有塗布膜を形成し、処理液供給ユニットは、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように、第１および第２の処理液を基板保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に供給してもよい。
この場合、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成される。これにより、金属含有塗布膜を用いてより微細なパターン形成を行うことができる。また、基板の周縁部の金属成分および塗布液は第１および第２の処理液によりそれぞれ溶解される。これにより、基板の周縁部の塗布膜の残存に起因したパーティクルによる基板処理装置の汚染を防止するとともに、基板の周縁部の金属の残存による基板処理装置の汚染を防止することができる。
また、比重に基づいて第１の処理液と第２の処理液とを分離することにより、第１および第２の処理液を分離して回収することが可能となる。それにより、第１および第２の処理液の廃棄コストを低減することができる。
（１０−６）基板処理装置は、第１および第２の処理液を基板保持部により回転される基板の被処理面と反対側の裏面に供給する裏面処理ユニットをさらに備えてもよい。
この構成によれば、金属含有塗布液が基板の裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板の裏面に付着した金属含有塗布液は、裏面処理ユニットにより除去される。これにより、基板処理装置の汚染を十分に防止することができる。
（１０−７）基板保持部は、被処理面にポジティブトーン現像処理を受けるべき基板と、被処理面にネガティブトーン現像処理を受けるべき基板とを選択的に保持し、第１の処理液は、ポジティブトーン現像用の現像液であり、第２の処理液は、ネガティブトーン現像用の現像液であり、処理液供給ユニットは、被処理面にポジティブトーン現像処理を受けるべき基板が基板保持部に保持されているときには第１の処理液を吐出し、被処理面にネガティブトーン現像処理を受けるべき基板が基板保持部に保持されているときには第２の処理液を吐出してもよい。
この場合、被処理面にポジティブトーン現像処理を受けるべき基板が基板保持部に保持されているときには、処理液供給ユニットから第１の処理液が吐出されることにより当該基板の被処理面をポジティブトーン現像することができる。一方、被処理面にネガティブトーン現像処理を受けるべき基板が基板保持部に保持されているときには、処理液供給ユニットから第２の処理液が吐出されることにより当該基板の被処理面をネガティブトーン現像することができる。
（１０−８）第２の参考形態に係る基板処理方法は、基板保持部により基板を保持するステップと、処理液供給ユニットにより第１の比重を有する第１の処理液と、第１の比重よりも小さい第２の比重を有する第２の比重を有する第２の処理液とを基板保持部により保持される基板の被処理面に供給するステップと、処理液供給ユニットにより基板に供給された後の使用済みの第１および第２の処理液を貯留部に貯留するステップと、貯留部に貯留された第１の処理液と第２の処理液とを比重に基づいて分離するステップとを含む。
この基板処理方法においては、基板保持部により基板が保持される。この状態で、処理液供給ユニットにより第１および第２の処理液が基板の被処理面に供給される。基板に供給された後の使用済みの第１および第２の処理液が貯留部に貯留される。ここで、第２の処理液の比重は、第１の処理液の比重よりも小さいので、貯留部内では、第１の処理液の層と第２の処理液の層とが上下に分離するように形成される。これにより、第１の処理液と第２の処理液とを比重に基づいて分離することができる。
この方法によれば、使用済みの第１および第２の処理液を共通の排出流路を通して排出した場合でも、貯留部内で分離することができる。その結果、第１および第２の処理液を分離して回収することが可能になる。また、異なる種類の処理液を分離して回収することにより、処理液の廃棄コストを低減することができる。

【産業上の利用可能性】

【0112】

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

【符号の説明】

【0113】

１１ インデクサブロック
１２ 第１の処理ブロック
１３ 第２の処理ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
２０ 待機部
２１〜２４ 塗布処理室
２５，３５ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８ 塗布液ノズル
２９ ノズル搬送機構
３１〜３４ 現像処理室
３８ スリットノズル
３９ 移動機構
４１，４３ エッジリンスノズル
４１ｐ〜４４ｐ 供給配管
４２，４４ バックリンスノズル
５０，５５，５６ 回収配管
５０Ａ 処理液分離機構
５３ 回収タンク
５４ 境界検出部
５５ｖ，５６ｖ 回収バルブ
１００ 基板処理装置
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６ 搬送機構
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
３０１，３０３ 上段熱処理部
３０２，３０４ 下段熱処理部
ＢＳＳ 洗浄乾燥処理ユニット
ＣＰ 冷却ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＬＣ１，ＬＣ２ ローカルコントローラ
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】