【図1】実施形態に従う、フォトニック回路デバイス製造の１つの段階における、フォトニック回路デバイスの簡略表現を示す３Ｄ図である。図１は、製造の中間段階におけるデバイスを描く。

【図2】実施形態に従う、フォトニック回路デバイス製造の１つの段階における、フォトニック回路デバイスの簡略表現を示す３Ｄ図である。図２は、製造の中間段階におけるデバイスを描く。

【図3】実施形態に従う、フォトニック回路デバイス製造の１つの段階における、フォトニック回路デバイスの簡略表現を示す３Ｄ図である。図３は、製造の中間段階におけるデバイスを描く。

【図4】実施形態に従う、フォトニック回路デバイス製造の１つの段階における、フォトニック回路デバイスの簡略表現を示す３Ｄ図である。図４は、製造の中間段階におけるデバイスを描く。

【図5】実施形態に従う、フォトニック回路デバイス製造の１つの段階における、フォトニック回路デバイスの簡略表現を示す３Ｄ図である。図５は、製造の中間段階におけるデバイスを描く。

【図6】実施形態に従う、フォトニック回路デバイス製造の１つの段階における、フォトニック回路デバイスの簡略表現を示す３Ｄ図である。

【図7】図６のデバイスを概略的に描く平面図である。

【図8】実施形態に従う、フォトニック回路デバイス製造の１つの段階における、フォトニック回路デバイスの簡略表現を示す３Ｄ図である。

【図9】実施形態に従う、フォトニック回路デバイス製造の１つの段階における、フォトニック回路デバイスの簡略表現を示す３Ｄ図である。

【図10】図９のデバイスを概略的に描く平面図である。

【図11】本発明に従う方法の実施形態に従う、図１０におけるものと同じ平面図であって、そこでどのように光が発生し、伝達、伝播、および反射されるのかをさらに図示した図である。

【図12】実施形態に従う、図１〜図１１、および図１３〜図１７に描かれるようなデバイス中の、光学利得を測定する方法の、高レベルのステップを図示する流れ図である。

【図13】図９および図10に描かれるようなデバイスの簡略表現の断面図である。

【図14】図９および図10のデバイスに対する変形形態の簡略表現の断面図である。

【図15】図９および図10のデバイスに対する別の変形形態の簡略表現の断面図である。

【図16】図９および図10に描かれるようなデバイスの簡略表現の（長手方向）側面図である。

【図17】実施形態に含まれるような、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料利得セクション（の部分）を形成するエピタキシャル層スタックの断面図である。