発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、パルス光伝導法（Pulse Photo-Conductivity Method：ＰＰＣＭ）によるシリコンウェーハ上の酸化膜の電気伝導率の測定値に基づき、シリコンウェーハの金属汚染濃度を算出する方法であって、ｎ型及びｐ型のいずれのシリコンウェーハにも適用可能な金属汚染濃度分析方法を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、シリコンウェーハのドーパント種に制限されることなく、また、シリコンウェーハ中の酸素析出物や微小な欠陥の影響を受けることなく、ｎ型及びｐ型のシリコンウェーハのいずれについても、金属不純物濃度を測定することが可能となる。
なお、検量線を作成するに際して、ＳＰＶ法以外に、例えば、化学分析（ＩＣＰ−ＭＳ等）、ＤＬＴＳ（Deep Level Transient Spectroscopy）及びライフタイム測定等を用いて金属不純物濃度を定量してもよく、鉄以外の金属（例えば、ニッケル、銅、モリブデン、及びタングステン）を対象とする場合には、これらの方法を用いて検量線を作成することにより、種々の金属について、金属不純物濃度の定量が可能である。