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特許6605478磁界に対する応答が改善された磁気抵抗素子
発明の名称 磁界に対する応答が改善された磁気抵抗素子
出願人 アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー （識別番号 501105602）
特許公開件数ランキング 2005 位（9件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 8891 位（2件）（共同出願を含む）
出願人 コミサリア タ レネルジー アトミック エ オー エネルジー アルテルナティーヴ （識別番号 591150395）
特許公開件数ランキング 30110 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 24267 位（0件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-6605478
公報発行日 2019年11月13
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6605478
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