特許 6608757 電子部品収納用パッケージおよび電子装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6608757

(24)【登録日】2019年11月1日

(45)【発行日】2019年11月20日

(54)【発明の名称】電子部品収納用パッケージおよび電子装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/10 20060101AFI20191111BHJP

   H01L 23/02 20060101ALI20191111BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/10 A

   H01L23/02 D

【請求項の数】6

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2016-76618(P2016-76618)

(22)【出願日】2016年4月6日

(65)【公開番号】特開2017-188581(P2017-188581A)

(43)【公開日】2017年10月12日

【審査請求日】2018年11月26日

(73)【特許権者】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(72)【発明者】

【氏名】上之園 竜一

【審査官】 庄司 一隆

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１３−０２１０３１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／５４

Ｈ０１Ｌ ２３／００−２３／２９

Ｈ０１Ｌ ２３／３４−２３／４７３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電子部品の搭載部および該搭載部を囲む蓋体接合部を含む上面、ならびに、蓋体の接合の際に熱が加えられる下面を有する絶縁基板と、
該絶縁基板の前記搭載部に配置されており、前記絶縁基板よりも熱伝導率が小さい台座部と、
前記絶縁基板の前記上面を含む外表面に設けられた配線導体と、
金属材料を含有しており、前記絶縁基板の前記蓋体接合部から前記下面にかけて前記絶縁基板を貫通している貫通金属部とを備えており、
前記台座部上に電子部品が搭載される電子部品収納用パッケージ。

【請求項2】

前記絶縁基板がガラス成分を含有する第１セラミック材料からなり、前記台座部が、前記第１セラミック材料よりもガラス成分の含有率が大きい第２セラミック材料からなることを特徴とする請求項１に記載の電子部品収納用パッケージ。

【請求項3】

前記第１セラミック材料が酸化アルミニウム質焼結体であり、前記第２セラミック材料がガラスセラミック焼結体であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品収納用パッケージ。

【請求項4】

前記第１セラミック材料よりもガラス成分の含有率が大きい第３セラミック材料からなり、前記絶縁基板の前記搭載部よりも下側に積層された補助層をさらに備えることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の電子部品収納用パッケージ。

【請求項5】

前記台座部は、平面視において前記搭載部に搭載される電子部品の外周部のみに接するように配置されている請求項１〜請求項４のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。

【請求項6】

請求項１〜請求項５のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージと、
前記台座部上に搭載された電子部品と、
前記絶縁基板の前記蓋体接合部に接合されて前記電子部品を封止している蓋体とを備えることを特徴とする電子装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子部品が搭載される部位を有する電子部品収納用パッケージおよび電子装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

微小電子機械システム（Micro Electro Mechanical Systems、いわゆるＭＥＭＳ素子）を含む半導体素子またはセンサ素子等の電子部品が収容される電子部品収納用パッケージとして、電子部品の搭載部を有する絶縁基板と、絶縁基板の搭載部から下面等の外表面にかけて設けられた配線導体とを有するものが用いられている。電子部品が搭載部に搭載されるとともに配線導体と電気的に接続される。その後、絶縁基板の上面に蓋体が接合されて搭載部が封止される。これによって、外部電気回路に対して電子部品の電気的な接続が可能な半導体装置等の電子装置が製作される。

【0003】

絶縁基板に対する蓋体の接合は、はんだ等の低融点ろう材またはガラス等の接合材による接合または溶接法等の接合法によって行なわれる。この場合には、接合材の溶融または溶接のために絶縁基板が下面側から加熱される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開2015−65188号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上記従来技術の電子部品収納用パッケージおよび電子装置においては、蓋体接合時に電子部品に加わる熱によって電子部品の正常な作動が妨げられる可能性があった。特に、搭載される電子部品がＭＥＭＳ素子等の耐熱性が比較的低いものである場合には、熱の影響が大きいため、上記のような問題が発生しやすい。また、ＭＥＭＳ素子等では高機能化に応じて素子の大きさ（平面視における外形寸法）が大きくなる傾向があり、蓋体と絶縁基板との接合時に加えられる熱量も大きくなるため、熱による電子部品への影響が顕著になる傾向があった。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の１つの態様の電子部品収納用パッケージは、電子部品の搭載部および該搭載部を囲む蓋体接合部を含む上面、ならびに、蓋体の接合の際に熱が加えられる下面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記搭載部に配置されており、前記絶縁基板よりも熱伝導率が小さい台座部と、前記絶縁基板の前記上面を含む外表面に設けられた配線導体と、金属材料を含有しており、前記絶縁基板の前記蓋体接合部から前記下面にかけて前記絶縁基板を貫通している貫通金属部とを備えており、前記台座部上に電子部品が搭載されるものである。

【0007】

本発明の１つの態様の電子装置は、上記構成の電子部品収納用パッケージと、前記台座部上に搭載された電子部品と、前記絶縁基板の前記蓋体接合部に接合されて前記電子部品を封止している蓋体とを備える。

【発明の効果】

【0008】

本発明の一つの態様の電子部品収納用パッケージによれば、上記構成であることから、絶縁基板の下面側から蓋体接合部を含む上面側に伝導される熱量は、電子部品に対しては熱伝導率が比較的小さい台座部によって効果的に低減される。そのため、電子部品に対する熱の影響を低減して、蓋体を絶縁基板に接合することができる。また、絶縁基板の下面側から加えられる熱を、貫通金属部によって蓋体接合部に効果的に伝導させることができるので、より小さい熱量でも蓋体接合部を効果的に加熱することができ、蓋体接合部に蓋体を容易に接合することができる。これによって、台座部および電子部品に伝わる熱量を効果的に低減することもできる。

【0009】

本発明の一つの態様の電子装置によれば、上記構成の電子部品収納用パッケージを含むことから、電子部品に対する熱の影響を低減することができ、電子部品の正常の作動について有利な電子装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置の一例を示す断面図である。

【図2】図１に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の第１の変形例を示す断面図である。

【図3】図１に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の第２の変形例を示す断面図である。

【図4】図１に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の第３の変形例を示す断面図である。

【図5】図１に示す電子部品収納用パッケージおよび電子装置の第４の変形例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

本発明の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置を、添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に電子部品収納用パッケージおよび電子装置が使用されるときの上下を限定するものではない。また、以下の説明において各部位および材料の熱伝導率として示す数値は、20℃のときの数値である。熱伝導率はレーザフラッシュ法等の方法で測定することができ、実際には市販の各種測定機器で測定することができる。

【0012】

図１は本発明の実施形態の電子部品収納用パッケージおよび電子装置を示す断面図である。上面に凹状の搭載部１ａを有する絶縁基板１と、絶縁基板１の搭載部１ａに配置された台座部２と、絶縁基板１の上面を含む外表面に設けられた配線導体３とによって電子部品収納用パッケージ10が基本的に構成されている。また、この電子部品収納用パッケージ10と、搭載部１ａに搭載されるとともに配線導体３とボンディングワイヤ５等を介して電気的に接続された電子部品４と、搭載部１ａを塞ぐように絶縁基板１に接合された蓋体６とによって、電子装置20が基本的に構成されている。

【0013】

なお、図１では、電子部品収納用パッケージ10の搭載部１ａの底面に台座部２が設けられ、その台座部２上に電子部品４が搭載された状態を示している。また、蓋体６と電子部品収納用パッケージ10とを分けて示している矢印の方向に蓋体６が移動して電子部品収納用パッケージ10の絶縁基板１に接合される。凹状の搭載部１ａが蓋体６で塞がれ、搭載部１ａおよび蓋体６によって構成される容器内に電子部品４が気密封止される。

【0014】

絶縁基板１は、電子部品４を搭載するための基体であり、電子部品４を気密封止する容器を形成するものである。絶縁基板１は、例えば四角形板状である。絶縁基板１の上面には、電子部品４を収容するための凹状の搭載部１ａが設けられている。また、絶縁基板１の上面のうち搭載部１ａを囲む部分は枠状になっている。

【0015】

絶縁基板１の上面のうち搭載部１ａを囲む枠状の部分（蓋体接合部１ｂ）は、上記の蓋体６が接合される部分であり、例えば四角枠状等の範囲である。絶縁基板１の枠状部に対する蓋体６の接合は、例えば、ガラス、樹脂接着剤またはろう材等の接合材７によって行なわれる。例えば、あらかじめ下面の外周部に接合材７が設けられた蓋体６を枠状部に位置合わせした後に、絶縁基板１の下面側からヒーターブロック等で接合材７を加熱して溶融させることによって、蓋体６と絶縁基板１とを接合することができる。

【0016】

このような接合材７による接合の場合、それぞれ複数の絶縁基板１と蓋体６とを互いに位置合わせした状態で、まとめて加熱することでそれぞれに接合することができる。そのため、蓋体６による電子部品４の封止の作業性を高くすることが容易であり、電子装置20の生産性の点では有利である。蓋体６および接合材７の具体例等の詳細については後述する。

【0017】

絶縁基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体（セラミック材料）によって形成されている。絶縁基板１は、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。すなわち、まず酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末を適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形して四角シート状の複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、これらのセラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する。その後、この積層体を1300〜1600℃の温度で焼成することによって絶縁基板１を製作することができる。製作された絶縁基板１は、酸化ケイ素等を含むガラス成分を含有し、ガラス成分（ガラス相）を介して酸化アルミニウム等のセラミック成分の結晶が互いに焼結している。

【0018】

絶縁基板１となる複数のセラミックグリーンシートのうち上側に積層されるものの中央部を機械的な打抜き加工等で打ち抜いて枠状のシートに成形しておけば、搭載部１ａを有する絶縁基板１を製作することができる。枠状のシートの中央の開口部分が、その下側に積層されているセラミックグリーンシート（絶縁層）の上面とともに搭載部１ａを形成する。製作された絶縁基板１は、それぞれがセラミックグリーンシートの焼成されたものである複数の絶縁層（符号なし）が積層されてなる積層体である。

【0019】

配線導体３は、例えば図１に示すように、絶縁基板１の搭載部１ａ内に位置する表面から絶縁基板１の内部を通り、下面にかけて設けられている。配線導体３のうち絶縁基板１の内部に設けられている部分は、いわゆるビア導体を含む内部配線の部分である。図１では、見やすくするために内部配線の部分を省略している。

【0020】

配線導体３のうち搭載部１ａ内に設けられた部分に電子部品４がボンディングワイヤ５を介して電気的に接続される。電子部品４が配線導体３と電気的に接続された電子装置20について、配線導体３のうち絶縁基板１の下面に設けられた部分が外部電気回路（図示せず）とはんだ等の接続材を介して電気的に接続される。これによって、電子部品４と外部電気回路とが互いに電気的に接続される。

【0021】

配線導体３は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金、白金、ニッケルまたはコバルト等の金属材料によって形成されてている。配線導体３は、これらの金属材料を含む合金材料からなるものでもよく、これらの金属材料からなる複数の層が互いに上下に積層されたものでもよい。

【0022】

配線導体３は、例えばタングステンからなる場合であれば、タングステンの粉末を有機溶剤およびバインダ等とともに混練して作製した金属ペーストを、スクリーン印刷法等の方法で絶縁基板１となるセラミックグリーンシートに所定パターンで塗布しておき、これらを同時焼成することによって、形成することができる。

【0023】

配線導体３がビア導体を含む場合であれば、例えば、機械的な打ち抜き加工等の方法で絶縁基板１となるセラミックグリーンシートに貫通孔を形成しておき、この貫通孔内に上記の金属ペースト充填した後に、これらを同時焼成することによって、形成することができる。

【0024】

電子部品４としては、例えば、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）、ＩＣ（Integrated Circuit）等の半導体集積回路素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode、発光ダイオード）等の光半導体素子等の種々の半導体素子が挙げられる。また、電子部品４は、圧電素子、容量素子または抵抗器等の受動部品であってもよい。

【0025】

電子部品４は、例えばＭＥＭＳ素子の場合であれば、シリコン等からなる板状の本体（符号なし）の上面等の表面に、所定の電子回路（図示せず）および微小機械が設けられている。微小機械としては、例えば加速度センサ素子等のセンサ素子、マイクロミラーおよびマイクロスイッチ機構等の機械的な動作を行なうものが挙げられる。

【0026】

電子部品収納用パッケージ10の搭載部１ａに配置されている台座部２は、搭載部１ａと電子部品４との間に介在する部分であり、電子部品４が実際に搭載される部分である。すなわち、電子部品４は、搭載部１ａの底面ではなく台座部２の上面に載った形態で、搭載部１ａ内に収容される。

【0027】

台座部２は、絶縁基板１よりも熱伝導率が小さい。そのため、前述したように蓋体６を絶縁基板１に接合するときに、接合材７を加熱する熱が電子部品４に伝わることを効果的に抑制することができる。

【0028】

台座部２は、例えば絶縁基板１よりもガラス成分の含有率が大きいセラミック材料によって形成されている。ガラス成分は、例えば酸化ケイ素またはホウケイ酸ガラス等であり、熱伝導率が約１〜２Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。これに対して、セラミック材料に含まれているガラス成分以外の成分は、例えば酸化アルミニウムの熱伝導率が約30Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。そのため、ガラス成分の含有率がより大きいセラミック材料で形成された台座部２の熱伝導率を、絶縁基板１の熱伝導率よりも小さくすることができる。

【0029】

具体的な例としては、絶縁基板１が、酸化アルミニウムを約90〜95質量％程度含有し、残部がガラス成分を含有するものであるときに、台座部２を、ガラス成分を約50質量％以上含有するガラスセラミック焼結体からなるものとすればよい。この場合、絶縁基板１の熱伝導率は約12〜30Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、台座部２の熱伝導率は約１〜３Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度である。すなわち、上記程度のガラス成分の差があれば、台座部２の熱伝導率を十分に（約１桁程度）小さく抑えることができる。

【0030】

なお、絶縁基板１の熱電伝導率に対して台座部２の熱伝導率をどの程度小さく設定すればよいかは、上記の例には限定されず、蓋体６の接合時に加えられる熱量、電子部品４の耐熱性、電子装置20に求められる信頼性、台座部２の作製および絶縁基板１への取り付けの容易さ、絶縁基板１の伝導率、後述の台座部２を絶縁基板１に接合する接合材および経済性等の条件に応じて適宜設定すればよい。

【0031】

上記の例は、絶縁基板１がガラス成分を含有する第１セラミック材料からなり、台座部２が、第１セラミック材料よりもガラス成分の含有率が大きい第２セラミック材料からなる場合である。この場合には、ガラス成分を絶縁基板１と台座部２との接合用の材料として用いることができる。これによって、絶縁基板１と台座部２との接合の強度を高めることができる。またこれらの接合の作業性を向上させることもできる。

【0032】

この場合、第１セラミック材料である酸化アルミニウム質焼結体のガラス成分の含有率は、上記例の通り約５〜10質量％程度である。また、第２セラミック材料であるガラスセラミック焼結体におけるガラス成分の含有率は約50質量％以上であり、約80質量％以下で
ある。また、この場合のガラス成分は、例えば、酸化ケイ素を主成分とするもの（石英ガラス等）、または酸化ケイ素と酸化ホウ素とを主成分とするもの（ホウケイ酸ガラス等）である。

【0033】

なお、絶縁基板１および台座部２は、上記の例には限定されない。つまり、絶縁基板１および台座部２の機械的な強度の確保、台座部２への電子部品４の接合の強度および信頼性等の電子部品収納用パッケージ10としての特性および信頼性の確保が可能であり、かつ絶縁基板１よりも台座部２の熱伝導率が小さいものであれば、適宜、材料を選択して用いることができる。例えば、絶縁基板１がチッ化アルミニウム質焼結体（熱伝導率が約70〜150Ｗ／（ｍ・Ｋ））からなり、台座部２がチッ化ケイ素質焼結体（熱伝導率が約20〜50
Ｗ／（ｍ・Ｋ））からなるものでもよい。

【0034】

また、上記の例において、第１セラミック材料が酸化アルミニウム質焼結体であり、第２セラミック材料がガラスセラミック焼結体であってもよい。この場合にも、絶縁基板１と台座部２との接合の強度および作業性の向上に対して有効である。また、絶縁基板１の機械的な強度の点でも有利である。

【0035】

台座部２は、ガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、セラミック材料からなるときの絶縁基板１と同様に、次のような方法で製作することができる。まず、酸化酸化ケイ素および酸化アルミニウム等の原料粉末を用い、ガラス成分の含有率を絶縁基板１のときよりも多くして、セラミックグリーンシートを作製する。次に、セラミックグリーンシートを所定の形状および寸法に切断する。その後、この切断した材料を約900〜1000℃の
温度で焼成することによって、ガラスセラミック焼結体からなる台座部２用の部材を製作することができる。台座部２用の部材は、例えばガラス、樹脂接着剤またはろう材等の接合材（図示せず）によって絶縁基板１に接合することができ、これらの工程によって台座部２を絶縁基板１の所定位置に配置することができる。

【0036】

また、絶縁基板１と台座部２との間でガラス成分の含有率の差が小さく、焼成温度が近ければ、絶縁基板１用のセラミックグリーンシートに台座部２用のセラミックグリーンシートを積層して、これらを同時焼成する方法で台座部２および絶縁基板１を一体的に作製することもできる。

【0037】

台座部２は、平面視において例えば四角形状であり、電子部品４の下面の外周部において電子部品４と絶縁基板１との間に介在している。電子部品４の下面の外周部のうち台座部２に接する部分は、四角板状の電子部品４の下面の辺の全長にわたるものでもよく、コーナー部のみであってもよい。電子部品４に対する熱の伝導を抑制する上では、台座部２と電子部品４との互いに接し合う面積が小さいほどよい。また、電子部品４の台座部２を介した絶縁基板１に対する機械的な接続の強度を高める上では、台座部２と電子部品４との互いに接し合う面積が大きいほどよい。

【0038】

また、台座部２は、電子部品４の下面の外周部に限らず、中央部等にも配置されていてよい。中央部にも台座部（図示せず）を配置したときには、台座部２を介した電子部品４の絶縁基板１に対する機械的な接続の強度を高めることもできる。

【0039】

台座部２の高さ（搭載部１ａから台座部２の上面までの上下方向の距離）は、電子部品４に伝わる熱量の低減の上では高い方がよい。また、台座部２に加わる力のモーメントの低減、つまり絶縁基板１からの剥がれにくさを考慮すれば、台座部２の高さは小さい方がよい。台座部２の高さは、このような条件を考慮して適宜設定する。例えば、絶縁基板１が酸化アルミニウム質焼結体からなり、台座部２がガラスセラミック焼結体からなる場合に、電子部品４が光学系のＭＥＭＳ素子等であり、後述するように蓋体６がガラスを含む
接合材７によって絶縁基板１に接合されるようなときには、台座部２の高さは約0.1〜1.0mm程度に設定すればよい。

【0040】

なお、台座部２の高さは、上記のような熱的な要素以外の要素も考慮して設定するようにしてもよい。例えば、この電子部品収納用パッケージ10を含む電子装置20としての低背化の点では、台座部２の高さが小さいほどよい。この場合には、電子部品４に伝わる熱量を所望の程度に抑制できる範囲のうち最小の高さで、台座部２を設ければよい。

【0041】

また、台座部２は、平面視において搭載部１ａに搭載される電子部品４の外周部のみに接するように配置されているものであって構わない。この場合には、例えば平面視において電子部品４の中央部に配置されている機能部分に伝導される熱量を低減することもできる。

【0042】

蓋体６は、前述したように絶縁基板１の枠状部に接合されて搭載部１ａを塞ぐものであり、電子部品４を気密封止するための封止材として機能する。また、絶縁基板１の枠状部に対する蓋体６の接合の際には、接合材７を溶融させるために絶縁基板１の下面側から熱が加えられる。この熱は、絶縁基板１の内部を伝導によって移動し、枠状部に供給される。この熱によって、枠状部上に位置決めされた接合材７が溶融する。その後、溶融した接合材７が冷却固化して、蓋体６と絶縁基板１とが接合材７によって互いに接合される。

【0043】

蓋体６は、石英ガラス等のガラス材料、アクリル樹脂等等の透光性のものを含む樹脂材料、セラミック材料または鉄−ニッケル合金を含む鉄系合金等の金属材料によって形成されている。マイクロミラー等の光学素子を含む光学系のＭＥＭＳ素子または光半導体素子が電子部品４として用いられる場合には、可視光または赤外線等の光の透過が可能な材料が蓋体６を形成する材料として用いられる。例えば光が可視光の場合であれば、石英ガラス等の透明なガラス材料が蓋体６を形成する材料として用いられる。電子部品４がマイクロミラー構造のＭＥＭＳ素子の場合であれば、画像情報に応じて反射角度が設定されたマイクロミラーで反射された光が蓋体６を透過し、外部に画像を映す。

【0044】

接合材７は、あらかじめ蓋体６の下面の外周部（枠状部に対向する位置）に配置されていてもよい。例えば接合材７がガラスであるときには、ガラスおよび熱硬化樹脂等のペーストまたは板状のもの（フィルム等）が蓋体６の下面に塗布または融着等の方法で接合されて、配置される。

【0045】

接合材７は、例えば、絶縁基板１および蓋体６等を形成している材料の種類等の条件に応じて、適当な材料からなるものを適宜選んで用いる。例えば、蓋体６がガラス材料からなり、絶縁基板１がセラミック材料からなるときには、接合材７はガラス材料からなるものを用いるようにすればよい。

【0046】

接合材７用のガラス材料としては、例えば、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス材料が挙げられる。接合材７がガラスを含むものである場合には、接合材７を約400℃程
度まで加熱して溶融させる必要がある。このような場合でも、実施形態の電子部品収納用パッケージ10のように台座部２が設けられていれば、電子部品４に伝わる熱量を効果的に低減して、電子部品４の熱による破壊を抑制することができる。

【0047】

図２は、図１に示す電子部品収納用パッケージ10および電子装置20の第１の変形例を示す断面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。図２に示す例において、電子部品収納用パッケージ10および電子装置20は、金属材料を含有しており、絶縁基板１の蓋体接合部１ｂから下面にかけて絶縁基板１を貫通している貫通金属部８をさらに有している。

【0048】

この場合には、絶縁基板１の下面側から加えられる熱を、貫通金属部８によって蓋体接合部１ｂに効果的に伝導させることができる。この場合には、より小さい熱量でも蓋体接合部１ｂを効果的に加熱することができ、蓋体接合部１ｂに接合材７を介して蓋体６を容易に接合することができる。また、これによって、台座部２および電子部品４に伝わる熱量を効果的に低減することもできる。

【0049】

貫通金属部８は、例えば配線導体３（特にビア導体）と同様の金属材料を用い、同様の方法で形成することができる。例えば、まず、絶縁基板１の上面から下面にかけて貫通する貫通孔を絶縁基板１となる複数のセラミックグリーンシートに形成する。次に、これらの貫通孔内に上記と同様の金属ペーストを充填した後に複数のセラミックグリーンシートを、それぞれの貫通孔同士が互いに上下連続するように位置合わせして積層する。その後、この積層したものを同時焼成することによって、貫通金属部８と絶縁基板１とを一体的に製作することができる。

【0050】

また、図２に示す例において、貫通金属部８の下端に下部金属層８ａが設けられている。下部金属層８ａは、複数の貫通金属部８の下端同士を互いにつなぐような形状および面積である。そのため、下部金属層８ａは、これらの貫通金属部８の下端周辺の絶縁基板１の下面に延びている。下部金属層８ａについても、配線導体３と同様の金属材料を用い、同様の方法で形成することができる。

【0051】

下部金属層８ａが設けられている場合には、下部金属層８ａと配線導体３との電気絶縁性を確保することができるように、配線導体３の位置を調整する。図２に示す例では、絶縁基板１の下面の配線導体３の位置が、下部金属層８ａよりも内側（絶縁基板１の下面の中央部に近い側）になっている。

【0052】

なお、貫通金属部８は、平面視において、例えば搭載部１ａを囲むような複数の位置、つまり平面視で枠状の蓋体接合部１ｂの全周に、互いに一定の間隔あけて設けてもよい。この場合には、蓋体接合部１ｂの全周を効果的に加熱することができる。そのため、蓋体６の接合の作業性および強度等の向上において有利である。

【0053】

また、図２のような縦断面視において、貫通金属部８は、３つが互いに隣り合うような形態に限らず、１つまたは２つでもよく、４つ以上でもよい。また、貫通金属部８の平面視における形状は、上記のような貫通金属部８用の貫通孔の形成のしやすさを考慮すれば円形状が好ましいが、これに限らず、楕円形状または四角形状を含む多角形状等でもよく、互いに異なる形状のものを含んでいてもよい。

【0054】

図３は、図１に示す電子部品収納用パッケージ10および電子装置20の第２の変形例を示す断面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。図３に示す例において、電子部品収納用パッケージ10および電子装置20は、第１セラミック材料よりもガラス成分の含有率が大きい第３セラミック材料からなり、絶縁基板１の搭載部１ａよりも下側に積層された補助層９をさらに有している。

【0055】

この場合には、絶縁基板１の下面から搭載部１ａの方向への熱の伝導が補助層９によって効果的に抑制される。そのため、台座部２および電子部品４に伝わる熱量を効果的に低減することができる。

【0056】

このような効果を得るために、補助層９は、平面透視で搭載部１ａと重なる領域に配置されている。また、補助層９は、平面搭載で蓋体接合部１ｂと重なる領域には配置されていない。これによって、搭載部１ａに伝導される熱量の低減と、蓋体接合部１ｂに伝送さ
れる熱量の確保とがあわせて可能になっている。

【0057】

第３セラミック材料は、例えば第２セラミック材料と同様のものでもよく、第２セラミック材料よりもさらにガラス成分の含有率が小さい材料でもよい。このような補助層９は、例えば第２セラミック材料からなる台座部２と同様の方法で所定位置に設けることができる。

【0058】

なお、補助層９の厚みは、図３に示す例では、補助層９の下面が絶縁基板１の下面と同じ高さにになるような厚みに設定されている。これによって、例えば補助層９の下面が絶縁基板１の下面よりも下側に位置して、電子装置20と外部電気回路との電気的な接続が補助層９の下部で妨げられるような可能性が低減される。また、電子部品収納用パッケージ10に蓋体６を接合するときに、電子部品収納用パッケージ10の下側に配置されるヒータ等の熱源から絶縁基板１の下面に加えられる熱量が補助層９によって低減され、電子部品４に伝導される熱量も効果的に低減することができる。

【0059】

また、補助層９の厚みは、一部で他の部分と異なるようなものでもよい。例えば、平面透視で台座部２と重なる部分で他の部分よりも厚いものでもよい。この場合には、台座部２に伝わる熱量をより効果的に低減することができる。また、台座部２の下端まで補助層９の一部が延びて（絶縁層１を厚み方向に貫通して）いても構わない。つまり、台座部２と補助層９の一部とが一続きになって、台座部２に伝わる熱量を低減するようにしてもよい。

【0060】

図４は、図１に示す電子部品収納用パッケージ10および電子装置20の第３の変形例を示す断面図である。図４において図１と同様の部位には同様の符号を付している。図４に示す例においては、絶縁基板１の下面に凹部１ｃが設けられている。

【0061】

この場合には、絶縁基板１の下面から搭載部１ａの方向への熱の伝導が凹部１ｃ（つまり凹部１ｃ内の空気等）によって効果的に抑制される。そのため、台座部２および電子部品４に伝わる熱量を効果的に低減することができる。

【0062】

凹部１ｃについても、上記のような熱量低減の効果を得るために、平面透視で搭載部１ａと重なる領域に設けられている。また、凹部１ｃは、平面搭載で蓋体接合部１ｂと重なる領域には配置されていない。これによって、搭載部１ａに伝導される熱量の低減と、蓋体接合部１ｂに伝送される熱量の確保とがあわせて可能になっている。

【0063】

凹部１ｃは、例えば次のようにして形成することができる。まず、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートのうち最下層のものの中央部を打ち抜いて枠状に加工しておく。その後、この枠状のセラミックグリーンシートを他のセラミックグリーンシートと積層して同時焼成することによって、下面に凹部１ｃを有する絶縁基板１を製作することができる。

【0064】

図５は、図１に示す電子部品収納用パッケージ10および電子装置20の第４の変形例を示す断面図である。図５において図１と同様の部位には同様の符号を付している。図５に示す例においては、絶縁基板１の下面に補助層９が設けられているとともに、蓋体接合部１ｂから下面にかけて絶縁基板１を貫通している貫通金属部８をさらに有している。

【0065】

この場合には、貫通金属部８による蓋体接合部１ｂへの熱の伝導を容易とする効果と、補助層９による熱伝導の抑制の効果とをあわせて得ることができる。したがって、台座部２および電子部品４に伝わる熱量を効果的に低減することができる。

【0066】

この例においても、貫通金属部８の下端には下部金属層８ａが接続されている。また、絶縁基板１の下面に設けられた配線導体３についても、下部金属層８ａから離れた位置にある。

【符号の説明】

【0067】

１・・・絶縁基板
１ａ・・・搭載部
１ｂ・・・蓋体接合部
１ｃ・・・凹部
２・・・台座部
３・・・配線導体
４・・・電子部品
５・・・ボンディングワイヤ
６・・・蓋体
７・・・接合材
８・・・貫通金属部
８ａ・・・下部金属層
９・・・補助層
10・・・電子部品収納用パッケージ
20・・・電子装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】