特許 6612906 太陽電池

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6612906

(24)【登録日】2019年11月8日

(45)【発行日】2019年11月27日

(54)【発明の名称】太陽電池

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/0224 20060101AFI20191118BHJP

   H01L 31/0236 20060101ALI20191118BHJP

   H01L 31/048 20140101ALI20191118BHJP

   H01L 31/068 20120101ALI20191118BHJP

【ＦＩ】

   H01L31/04 260

   H01L31/04 280

   H01L31/04 560

   H01L31/06 300

【請求項の数】8

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2018-10846(P2018-10846)

(22)【出願日】2018年1月25日

(62)【分割の表示】特願2015-549363(P2015-549363)の分割

【原出願日】2013年6月20日

(65)【公開番号】特開2018-82212(P2018-82212A)

(43)【公開日】2018年5月24日

【審査請求日】2018年1月25日

(31)【優先権主張番号】13/725,580

(32)【優先日】2012年12月21日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】505379467

【氏名又は名称】サンパワー コーポレイション

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】リム、スン バム

(72)【発明者】

【氏名】ハーレー、ガブリエル

【審査官】 佐竹 政彦

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１２／１３４８６６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１２−２５３２７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２０３１５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１６−５０２２８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／１１２１９１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１１／００９２０１４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ３１／００−３１／０７８、３１／１８−３１／２０

ＩＥＥＥ Ｘｐｌｏｒｅ

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

通常の動作中に太陽に面する表側と、前記表側と反対側の裏側とを有する基板と、
前記基板の前記表側上の封入材料と、
前記封入材料上の透明層と、
前記基板の前記裏側上のＰ型ドープ領域及びＮ型ドープ領域と、
前記Ｐ型ドープ領域及び前記Ｎ型ドープ領域上の第１誘電体と、
前記第１誘電体を通って前記Ｐ型ドープ領域と電気的に接続される第１接点と、前記第１誘電体を通って前記Ｎ型ドープ領域と電気的に接続される第２接点とを有する金属箔と、
前記金属箔を前記第１誘電体に接着する接着層と、
を備え、
前記金属箔は、前記基板の外辺部を越えて延びる、
太陽電池。

【請求項2】

前記接着層はエポキシを含む、請求項１に記載の太陽電池。

【請求項3】

前記透明層はガラスを含む、請求項１又は２に記載の太陽電池。

【請求項4】

前記基板の前記表側は、テクスチャ加工される、請求項１から３のいずれか一項に記載の太陽電池。

【請求項5】

前記基板は、シリコンを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽電池。

【請求項6】

前記金属箔は、アルミニウムを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の太陽電池。

【請求項7】

前記金属箔は、Ａｌ−ｘ％Ｓｉを含み、ｘ％は、０％から３％までの範囲である、請求項１から６のいずれか一項に記載の太陽電池。

【請求項8】

前記第１接点と前記第２接点との間に指部分離のパターンをさらに備え、前記指部分離のパターンは、前記第１接点を前記第２接点から電気的に分離する、請求項１から７のいずれか一項に記載の太陽電池。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書に記載する主題の実施形態は、広くは太陽電池に関する。より詳細には、主題の実施形態は、太陽電池の製造プロセス及び構造に関する。

【背景技術】

【0002】

太陽電池は、太陽放射光を電気エネルギーに変換するための周知のデバイスである。太陽電池は、太陽放射光を集めるために通常の動作中に太陽に面する表側と、表側と反対側の裏側と、を有する。太陽電池に当たった太陽放射光は、負荷などの外部電気回路に電力を供給するために利用することができる電荷を作り出す。

【0003】

太陽電池の製造プロセスは通常、マスキング、エッチング、成長、拡散及び他の工程など、多数の工程を含む。本発明の実施形態は、有利な太陽電池プロセスを提供する。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0004】

一実施形態は、太陽電池の製造方法に関する。シリコン薄膜は、シリコン基板から劈開される。シリコン薄膜の裏側は、Ｐ型ドープ領域及びＮ型ドープ領域を含む。シリコン薄膜の裏側には、金属箔が取り付けられる。金属箔は、シリコン薄膜の表側の処理中にシリコン薄膜を処理するための組込みキャリアとして有利に使用されてもよい。

【0005】

別の実施形態は、裏側にＰ型ドープ領域及びＮ型ドープ領域を有するシリコン薄膜を含む太陽電池に関する。金属箔は薄膜の裏側に接着され、金属箔とドープ領域との間に接点が形成される。

【0006】

別の実施形態は、金属箔をシリコン基板の裏側に接着する工程を含む、太陽電池の製造方法に関する。シリコン薄膜はその後、シリコン基板の裏側から分離されてもよい。金属箔は、シリコン薄膜の表側の処理中にシリコン薄膜を処理するための組込みキャリアとして使用される。

【0007】

本発明の、これらの実施形態及び他の実施形態、態様並びに特徴は、添付の図面及び特許請求の範囲を含む本開示全体を読み解くことで当業者にとって容易に明らかになるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0008】

発明を実施するための形態、及び特許請求の範囲を、以下の複数の図面と併せて考察し、参照することによって、本主題のより完全な理解を得ることができる。同様の参照番号は複数の図面を通じて同様の要素を指し示す。複数の図面は、一律の倍率で描かれていない。

【0009】

【図1】本発明の実施形態による太陽電池の製造を概略的に図示する断面図である。

【図2】本発明の実施形態による太陽電池の製造を概略的に図示する断面図である。

【図3】本発明の実施形態による太陽電池の製造を概略的に図示する断面図である。

【図4】本発明の実施形態による太陽電池の製造を概略的に図示する断面図である。

【図5】本発明の実施形態による太陽電池の製造を概略的に図示する断面図である。

【図6】本発明の実施形態による太陽電池の製造を概略的に図示する断面図である。

【0010】

【図7】本発明の実施形態による太陽電池の製造方法のフロー図である。

【0011】

【図8】本発明の代替実施形態による太陽電池の製造方法のフロー図である。

【0012】

【図9】図８の方法によって製造された製造済み太陽電池の断面図である。

【0013】

【図10】本発明の実施形態による、シリコン薄膜の裏側を覆う金属箔の平面図である。

【0014】

【図11】本発明の別の実施形態による、薄いシリコン太陽電池の製造方法のフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

本開示では、本発明の実施形態の十分な理解を提供するために、装置、構造、材料及び方法の例など、多数の具体的な詳細を提供している。しかしながら、当業者であれば、本発明はこれらの具体的な詳細のうちの１又は複数を欠いても実施できることは理解されよう。その他の場合では、本発明の態様を不明瞭にすることを避けるため、周知の詳細については図示又は説明していない。

【0016】

本開示は、金属箔を使用して薄いシリコン太陽電池を形成するための技法を提供する。有利なことに、金属箔は、それなしでは脆弱なシリコン薄膜を処理するための組込みキャリアとして、この薄膜の表側の処理中に使用されてもよい。引き続いて、金属箔は、薄膜の裏側にあるＰ型エミッタ及びＮ型エミッタに対する複数の金属指部及び複数の接点を形成するために再利用されてもよい。

【0017】

図１〜図６は、本発明の実施形態による薄いシリコン太陽電池の製造を概略的に図示する断面図である。図１に示されているのは、その上にＰ型ドープ（Ｐ＋）領域１０４及びＮ型ドープ（Ｎ＋）領域１０６が形成されたシリコン基板１０２であり、これらの領域は基板１０２の裏側に形成されている。Ｐ＋及びＮ＋ドープ領域は、製造される太陽電池との関連においては、Ｐ型エミッタ及びＮ型エミッタと称されてもよい。図１に示された裏面電極型太陽電池では、複数のエミッタ及び対応する複数の接点が太陽電池の裏側に設けられる。ドープ領域は、例えば、ドーパントをドーパント源から拡散することによって形成されてもよい。

【0018】

薄い誘電体層１０８は、電気的絶縁、不動態化及び／又は他の目的のために、裏側のＰ＋及びＮ＋領域上に形成されてもよい。誘電体層１０８は、例えば、シリコン酸化物及び／又はシリコン窒化物を含んでもよい。代替的に、誘電体層１０８を形成する以外の手段、例えば、化学的不動態化などによって、エミッタの表面が不動態化されてもよい。

【0019】

図１の太陽電池の構造は、「イオン注入器」とも称されるイオン注入工具内に配置されてもよい。イオン注入器は、図２に示されるように、予め定められたの注入深度２０２においてイオンを注入するために使用されてもよい。イオンは水素イオン（すなわち陽子）であってもよい。代替実施形態では、他のイオンが注入されるか又は水素と共に注入されてもよい。例えば、ヘリウムイオンが水素イオンの代わりに注入されるか又は水素イオンと共に注入されてもよい。注入量は注入深度において欠陥を生じさせるため、注入深度の上にあるシリコンの平面薄膜は、注入深度の下にある残りのシリコン基板から分離又は剥離されてもよい。注入エネルギーは注入深度を制御し、剥離後の薄いシリコン基板の厚みを制御する。例えば、薄い薄膜を１０マイクロメートル〜１００マイクロメートルの範囲内の厚みで劈開するために、注入エネルギーが較正されてもよい。剥離は、基板を高温で加熱することによって実現されてもよい。

【0020】

図３に示されるように、金属箔３０６は、シリコン薄膜３０２の裏側における誘電体層１０８に接着されてもよい。金属箔３０６は、アルミ箔であってもよい。その箔を薄膜のキャリアとして使用することを容易にするために、シリコン薄膜３０２の外辺部を越えて金属箔３０６の拡張領域（処理領域）を延ばしてもよい。例示的実装では、金属箔３０６の組成物がＡｌ−１％Ｓｉ（９９％のアルミニウム及び１％のシリコン）又はより一般的にはＡｌ−ｘ％Ｓｉであってもよく、ｘ％は０％〜３％である。アルミ箔の他の組成物が使用されてもよい。例えば銀箔など、アルミニウム以外の金属箔を使用することもできる。

【0021】

一実施形態では、金属箔３０６をシリコン薄膜３０２の裏側に接着するために、接着層３０４が使用されてもよい。接着層３０４は、エポキシ、シリコン、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）又は基板の裏側に塗布される他の封入材料の薄い層であってもよい。一実装では、接着層が、接着前に金属箔に予め塗布されたコーティングであってもよい。

【0022】

代替実施形態では、金属箔３０６が、金属箔３０６と基板の裏側との間の接触点のアレイを使用して、基板の裏側に接着されてもよい。接触点は、例えばパルスレーザを使用した金属箔の点融解によって形成されてもよい。この実施形態では、接着層３０４は不要である。接触点間の箔の下のエアギャップは、箔を平坦化することによって除去されてもよい。

【0023】

図４に示されるように、薄膜を支持するための組込み又は一体型キャリアとして箔を使用した場合、薄膜３０２の表側の表面４０２がテクスチャ加工及び不動態化されてもよい。表面のテクスチャ加工はシリコンの表面が光を吸収する能力を増大させるために機能し、表面の不動態化は表面における電荷の再結合を低減するために機能する。表面のテクスチャ加工は、例えば、湿式表面エッチングプロセスを使用して実現されてもよい。表面の不動態化は、化学的不動態化又は他の手段によって実現されてもよい。

【0024】

その後、ガラス封入プロセスがシリコン薄膜３０２の表側で実施されてもよい。図５は、封入材料５０３を使用して表側に取り付けられた、結果として得られたガラス層５０２を示す。

【0025】

図６に示されるように、その後更なる工程が、シリコン薄膜３０２の裏側で実施されてもよい。これらの工程は、対応するＰ＋領域１０４及びＮ＋領域１０６にそれぞれ電気で連結するために、コンタクトホール内に金属接点６０４及び６０６を形成する工程を含む。金属接点６０４の第１のセットは金属箔３０４からＰ＋領域１０４までであってもよく、金属接点６０６の第２のセットは金属箔３０４からＮ＋領域１０６まで形成されてもよい。一実施形態では、金属接点６０４及び６０６が、レーザベースの接点形成プロセスを使用して形成されてもよい。このようなプロセスでは、製造される太陽電池の裏側全体にわたって、レーザスキャナがパルスレーザビームを制御可能に走査してもよい。パルスレーザビームは接着層３０４及び誘電体層１０８を貫通する複数の接触開口部を形成してもよく、複数の接触開口部は箔３０６から融解した金属によって充填されてもよい。

【0026】

更に、金属接点６０４の第１のセットを金属接点６０６の第２のセットから電気的に分離するために、指部分離６０８のパターンが箔エリア上に形成されてもよい。指部分離６０８は、複数の接点に至る箔の指部が互いに嵌合するように構成されてもよい。

【0027】

図７は、本発明の実施形態による薄いシリコン太陽電池を製造する例示的方法７００のフロー図である。図７の例示的方法７００では、最初にブロック７０２で複数のエミッタ領域がシリコンウェハ上に形成されてもよい。シリコンウェハは数百マイクロメートルより大きいか等しい厚みであってもよく、厚いハンドルウェハと称されてもよい。複数のエミッタ領域は、Ｐドープ領域及びＮドープ領域の両方を含み、図１に示されるようにウェハの裏側に形成されてもよい。

【0028】

ブロック７０４では、薄いシリコン薄膜がシリコンウェハから劈開されてもよい。例えば、シリコン薄膜は１０マイクロメートル〜１００マイクロメートルの厚みであってもよい。一実装では、図２に関連して前述したように、イオン注入及び剥離を使用した劈開が実施されてもよい。代替的に、ウェハの表側から犠牲層を剥離又はエッチングすることによって劈開が実施されてもよい。

【0029】

ブロック７０６では、図３に関連して上述したように、金属箔がシリコン薄膜に接着されてもよい。具体的には、金属箔がシリコン薄膜の裏側表面に接着されてもよい。金属箔は、薄いシリコン薄膜に対する機械的な支持を提供するために、５０マイクロメートル〜１ミリメートルの厚みであってもよい。箔を薄膜のキャリアとして使用することを容易にするために、シリコン薄膜の外辺部を越えて金属箔の拡張領域（処理領域）を延ばしてもよい。一実装では、金属箔とシリコン薄膜との間の複数の接点を加熱するためにレーザを使用することによって、接着が実現されてもよい。別の実装では、金属箔にコーティングされた薄い接着層を使用して、接着が実現されてもよい。

【0030】

シリコン薄膜の表側表面を処理することができるように、ブロック７０８で、金属箔がシリコン薄膜を処理するための一体型キャリアとして使用されてもよい。表側表面の処理は、図４に関連して上述したように、テクスチャ加工及び不動態化を含んでもよい。表面のテクスチャ加工及び不動態化は、例えば、表側表面をエッチング及び不動態化するために薄膜を薬液に浸漬することによって実現されてもよい。引き続いて、金属箔援用シリコン薄膜の表側が、図５に関連して上述したように、ガラスラミネーション法を使用して処理されてもよい。表側の処理に引き続いて、金属箔の拡張領域（処理領域）がトリミングされてもよい。

【0031】

ブロック７１０では、複数の接点が金属箔から複数のエミッタ領域まで形成されてもよい。図６に関連して上述したように、形成された複数の接点は、複数のＰドープエミッタ領域１０４に対する接点６０４の第１のセットと、複数のＮドープエミッタ領域１０６に対する接点６０６の第２のセットを含んでもよい。更に、接点の第１のセット及び第２のセットを電気で分離するために、指部分離６０８のパターンが箔上に形成されてもよい。

【0032】

代替実施形態では、連続した金属箔層を裏側に接着する工程と、それに引き続いて、箔が裏側に取り付けられる間に指部分離パターンを作製する工程と、に代わって、金属箔がシリコン薄膜の裏側に塗布される前に、指部分離パターンが金属箔内に予め形成されてもよい。図８は、本発明の実施形態による、そのように予めパターン成形された金属箔を使用する薄いシリコン太陽電池を製造する代替方法８００のフロー図である。

【0033】

図８に示されるように、ブロック７０４で薄いシリコン薄膜がウェハから劈開された後、８０６では、予めパターン成形された金属箔がシリコン薄膜の裏側と副基板との間に挟まれてもよい。金属箔のパターン成形は、Ｐ型接点とＮ型接点との間の指部分離を実現する。副基板は、レーザ光線がそれを通って伝送され得るように、透明であってもよい。副基板は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）層又はフルオロポリマ層などの剛性ポリマ層であってもよい。その後、ブロック８０７では、複数の接点が金属箔と複数のエミッタ領域との間に形成されてもよい。複数の接点の形成は、例えば、複数の接触開口部を作製し、複数の接点箔から融解した金属をそれらの複数の開口部内に流し込むために、副基板を通って伝送されるパルスレーザを使用して実現されてもよい。その後、ブロック７０８では、図７に関連して上述したように、表側表面が処理されてもよい。表側の処理に引き続いて、金属箔の拡張領域（処理領域）がトリミングされてもよい。

【0034】

図９は、図８の方法８００によって製造された、製造済みの薄いシリコン太陽電池の断面図である。図９に示されるように、予めパターン成形された指部分離９０８が設けられた金属箔３０６は、副基板９０２とシリコン薄膜３０２の裏側との間に挟まれる。更に、Ｐ型接点９０４及びＮ型接点９０６が示されている。上述したように、これらの接点は、透過的な副基板９０２を通ってパルスレーザを伝送することによって形成されてもよい。

【0035】

図１０は、本発明の実施形態による、シリコン薄膜の裏側を覆う金属箔の平面図である。図１０の図は、薄膜の裏側を覆う箔の部分１００４と、薄膜の外辺部１００２を越えて延びる箔の拡張領域１００６と、を示す。拡張領域１００６は、外辺部の１又は複数の辺を越えて延びていてもよく、外辺部の全ての辺を越えて延びている必要はないことに留意されたい。

【0036】

図１１は、本発明の別の実施形態による、薄いシリコン太陽電池を製造する方法１１００のフロー図である。図１１の例示的方法１１００では、ブロック１１０２で、犠牲層がシリコン基板上に形成されてもよい。

【0037】

犠牲層は、バイアスがかかったＨＦ溶液内で形成されるものなどの多孔質シリコンから構成されてもよい。代替的に、犠牲層は、例えばゲルマニウムドーピング及び／又は炭素ドーピングを有するシリコンであってもよく、これらのいずれもエピタキシャル成長又は化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスによって形成され得る。犠牲層は、約７００マイクロメートルのオーダーの薄いものであってもよいが、本明細書に記載する機能を実施するために特定の実施形態に所望されるように、僅かに又は有意により厚い又は薄いものであってもよい。例えば、ある実施形態では、犠牲層は、１０マイクロメートルの薄いものであってもよい。ある場合には、より薄い厚みも使用されてもよい。

【0038】

その後、ブロック１１０４では、シリコンのエピタキシャル層が犠牲層上に成長してもよい。ブロック１１０６では複数のエミッタ領域がエピタキシャル層内に形成されてもよく、ブロック１１０８では誘電体層が複数のエミッタ領域上に形成されてもよい。

【0039】

その後、ブロック１１１０では、金属箔が複数のエミッタ領域上に接着されてもよい。引き続いて、ブロック１１１２では、エピタキシャルリフトオフが選択湿式エッチング又はさもなければ犠牲層の除去によって実施されてもよい。リフトオフの後、エピタキシャル層は太陽電池のシリコン薄膜となる。プロセスのこの時点における構造体の断面図は、図３に示された図に対応している。本明細書で開示されているように、金属箔は、構造的支持及び一体型キャリア機能をシリコン薄膜に提供する。

【0040】

引き続いて、ブロック７０８では、表側表面が処理されてもよい。その後、ブロック７１０では、金属箔と複数のエミッタ領域との間に複数の接点が形成されてもよい。すなわち、ブロック１１１０でのエピタキシャルリフトオフの後、図４〜図６に関連して上述したように、処理が続けられてもよい。

【0041】

ここまで、金属箔を使用して薄いシリコン太陽電池を形成するための技法を開示した。有利なことに、金属箔は、それなしでは脆弱なシリコン薄膜を処理するための組込みキャリアとして、この薄膜の表側の処理中に使用されてもよい。引き続いて、金属箔は、Ｐ型エミッタの接点及びＮ型エミッタの接点及び金属指部を薄膜の裏側に形成するために再利用されてもよい。

【0042】

本発明の具体的な実施形態を提供したが、これらの実施形態は説明を目的としたものであり、限定的なものでないことは理解されよう。多くの更なる実施形態が、本開示を読む当業者には明らかとなろう。
［項目１］
太陽電池を製造する方法であって、
シリコン薄膜の裏側がＰ型ドープ領域及びＮ型ドープ領域を含む、前記シリコン薄膜をシリコン基板から劈開する工程と、
前記シリコン薄膜の前記裏側に金属箔を取り付ける工程と
を備える、方法。
［項目２］
前記金属箔の拡張領域が前記シリコン薄膜の外辺部を越えて延び、
前記金属箔を、前記シリコン薄膜を処理するための一体型キャリアとして使用する工程を更に備える、項目１に記載の方法。
［項目３］
前記金属箔と前記Ｐ型ドープ領域との間に接点の第１のセットを形成する工程と、
前記金属箔と前記Ｎ型ドープ領域との間に接点の第２のセットを形成する工程と、
を更に備える、項目１に記載の方法。
［項目４］
複数の前記接点がパルスレーザビームを使用して形成される、項目３に記載の方法。
［項目５］
前記金属箔内に指部分離パターンを形成する工程を更に備える、項目１に記載の方法。
［項目６］
前記裏側への取り付けの前に、前記指部分離パターンが前記金属箔内に予め形成される、項目５に記載の方法。
［項目７］
前記裏側への取り付けの前に前記金属箔を副基板に取り付ける工程を更に備え、
前記副基板は、レーザ光線に対して透過的である、項目６に記載の方法。
［項目８］
前記金属箔が接着層を使用して前記裏側に取り付けられる、項目１に記載の方法。
［項目９］
前記金属箔と前記シリコン基板の前記裏側との間の接触点のアレイにおいて前記金属箔が前記裏側に取り付けられる、項目１に記載の方法。
［項目９］
前記接触点が前記金属箔の点融解によって形成される、項目８に記載の方法。
［項目１０］
前記金属箔がアルミニウムを含む、項目１に記載の方法。
［項目１１］
前記金属箔を、前記シリコン薄膜を処理するためのキャリアとして使用しながら、前記シリコン薄膜の表側をテクスチャ加工及び不動態化する工程と、
前記シリコン薄膜の前記表側を封入する工程と、
を更に備える、項目１に記載の方法。
［項目１２］
シリコン薄膜と、
前記シリコン薄膜の裏側のＰ型ドープ領域及びＮ型ドープ領域と、
前記シリコン薄膜の前記裏側に接着された金属箔と、
前記金属箔と前記Ｐ型ドープ領域との間の接点の第１のセットと、
前記金属箔と前記Ｎ型ドープ領域との間の接点の第２のセットと、
を備える、太陽電池。
［項目１３］
前記シリコン薄膜が１０〜１００マイクロメートルの範囲内の厚みを有する、項目１２に記載の太陽電池。
［項目１４］
前記シリコン薄膜の前記裏側の前記金属箔と前記Ｐ型ドープ領域及び前記Ｎ型ドープ領域との間の接着層を更に備え、複数の前記接点が前記接着層内の複数の開口部を通過する、項目１２に記載の太陽電池。
［項目１５］
前記シリコン薄膜の前記裏側の前記金属箔と前記Ｐ型ドープ領域及び前記Ｎ型ドープ領域との間の複数の接触点を更に備える、項目１２に記載の太陽電池。
［項目１６］
前記シリコン薄膜の表側における、テクスチャ加工及び不動態化された表面と、
前記シリコン薄膜の前記表側を覆うガラス層と、
前記シリコン薄膜の前記表側と前記ガラス層との間の封入材料と、
を更に備える、項目１２に記載の太陽電池。
［項目１７］
前記金属箔がアルミニウムを含む、項目１２に記載の太陽電池。
［項目１８］
前記金属箔がＡｌ−ｘ％Ｓｉを含み、ｘ％は０パーセント〜３パーセントの範囲内である、項目１７に記載の太陽電池。
［項目１９］
シリコン基板の裏側がＰ型ドープ領域及びＮ型ドープ領域を含む、金属箔を前記シリコン基板の前記裏側に接着する工程と、
シリコン薄膜を前記シリコン基板の前記裏側から分離する工程と、
前記シリコン薄膜の表側の処理中に前記シリコン薄膜を処理するための組込みキャリアとして前記金属箔を使用する工程と、
を備える、太陽電池の製造方法。
［項目２０］
前記シリコン薄膜を分離する工程がエピタキシャルリフトオフによって実施される、項目１９に記載の方法。
［項目２１］
前記金属箔と前記Ｐ型ドープ領域との間に接点の第１のセットを形成する工程と、
前記金属箔と前記Ｎ型ドープ領域との間に接点の第２のセットを形成する工程と、
金属接点の前記第１のセットと金属接点の前記第２のセットとの間に複数の分離を形成する工程と、
を更に備える、項目１９に記載の方法。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】