【図1】図１は、本発明のIII族元素窒化物結晶の製造方法に用いる装置の一例を模式的に示す断面図である。

【図2】図２は、図１の装置を用いた本発明のIII族元素窒化物結晶の製造方法の概略を模式的に示す断面図である。

【図3】図３は、本発明のIII族元素窒化物結晶の製造方法に用いる装置の別の一例を模式的に示す断面図である。

【図4】図４は、図３の装置を用いた本発明のIII族元素窒化物結晶の製造方法の概略を模式的に示す断面図である。

【図5】図５（ａ）は、基板の構成の一例を示す断面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）の基板上にIII族元素窒化物結晶を成長させた状態の一例を示す断面図である。

【図6】図６は、III族元素金属を収容する容器の一例を示す模式図である。図６（ａ）は斜視図であり、図６（ｂ）は断面図である。

【図7】図７は、図６の容器を用いた本発明のIII族元素窒化物結晶の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。

【図8】図８は、実施例におけるIII族元素窒化物結晶製造後のIII族元素金属収容容器の状態を示す写真である。

【図9】図９は、金属ガリウムとＨ_２Ｏガスとの反応において、Ｈ_２ガスおよびＨ_２Ｏガスの分圧と、Ｇａ_２Ｏ_３生成量との関係の一例を示すグラフである。

【図10】図１０は、別の実施例におけるIII族元素窒化物結晶製造後のIII族元素金属収容容器の状態を示す写真である。

【図11】図１１は、さらに別の実施例におけるIII族元素窒化物結晶製造後のIII族元素金属収容容器の状態を示す写真である。

【図12】図１２は、さらに別の実施例におけるIII族元素窒化物結晶製造後のIII族元素金属収容容器の状態を示す写真である。

【図13】図１３は、実施例におけるＨ_２Ｏ流量とＧａ_２Ｏ発生量との関係を示すグラフである。

【図14】図１４は、実施例において製造したＧａＮ結晶のＸ線結晶構造解析結果を示すグラフである。

【図15】図１５は、実施例で用いた基板の構造を示す模式図である。図１５（ａ）は断面図であり、図１５（ｂ）は斜視図である。

【図16】図１６（ａ）〜（ｃ）は、図１５の基板を用いたIII族元素窒化物結晶の製造方法において、結晶成長状態の一例を模式的に示す断面図である。

【図17】図１７は、さらに別の実施例で製造（育成）したＧａＮ結晶の写真である。

【図18】図１８は、さらに別の実施例で製造（育成）したＧａＮ結晶の写真である。

【図19】図１９は、さらに別の実施例で製造（育成）したＧａＮ結晶の形状を示す写真である。

【図20】図２０は、III族元素窒化物結晶およびそれを用いた半導体ウェハの製造方法の一例を模式的に示す斜視図である。