特許第6618216号(P6618216)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6618216α−Ｇａ２Ｏ３単結晶、α−Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子
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