(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記第2領域と前記第2の他の領域とは第2段差部を有しており、該第2段差部と前記第2の他の領域とが曲線状に繋がっていることを特徴とする請求項1または2に記載の放熱用部材。
前記第1領域および前記第2領域の少なくともいずれか一方と前記第3の他の領域とは第3段差部を有しており、該第3段差部と前記第3の他の領域とが曲線状に繋がっていることを特徴とする請求項4に記載の放熱用部材。
前記第1領域および前記第2領域の少なくともいずれか一方と前記第3の他の領域とは第3段差部を有しており、該第3段差部と、前記第1領域および前記第2領域の少なくともいずれか一方とが曲線状に繋がっていることを特徴とする請求項4または5に記載の放熱用部材。
【発明を実施するための形態】
【0013】
第1実施形態に係る放熱部材は、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に位置する導電板とを備える。そして、導電板は、絶縁性基板と対向する第1面と、この第1面の反対に位置する第2面とを有し、正面視における第1面の輪郭が、複数の角部と複数の辺部とを有する多角形状であり、角部を含む第1領域の厚みが、第1領域以外である第1の他の領域の厚みより薄い。第1実施形態に係る放熱部材は、上記構成を満たしていることにより、小型化に対応できる構造であるとともに、熱応力の集中も比較的少なく耐久性が高い。
【0014】
第2実施形態に係る放熱部材は、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に位置する導電板とを備える。そして、導電板は、絶縁性基板と対向する第1面と、この第1面の反対に位置する第2面とを有し、正面視における第1面の輪郭が、複数の角部と複数の辺部とを有する多角形状であり、辺部における中央部分である第2領域の厚みが、第2領域以外である第2の他の領域の厚みより薄い。第2実施形態に係る放熱部材は、上記構成を満たしていることにより、小型化に対応できる構造であるとともに、熱応力の集中も比較的少なく耐久性が高い。なお、第1実施形態および第2実施形態に係る放熱部材については、
図5を用いて後述する。
【0015】
第3実施形態に係る放熱部材について、図を用いて詳細に説明する。なお、上記記載と同じ構成名称の部分は、同じ作用効果を奏するものである。
【0016】
図1は、第3実施形態に係る放熱部材の一例を示す概略図である。
図1(a)は、放熱
部材の概略上面図、
図1(b)は放熱部材の概略断面図である。また、
図2(a)は、
図1に示す放熱部材の一部を切り出した状態の概略斜視図であり、
図2(b)は
図2(a)の部分拡大図である。また
図3は、
図1および
図2に示す放熱部材の一部を拡大して示す断面図である。なお、以下の記載において、第1〜第3実施形態に共通する場合、「本実施形態」と記載する。
【0017】
放熱部材20は、絶縁性基板2と、絶縁性基板2上に位置する導電板4とを備える。そして、導電板4は、絶縁性基板2と対向する第1面4Bと、第1面4Bの反対に位置する第2面4Aとを有し、正面視における第1面4Bの輪郭が、複数の角部42と複数の辺部41とを有する多角形状であり、角部42を含む第1領域4αの厚みおよび辺部41における中央部分である第2領域4βの厚みが、第1領域4αおよび第2領域4β以外の他領域4γ(第3の他の領域)の厚みより薄い。
【0018】
導電板4は、
図3において、接合層6を介して絶縁性基板2と接合されている例を示しているが直接接合されるものであってもよい。また、導電板4の形状(第1面4Bの輪郭)は上面視で四角形状である。さらに、導電板4は、4つの辺部41と、互いに直交する2つの辺部41の間に配置された、合計4つの角部42を有している。ここで、導電板4は、例えば、
図1における縦寸法が36mm、
図1における横寸法が48mmである。角部42は、2つの辺部41が当接する頂点を含み、上述した大きさの導電板4において、例えばこれら頂点を中心とした半径1mmの円周で囲まれた範囲に対応する。第1領域4αは、上面視において、2つの辺が直交する直角二等辺三角形状となっている。上述した大きさの導電板4において、直交する2つの辺における長さは、例えば3.5mmである。また、辺部41における中央部分である第2領域4βは、例えば、辺部41の中心位置Cを中心とした半径15mmの範囲に含まれる。
図1(a)および
図2(a)に示す例において、第2領域4βは、上面視において、部分円弧と直線とで囲まれた部分円形状となっている。導電板4の形状や大きさ、第1領域4αおよび第2領域4βの形状や大きさは、上述した例に限定されない。
【0019】
第3実施形態では、第1領域4αの厚み、および第2領域4βの厚みが、他の領域である他領域4γ(第3の他の領域)に比べて薄いため、第1領域4αおよび第2領域4βに発生する、絶縁性基板2と導電板4との熱膨張の違いに起因した熱応力が低減されている。また、熱応力の低減により、対応部分の剥がれも抑制されている。
【0020】
一方で、第1領域4αおよび第2領域4β以外の他領域4γは比較的厚く、この他領域4γの全体を、半導体素子等の電子回路の実装可能領域とすることができる。本実施形態の放熱部材20は、熱応力の生じる領域(第1領域4αや第2領域4β)のみにおいて、熱応力が低減可能とされており、半導体素子等の電子回路の実装可能領域を有する構造であることから、放熱部材20の小型化に対応することができる。
【0021】
放熱部材20は、角部42を含む第1領域4αおよび中心位置Cを含む第2領域4βにおいて、比較的大きな熱応力が発生する。これについて、
図4を用いて説明する。
【0022】
図4は、三次元モデルを用いてシミュレーションした熱応力の分布を示す図であり、(a)は従来の放熱用部材についてのシミュレーション結果を示す図、(b)は(a)のモデルのうち絶縁性基板のみを示した図、(c)は
図1〜
図3に示す放熱部材についてのシミュレーション結果を示す図、(d)は(c)のモデルのうち絶縁性基板のみを示した図である。なお、
図4(a)および(b)に示す従来の放熱用部材と、第3実施形態の放熱部材との差異は、第1領域の有無である。
【0023】
図4(a)〜(d)では、角部を含む領域の一部を示している。
図4(a)〜(d)は
、いわゆる有限要素法(FEM)による解析結果であり、
図4(a)や(c)に示す有限要素モデルについて、全体を所定温度T(℃)から、T−100(℃)まで変化させた状態での、応力を示している。なお、
図4では、角部を含む領域の一部において、温度を低減させた場合に集中する応力の分布を示している。
【0024】
図4(a)に示すような、角部に薄肉部を有さずに全体が一様な厚さの導電板をもつモデルでは、
図4(a)(b)で、角部に対応する部分の色が濃くなっていることから、角部を含む部分で絶縁性基板に大きな熱応力が集中してかかっていることがわかる。一方、
図4(c)に示す第3実施形態の放熱部材を再現するモデルでは、
図4(d)からわかるように、角部への応力集中が緩和されている。局所的に大きな応力が発生すると、そこが起点となり、導電板の剥がれや絶縁性基板の割れ等が進展し易い。第3実施形態の放熱部材は、角部を含む第1領域の厚みが他の領域よりも薄いことから、このような応力集中が抑制されるため、放熱部材20の全体的な耐久性が向上している(第1実施形態でも同様)。
【0025】
また、図示していないが、辺部の中心部分にあたる第2領域についても同様のシミュレーションを実施し、第2領域に応力が集中してかかることを確認している。なお、第2領域では、特に温度を上昇させていった場合に、応力が集中し易い。本実施形態の放熱部材は、温度が上昇することで生じる熱応力も、温度が下降することで生じる熱応力も、いずれも緩和することができる。
【0026】
本実施形態では、第1領域4αおよび第2領域4βと他領域4γ(第3の他の領域)とは段差部50(第3段差部)を有しており、段差部50と他領域4γとが曲線状に繋がっていてもよい。このような構成について
図3を用いて説明する。段差部50と他領域4γとが曲線状に繋がっているというのは、
図3に示すような断面視において、段差部50と他領域4γとの間の第2接続部52が曲線状であることをいう。また、段差部50、第1領域4αおよび第2領域4βの少なくともいずれか一方とも曲線状に繋がっていてもよい。この構成は、
図3に示すような断面視において、段差部50と第1領域4αおよび第2領域4βとの間の第1接続部51が曲線状であることをいう。
【0027】
図4(c)から分かるように、第1接続部51や第2接続部52には、比較的大きな応力が集中し易い。これら第1接続部51や第2接続部52を断面視で曲線状としておくことで、これら第1接続部51や第2接続部52への応力集中の度合いを緩和でき、応力集中にともなう導電板4自体の劣化も抑制している。なお、第1領域4αおよび第2領域4βの双方に設けられていることが好ましいが、これに限定されず、第1領域4αまたは第2領域4βのいずれか一方のみに対応して設けられていてもよい。
【0028】
絶縁性基板2は、例えば窒化珪素(Si
3N
4)を主成分とするセラミックス基板である。絶縁性基板2としては、窒化珪素(Si
3N
4)以外にも、例えば、アルミナ(Al
2O
3)、窒化アルミニウム(AlN)等を主成分とするセラミックス基板であってもよく、要求される伝熱特性や熱膨脹係数の多少に応じて、適宜選択した材質で構成すればよい。本実施形態では、絶縁性基板2の厚みが、例えば0.2〜1mmである。
【0029】
また、接合層6としては、例えばいわゆるAg-Cu-Tiろう材等を用いればよい。例えば重量%でCuを15〜50%、Ti、Zr、HfおよびNbから選択される少なくとも1種の活性金属を1〜10%、残部が実質的にAgから成る組成物を有機溶媒中に分散して調製した接合用組成物ペーストを用いればよい。接合層6の厚みは、例えば0.005〜0.05mmである。
【0030】
導電板4は、例えば銅(Cu)を主成分とする金属板からなる。この金属板は、平面視
において所定形状にパターニングされており、複数の部分に分割されている。なお、接合層6は必ずしも備えている必要はなく、例えば、銅からなる導電板4とセラミックスからなる絶縁性基板2とが、いわゆる直接接合法によって接合されていてもよい。例えばセラミックス基板上に銅板を、Cu−Cu
2O等の共晶液相を利用して直接接合する、いわゆる銅直接接合法(DBC法:Direct Bonding Copper法)を用いればよい。
【0031】
本実施形態では、導電板4と接合層6との合計の厚さTは、例えば0.45〜1.5mmである。また、
図3に示す第1領域4αまたは第2領域4βの幅Bは例えば1〜5mmであり、第1領域4αまたは第2領域4βの高さHは例えば0.05〜0.3mmである。各数値が上記範囲にある場合、応力集中が緩和され易く、応力による放熱部材20の損傷が抑制し易い点で好ましい。
【0032】
図5(a)は、第1実施形態に係る放熱部材であり、
図5(b)は、第2実施形態に係る放熱部材である。
図5では、
図1〜3に示す実施形態と同様な部分について、
図1〜3と同じ符号で表し、
図5(a)に示す放熱部材に「21」、
図5(b)に示す放熱部材に「22」の符号を付している。
【0033】
図5(a)に示す放熱部材21は、
図1〜
図3に示す第3実施形態と比較して、第2領域4βを有さない点で異なっている。また、
図5(b)に示す放熱部材22は、
図1〜
図3に示す第3実施形態と比較して、第1領域4αを有さない点で異なっている。放熱部材21および放熱部材22は、小型化に対応できる構造であるとともに、熱応力の集中も比較的少なく耐久性が高い。そして、放熱部材21は、比較的低温で使用されるデバイス等に用いることが好適であり、放熱部材22は、比較的高温で使用されるデバイス等に用いることが好適である。
【0034】
また、放熱部材21および放熱部材22は、第1領域4αまたは第2領域4βを有しておらず、導電板4の上面視における面積が同じである場合、第3実施形態の放熱部材20よりも半導体素子等の電子回路の実装可能領域が大きいため、大きい半導体素子の実装が可能となる。
【0035】
言うまでもないが、放熱部材21および放熱部材22においても、第1領域4αと他領域4γ、第2領域4βと他領域4γは、曲線状に繋がっていることが好適である。
【0036】
次に、放熱用部材20〜22のいずれかと、導電板4の他方主面4Aに搭載した電子部品とを有する本実施形態のモジュールについて説明する。本実施形態のモジュールは、熱応力の生じる領域のみにおいて熱応力が低減可能とされており、電動版4における他方主面4Aに十分な半導体素子等の電子部品の実装可能領域を有していることから、搭載する半導体素子等の電子部品に対して、絶縁性基板2も含めた全体的な面積を比較的小さくコンパクトにすることができる。放熱用部材20〜22は、比較的小さくコンパクトである一方、応力が集中する部位は選択的に薄肉化されて熱応力の集中が緩和されており、耐久性が高い。
【0037】
本実施形態の放熱部材の製造方法の一例について、
図6(a)〜(e)を参照して説明する。なお、
図6(e)に示す放熱部材には、第3実施形態の放熱部材を示す、「20」の符号を付している。
【0038】
まず、
図6(a)に示すように、例えば窒化珪素(Si
3N
4)を主成分とするセラミックス基板である絶縁性基板2の双方の主面に銅板30を接合する。接合では、接合層6の前駆体である接合剤を絶縁性基板2の双方の主面に塗布し、銅板30を絶縁性基板2の
双方の主面に当接させて配置し、真空状態で加熱する。本実施形態では、絶縁性基板2の2つの主面に、それぞれ銅板30が当接され、図中の上側および下側から圧力が印加される。この状態で全体を加熱炉に収容し、真空中で温度700〜950℃で5〜30分間昇温加熱して接合処理する。
【0039】
次に、
図6(b)に示すように、銅板30の表面に、レジスト等からなる所定形状のエッチングマスク71を選択的に塗布した後、エッチング剤(エッチャント)である塩化第2鉄溶液に全体を浸漬する。このエッチングでは、銅板30が選択的にエッチングされる。このエッチングでは、絶縁性基板2の表面が現れるまでは銅板30をエッチングせず、銅板30の厚さ方向の途中までの深さだけエッチングする、いわゆるハーフエッチングを行う。
【0040】
次に、
図6(b)のエッチング時に形成していたエッチングマスク1を除去した後、
図6(c)に示すように、銅板30の表面に、先のエッチング時に形成したエッチングマスク71とは異なる大きさのエッチングマスク72を形成する。このエッチングマスク72は、上面視では、エッチングマスク71よりも一回り小さく、エッチングマスク71と同様な形状のマスクとなっている。
【0041】
次に、
図6(d)に示すように、エッチングマスク72が形成された状態で、エッチング剤(エッチャント)である塩化第2鉄溶液に全体を浸漬する。このエッチングでは、絶縁性基板2の表面が現れるまで銅板30を深さ方向にエッチングする。このエッチングにおいて、先のエッチング時に形成されていた凹部と、銅板30の表面との段差が広がっているようにエッチングが進行し、
図3に示すような段差形状を有する導電板4が形成される。次に、残っていたエッチングマスク72を除去して、
図6(e)に示すような放熱部材20を得ることができる。
【0042】
以上、本発明の放熱用部材およびこれを用いたモジュールについて説明したが、本発明の放熱用部材およびこれを用いたモジュールは上記実施例に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。