発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

これらの方法では、改質領域での内部応力の発生により伸展する亀裂によってウェハを分割している。例えば、サファイア基板で、発生する内部応力が過剰であると、亀裂は伸展する途中で蛇行や枝分かれをすることがある。この場合、分割して得られる半導体素子に割れ、欠け等が発生する。例えば、このような割れや欠けが電極にまで届いた半導体素子は不良品であると判断される。
また、亀裂が蛇行や枝分かれをすると、分割して得られる半導体素子の側面が粗面となる。これにより、半導体素子は、平面視において、改質領域が形成された位置を基準としたとき、その外縁の一部が突出している又は凹んだ形状となる。例えば、ディスプレイのバックライト等に用いられるサイドビュー型パッケージは、半導体素子を収納するパッケージの側壁間の距離を半導体素子の幅よりもわずかに大きい程度とすることで小型化を図っている。この場合、半導体素子の側面の一部が突出していると、その突出部がパッケージの側壁に当たり、半導体素子のパッケージへの実装が困難となることがある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、得られる半導体素子の形状や寸法を高精度で制御することができる半導体素子の製造方法を提供することができる。