特許 6621000 太陽電池モジュールの劣化判別方法及び劣化判別装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6621000

(24)【登録日】2019年11月29日

(45)【発行日】2019年12月18日

(54)【発明の名称】太陽電池モジュールの劣化判別方法及び劣化判別装置

(51)【国際特許分類】

   H02S 50/00 20140101AFI20191209BHJP

【ＦＩ】

   H02S50/00

【請求項の数】4

【全頁数】25

(21)【出願番号】特願2018-96586(P2018-96586)

(22)【出願日】2018年5月18日

(65)【公開番号】特開2019-201533(P2019-201533A)

(43)【公開日】2019年11月21日

【審査請求日】2018年5月18日

(73)【特許権者】

【識別番号】000207894

【氏名又は名称】株式会社ミライト

(73)【特許権者】

【識別番号】000214560

【氏名又は名称】長谷川電機工業株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000123354

【氏名又は名称】音羽電機工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100147485

【弁理士】

【氏名又は名称】杉村 憲司

(74)【代理人】

【識別番号】230118913

【弁護士】

【氏名又は名称】杉村 光嗣

(74)【代理人】

【識別番号】100154003

【弁理士】

【氏名又は名称】片岡 憲一郎

(72)【発明者】

【氏名】立道 英俊

(72)【発明者】

【氏名】新城 卓哉

(72)【発明者】

【氏名】高橋 信

(72)【発明者】

【氏名】島津 佳弘

(72)【発明者】

【氏名】中村 邦夫

(72)【発明者】

【氏名】松岡 樹生

(72)【発明者】

【氏名】村岡 哲也

(72)【発明者】

【氏名】今井 敏明

(72)【発明者】

【氏名】名小路 ▲明▼之

(72)【発明者】

【氏名】酒井 志郎

【審査官】 原 俊文

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１５−０８０３９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１３８１３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１７−２０８９８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１７／００９８９２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開平０９−０４３３０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１６−２２０４９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０１１４２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−１０３６９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／０２４７５４２（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０２Ｓ ５０／００−５０／１５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の太陽電池モジュールが直列に接続された太陽電池ストリングから、劣化した前記太陽電池モジュールを判別する太陽電池モジュールの劣化判別方法であって、
複数の前記太陽電池モジュールを全て遮光しない状態における前記太陽電池ストリングの基準Ｉ−Ｖ特性を測定し、
複数の前記太陽電池モジュールから選択した１つの前記太陽電池モジュールを、該太陽電池モジュールの導電経路が該太陽電池モジュールを構成する複数のクラスタのそれぞれに設けられたバイパスダイオードを経由した経路となるように遮光し、当該遮光状態における前記太陽電池ストリングの遮光Ｉ−Ｖ特性を測定し、
前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記バイパスダイオードの動作点から低圧側に延びる線形領域における測定点の電圧値と、前記基準Ｉ−Ｖ特性の、前記基準Ｉ−Ｖ特性に前記バイパスダイオードの動作点がある場合には該バイパスダイオードの動作点から低圧側に延び、前記基準Ｉ−Ｖ特性に前記バイパスダイオードの動作点がない場合には開放電圧値から低圧側に延びる線形領域における、前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記測定点の電流値に等しい電流値に対応する測定点の電圧値との電位差を判定指標として抽出し、
前記太陽電池モジュールの劣化クラスタ数に１対１で対応する電圧値の各々について、１クラスタ電圧値に等しい電圧値の幅をもった電圧範囲を判定領域として算定し、前記判定指標となる前記電位差が前記判定領域内にある場合に前記太陽電池モジュールに劣化があると判定することを特徴とする、太陽電池モジュールの劣化判別方法。

【請求項2】

前記判定指標に基づいて前記太陽電池モジュールが劣化していないと判定された場合に、
前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記線形領域よりも低圧側の所定の電流値に対応する電圧値と、前記基準Ｉ−Ｖ特性の前記所定の電流値に対応する電圧値との電位差に基づいて、前記太陽電池ストリングの電流低下の有無を判定する、請求項１に記載の太陽電池モジュールの劣化判別方法。

【請求項3】

複数の太陽電池モジュールが直列に接続された太陽電池ストリングから、劣化した前記太陽電池モジュールを判別する太陽電池モジュールの劣化判別装置であって、
前記太陽電池ストリングの両端に接続される可変負荷抵抗と、前記太陽電池ストリングに流れる電流値を測定する電流測定部と、前記太陽電池ストリングの前記可変負荷抵抗との接続部分における電圧値を測定する電圧測定部とを備え、複数の前記太陽電池モジュールを全て遮光しない状態における前記太陽電池ストリングの基準Ｉ−Ｖ特性と、複数の前記太陽電池モジュールから選択した１つの前記太陽電池モジュールを、該太陽電池モジュールの導電経路が該太陽電池モジュールを構成する複数のクラスタのそれぞれに設けられたバイパスダイオードを経由した経路となるように遮光した状態における前記太陽電池ストリングの遮光Ｉ−Ｖ特性と、を測定可能なＩ−Ｖ特性測定部と、
前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記バイパスダイオードの動作点から低圧側に延びる線形領域における測定点の電圧値と、前記基準Ｉ−Ｖ特性の、前記基準Ｉ−Ｖ特性に前記バイパスダイオードの動作点がある場合には該バイパスダイオードの動作点から低圧側に延び、前記基準Ｉ−Ｖ特性に前記バイパスダイオードの動作点がない場合には開放電圧値から低圧側に延びる線形領域における、前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記測定点の電流値に等しい電流値に対応する測定点の電圧値との電位差を判定指標として抽出し、前記太陽電池モジュールの劣化クラスタ数に１対１で対応する電圧値の各々について、１クラスタ電圧値に等しい電圧値の幅をもった電圧範囲を判定領域として算定し、前記判定指標となる前記電位差が前記判定領域内にある場合に前記太陽電池モジュールに劣化があると判定する劣化判定部と、を有することを特徴とする、太陽電池モジュールの劣化判別装置。

【請求項4】

前記劣化判定部が、
前記判定指標に基づいて前記太陽電池モジュールが劣化していないと判定した場合に、
前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記線形領域よりも低圧側の所定の電流値に対応する電圧値と、前記基準Ｉ−Ｖ特性の前記所定の電流値に対応する電圧値との電位差に基づいて、前記太陽電池ストリングの電流低下の有無を判定する、請求項３に記載の太陽電池モジュールの劣化判別装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数の太陽電池モジュールを電気的に直列に接続して構成される太陽電池ストリングをパワーコンディショナにより電力系統と連系させた太陽光発電システムにおいて、太陽電池ストリングを構成する複数の太陽電池モジュールから、劣化（故障または発電不良等の機能劣化）した太陽電池モジュールを判別する太陽電池モジュールの劣化判別方法及び劣化判別装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、脱原発に向けた社会動向を背景として、新規原発建設が困難となりつつあることや、既存原発にも寿命があることから、中長期の電力安定供給を図るために、再生可能エネルギーを有効活用することが国策レベルで喫緊の課題となっている。特に、再生可能エネルギーの一つとして太陽光を利用した太陽光発電システムの導入が急速に進んでいる。

【0003】

太陽光発電システムは、複数の太陽電池モジュールが電気的に直列に接続された太陽電池ストリングを単位として複数組の太陽電池ストリングを具備し、複数組の太陽電池ストリング毎に１つの接続箱に接続され、その接続箱を介してパワーコンディショナ（電力変換装置）により発電電力を商用電源などの電力系統と連系させるように構成されている。

【0004】

この種の太陽光発電システムにおいては、長期使用などにより太陽電池モジュールが劣化すると出力電力が低下することになる。そのため、太陽電池モジュールの劣化を検出する手段が必要とされている。太陽電池モジュールは、半導体、金属など、熱膨張率の異なる材質を電気的に接合した構造であるから、日夜ないし季節毎の寒暖の繰り返しによる熱ストレスのため長期的には漸次機能劣化を生じる上、落雷、暴風雨等に際して部材が突発的に破損することもあり、こうした要因によって太陽電池モジュール全体として発電不良に至ることは不可避である。

【0005】

従来、太陽電池モジュールの劣化を検出する手段として、劣化した太陽電池モジュールを含む太陽電池ストリングを特定する太陽電池ストリング検査装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【0006】

この太陽電池ストリング検査装置は、検査対象となる太陽電池ストリングの出力電力からＩ−Ｖ特性（Ｉ−Ｖカーブ）を測定する特性測定手段と、その特性測定手段で測定したＩ−Ｖ特性から指標を演算する信号処理手段と、演算された指標と予め設定した閾値とを比較する比較監視手段と、指標と閾値との比較結果を表示記録する表示記録手段とで構成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２０１２−１６９５３１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

ところで、前述の特許文献１に開示された太陽電池ストリング検査装置では、太陽電池モジュールの劣化により出力が低下した太陽電池パネルにおいて、経時的データによらずに異常のある太陽電池ストリングを特定することができる。

【0009】

しかしながら、特許文献１の太陽電池ストリング検査装置では、太陽電池ストリングを構成する複数の太陽電池モジュールの中から、劣化した太陽電池モジュールを判別することができないという問題があった。

【0010】

太陽電池ストリングは複数の太陽電池モジュールを電気的に直列に接続して構成されるが、この中から故障または機能劣化した太陽電池モジュールを判別し、その故障種別、劣化レベルを特定するには、作業効率の観点から各太陽電池モジュールを切り離すことなく検査できることが望ましい。

【0011】

一方、太陽電池モジュールは、多数の太陽電池セルを電気的に直列に接続したセルストリング、セルストリングが発電不良となった場合に発電電流がセルストリングを迂回する経路上に設けられるバイパスダイオード（ＢＰＤ）を構成部材に含むクラスタを単位として、複数のクラスタが電気的に直列に接続されて構成されるが、これらの太陽電池モジュール構成部材は様々な要因で故障、機能劣化を生じる。例えば、クラスタの場合、セルの導電線（バスパー）の断線、はんだクラックなどに起因するクラスタ断線、セルの材質が化学的に変性して生じるクラスタ高抵抗化によってセルストリングの発電能力が著しく低下、または喪失する。一方、バイパスダイオードにおいては、被雷等によりバイパスダイオードが破損して短絡状態となるバイパスダイオードショート故障、バイパスダイオードに長時間発電電流が流れることで熱損傷により導電性を消失するバイパスダイオードオープン故障などがある。その他、充填樹脂の劣化・剥離、水浸透による電極腐食など様々な要因がある。

【0012】

これまで太陽電池ストリングから太陽電池モジュールを切り離して、個々の太陽電池モジュール単体に対してＩ−Ｖ特性を測定して当該太陽電池モジュールの発電性能を評価することや、専用の計測装置でバイパスダイオードの故障を発見することが行われてきたが、太陽電池ストリングに発電不良の太陽電池モジュールが存在すると、太陽電池ストリング全体のＩ−Ｖ特性すなわちＩ−Ｖカーブの形状が複雑に変化することから、太陽電池モジュールを太陽電池ストリングから切り離すことなく劣化した太陽電池モジュールを判別し、且つ、その構成部材（クラスタ、バイパスダイオード）の故障、機能劣化を簡便な方法、操作によって発見・判別することは困難であった。

【0013】

本発明は、前述の問題点に鑑みて提案されたものであり、その目的とするところは、太陽電池ストリングに太陽電池モジュールを接続したままの状態で、劣化した太陽電池モジュールを判別し得る太陽電池モジュールの劣化判別方法及び劣化判別装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0014】

本発明の太陽電池モジュールの劣化判別方法は、複数の太陽電池モジュールが直列に接続された太陽電池ストリングから、劣化した前記太陽電池モジュールを判別する太陽電池モジュールの劣化判別方法であって、複数の前記太陽電池モジュールを全て遮光しない状態における前記太陽電池ストリングの基準Ｉ−Ｖ特性を測定し、複数の前記太陽電池モジュールから選択した１つの前記太陽電池モジュールを、該太陽電池モジュールの導電経路が該太陽電池モジュールを構成する複数のクラスタのそれぞれに設けられたバイパスダイオードを経由した経路となるように遮光し、当該遮光状態における前記太陽電池ストリングの遮光Ｉ−Ｖ特性を測定し、前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記バイパスダイオードの動作点から低圧側に延びる線形領域における測定点の電圧値と、前記基準Ｉ−Ｖ特性の、前記基準Ｉ−Ｖ特性に前記バイパスダイオードの動作点がある場合には該バイパスダイオードの動作点から低圧側に延び、前記基準Ｉ−Ｖ特性に前記バイパスダイオードの動作点がない場合には開放電圧値から低圧側に延びる線形領域における、前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記測定点の電流値に等しい電流値に対応する測定点の電圧値との電位差を判定指標として抽出し、前記太陽電池モジュールの劣化クラスタ数に１対１で対応する電圧値の各々について、１クラスタ電圧値に等しい電圧値の幅をもった電圧範囲を判定領域として算定し、前記判定指標となる前記電位差が前記判定領域内にある場合に前記太陽電池モジュールに劣化があると判定することを特徴とする。

【0018】

本発明の太陽電池モジュールの劣化判別方法は、上記構成において、前記判定指標に基づいて前記太陽電池モジュールが劣化していないと判定された場合に、前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記線形領域よりも低圧側の所定の電流値に対応する電圧値と、前記基準Ｉ−Ｖ特性の前記所定の電流値に対応する電圧値との電位差に基づいて、前記太陽電池ストリングの電流低下の有無を判定するのが好ましい。

【0019】

本発明の太陽電池モジュールの劣化判別装置は、複数の太陽電池モジュールが直列に接続された太陽電池ストリングから、劣化した前記太陽電池モジュールを判別する太陽電池モジュールの劣化判別装置であって、前記太陽電池ストリングの両端に接続される可変負荷抵抗と、前記太陽電池ストリングに流れる電流値を測定する電流測定部と、前記太陽電池ストリングの前記可変負荷抵抗との接続部分における電圧値を測定する電圧測定部とを備え、複数の前記太陽電池モジュールを全て遮光しない状態における前記太陽電池ストリングの基準Ｉ−Ｖ特性と、複数の前記太陽電池モジュールから選択した１つの前記太陽電池モジュールを、該太陽電池モジュールの導電経路が該太陽電池モジュールを構成する複数のクラスタのそれぞれに設けられたバイパスダイオードを経由した経路となるように遮光した状態における前記太陽電池ストリングの遮光Ｉ−Ｖ特性と、を測定可能なＩ−Ｖ特性測定部と、前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記バイパスダイオードの動作点から低圧側に延びる線形領域における測定点の電圧値と、前記基準Ｉ−Ｖ特性の、前記基準Ｉ−Ｖ特性に前記バイパスダイオードの動作点がある場合には該バイパスダイオードの動作点から低圧側に延び、前記基準Ｉ−Ｖ特性に前記バイパスダイオードの動作点がない場合には開放電圧値から低圧側に延びる線形領域における、前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記測定点の電流値に等しい電流値に対応する測定点の電圧値との電位差を判定指標として抽出し、前記太陽電池モジュールの劣化クラスタ数に１対１で対応する電圧値の各々について、１クラスタ電圧値に等しい電圧値の幅をもった電圧範囲を判定領域として算定し、前記判定指標となる前記電位差が前記判定領域内にある場合に前記太陽電池モジュールに劣化があると判定する劣化判定部と、を有することを特徴とする。

【0023】

本発明の太陽電池モジュールの劣化判別装置は、上記構成において、前記劣化判定部が、前記判定指標に基づいて前記太陽電池モジュールが劣化していないと判定した場合に、前記遮光Ｉ−Ｖ特性の前記線形領域よりも低圧側の所定の電流値に対応する電圧値と、前記基準Ｉ−Ｖ特性の前記所定の電流値に対応する電圧値との電位差に基づいて、前記太陽電池ストリングの電流低下の有無を判定するのが好ましい。

【発明の効果】

【0024】

本発明によれば、太陽電池ストリングに太陽電池モジュールを接続したままの状態で、劣化した太陽電池モジュールを判別し得る太陽電池モジュールの劣化判別方法及び劣化判別装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】本発明の一実施の形態である太陽電池モジュールの劣化判別装置を測定対象の太陽電池ストリングに接続した状態を示す説明図である。

【図2】図１に示す太陽電池モジュールの構成を示す説明図である。

【図3】図１に示す太陽電池モジュールの劣化判別装置のブロック図である。

【図4】太陽電池ストリングの基準Ｉ−Ｖ特性を示す図である。

【図5】判別対象の太陽電池モジュールの一部を遮光板により遮光した状態を示す説明図である。

【図6】本発明の実施例１の態様により、遮光Ｉ−Ｖ特性と基準Ｉ−Ｖ特性とから判別対象の太陽電池モジュールの劣化クラスタ数及び電流低下の有無を判別する手順を示す説明図である。

【図7】実施例１における測定データの処理ダイヤグラムを示す図である。

【図8】実施例１における測定データの処理フローを示す図である。

【図9】図８に示す処理フローの続きの処理フローを示す図である。

【図10】本発明の実施例２の態様により、遮光Ｉ−Ｖ特性と基準Ｉ−Ｖ特性とから判別対象の太陽電池モジュールの劣化クラスタ数を判別する手順を示す説明図である。

【図11】実施例２における測定データの処理ダイヤグラムを示す図である。

【図12】実施例２における測定データの処理フローを示す図である。

【図13】図１２に示す処理フローの続きの処理フローを示す図である。

【図14】（ａ）はバイパスダイオードがオープン故障している太陽電池モジュールにおける非遮光状態での電流の流れを示す説明図であり、（ｂ）はバイパスダイオードがオープン故障している太陽電池モジュールにおける遮光状態での電流の流れを示す図である。

【図15】バイパスダイオードがオープン故障している太陽電池モジュールの遮光Ｉ−Ｖ特性を基準Ｉ−Ｖ特性と比較して示す説明図である。

【図16】シミュレーションしたＩ−Ｖ特性の例を示す特性線図である。

【図17】バイパスダイオードのオープン故障を判定する際の測定データの処理フローを示す図である。

【図18】図１７に示す処理フローの続きの処理フローを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

以下、図面を参照して本発明をより具体的に例示説明する。

【0027】

図１に示す太陽光発電システム１は、太陽電池パネル２をインバータからなるパワーコンディショナ（電力変換装置：ＰＣＳ）３により電力系統に連携させた構成を有している。

【0028】

太陽電池パネル２は、８数の太陽電池モジュール４が直列に接続された太陽電池ストリング５を一単位とし、４組の太陽電池ストリング５は接続箱６の内部で電気的に並列に接続されることで集電され、接続箱６を介してパワーコンディショナ３に電気的に接続されている。接続箱６は、それぞれの太陽電池ストリング５に対応した４つの断路器６ａと、それぞれの断路器６ａに対応した逆流防止用ダイオード６ｂとを備えている。

【0029】

パワーコンディショナ３は、太陽電池パネル２により発電された直流の発電電流を交流に変換して電力系統に出力するとともに、全ての太陽電池ストリング５の発電電力を最大にするようにＭＰＰＴ（Maximum Power Point Tracking）方式により電圧を制御する。

【0030】

図２に示すように、それぞれの太陽電池モジュール４は、その内部構成として、それぞれ１０個の太陽電池セル（発電素子）４ａが５個ずつ２列に並べて配置されるとともに電気的に直列に接続されたセルストリング４ｂと、セルストリング４ｂを迂回する電流経路上に設けられたバイパスダイオード（ＢＰＤ）４ｃと、を含んで構成される３つのクラスタ４ｄを有し、それぞれのクラスタ４ｄが互いに電気的に直列に接続された構成となっている。なお、便宜上、図２においては、それぞれのセルストリング４ｂにおいて１つの太陽電池セル４ａにのみ符号を付してある。

【0031】

バイパスダイオード４ｃは、影や故障等によってセルストリング４ｂに不均一に太陽光が照射されるなどして、クラスタ４ｄ内のセルストリング４ｂの発電量が相対的に低下した部分の両端電圧が同じクラスタ４ｄ内のセルストリング４ｂの正常に発電している部分によって発生した発電電圧より高くなってバイパスダイオード４ｃの順方電圧に等しくなったときに作動し、セルストリング４ｂを迂回するように発電電流をバイパスさせて、セルストリング４ｂにホットスポットが発生することを回避するためのものである。したがって、正常な太陽電池モジュール４の全体に均一に太陽光が照射されると、各太陽電池セル４ａの発電によって生じる起電力の合計がバイパスダイオード４ｃの順方向電圧以上となるので、図２中に太線で示すように、発電電流はバイパスダイオード４ｃを通らずに各セルストリング４ｂを順に流れる。

【0032】

図示する場合では、太陽電池パネル２は、４つの太陽電池ストリング５を紙面上で縦方向に複数段並列に配置した構成とされているが、太陽電池パネル２を構成する太陽電池ストリング５の数は任意である。また、太陽電池ストリング５は、それぞれ８枚の太陽電池モジュール４を直列に接続した構成とされているが、太陽電池ストリング５を構成する太陽電池モジュール４の数も任意である。さらに、太陽電池モジュール４は、それぞれ１０個の太陽電池セル４ａを含む３つのクラスタ４ｄを有する構成とされているが、太陽電池モジュール４を構成するクラスタ４ｄの数及びクラスタ４ｄを構成する太陽電池セル４ａの数もそれぞれ任意である。

【0033】

上記の太陽光発電システム１において、長期間の使用等によって太陽電池モジュール４が劣化すると、太陽電池パネル２の出力電圧が低下することになるので、太陽電池モジュール４の劣化を検出する必要がある。本発明の一実施の形態である劣化判別方法によれば、複数の太陽電池モジュール４が直列に接続された太陽電池ストリング５から、判別対象となる太陽電池モジュール４を太陽電池ストリング５から切り離すことなく当該太陽電池ストリング５に接続したままの状態で、劣化した太陽電池モジュール４を判別することができる。

【0034】

本発明の一実施の形態である劣化判別方法は、例えば、図３に示す構成を有する本発明の一実施の形態である太陽電池モジュールの劣化判別装置１０を用いて実施することができる。太陽電池モジュールの劣化判別装置１０は、Ｉ−Ｖ特性測定部１１と劣化判定部１２とを有している。

【0035】

太陽電池モジュール４の劣化判別に際しては、図１に示すように、劣化判別の対象となる太陽電池モジュール４を含む太陽電池ストリング５が断路器６ａを開くことでパワーコンディショナ３から解列され、当該太陽電池ストリング５に断路器６ａを介してＩ−Ｖ特性測定部１１が接続されて閉ループが構成される。

【0036】

図３に示すように、Ｉ−Ｖ特性測定部１１は、太陽電池ストリング５の導電線５ａ、５ｂの両端に接続される可変負荷抵抗１１ａと、太陽電池ストリング５の導電線５ｂに直列に接続されて太陽電池ストリング５に流れる電流値を測定する電流測定部１１ｂと、太陽電池ストリング５の導電線５ａ、５ｂの両端に可変負荷抵抗１１ａと並列に接続されて可変負荷抵抗１１ａの両端接続部分における電圧値を測定する電圧測定部１１ｃとを備えている。可変負荷抵抗１１ａの電圧値は太陽電池ストリング５の両端電圧に等しい。可変負荷抵抗１１ａは、例えばＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体素子が使用される。

【0037】

Ｉ−Ｖ特性測定部１１はさらに制御部１１ｄを備えている。制御部１１ｄは、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）等を備えたマイクロコンピュータにより構成することができる。

【0038】

可変負荷抵抗１１ａは制御部１１ｄに接続され、負荷抵抗の値を変化させるように制御部１１ｄによりその作動が制御される。また、電流測定部１１ｂと電圧測定部１１ｃもそれぞれ制御部１１ｄに接続され、電流測定部１１ｂが測定した電流値と電圧測定部１１ｃが測定した電圧値はそれぞれ制御部１１ｄに入力される。

【0039】

Ｉ−Ｖ特性測定部１１は、劣化判定部１２からの指令をトリガーとして、可変負荷抵抗１１ａの負荷抵抗の値を変化させながら太陽電池ストリング５の電流値と電圧値とを測定することで、太陽電池ストリング５のＩ−Ｖ特性を測定することができる。例えば、Ｉ−Ｖ特性測定部１１は、複数の太陽電池モジュール４を全て遮光しない状態において可変負荷抵抗１１ａの負荷抵抗の値を変化させながら太陽電池ストリング５の電流値と電圧値とを測定することで、太陽電池ストリング５の基準Ｉ−Ｖ特性を測定することができる。また、Ｉ−Ｖ特性測定部１１は、複数の太陽電池モジュール４から選択した１つの太陽電池モジュール４を、太陽電池モジュール４の導電経路がこの太陽電池モジュール４を構成する複数のクラスタ４ｄのそれぞれに設けられたバイパスダイオード４ｃを経由した経路となるように遮光した状態において、可変負荷抵抗１１ａの負荷抵抗の値を変化させながら太陽電池ストリング５の電流値と電圧値とを測定することで、太陽電池ストリング５の遮光Ｉ−Ｖ特性を測定することができる。Ｉ−Ｖ特性測定部１１は、上記のように太陽電池ストリング５のＩ−Ｖ特性を測定した後、その測定データを劣化判定部１２に無線で送信する。

【0040】

なお、Ｉ−Ｖ特性とは、一般に、太陽電池モジュールまたは太陽電池ストリングに接続された可変負荷抵抗の所定の抵抗値に対して太陽電池モジュールまたは太陽電池ストリングに流れる電流とその時の負荷抵抗の両端電圧値とを、抵抗値を変えながら測定して得られる関係式のことであり、Ｉ−Ｖ曲線（Ｉ−Ｖカーブ）とも呼ばれるものである。以下、「Ｉ−Ｖ特性」を「ＩＶ特性」とする場合がある。

【0041】

劣化判定部１２は制御部１２ａを備えている。制御部１２ａは、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）等を備えたマイクロコンピュータにより構成することができる。

【0042】

劣化判定部１２の制御部１２ａとＩ−Ｖ特性測定部１１の制御部１１ｄとの間は、無線インターフェース１１ｅ、１２ｂにより無線でデータの送受信が行われるように構成されている。無線インターフェース１１ｅ、１２ｂとしては、例えば特定小電力無線局を用いることができる。

【0043】

なお、劣化判定部１２の制御部１２ａとＩ−Ｖ特性測定部１１の制御部１１ｄとの間のデータの送受信は、無線インターフェース１１ｅ、１２ｂを用いた無線通信に替えて、有線通信により行う構成とすることもできる。この場合、Ｉ−Ｖ特性測定部１１と劣化判定部１２とを一体の装置として構成することもできる。

【0044】

劣化判定部１２はデータ記憶部１２ｃを有し、Ｉ−Ｖ特性測定部１１の制御部１１ｄから送信されてきたＩ−Ｖ特性等の各種データを用いて、以下に説明する太陽電池モジュールの劣化判別処理を実行するとともに、各種データをデータ記憶部１２ｃに記憶することができる。また、劣化判定部１２は、Ｉ−Ｖ特性（Ｉ−Ｖカーブ）や判別結果等の各種情報を表示するモニタ等の表示部１２ｄと、測定開始等の各種の操作が操作者により入力される操作部１２ｅとを備えている。

【0045】

次に、このような構成を有する太陽電池モジュールの劣化判別装置１０を用いて、複数の太陽電池モジュール４が直列に接続された太陽電池ストリング５から劣化した太陽電池モジュール４を判別する手順について説明する。

【0046】

まず、図１に示すように、劣化判別の対象となる太陽電池モジュール４を含む太陽電池ストリング５に太陽電池モジュールの劣化判別装置１０を接続し、Ｉ−Ｖ特性測定部１１により、複数の太陽電池モジュール４を全て遮光しない状態における太陽電池ストリング５の基準Ｉ−Ｖ特性を測定する。より具体的には、太陽電池ストリング５を構成する全ての太陽電池モジュール４を遮光しない状態で、可変負荷抵抗１１ａの負荷抵抗を変化させながら太陽電池ストリング５の電流値及び電圧値を測定し、これらの測定結果から遮光しない状態における太陽電池ストリング５の基準Ｉ−Ｖ特性を測定する。

【0047】

Ｉ−Ｖ特性測定部１１により測定された基準Ｉ−Ｖ特性は、無線インターフェース１１ｅ、１２ｂにより劣化判定部１２に送信されて表示部１２ｄに表示される。表示部１２ｄに表示される基準Ｉ−Ｖ特性の一例を図４に示す。

【0048】

なお、図４に示す基準Ｉ−Ｖ特性において、破線で囲んだ領域Ａは太陽電池ストリング５の中にバイパスダイオード４ｃが作動しているクラスタ４ｄが存在していることを示し、破線で囲んだ領域Ｂは太陽電池ストリング５の中に相対的に発電効率が低下した太陽電池モジュール４が存在していることを示す。

【0049】

次に、太陽電池モジュールの劣化判別装置１０が接続された太陽電池ストリング５を構成する複数の太陽電池モジュール４の中から劣化の判別対象となる１つの太陽電池モジュール４を選択し、この太陽電池モジュール４を遮光板で遮光する。そして、劣化の判別対象となる１つの太陽電池モジュール４が遮光板で遮光された状態における太陽電池ストリング５の遮光Ｉ−Ｖ特性をＩ−Ｖ特性測定部１１により測定する。

【0050】

ここで、遮光Ｉ−Ｖ特性の測定においては、選択した１つの太陽電池モジュール４の全面を遮光板により覆うようにすることができるが、図５に示すように、当該太陽電池モジュール４の導電経路を、この太陽電池モジュール４を構成する複数のクラスタ４ｄのそれぞれに設けられたバイパスダイオード４ｃを経由した経路とすることができれば、太陽電池モジュール４の一部の領域のみを遮光板２０によって遮光するようにしてもよい。

【0051】

Ｉ−Ｖ特性測定部１１により測定された遮光Ｉ−Ｖ特性は、無線インターフェース１１ｅ、１２ｂを介して劣化判定部１２に送信され、図６に示すように、表示部１２ｄに基準Ｉ−Ｖ特性とともに表示される。

【0052】

次に、劣化判定部１２は、Ｉ−Ｖ特性測定部１１により測定された遮光Ｉ−Ｖ特性のバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓから低圧側に延びる線形領域における電圧値Ｖ１ｓと、Ｉ−Ｖ特性測定部１１により測定された基準Ｉ−Ｖ特性の線形領域における電圧値Ｖ１ｓと同一の測定点（同一の電流値）における電圧値Ｖ１ｒとから判定指標を抽出し、この判定指標に基づいて、劣化判別の対象となる太陽電池モジュール４の劣化の有無を判定する。太陽電池モジュール４は３つのクラスタ４ｄで構成されているので、太陽電池モジュール４の劣化はクラスタ４ｄの劣化である。

【0053】

ここで、太陽電池モジュール４のクラスタ４ｄの劣化（クラスタ劣化）には、クラスタ高抵抗化、クラスタ断線及びバイパスダイオード４ｃのショート故障がある。

【0054】

クラスタ高抵抗化とは、クラスタ４ｄが電気的な導通はあるものの高抵抗となっているためにバイパスダイオード４ｃが作動している劣化状態のことである。この劣化状態においては、太陽電池ストリング５の全体のＩ−Ｖ特性の開放電圧値Ｖｏｃは、クラスタ劣化がない正常な太陽電池ストリング５の開放電圧値Ｖｏｃから変化しないが、開放電圧値Ｖｏｃからバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｒ、Ｐｓまでの間に直線に近い電圧領域（バイパスダイオード４ｃの作動しない領域）が生じ、バイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｒ、Ｐｓよりも低圧側においてはＩ−Ｖ特性は立ち上がっている。

【0055】

クラスタ断線とは、クラスタ４ｄに電気的な導通がなくなったためにバイパスダイオード４ｃが作動している劣化状態のことである。この劣化状態では、バイパスダイオード４ｃの順方向電圧をＶｄとすると、太陽電池ストリング５の全体のＩ−Ｖ特性の開放電圧値Ｖｏｃは、クラスタ劣化がない正常な太陽電池ストリング５の開放電圧値からＶｃ−Ｖｄだけシフトする。ここで、Ｖｃは、Ｖｏｃ／（１つの太陽電池モジュール４を構成するクラスタ数×太陽電池ストリング５を構成する太陽電池モジュール４の数）で定義されるクラスタ電圧であり、本実施の形態においては、Ｖｃ＝Ｖｏｃ／（３×８）である。

【0056】

バイパスダイオード４ｃのショート故障とは、バイパスダイオード４ｃの整流機能が消失してバイパスダイオード４ｃが電気的にショートした劣化状態のことである。この劣化状態では、バイパスダイオード４ｃの順方向電圧Ｖｄは生じないので、Ｉ−Ｖ特性は、正常な太陽電池ストリング５の開放電圧値ＶｏｃからＶｃだけ低圧側へシフトする。

【0057】

太陽電池ストリング５がクラスタ劣化を含まない場合には、そのＩ−Ｖ特性の開放電圧値Ｖｏｃの近傍における接線の勾配は、ｄＩ／ｄＶ＝−１／Ｒｓ（Ｒｓは太陽電池ストリングの等価回路の直列抵抗成分）で与えられることが知られている。Ｒｓは数年単位の長時間で変化するが、Ｉ−Ｖ特性を測定する時間スケール（数百ミリ秒）に比べて十分に長く、Ｉ−Ｖ特性の測定中は定数と見做せるので、Ｉ−Ｖ特性の形状は開放電圧値Ｖｏｃの近傍で線形性（直線性）を有する。このＩ−Ｖ特性の線形性は、クラスタ断線またはバイパスダイオード４ｃのショート故障のクラスタ劣化を含む太陽電池ストリング５においても、その開放電圧値Ｖｏｃの近傍で成り立つ。一方、クラスタ４ｄが高抵抗化したクラスタ劣化の場合は、バイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓから低圧側に延びる領域において、Ｉ−Ｖ特性に上記したｄＩ／ｄＶ＝−１／Ｒｓの関係を満たす線形性（直線性）を有する領域があると見做せる。すなわち、遮光Ｉ−Ｖ特性は、遮光によるバイパスダイオード４ｃの作動領域を有するものとなるが、このバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓから低圧側に延びる線形性を有する領域が線形領域となる。図６に示すように、基準Ｉ−Ｖ特性及び遮光Ｉ−Ｖ特性が、それぞれバイパスダイオード４ｃの作動領域を有する場合には、基準Ｉ−Ｖ特性及び遮光Ｉ−Ｖ特性における線形領域は、バイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｒ、Ｐｓから低圧側に延びる領域であって、上記したｄＩ／ｄＶ＝１／Ｒｓ（Ｒｓ：直列抵抗成分）の関係を満たす線形性（直線性）を有する領域のことである。

【0058】

Ｉ−Ｖ特性の測定時に十分な発電量（例えば短絡電流値Ｉｓｃが２Ａ以上）の場合は、多くの市販のバイパスダイオード４ｃの順方向電圧Ｖｄを勘案すると、短絡電流値Ｉｓｃの２０％の電流値であればＩ−Ｖ特性の上記の線形性（直線性）は保たれている。

【0059】

そこで、本発明の実施例１の態様では、劣化判定部１２は、図６に示すように、短絡電流値Ｉｓｃの２０％に相当する電流値（２０％電流値）を測定点とし、遮光Ｉ−Ｖ特性のバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓから低圧側に延びる線形領域上の当該測定点（２０％電流値）に対応する電圧値Ｖ１ｓと、基準Ｉ−Ｖ特性の線形領域上の当該測定点（２０％電流値）に対応する電圧値Ｖ１ｒとを得て、これらの電圧値Ｖ１ｓと電圧値Ｖ１ｒとの電位差ΔＶ１を判定指標として抽出し、この電位差ΔＶ１に基づいて太陽電池モジュール４の劣化の有無を判定するようにしている。

【0060】

なお、本実施例１では、短絡電流値Ｉｓｃの２０％に相当する電流値を測定点として基準Ｉ−Ｖ特性の電圧値Ｖ１ｒと遮光Ｉ−Ｖ特性の電圧値Ｖ１ｓとを得るようにしているが、バイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓから低圧側に延びる線形領域上であれば、何れの電流値に対応する点を測定点として設定してもよい。また、遮光Ｉ−Ｖ特性の直線性はバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓに近いほど良くなるので、遮光Ｉ−Ｖ特性のバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓにより近い位置となる電流値を測定点として設定するのが好ましく、さらに、遮光Ｉ−Ｖ特性のバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓを測定点として設定するのがより好ましい。

【0061】

基準Ｉ−Ｖ特性の線形領域と遮光Ｉ−Ｖ特性の線形領域においては、当該線形領域における同一の電流値に対する電位差ΔＶ１（離散値）は、太陽電池モジュール４のクラスタ４ｄの劣化数に１対１で対応する。したがって、本実施の形態の太陽電池モジュールの劣化判別方法によれば、上記した判定指標すなわち電位差ΔＶ１に基づいて、太陽電池モジュール４のクラスタ劣化の有無だけでなく、劣化したクラスタ４ｄの数を判定することができる。

【0062】

例えば、太陽電池モジュール４を構成する３つのクラスタ４ｄのうち１つのクラスタ４ｄが劣化し、隣接する太陽電池モジュール４からの電流が、１つの劣化したクラスタ４ｄにおいてはセルストリング４ｂに流れることなくバイパスダイオード４ｃを経由した経路で流れ、正常な２つのクラスタ４ｄにおいてはセルストリング４ｂに流れる場合には、当該太陽電池モジュール４の両端における電位差は、クラスタ高抵抗化またはクラスタ断線の場合には２Ｖｃ−Ｖｄとなり、バイパスダイオード４ｃのショート故障の場合には２Ｖｃとなる。ここで、当該太陽電池モジュール４の３つのクラスタ４ｄを遮光板２０により遮光して、３つのバイパスダイオード４ｃの全てを経由する経路へ発電電流を迂回させると、クラスタ高抵抗化またはクラスタ断線の場合における太陽電池モジュール４の両端における電位差は−３Ｖｄとなり、バイパスダイオード４ｃのショート故障の場合における太陽電池モジュール４の両端における電位差は−２Ｖｄとなる。したがって、遮光の前後における太陽電池モジュール４の両端の電位差は、クラスタ高抵抗化またはクラスタ断線の場合は（２Ｖｃ−Ｖｄ）−（−３Ｖｄ）＝２Ｖｃ＋２Ｖｄとなり、バイパスダイオード４ｃのショート故障の場合は２Ｖｃ−（−２Ｖｄ）＝２Ｖｃ＋２Ｖｄとなるので、太陽電池モジュール４に１つの劣化したクラスタ４ｄが存在していることは、太陽電池モジュール４の両端電圧が当該太陽電池モジュール４を遮光することによって２Ｖｃ＋２Ｖｄとなることを検知することで判別することができる。

【0063】

これに対し、太陽電池モジュール４を構成する３つのクラスタ４ｄのうち２つのクラスタ４ｄが劣化し、隣接する太陽電池モジュール４からの電流が、２つの劣化したクラスタ４ｄにおいてはセルストリング４ｂに流れることなくバイパスダイオード４ｃを経由した経路で流れ、正常な１つのクラスタ４ｄにおいてはセルストリング４ｂに流れる場合には、当該太陽電池モジュール４の両端における電位差は、クラスタ高抵抗化またはクラスタ断線の場合にはＶｃ−２Ｖｄとなり、バイパスダイオード４ｃのショート故障の場合にはＶｃとなる。ここで、当該太陽電池モジュール４の３つのクラスタ４ｄを遮光板２０により遮光して、３つのバイパスダイオード４ｃの全てを経由する経路へ発電電流を迂回させると、クラスタ高抵抗化またはクラスタ断線の場合における太陽電池モジュール４の両端における電位差は−３Ｖｄとなり、バイパスダイオード４ｃのショート故障の場合における太陽電池モジュール４の両端における電位差は−２Ｖｄとなる。したがって、遮光する前後の太陽電池モジュール４の両端における電位差は、クラスタ高抵抗化またはクラスタ断線の場合は（Ｖｃ−２Ｖｄ）−（−３Ｖｄ）＝Ｖｃ＋Ｖｄとなり、バイパスダイオード４ｃのショート故障の場合はＶｃ−（−Ｖｄ）＝Ｖｃ＋Ｖｄとなるので、太陽電池モジュール４に２つの劣化したクラスタ４ｄが存在していることは、太陽電池モジュール４の両端電圧が当該太陽電池モジュール４を遮光することによってＶｃ＋Ｖｄとなることを検知することで判別することができる。

【0064】

同様に、太陽電池モジュール４を構成する３つのクラスタ４ｄの全てが劣化し、隣接する太陽電池モジュール４からの電流が、３つのクラスタ４ｄの全てにおいてセルストリング４ｂに流れることなくバイパスダイオード４ｃを経由した経路で流れる場合には、遮光する前後における太陽電池モジュール４の両端における電位差は、クラスタ高抵抗化またはクラスタ断線の場合は（−３Ｖｄ）−（−３Ｖｄ）＝０となり、バイパスダイオード４ｃのショート故障の場合は−Ｖｄ−（−Ｖｄ）＝０となるので、太陽電池モジュール４に３つの劣化したクラスタ４ｄが存在していることは、太陽電池モジュール４の両端電圧が当該太陽電池モジュール４を遮光することによって０となることを検知することで判別することができる。

【0065】

以上のように、１つの太陽電池モジュール４に含まれる劣化クラスタ数と遮光前後の開放電圧値の差（離散値）とが１対１に対応する。したがって、本実施の形態の太陽電池モジュールの劣化判別方法において、判定指標である電位差ΔＶ１に基づいた太陽電池モジュール４のクラスタ４ｄの劣化の有無及び劣化したクラスタ４ｄの数の判定は以下の手順で行うことができる。

【0066】

すなわち、判定指標である電位差ΔＶ１が上記した２Ｖｃ＋２Ｖｄに近い値をとることで、太陽電池モジュール４の中の１つのクラスタ４ｄが劣化していることを判別することができる。また、判定指標である電位差ΔＶ１が上記したＶｃ＋Ｖｄに近い値をとることで、太陽電池モジュール４の中の２つのクラスタ４ｄが劣化していることを判別することができる。さらに、判定指標である電位差ΔＶ１が０に近い値をとることで、太陽電池モジュール４の中の３つのクラスタ４ｄが劣化していることを判別することができる。

【0067】

このように、本実施の形態によれば、遮光Ｉ−Ｖ特性のバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓから低圧側に延びる線形領域上の電圧値Ｖ１ｓと、この電圧値Ｖ１ｓと同一の電流値における基準Ｉ−Ｖ特性の線形領域上の電圧値Ｖ１ｒとから判定指標である電位差ΔＶ１を抽出し、この電位差ΔＶ１に基づいて、劣化判定部１２により、選択された判別対象の太陽電池モジュール４のクラスタ劣化の有無を判別するとともに劣化クラスタ数を得ることができる。

【0068】

また、太陽電池ストリング５を構成する複数の太陽電池モジュール４について、判別対象となる太陽電池モジュール４を順番に選択して上記と同一の手順を行うことで、太陽電池ストリング５を構成する全ての太陽電池モジュール４についてクラスタ劣化の有無を判別することができるとともに劣化クラスタ数を判別することができる。

【0069】

ここで、Ｖｃは基準Ｉ−Ｖ特性の開放電圧値Ｖｏｃを、太陽電池ストリング５を構成する全てのクラスタ４ｄの数で除した値であるが、太陽電池モジュール４のＩ−Ｖ特性から明らかなように開放電圧値Ｖｏｃは日射変動の影響を受ける。一方、劣化クラスタ数を判別する電位差ΔＶ１は離散値であるから、劣化クラスタ数を正しく判別できるように電位差ΔＶ１の範囲を設定することが可能である。例えば、劣化クラスタ数が１であることを判別できるためには、電位差ΔＶ１＝２Ｖｃ＋２Ｖｄが、１クラスタ電圧Ｖｃの幅を超えない範囲で変動しても劣化クラスタ数を０または２と誤判別することは回避できる。

【0070】

そこで、本実施の形態では、図６に示すように、電位差ΔＶ１がＶｄ＋２Ｖｃから±Ｖｃ／２の範囲内にあるときすなわちＶｄ＋５Ｖｃ／２＞ΔＶ１≧Ｖｄ＋３Ｖｃ／２を満たすときにクラスタ劣化数が１であると判別し、電位差ΔＶ１がＶｄ＋Ｖｃから±Ｖｃ／２の範囲内にあるときすなわちＶｄ＋３Ｖｃ／２＞ΔＶ１≧Ｖｄ＋Ｖｃ／２を満たすときにクラスタ劣化数が２であると判別し、電位差ΔＶ１がＶｄからから±Ｖｃ／２の範囲内にあるときすなわちＶｄ＋Ｖｃ／２＞ΔＶ１≧Ｖｄ−Ｖｃ／２を満たすときに劣化クラスタ数が３であると判別し、電位差ΔＶ１がΔＶ１≧Ｖｄ＋５Ｖｃ／２を満たすときには劣化クラスタ数が０であると判別するようにしている。これにより、太陽電池モジュール４のＩ−Ｖ特性が日射変動等の影響を受けても、劣化クラスタ数を正確に判別することができる。

【0071】

本実施の形態では、上記判定指標である電位差ΔＶ１に基づいて太陽電池モジュール４が劣化していない（劣化クラスタ数が０である）と判定された場合に、遮光Ｉ−Ｖ特性の線形領域よりも低圧側の所定の電流値に対応する電圧値Ｖ２ｓと、基準Ｉ−Ｖ特性の所定の電流値に対応する電圧値Ｖ２ｒとの電位差ΔＶ２に基づいて、太陽電池ストリング５の電流低下の有無を判定するようにしている。太陽電池ストリング５の電流低下の有無を判定することにより、上述したクラスタ劣化とは異なる、光電変換効率（発電効率）が低下したクラスタ４ｄが含まれる太陽電池モジュール４を特定することができる。

【0072】

図６に示すように、太陽電池ストリング５の中に、クラスタ劣化に至らない状態での光電変換効率が低下したクラスタ４ｄが含まれる場合、各クラスタ４ｄの同電流点に対する電圧の水平加法性により、正常なクラスタの場合と比べて加算電圧が小さくなるので、太陽電池ストリング５のＩ−Ｖ特性には、図６のように高電流−高電圧域に、影がかかった場合と同等の変形（変曲点ｐ）が生じる。変曲点ｐの位置は、光電変換効率の低下が大きいほどＩ−Ｖ特性の低電流側（高電圧側）になる。

【0073】

本実施の形態では、電位差ΔＶ１に基づいて太陽電池モジュール４が劣化していない（劣化クラスタ数が０である）と判定された場合、すなわち電位差ΔＶ１が３Ｖｄ＋３Ｖｄに近い値であって、基準Ｉ−Ｖ特性の変曲点の中の最大電流値の変曲点ｐから短絡電流値Ｉｓｃまでの電流域において、基準Ｉ−Ｖ特性と遮光Ｉ−Ｖ特性との同じ電流値（測定点）における電圧値Ｖ２ｓ、Ｖ２ｒの電位差ΔＶ２が電位差ΔＶ１よりも小さい場合に、遮光した太陽電池モジュール４の中に光電変換効率が低下したクラスタ４ｄが存在すると判別する。すなわち、ΔＶ１＞Ｖｄ＋５Ｖｃ／２、かつ、ΔＶ２＜（Ｖｄ＋３Ｖｃ）×α(０＜α＜１)を満たす場合に、遮光した太陽電池モジュール４の中に光電変換効率が低下したクラスタ４ｄが存在すると判別する。

【0074】

本実施の形態においては、基準Ｉ−Ｖ特性の変曲点の中の最大電流値の変曲点ｐから短絡電流値Ｉｓｃまでの電流域、より具体的には短絡電流値Ｉｓｃの８０％の電流値を測定点として電圧値Ｖ２ｓ、Ｖ２ｒの電位差ΔＶ２を得るようにしているが、当該測定点は、遮光Ｉ−Ｖ特性の線形領域よりも低圧側の電流値であればよい。

【0075】

以上を纏めると、図７に示すように、測定前設定としてバイパスダイオード４ｃの順方向電圧Ｖｄを入力し、基準Ｉ−Ｖ特性と遮光Ｉ−Ｖ特性の測定を行うことで、バイパスダイオード４ｃの順方向電圧Ｖｄと基準Ｉ−Ｖ特性における開放電圧値（Ｖｏｃ）とからクラスタ劣化の判定領域境界が導出されるとともに、電圧値Ｖ１ｒ、Ｖ１ｓから電位差ΔＶ１が導出され、電圧値Ｖ２ｒ、Ｖ２ｓから電位差ΔＶ２が導出され、これらが判定領域境界と照合されて劣化判定が行われて、クラスタ劣化の有無及び劣化クラスタ数が判別されるとともに太陽電池ストリング５の電流低下の有無が判定され、何れにも該当しない場合には太陽電池ストリング５が正常であると判断される。以上の判断結果は、表示部１２ｄに表示される。

【0076】

より具体的な手順について図８、図９に基づいて説明すると、操作者により操作部１２eに対して基準Ｉ−Ｖ特性の測定開始の操作が行なわれると、基準Ｉ−Ｖ特性の測定に関する制御情報が劣化判定部１２の制御部１２ａからＩ−Ｖ特性測定部１１に送信され、Ｉ−Ｖ特性測定部１１の制御部１１ｄにおいて基準Ｉ−Ｖ特性の測定が行われる。基準Ｉ−Ｖ特性の測定結果は劣化判定部１２の制御部１２ａに送信され、データ表示処理がなされて表示部１２ｄに表示される（図４）。また、制御部１２ａは、基準Ｉ−Ｖ特性の測定結果に基づき判別パラメータを抽出するとともに判定領域境界を導出し、その後、遮光Ｉ−Ｖ特性の測定準備が完了したことを表示部１２ｄに表示する。

【0077】

操作者は、表示部１２ｄの表示から遮光Ｉ−Ｖ特性の測定準備が完了したことを認識したならば、測定対象となる太陽電池モジュール４を選択し、当該太陽電池モジュール４を遮光操作した後、操作部１２eを操作して遮光Ｉ−Ｖ特性の測定を開始する。遮光Ｉ−Ｖ特性の測定が開始されると、遮光Ｉ−Ｖ特性の測定に関する制御情報が劣化判定部１２の制御部１２ａからＩ−Ｖ特性測定部１１に送信され、Ｉ−Ｖ特性測定部１１の制御部１１ｄにおいて遮光Ｉ−Ｖ特性の測定が行われる。遮光Ｉ−Ｖ特性の測定結果は劣化判定部１２の制御部１２ａに送信され、データ表示処理がなされて基準Ｉ−Ｖ特性とともに表示部１２ｄに表示される（図６）。また、制御部１２ａは、遮光Ｉ−Ｖ特性の測定結果に基づき判別パラメータを抽出するとともに電位差ΔＶ１、ΔＶ２を導出し、これらを判定領域境界と照合して劣化の判定を行い、その判定結果を表示部１２ｄに表示する。

【0078】

以降、太陽電池ストリング５を構成する全ての太陽電池モジュール４について同様の手順を繰り返し行うことで、全ての太陽電池モジュール４について劣化判定を行う。

【0079】

次に、本発明の実施例２について説明する。実施例２によっても、遮光Ｉ−Ｖカーブのバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓから低圧側に延びる線形領域と当該線形領域に対応した基準Ｉ−Ｖ特性の線形領域とを利用して、太陽電池モジュールの劣化の有無と、劣化クラスタ数を判別することができる。

【0080】

本発明の実施例１では、遮光Ｉ−Ｖ特性の線形領域上の所定の電流値に対応する電圧値Ｖ１ｓと、基準Ｉ−Ｖ特性の線形領域上の所定の電流値に対応する電圧値Ｖ１ｒとの電位差ΔＶ１を判定指標としてクラスタ劣化の有無を判定するようにしている。

【0081】

これに対し、実施例２においては、図１０に示すように、基準Ｉ−Ｖ特性がバイパスダイオード４ｃの動作領域を有する場合、すなわち太陽電池ストリング５を構成する少なくとも１つのクラスタ４ｄが劣化して該クラスタ４ｄのバイパスダイオード４ｃが動作している場合に、遮光Ｉ−Ｖ特性のバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓから外挿した外挿線Ｌｓが電圧軸と交差する点における電圧値Ｖ３ｓと、基準Ｉ−Ｖ特性のバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｒから外挿した外挿線Ｌｒが電圧軸と交差する点における電圧値Ｖ３ｒとの電位差ΔＶ３を判定指標とし、電位差ΔＶ３に基づいて太陽電池モジュール４の劣化の有無を判定するようにしている。

【0082】

実施例２における電位差ΔＶ３は、実施例１における電位差ΔＶ２と等価な劣化クラスタ数の判別指標となるので、電位差ΔＶ３に基づいて、電位差ΔＶ２と同様のクラスタ劣化数判別方法を用いて、劣化クラスタ数を判別することができる。すなわち、図１０に示すように、電位差ΔＶ３がＶｄ＋２Ｖｃから±Ｖｃ／２の範囲内にあるときすなわちＶｄ＋５Ｖｃ／２＞ΔＶ３≧Ｖｄ＋３Ｖｃ／２を満たすときにクラスタ劣化数が１であると判別し、電位差ΔＶ３がＶｄ＋Ｖｃから±Ｖｃ／２の範囲内にあるときすなわちＶｄ＋３Ｖｃ／２＞ΔＶ３≧Ｖｄ＋Ｖｃ／２を満たすときにクラスタ劣化数が２であると判別し、電位差ΔＶ３がＶｄから±Ｖｃ／２の範囲内にあるときすなわちＶｄ＋Ｖｃ／２＞ΔＶ３≧Ｖｄ−Ｖｃ／２を満たすときに劣化クラスタ数が３であると判別し、電位差ΔＶ３がΔＶ３≧Ｖｄ＋５Ｖｃ／２を満たすときには劣化クラスタ数が０であると判別することができる。

【0083】

ここで、外挿線Ｌｓは動作点Ｐｓから遮光Ｉ−Ｖ特性の線形領域に沿う方向に向けて外挿された判別点決定直線であり、より具体的には動作点Ｐｓを通る遮光Ｉ−Ｖ特性の接線である。また、外挿線Ｌｒは動作点Ｐｒから基準Ｉ−Ｖ特性の線形領域に沿う方向に向けて外挿された判別点決定直線であり、より具体的には動作点Ｐｒを通る基準Ｉ−Ｖ特性の接線である。外挿線Ｌｓは、遮光Ｉ−Ｖ特性の線形領域に属する少なくとも２つの測定点の電圧値と電流値を用いて最小二乗法により求めてもよい。同様に、外挿線Ｌｒは、基準Ｉ−Ｖ特性の線形領域に属する少なくとも２つの測定点の電圧値と電流値を用いて最小二乗法により求めてもよい。

【0084】

なお、基準Ｉ−Ｖ特性にバイパスダイオード４ｃの動作領域が現れない場合には、基準Ｉ−Ｖ特性の開放電圧値Ｖｏｃを与える点においてその低圧側で基準Ｉ−Ｖ特性に接する直線を基準Ｉ−Ｖ特性の外挿線Ｌｒないし判別点決定直線とすることができる。

【0085】

以上を纏めると、図１１に示すように、測定前設定としてバイパスダイオード４ｃの順方向電圧Ｖｄを入力し、基準Ｉ−Ｖ特性と遮光Ｉ−Ｖ特性の測定を行うことで、バイパスダイオード４ｃの順方向電圧Ｖｄと基準Ｉ−Ｖ特性における開放電圧値Ｖｏｃとからクラスタ劣化の判定領域境界が導出されるとともに、電圧値Ｖ３ｒ、Ｖ３ｓから電位差ΔＶ３が導出され、これが判定領域境界と照合されて劣化判定が行われて、クラスタ劣化の有無及び劣化クラスタ数が判別される。

【0086】

より具体的な手順について図１２、図１３に基づいて説明すると、操作者により操作部１２eに対して基準Ｉ−Ｖ特性の測定開始の操作が行なわれると、基準Ｉ−Ｖ特性の測定に関する制御情報が劣化判定部１２の制御部１２ａからＩ−Ｖ特性測定部１１に送信され、Ｉ−Ｖ特性測定部１１の制御部１１ｄにおいて基準Ｉ−Ｖ特性の測定が行われる。基準Ｉ−Ｖ特性の測定結果は劣化判定部１２の制御部１２ａに送信され、データ表示処理がなされて表示部１２ｄに表示される。また、制御部１２ａは、基準Ｉ−Ｖ特性の測定結果に基づき電圧値Ｖ３ｒを抽出するとともに判定領域境界を導出し、その後、遮光Ｉ−Ｖ特性の測定準備が完了したことを表示部１２ｄに表示する。

【0087】

操作者は、表示部１２ｄの表示から遮光Ｉ−Ｖ特性の測定準備が完了したことを認識したならば、測定対象となる太陽電池モジュール４を選択し、当該太陽電池モジュール４を遮光操作した後、操作部１２eを操作して遮光Ｉ−Ｖ特性の測定を開始する。遮光Ｉ−Ｖ特性の測定が開始されると、遮光Ｉ−Ｖ特性の測定に関する制御情報が劣化判定部１２の制御部１２ａからＩ−Ｖ特性測定部１１に送信され、Ｉ−Ｖ特性測定部１１の制御部１１ｄにおいて遮光Ｉ−Ｖ特性の測定が行われる。遮光Ｉ−Ｖ特性の測定結果は劣化判定部１２の制御部１２ａに送信され、データ表示処理がなされて基準Ｉ−Ｖ特性とともに表示部１２ｄに表示される（図１０）。また、制御部１２ａは、遮光Ｉ−Ｖ特性の測定結果に基づき電圧値Ｖ３ｓを抽出するとともに電圧値Ｖ３ｒと電圧値Ｖ３ｓとから電位差ΔＶ３を導出し、これを判定領域境界と照合して劣化の判定を行い、その判定結果を表示部１２ｄに表示する。

【0088】

以降、太陽電池ストリング５を構成する全ての太陽電池モジュール４について同様の手順を繰り返し行うことで、全ての太陽電池モジュール４について劣化判定を行う。

【0089】

以上の通り、本実施の形態の太陽電池モジュールの劣化判別方法ないし劣化判別装置１０によれば、遮光Ｉ−Ｖ特性のバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓから低圧側に延びる線形領域における電圧値と、該電圧値と同一の測定点における基準Ｉ−Ｖ特性の線形領域における電圧値とから判定指標として電位差ΔＶ１または電位差ΔＶ３を抽出し、これらの電位差ΔＶ１または電位差ΔＶ３に基づいて太陽電池モジュール４の劣化の有無を判定するようにしたので、以下の効果を得ることができる。

【0090】

すなわち、クラスタ劣化にはクラスタ高抵抗化、クラスタ断線、バイパスダイオード４ｃのショート故障の３つのクラスタ劣化モードがあり、３クラスタで構成される太陽電池モジュール４では２７通りのクラスタ劣化パターンが存在することになるが、いずれの劣化パターンであっても、可能な限り早期に当該太陽電池モジュール４を交換する必要があることから、太陽電池モジュール４の交換の要否を単一の指標で特定できることが有効である。このような要望に対し、本実施の形態の太陽電池モジュールの劣化判別方法ないし劣化判別装置１０では、遮光Ｉ−Ｖ特性と基準Ｉ−Ｖ特性とのバイパスダイオード４ｃの動作点Ｐｓ、Ｐｒから低圧側に延びる両Ｉ−Ｖ特性の線形領域を利用して電位差ΔＶ１または電位差ΔＶ３を単一の判別指標として抽出し、この判定指標に基づいて太陽電池モジュール４の劣化の有無を判定することにより、当該判定指標の離散性を活用してクラスタ劣化を含む太陽電池モジュール４の特定と、その劣化クラスタ数とを同時に判別することができる。

【0091】

太陽電池モジュールの劣化判別装置１０は、判別対象となる太陽電池モジュール４に含まれるバイパスダイオード４ｃのオープン故障を判別することもできる。

【0092】

上記の通り、バイパスダイオード４ｃは、影や故障等によって、セルストリング４ｂに不均一に太陽光が照射されるなどして、クラスタ４ｄの内部のセルストリング４ｂの発電量が相対的に低下した部分の両端電圧が同じクラスタ４ｄの内部のセルストリング４ｂの正常に発電している部分によって発生した発電電圧より高くなってバイパスダイオード４ｃの順方向電圧Ｖｄに等しくなったときに作動し、セルストリング４ｂを迂回するように発電電流をバイパスさせて、セルストリング４ｂにホットスポットが発生することを回避するためのものである。したがって、正常な太陽電池モジュール４の全体に均一に太陽光が照射されると、各太陽電池セル４ａの発電によって生じる起電力の合計がバイパスダイオード４ｃの順方向電圧Ｖｄ以上となるので、発電電流はバイパスダイオード４ｃを通らずに各セルストリング４ｂを順に流れることになる。

【0093】

図１４（ａ）に示すように、あるクラスタ４ｄのバイパスダイオード４ｃがオープン故障している場合、太陽電池モジュール４を遮光しない非遮光状態では、太陽電池モジュール４のセルストリング４ｂに劣化がなく、または太陽電池モジュール４に影がかからず表面汚れもない場合、図１４（ａ）中において太線で示すように、発電電流はバイパスダイオード４ｃを通らずに各セルストリング４ｂを順に流れるのでバイパスダイオード４ｃのオープン故障の有無を発見することはできない。このときのＩ−Ｖ特性は、図１５において実線で示す基準ＩＶとなる。

【0094】

一方、図１４（ｂ）に示すように、遮光板２０によって太陽電池モジュール４の導電経路が該太陽電池モジュール４を構成する複数のクラスタ４ｄのそれぞれに設けられたバイパスダイオード４ｃを経由した経路となるように太陽電池モジュール４の一部のみを遮光すると、バイパスダイオード４ｃが正常に作動したクラスタ４ｄでは電流はバイパスダイオード４ｃを経由する経路に迂回するが、バイパスダイオード４ｃがオープン故障しているクラスタ４ｄのセルストリング４ｂには強制的に発電電流が流される。バイパスダイオード４ｃがオープン故障しているクラスタ４ｄのセルストリング４ｂに強制的に発電電流が流されると、その経路上の遮光部分の太陽電池セル４ａが抵抗体となって、図１５において遮光ＩＶとして破線で示すように、Ｉ−Ｖ特性は基準ＩＶに対して発電量が著しく減少した形状となる。

【0095】

続いて、遮光板２０を取り外し、太陽電池モジュール４を再度その全体が遮光されない図１４（ａ）の状態としてＩ―Ｖ特性を測定する。このときのＩ−Ｖ特性は、図１５において非遮光ＩＶとして一点鎖線で示すように、基準ＩＶとほぼ等しい形状となる。

【0096】

したがって、基準ＩＶ、遮光ＩＶ及び非遮光ＩＶの３つのＩ−Ｖ特性において、所定の電圧値Ｖｂｐに対する電流値をそれぞれＩ_１、Ｉ_２、Ｉ_３とすると、Ｉ_２／Ｉ_１≦β（判別定数）、かつ、Ｉ_１≒Ｉ_３ないしＩ_１＝Ｉ_３が成立すれば、当該太陽電池モジュール４にはバイパスダイオード４ｃのオープン故障が存在すると判別することができる。

【0097】

バイパスダイオード４ｃのオープン故障を判別するための判別定数βは、遮光操作によって発電電流を、バイパスダイオード４ｃを経由した経路へと迂回させるために必要な遮光領域によって決まる定数である。図１４（ｂ）に示すように、遮光板２０は、その矩形形状の横方向の長さＬ１が、太陽電池モジュール４のクラスタ４ｄが配列される方向の幅寸法すなわち各クラスタ４ｄの短辺の幅寸法ＣＬ×クラスタ数に略等しい長さに設定されるとともに、その矩形形状の縦方向の長さＬ２が、遮光板２０による遮光操作によって、各クラスタ４ｄに設けられたバイパスダイオード４ｃを経由する経路へと発電電流を迂回させることが可能な遮光面積とする長さに設定されている。したがって、この場合、判別定数βはＬ２の関数としてＬ２を適宜設定すすることによって決定することができる。

【0098】

図１６は、１４個の太陽電池モジュールで構成される太陽電池ストリングに対して、バイパスダイオードのオープン故障が含まれない場合のＩ−Ｖ特性と、バイパスダイオードのオープン故障が１カ所（１クラスタ）あって、１つの太陽電池モジュール４を全面遮光した場合のＩ−Ｖ特性とを示すシミュレーションの例である。このシミュレーションでは、開放電圧：３６．８Ｖ、短絡電流：８．７５Ａ、最大出力動作電圧：２９．７Ｖ、最大出力動作電流：８．１７Ａの市販のモジュールの数値を用いた。

【0099】

シミュレーションの結果から、バイパスダイオードのオープン故障では、１つの太陽電池モジュールを全面遮光した場合は、バイパスダイオードのオープン故障がない場合に対して、ほぼ全電圧領域においてストリング電流が低下し、短絡電流値Ｉｓｃは５０％ほどに低下することが解る。したがって、電流値Ｉ_１、Ｉ_２、Ｉ_３を短絡電流値Ｉｓｃで採る場合（Ｖｂｐ＝０Ｖ）には、１つの太陽電池モジュールを全面遮光（Ｌ２はクラスタの長辺に略等しい）とすることで、判別定数βを０．５＜β＜１に設定すればよい。また、Ｖｂｐ＝３００Ｖとした場合には、判別定数βを０．３＜β＜０．５に設定すればよい。

【0100】

太陽電池モジュールの劣化判別装置１０によるバイパスダイオードのオープン故障判別方法のより具体的な手順について図１７、図１８に基づいて説明すると、操作者により操作部１２eに対して基準Ｉ−Ｖ特性の測定開始の操作が行なわれると、基準Ｉ−Ｖ特性の測定に関する制御情報が劣化判定部１２の制御部１２ａからＩ−Ｖ特性測定部１１に送信され、Ｉ−Ｖ特性測定部１１の制御部１１ｄにおいて基準Ｉ−Ｖ特性（図１５における基準ＩＶ）の測定が行われる。基準Ｉ−Ｖ特性の測定結果は劣化判定部１２の制御部１２ａに送信され、データ表示処理がなされて表示部１２ｄに表示される。また、制御部１２ａは、基準Ｉ−Ｖ特性の測定結果に基づきＶｂｐにおける電流値Ｉ_１を抽出し、その後、遮光Ｉ−Ｖ特性の測定準備が完了したことを表示部１２ｄに表示する。

【0101】

操作者は、表示部１２ｄの表示から遮光Ｉ−Ｖ特性の測定準備が完了したことを認識したならば、測定対象となる太陽電池モジュール４を選択し、当該太陽電池モジュール４を遮光操作した後、操作部１２eを操作して遮光Ｉ−Ｖ特性の測定を開始する。遮光Ｉ−Ｖ特性の測定が開始されると、遮光Ｉ−Ｖ特性の測定に関する制御情報が劣化判定部１２の制御部１２ａからＩ−Ｖ特性測定部１１に送信され、Ｉ−Ｖ特性測定部１１の制御部１１ｄにおいて遮光Ｉ−Ｖ特性（図１５における遮光ＩＶ）の測定が行われる。遮光Ｉ−Ｖ特性の測定結果は劣化判定部１２の制御部１２ａに送信され、データ表示処理がなされて基準Ｉ−Ｖ特性とともに表示部１２ｄに表示される。また、制御部１２ａは、遮光Ｉ−Ｖ特性の測定結果に基づきＶｂｐにおける電流値Ｉ_２を抽出し、Ｉ_２／Ｉ_１≦βを満たすか判定し、満たす（ＹＥＳ）の場合には、その判定結果とともに非遮光状態で再度測定を行う指示を表示部１２ｄに表示する。

【0102】

操作者は、表示部１２ｄの表示から非遮光状態で再度測定を行う旨を認識したならば、当該太陽電池モジュール４を遮光しない状態とした後、操作部１２eを操作して非遮光Ｉ−Ｖ特性の測定を開始する。非遮光Ｉ−Ｖ特性の測定が開始されると、非遮光Ｉ−Ｖ特性の測定に関する制御情報が劣化判定部１２の制御部１２ａからＩ−Ｖ特性測定部１１に送信され、Ｉ−Ｖ特性測定部１１の制御部１１ｄにおいて非遮光Ｉ−Ｖ特性（図１５における非遮光ＩＶ）の測定が行われる。非遮光Ｉ−Ｖ特性の測定結果は劣化判定部１２の制御部１２ａに送信され、データ表示処理がなされて基準Ｉ−Ｖ特性、遮光Ｉ−Ｖ特性とともに表示部１２ｄに表示される。また、制御部１２ａは、非遮光Ｉ−Ｖ特性の測定結果に基づきＶｂｐにおける電流値Ｉ_３を抽出し、Ｉ_３がＩ_１と同程度であるか否かを判定し、同程度（ＹＥＳ）である場合にはバイパスダイオードがオープン故障していると判定し、その判定結果を表示部１２ｄに表示する。

【0103】

上記の太陽電池モジュールにおけるバイパスダイオードのオープン故障判別方法は、以下の構成を有するものであるといえる。
「複数の太陽電池モジュールが直列に接続された太陽電池ストリングから、バイパスダイオードがオープン故障している太陽電池モジュールを判別する太陽電池モジュールにおけるバイパスダイオードのオープン故障判別方法であって、
複数の前記太陽電池モジュールを全て遮光しない状態における前記太陽電池ストリングの所定の電圧値における第１電流値を測定し、
次に、複数の前記太陽電池モジュールから選択した１つの前記太陽電池モジュールの導電経路が前記バイパスダイオードを経由した経路となるように該太陽電池モジュールの全部または一部のみを遮光し、当該遮光状態における前記太陽電池ストリングの前記所定の電圧値における第２電流値を測定し、
次に、複数の前記太陽電池モジュールを再度全て遮光しない状態として前記太陽電池ストリングの前記所定の電圧値における第３電流値を測定し、
前記第２電流値が前記第１電流値に対して所定の比率以下であり、且つ、前記第３電流値が前記第１電流値と略同一である場合に、前記バイパスダイオードがオープン故障していると判定することを特徴とする、太陽電池モジュールにおけるバイパスダイオードのオープン故障判別方法。」

【0104】

また、上記の太陽電池モジュールにおけるバイパスダイオードのオープン故障判別方法を実施する太陽電池モジュールの劣化判別装置１０は太陽電池モジュールにおけるバイパスダイオードのオープン故障判別装置ともいえるものであり、以下の構成を有するものである。
「複数の太陽電池モジュールが直列に接続された太陽電池ストリングから、バイパスダイオードがオープン故障している太陽電池モジュールを判別する太陽電池モジュールにおけるバイパスダイオードのオープン故障判別装置であって、
複数の前記太陽電池モジュールを全て遮光しない状態における前記太陽電池ストリングの所定の電圧値における第１電流値を測定し、次に、複数の前記太陽電池モジュールから選択した１つの前記太陽電池モジュールの導電経路が前記バイパスダイオードを経由した経路となるように該太陽電池モジュールの全部または一部のみを遮光し、当該遮光状態における前記太陽電池ストリングの前記所定の電圧値における第２電流値を測定し、次に、複数の前記太陽電池モジュールを再度全て遮光しない状態として前記太陽電池ストリングの前記所定の電圧値における第３電流値を測定する電流測定部と、
前記第２電流値が前記第１電流値に対して所定の比率以下であり、且つ、前記第３電流値が前記第１電流値と略同一である場合に、前記バイパスダイオードがオープン故障していると判定するオープン故障判定部とを有することを特徴とする、太陽電池モジュールにおけるバイパスダイオードのオープン故障判別装置。」

【0105】

本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【符号の説明】

【0106】

１ 太陽光発電システム
２ 太陽電池パネル
３ パワーコンディショナ
４ 太陽電池モジュール
４ａ 太陽電池セル
４ｂ セルストリング
４ｃ バイパスダイオード
４ｄ クラスタ
５ 太陽電池ストリング
５ａ 導電線
５ｂ 導電線
６ 接続箱
６ａ 断路器
６ｂ 逆流防止用ダイオード
１０ 太陽電池モジュールの劣化判別装置
１１ Ｉ−Ｖ特性測定部
１１ａ 可変負荷抵抗
１１ｂ 電流測定部
１１ｃ 電圧測定部
１１ｄ 制御部
１１ｅ 無線インターフェース
１２ 劣化判定部
１２ａ 制御部
１２ｂ 無線インターフェース
１２ｃ データ記憶部
１２ｄ 表示部
１２ｅ 操作部
２０ 遮光板
Ａ 領域
Ｂ 領域
Ｐｓ バイパスダイオードの動作点
Ｖｏｃ 開放電圧値
Ｐｒ バイパスダイオードの動作点
Ｖｄ バイパスダイオードの順方向電圧
Ｉｓｃ 短絡電流値
Ｖ１ｓ 電圧値
Ｖ１ｒ 電圧値
ΔＶ１ 電位差
Ｖ２ｓ 電圧値
Ｖ２ｒ 電圧値
ΔＶ２ 電圧差
ｐ 変曲点
Ｌｓ 外挿線
Ｖ３ｓ 電圧値
Ｌｒ 外挿線
Ｖ３ｒ 電圧値
ΔＶ３ 電圧差
β 判別定数
Ｌ１ 長さ
ＣＬ 幅寸法
Ｌ２ 長さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】