発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、トレンチ内壁のダメージ層を犠牲酸化により除去する従来方法では、次の問題がある。図９〜１１は、従来の半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。ＭＯＳゲート（金属−酸化膜−半導体からなる絶縁ゲート）構造を形成するにあたって、まず、炭化珪素からなる半導体ウエハのおもて面側にｐ型ベース領域１０３やｎ⁺型ソース領域１０４などの拡散領域を形成した後に、トレンチ１０５を形成する（図９）。符号１０１，１０２はそれぞれｎ⁺型出発基板およびｎ^-型エピタキシャル層である。次に、トレンチ１０５の内壁を犠牲酸化する。このとき、トレンチ１０５の内壁だけでなく、ウエハおもて面にも酸化膜１１１が成長する。 特にウエハおもて面が（０００−１）面、いわゆるカーボン（Ｃ）面である場合、他の結晶面に比べて酸化膜１１１の成長速度が速く、厚い酸化膜１１１が成長するため、ウエハおもて面側の炭化珪素領域の厚みのより多くが酸化膜１１１に変化する。すなわち、ウエハおもて面側のｎ⁺型ソース領域１０４の厚さが減少する。特に犠牲酸化工程が高温長時間にわたる場合には、ｎ⁺型ソース領域１０４が完全に酸化膜１１１に変化して消失する（図１０，１１）。図１０にはｎ⁺型ソース領域１０４が完全に酸化膜１１１に変化した状態を示し、図１１には図１０の工程につづく酸化膜１１１除去後の状態を示す。このため、ＭＯＳゲート構造としての機能が失われるという問題がある。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、トレンチ内壁の犠牲酸化による信頼性低下を防止することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、トレンチ内壁の犠牲酸化による信頼性低下を防止することができるという効果を奏する。