特許6623969ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法

発明の名称　ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法

出願人　豊田合成株式会社　（識別番号 241463）

　　　　特許公開件数ランキング 108 位（74件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 135 位（53件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6623969

公報発行日　2019年12月25

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6623969

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