１０・・半導体基板、１２・・エミッタ領域、１４・・ベース領域、１５・・コンタクト領域、１６・・蓄積領域、１７・・ウェル領域、１８・・ドリフト領域、２０・・バッファ領域、２２・・コレクタ領域、２３・・逆型半導体領域、２４・・コレクタ電極、２６・・層間絶縁膜、３０・・ダミートレンチ部、３２・・ダミートレンチ絶縁膜、３４・・ダミートレンチ導電部、３６・・ダミートレンチ、４０・・ゲートトレンチ部、４１・・対向部、４２・・ゲート絶縁膜、４３・・突出部、４４・・ゲート導電部、４６・・ゲートトレンチ、５０・・ゲート金属層、５１・・ゲートランナー、５２・・エミッタ電極、５４、５５、５６・・コンタクトホール、５７・・接続部、６０・・メサ領域、７０・・活性部、７２・・ＩＧＢＴ領域、７４・・ＦＷＤ領域、７６・・温度検知ダイオード、８０・・エッジ終端部、８２・・ガードリング、８４・・電極層、８８・・チャネルストッパー領域、９０・・パッド部、９２・・ゲートパッド、９３・・センスＩＧＢＴ、９４・・センスエミッタパッド、９６・・アノードパッド、９８・・カソードパッド、１００・・半導体装置、１１０・・マスク、１１２・・マスク垂れ領域、１１５・・最外部、１１６・・蓄積層、１１７・・湾曲部分、１３０・・ダミートレンチ領域、１４０・・混合トレンチ領域、１４５・・ゲートトレンチ領域、１５０・・ウェルコンタクト領域、２００、３００、４００、５００・・半導体装置