特許 6647811 電気的接続装置及び検査方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6647811

(24)【登録日】2020年1月17日

(45)【発行日】2020年2月14日

(54)【発明の名称】電気的接続装置及び検査方法

(51)【国際特許分類】

   G01R 31/50 20200101AFI20200203BHJP

【ＦＩ】

   G01R31/02

【請求項の数】4

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2015-140450(P2015-140450)

(22)【出願日】2015年7月14日

(65)【公開番号】特開2017-20965(P2017-20965A)

(43)【公開日】2017年1月26日

【審査請求日】2018年6月19日

(73)【特許権者】

【識別番号】000153018

【氏名又は名称】株式会社日本マイクロニクス

(74)【代理人】

【識別番号】100180275

【弁理士】

【氏名又は名称】吉田 倫太郎

(74)【代理人】

【識別番号】100161861

【弁理士】

【氏名又は名称】若林 裕介

(74)【代理人】

【識別番号】100090620

【弁理士】

【氏名又は名称】工藤 宣幸

(72)【発明者】

【氏名】深見 美行

【審査官】 小川 浩史

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−７１５６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−２４２２１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−１７２２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１６２５２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−１４１３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−２５６９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第５００６８０８（ＵＳ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０１Ｒ ３１／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被検査体に形成された複数の配線パターンのそれぞれに電気的に接続されており、前記被検査体の表面に形成されている端子の位置に、電気接触子を移動させていき、１個の前記端子に対して１個の前記電気接触子を配設する接触子駆動部と、
前記電気接触子を配設させた前記端子と、当該電気接触子との間の電気的な接続状態を切り替える切替部と、
前記配線パターン間の電気容量を測定する電気容量測定部と、
前記配線パターン間の絶縁抵抗を測定する前に、前記電気容量測定部による測定結果に応じて、前記端子と前記電気接触子との電気的な接触状態を判断する制御部と、
前記複数の配線パターンの全ての前記端子について、前記配線パターン間の絶縁抵抗の測定に関連させて２個の前記端子同士を１組のペアとして、全てのペアの順番を示すペア情報を記憶する記憶部と、
を備え、
前記接触子駆動部が、前記ペア情報に基づいて、ペア毎に順次、一方の前記端子に一方の前記電気接触子を配設させ、他方の前記端子に他方の前記電気接触子を配設させ、
前記電気容量測定部が、前記一方の電気接触子及び前記他方の電気接触子に電気信号を印加して、ペアとする前記配線パターン間の前記電気容量を測定し、
前記制御部が、各ペアの前記配線パターン間の前記電気容量と、前記配線パターンの特徴に応じた各ペアの閾値とを比較して、前記端子と前記電気接触子との電気的な接触状態を判断する
ことを特徴とする電気的接続装置。

【請求項2】

前記制御部は、各ペアの前記配線パターン間の前記電気容量が前記閾値より大きいとき、当該ペアに係る前記端子と前記電気接触子とが電気的に接触していると判断し、各ペアの前記配線パターン間の前記電気容量が前記閾値以下のとき、当該ペアに係る前記端子と前記電気接触子とが電気的に接触していないと判断することを特徴とする請求項１に記載の電気的接続装置。

【請求項3】

前記制御部は、各ペアの前記配線パターン間の前記電気容量が前記閾値以下のとき、当該ペアに係る前記各配線パターンをリペア対象として前記記憶部に記憶することを特徴とする請求項２に記載の電気的接続装置。

【請求項4】

被検査体の表面に形成された端子と、電気接触子との間の電気的な接触状態を検査する検査方法において、
前記被検査体に形成されている複数の配線パターンの全ての前記端子について、前記配線パターン間の絶縁抵抗の測定に関連させて２個の前記端子同士を１組のペアとして、全てのペアの順番を示すペア情報を記憶する記憶部を有し、
接触子駆動部が、前記ペア情報に基づいて、ペアとする一方の前記端子に一方の前記電気接触子を配設させ、他方の前記端子に他方の前記電気接触子を配設させ、
電気容量測定部が、前記一方の電気接触子及び前記他方の電気接触子に電気信号を印加して、ペアとする前記配線パターン間の前記電気容量を測定し、
制御部が、各ペアの前記配線パターン間の前記電気容量と、前記配線パターンの特徴に応じた各ペアの閾値とを比較して、前記端子と前記電気接触子との電気的な接触状態を判断する
ことを特徴とする検査方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気的接続装置、及び検査方法に関する。本発明は例えば、プリント配線基板や半導体集積回路等に形成された端子と電気接触子との電気的接触を検査する電気的接続装置に適用し得る。

【背景技術】

【0002】

プリント配線基板や半導体集積回路等に形成された配線間の絶縁抵抗を測定する技術として、例えば、特許文献１に記載の技術がある。絶縁抵抗測定方法は、配線間の絶縁抵抗を測定する前に、電気接触子としてのプローブを各配線の端子に接触させることが必要となる。

【0003】

従来、プローブが確実に端子に接触しているか否かの判断方法は、図２に示すように、２本のプローブ８−１及び８−２を端子１２−１に接続させる。その後、抵抗測定器９が、一方のプローブ８−１を介して端子１２−１に直流電圧を印加し、抵抗測定器９が他方のプローブ８−２を介して得た電気的特性に基づいて、当該端子１２−１の導通を判断する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１０−２３０３３５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、近年、プリント配線基板に形成される配線パターンの微細化が進み、端子の小径化が進んでおり、小径化が進む端子にプローブを精度良く接触させることが困難となってきている。この問題に鑑み、測定に先立ち、プローブが端子に接触していることを確実に判断することが強く望まれている。

【0006】

そのため、端子にプローブを精度良く接触させ、又端子へのプローブの電気的な接触を確実に判断する電気的接続装置及び検査方法が求められている。

【課題を解決するための手段】

【0007】

かかる課題を解決するために、第１の本発明に係る検査装置は、（１）被検査体に形成された複数の配線パターンのそれぞれに電気的に接続されており、被検査体の表面に形成されている端子の位置に、電気接触子を移動させていき、１個の端子に対して１個の電気接触子を配設する接触子駆動部と、（２）電気接触子を配設させた端子と、当該電気接触子との間の電気的な接続状態を切り替える切替部と、（３）配線パターン間の電気容量を測定する電気容量測定部と、（４）配線パターン間の絶縁抵抗を測定する前に、電気容量測定部による測定結果に応じて、端子と電気接触子との電気的な接触状態を判断する制御部と、（５）複数の配線パターンの全ての端子について、配線パターン間の絶縁抵抗の測定に関連させて２個の端子同士を１組のペアとして、全てのペアの順番を示すペア情報を記憶する記憶部と、を備え、接触子駆動部が、ペア情報に基づいて、ペアとする一方の端子に一方の電気接触子を配設させ、他方の端子に他方の電気接触子を配設させ、電気容量測定部が、一方の電気接触子及び他方の電気接触子に電気信号を印加して、ペアとする配線パターン間の電気容量を測定し、制御部が、各ペアの配線パターン間の電気容量と、前記配線パターンの特徴に応じた各ペアの閾値とを比較して、端子と電気接触子との電気的な接触状態を判断することを特徴とする。

【0008】

第２の本発明に係る検査方法は、被検査体の表面に形成された端子と、電気接触子との間の電気的な接触状態を検査する検査方法において、被検査体に形成されている複数の配線パターンの全ての端子について、配線パターン間の絶縁抵抗の測定に関連させて２個の前記端子同士を１組のペアとして、全てのペアの順番を示すペア情報を記憶する記憶部を有し、（１）接触子駆動部が、ペア情報に基づいて、ペアとする一方の端子に一方の電気接触子を配設させ、他方の端子に他方の電気接触子を配設させ、（２）電気容量測定部が、一方の電気接触子及び他方の電気接触子に電気信号を印加して、ペアとする配線パターン間の電気容量を測定し、（３）制御部が、各ペアの配線パターン間の電気容量と、前記配線パターンの特徴に応じた各ペアの閾値とを比較して、端子と電気接触子との電気的な接触状態を判断することを特徴とする。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、端子にプローブを精度良く接触させ、また端子へのプローブの電気的な接触状態を確実に判断することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本実施形態に係る電気的接続装置の構成を示す模式図である。

【図2】従来の絶縁抵抗測定装置の構成を示す模式図である。

【図3】本実施形態に係る電気的接続装置における端子へのプローブの電気的接触の判断処理を示すフローチャートである。

【図4】本実施形態に係る被検査体の表面上に配列される端子の分布例を示す図である。

【図5】本実施形態に係る記憶部に記憶される端子のペア情報を説明する説明図である。

【図6】本実施形態に係るプローブの端子へのコンタクトの様子を説明するための模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

（Ａ）主たる実施形態
以下では、本発明に係る電気的接続装置及び検査方法の主たる実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
（Ａ−１）実施形態の構成

【0012】

図１は、本願発明の実施形態（以下「本実施形態」と呼ぶ。）に係る電気的接続装置の構成を示す模式図である。

【0013】

図１において、本実施形態に係る電気的接続装置１００は、制御部１、記憶部２、電気容量測定部としての電気容量計３、絶縁抵抗測定部としての絶縁抵抗計４、接触子駆動部としてのプローブ駆動部５、切替部としての切替器６−１及び６−２、プローバ７−１及び７−２、プローブ８−１及び８−２を有する。

【0014】

電気的接続装置１００は、被検査体１０に形成された配線パターン間（配線パターン１１−１と配線パターン１１−２との間）の絶縁抵抗を測定する。また、電気的接続装置１００は、配線パターン１１−１及び１１−２間の絶縁抵抗測定前に、電気接触子としてのプローブ８−１及び８−２が、被検査体１０の配線端子（以下、「端子」と呼ぶ。）１２−１及び１２−２に、電気的な接触をしているか否かを判断する。

【0015】

被検査体１０は、例えば、プリント配線基板や集積回路等の半導体デバイスである。すなわち、被検査体１０は、電気回路としての配線パターン１１−１及び１１−２を有する。被検査体１０の構造は、特に限定されない。本実施形態では、被検査体１０が、絶縁性の材料からなる基板本体の内部に、複数の配線パターンが層状に配線されている多層配線構造である場合を例示する。被検査体１０の基板本体は、例えば、セラミックス、ポリイミド等の材料から形成される。なお、図１では、説明を容易にするために、配線パターンの層数が２層の配列構造である場合を例示するが、配線パターン１１−１及び１１−２の層数は特に限定されるものではなく、例えば、３層以上でも良い。

【0016】

図１に例示すように、被検査体１０は、第１層の配線パターン１１−１と、第１層よりも下層に設けられた第２層の配線パターン１１−２とを有する。配線パターン１１−１は、被検査体１０の表面上のバンプ電極（以下、「パッド電極」とも呼ぶ。）としての端子１２−１と接続しており、また配線パターン１１−２も、被検査体１０の表面上のバンプ電極としての端子１２−２と接続している。

【0017】

電極１３−１は、配線パターン１１−１に対して垂直な方向に形成され、電極１３−２は、配線パターン１１−２に対して垂直な方向に形成されている。また、被検査体１０の表面に形成された端子１２−１は、電極１３−１と接続され、端子１２−２は、電極１３−２と接続されている。電極１３−１及び１３−２は、導電性の材料からなり、例えば、銅、アルミニウム、銀、金等の金属からなる。また、電極１３−１及び１３−２の形状は、例えば、棒状、ライン状、板状等であってもよい。

【0018】

端子１２−１及び１２−２は、被検査体１０の表面に配列されている。この端子１２−１及び１２−２は、被検査体１０の下面、又は被検査体１０の側面に配列されても良い。また、端子１２−１及び１２−２は、被検査体１０の表面の任意の位置、に形成されても良い。例えば、端子１２−１及び１２−２は、一列に配列されても良いし、複数に配列されても良いし、又はマトリックス状に配列されても良い。

【0019】

配線パターン１１−１及び１１−２は、所定の微細加工が施されて形成されている。また、被検査体１０の表面に形成された端子１２−１及び１２−２も所定の微細加工（以下、「微細化」と呼ぶ。）が施されて形成されている。微細化による配線パターン１１−１及び１１−２の幅長や、端子１２−１及び１２−２の幅長は、微細加工技術に応じて特に限定されない。例えば、この実施形態では、端子１２−１及び１２−２の幅長は、数十ｎｍ〜数十μｍ程度であり、一例として例えば約３０μｍ程度とする。また、配線間のピッチ幅長は、数十ｎｍ〜数十μｍ程度であり、一例として例えば５０μｍ程度とする。

【0020】

制御部１は、電気的接続装置１００による被検査体１０の電気的特性の測定、及びプローブ８−１及び８−２の接続状態を検査するための制御を行う。制御部１は、記憶部２、プローブ駆動部５、絶縁抵抗計４、及び電気容量計３と接続しており、これらの構成要素を制御する。

【0021】

記憶部２は、各種処理プログラム、及び処理に必要なデータなどを記憶する記憶領域である。制御部１は、記憶部２に記憶されている各種処理プログラムを実行することにより各種機能を実現、及び各構成要素を制御する。

【0022】

記憶部２には、例えば、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）等の記憶媒体を適用できる。記憶部２に記憶される処理プログラムとしては、例えば、駆動切替プログラムと、判断プログラム（検査プログラム）と、処理プログラムとがある。

【0023】

駆動切替プログラムは、制御部１（プローブ駆動部５）が、プローバ７−１及び７−２を駆動させ、端子（１２−１及び１２−２）に対するプローブ（８−１及び８−２）の電気的な接続状態の切替を制御するためのプログラムである

【0024】

判断プログラム（検査プログラム）は、制御部１が、プローブ８−１及び８−２の端子１２−１及び１２−２への接触状態を判断するためのプログラムである。

【0025】

測定プログラムは、制御部１が、被検査体１０の絶縁抵抗測定に係る全般の処理を行うためのプログラムである。

【0026】

なお、記憶部２は、外部記憶装置であっても良い。この場合、制御部１は、外部記憶装置に記憶されている各種処理プログラムを実行することにより各種機能を実行させる。

【0027】

電気容量計３は、プローブ８−１及び８−２の端子１２−１及び１２−２への電気的接触を判断するために、端子１２−１及び１２−２を介した配線パターン１１−１と１１−２との間の電気容量（静電容量）を測定する。

【0028】

制御部１は、被検査体１０に形成された、絶縁抵抗の測定に関連する全てのペア端子と、プローブとの電気的な接触状態を判断する。本実施形態では被検査体１０の表面に設けられた複数の端子のうち、２個の端子を１ペアとする。本実施形態では、２本のプローブ（プローブ８−１及び８−２）と電気的に接触させるペアの組み合わせを変えて（すなわち、プローブ８−１及び８−２と、電気的に接触させる端子のペアを変えて）、全ての端子間（配線パターン間）の電気容量を測定する。電気容量計３は、プローブ８−１及び８−２と接触する端子間で測定された電気容量を、ペア毎に制御部１に通知する。制御部１は、通知されたペア毎の静電容量（以下、「ペア静電容量」と呼ぶ。）をペア毎に記憶する。

【0029】

絶縁抵抗計４は、端子１２−１及び１２−２を介した、配線パターン１１−１と１１−２との間の絶縁抵抗を測定する。絶縁抵抗計４による配線パターン間の絶縁抵抗の測定方法は、特に限定されなく、種々の方法を適用することができる。例えば、絶縁抵抗の測定方法としては、プローブ８−１及び８−２から、端子１２−１及び１２−２を介して、配線パターン１１−１及び１１−２に直流電圧を印加して、配線パターン間で得られる電気的特性に基づいて絶縁性を測定する方法を適用できる。

【0030】

なお、絶縁抵抗の測定の際、端子１２−１及び１２−２に確実に接触しているプローブ８−１及び８−２をそのまま用いて行うことができる。これにより、端子１２−１及び１２−２に確実に接触していることが判断されたプローブ８−１及び８−２を用いて、配線パターン１１−１及び１１−２の断線等を検査するために、連続して絶縁抵抗の測定を行うことができる。

【0031】

プローブ駆動部５は、制御部１の制御を受けて、プローバ７−１及び７−２を駆動する。例えば、プローブ駆動部５は、制御部１の指示を受けて、プローバ７−１及び７−２をＸＹＺ方向に移動させて、被検査体１０の表面上の端子１２‐１及び１２−２の位置にプローブ８−１及び８−２を配設させる。つまり、プローブ駆動部５は、プローブ８−１及び８−２を端子１２−１及び１２−２に電気的に接触させるように移動する。

【0032】

切替器６−１及び６−２は、電気容量計３と、絶縁抵抗計４と、プローバ７−１及び７−２と接続している。切替器６−１及び６−２は、制御部１の制御を受けて、被検査体１０の端子１２−１及び１２−２のそれぞれと、プローブ８−１及び８−２のそれぞれとの間の電気的な接続状態を切り替える。

【0033】

プローバ７−１は、端子１２−１にプローブ８−１電気的に接続させ、端子１２−２にプローブ８−２を電気的に接続させて、被検査体１０の電気的特性を検査、測定、試験、及び評価する。プローバ７−１及び７−２は、１又は複数のプローブ８−１及び８−２を有する。なお、プローバ７−１及び７−２は、例えばプローブカード等のように、被検査体１０に形成された複数の端子のそれぞれに対して電気的な接触を行う複数（３個以上）のプローブを有しても良い。

【0034】

プローブ８−１及び８−２は、端子１２−１及び１２−２と電気的に接触する電気接触子である。ここで、プローブ８−１及び８−２は、導電性を有する部材であり、プローブ８−１及び８−２の先端部が、端子１２−１及び１２−２と電気的に接触する。なお、プローブ８−１及び８−２の構造は、特に限定されるものではない。また、プローブ８−１及びプローブ８−２の構造は、それぞれ異なる構造であっても良い。

【0035】

ここで、本実施形態では、絶縁抵抗を測定する前に、制御部１がプローブ駆動部５を駆動制御することにより、プローブ８−１を端子１２−１、プローブ８−２を端子１２−２の位置に配設させる。その後、電気容量計３が、プローブ８−１及び８−２を介して、端子１２−１及び１２−２に直流電圧を印加し、端子１２−１及び１２−２からの電流を所定時間毎に測定する。これにより、端子１２−１及び１２−２を介した配線パターン１１−１と配線パターン１１−２との間の電気容量を測定する。

【0036】

本実施形態は、制御部１は、電気容量計３１測定した、配線パターン１１−１と配線パターン１１−２との間の電気容量に基づいて、プローブ８−１と端子１２−１との間、及びプローブ８−２と端子１２−２との間の電気的な接触状態を判断する。本実施形態では、端子１２−１及び１２−２のそれぞれに、１個のプローブ８−１或いは８−２を接触させる。そのため、図２に示す従来の測定装置のように、本実施形態では、１個の端子１２−１に対して、２個のプローブ８−１及び８−２を接触させる必要はない。

【0037】

つまり、本実施形態では、１個の端子（端子１２−１及び１２−２のうちの何れかの端子）に対して１個のプローブ（プローブ８−１及び８−２のうちの何れかのプローブ）のみを電気的に接触させることで、端子１２−１及び１２−２へのプローブの電気的な接触を判断できる。

【0038】

（Ａ−２）実施形態の動作
次に、本実施形態に係る電気的接続装置１００における端子へのプローブの電気的接触の判断処理の動作を、図面を参照しながら詳細に説明する。

【0039】

図３は、本実施形態に係る電気的接続装置１００における端子へのプローブの電気的接触の判断処理を示すフローチャートである。

【0040】

上述したが、制御部１は、各種プログラムを実行することにより、各構成要素（電気容量計３、絶縁抵抗計４、及びプローブ駆動部５等）を制御する。従って、下記のフローチャートでは、説明の簡単化のため、制御部１が処理の主体となり、各処理を行うこととして説明することがある。

【0041】

電気的接続装置１００では、制御部１が記憶部２から処理プログラムを読み出し、制御部１が処理プログラムを実行する。制御部１は、配線パターン（１１−１及び１１−２）間の絶縁抵抗の測定前に、端子（１２−１及び１２−２）に対するプローブ（８−１及び８−２）の電気的な接触状態を判断する処理プログラム（検査プログラム）を実行する。

【0042】

制御部１は、被測定対象とする２個の端子のペアに関する情報を全て記憶部２に記憶する（Ｓ１０１）。すなわち、制御部１は、被検査体１０の表面上に配列される端子のうち、配線パターン間の絶縁抵抗の測定に関連する全てのペアの組み合わせに関する情報（以下「組み合わせ情報」と呼ぶ。）として記憶する。Ｓ１０１の処理工程について、図４を参照して説明する。

【0043】

図４は、実施形態に係る被検査体１０の表面上に配列される端子の分布例を示す図である。

【0044】

図４では、被検査体１０が、半導体ウェハ上に形成される半導体デバイスとする場合を示している。図４に示す黒丸は、被検査体１０の表面上に配列される端子Ａ〜Ｌを示す。図４では、被検査体１０に１２個の端子Ａ〜端子Ｌが形成されている場合を例示し、各端子Ａ〜Ｌに対して識別情報（例えば、番号等）が付されている。

【0045】

この端子Ａ〜Ｌの識別情報の付与方法は、種々の方法を広く適用することができる。例えば、ＣＣＤカメラ等の撮像装置により被検査体１０の表面が撮像され、その画像から検出された端子に画像処理を施すことで実現しても良い。

【0046】

図５は、本実施形態に係る記憶部２に記憶される端子のペア情報（組み合わせ情報）を説明する説明図である。
図５は、図４に例示する被検査体１０の表面に形成された複数の端子のうち、配線パターン間の絶縁抵抗の測定に関連する全てのペアを示す。また、図５は、プローブを接触させるペアの順番を示す。つまり、本実施形態では上の端子ペアから順番にプローブを接触させる。

【0047】

なお、図４に示す点線矢印は、図５の被測定対象とする端子のペアを示す。
図５に示すように、記憶部２に記憶される端子のペアは、（Ａ，Ｂ）、（Ｃ，Ｄ）、（Ｃ，Ｅ）、（Ｇ，Ｆ）、（Ｇ，Ｌ）、（Ｉ，Ｈ）、（Ｉ，Ｊ）、（Ｈ，Ｊ）、及び（Ｈ，Ｋ）等のように、２個の端子の識別情報を対応付けた情報である。なお、本実施形態では、括弧内の左側の要素は、プローブ８−１が接触する端子を示している。また、括弧内の右側の要素は、プローブ８−２が接触する端子を示している。

【0048】

制御部１は、記憶部２に記憶した端子のペア情報に基づいて、プローブ８−１及び８−２のそれぞれを、端子１２−１或いは１２−２の位置に向けて移動させる（Ｓ１０２）。ここでは、例えば、記憶部２に記憶されている端子のペア情報の初期値が、（Ａ，Ｂ）であるため、制御部１は、プローブ８−１を端子Ａの位置に向けて移動させ、プローブ８−２を端子Ｂの位置に向けて移動させる。

【0049】

ここで、電気的接続装置１００における絶縁抵抗測定に係る処理時間の短縮化、及び効果的な測定処理を図るために、プローブ８−１及び８−２の移動を最短距離とすることが望ましい。例えば、図５に例示する端子のペアの順序を決定する際に、２個のプローブ８−１及び８−２の移動距離が、最短距離となるよう制御される。この被測定対象とする端子のペアの順序の決定方法は、例えば、既存のプローブ駆動制御プログラム等のようなソフトウェアを用いて決定することができる。

【0050】

例えば、図５の端子のペアを参照すると、制御部１は、プローブ８−１については、「端子Ａ」→「端子Ｃ」→「端子Ｇ」→「端子Ｉ」→「端子Ｈ」の順に移動する。一方、プローブ８−２については、制御部１は、「端子Ｂ」→「端子Ｄ」→「端子Ｅ」→「端子Ｆ」→「端子Ｌ」→「端子Ｈ」→「端子Ｊ」→「端子Ｋ」の順に移動する。このとき、例えば、プローブ８−１が「端子Ｃ」に接触し、プローブ８−２が「端子Ｄ」に接触している場合、プローブ８−１の無駄な移動を少なくするため、プローブ８−１の「端子Ｃ」への電気的接触を保持した状態で、プローブ８−２のみを「端子Ｄ」から「端子Ｅ」に移動させる。これにより、プローブ８−１及び８−２の移動距離を最短にすることにより、プローブ８−１及び８−２の移動に係る時間を軽減させ、処理時間の短縮化を図ることができる。

【0051】

制御部１は、プローブ８−１を端子Ａに移動、及びプローブ８−２を端子Ｂに移動させ、プローブ８−１を端子Ａに、プローブ８−２を端子Ｂに向けて降下させる（Ｓ１０３）。そして、制御部１は、電気容量計３に電気容量の測定を行わせる（Ｓ１０３）。

【0052】

図６は、実施形態に係るプローブの端子へのコンタクトの様子を説明する説明図である。

【0053】

図６では、端子を端子１２と表現し、プローブをプローブ８と記載している。例えば、図６に示すように、端子１２の幅長Ａは１５μｍ程度であり、プローブ８の先端部の直径Ｂは１０μｍ程度である。端子１２の位置まで移動したプローブ８が降下することで、プローブ８の先端部が端子１２と電気的に接触する。制御部１は、通知されたペア毎の静電容量（以下、「ペア静電容量」と呼ぶ。）をペア毎に記憶する。

【0054】

電気容量計３は、測定した電気容量を制御部１に通知する（Ｓ１０３）。制御部１は、通知されたペア静電容量をペア毎に記憶する。

【0055】

制御部１は、電気容量計３から通知されたペア電気容量と、予め設定した閾値との比較を行う（Ｓ１０４）。通知されたペア電気容量が閾値より大きい場合（Ｓ１０４：Ｙｅｓ）、制御部１は、Ｓ１０４の処理を行う。また、通知されたペア電気容量が閾値以下の場合（Ｓ１０４：Ｎｏ）、制御部１は、Ｓ１０５の処理を行う。

【0056】

ここで、閾値は、予め設定した値を用いるようにしても良い。閾値は、適宜設定することができるが、例えば、１ｐＦ〜３ｐＦ程度とすることができる。

【0057】

閾値は、端子のペア毎に異なる値を設定しても良い。これは、被検査体１０に形成される配線パターンの特徴が、異なる場合があるからである。

【0058】

ここで、配線パターンの特徴とは、例えば、配線パターン同士が近接して並行に配線されている距離長等、特徴的な物理的な配置、及び／又は物理的な量を示す。配線パターン同士が近接しており、かつ、並行に配列されている配線の距離長が長いほど、静電容量（電気容量）は大きくなる。このような場合、閾値を高く設定することが好ましい。従って、配線パターンの特徴に応じて、エリア毎に閾値を設定しても良い。

【0059】

測定した電気容量が閾値以下の場合（Ｓ１０４：Ｎｏ）、制御部１は、当該端子のペアに関する情報をエラーとして判断し、その端子のペアに関する情報を、記憶部２に記憶する。つまり、この場合、測定した電気容量が閾値以下の場合、プローブ８−１及び８−２と端子１２−１及び１２−２との間の電気的接触が確実になされていないと判断できる。なお、エラーと判断したペアについては、当該ペアの配線パターンをリペア対象とするために、記憶部２に記憶される。

【0060】

制御部１は、記憶部２に記憶されている端子のペア情報を参照して、次のペアの端子に向けてプローブ８−１及び８−２を移動させる（Ｓ１０６）。その後、制御部１は、Ｓ１０３の処理を行う（つまり、制御部１は、次の端子のペアの電気容量を測定する）。

【0061】

測定した電気容量が閾値より大きい場合（Ｓ１０４：Ｙｅｓ）、制御部１は、プローブ８−１の端子Ａ、及びプローブ８−２の端子Ｂへの電気的な接触が確実になされていると判断する。

【0062】

従って、配線パターン間の絶縁抵抗の測定するため、制御部１は、絶縁抵抗計４に絶縁抵抗を測定させる指示を行い、絶縁抵抗計４が、端子Ａと端子Ｂとの間（つまり、配線パターン間）の絶縁抵抗を測定する。絶縁抵抗計４による絶縁抵抗の測定後、制御部１は、プローブ８−１及び８−２を上昇させて、プローブ８−１を端子Ａから、及びプローブ８−２を端子Ｂから離す。

【0063】

制御部１は、記憶部２に記憶されている端子のペア情報を参照して、全端子の検査が終了したか否かを判断する（Ｓ１０８）。全端子の検査が終了している場合（Ｓ１０８：Ｙｅｓ）、制御部１は、処理を終了させる。一方、全端子の検査が終了していない場合（Ｓ１０８：Ｎｏ）、制御部１は、Ｓ１０９の処理を行う。

【0064】

制御部１は、Ｓ１０９の処理において、記憶部２に記憶されている端子のペア情報を参照して、次のペアの端子に向けてプローブ８−１及び８−２を移動させる。その後、制御部１は、Ｓ１０３の処理を行う。

【0065】

（Ａ−３）実施形態の効果
以上のように、本実施形態によれば、プローブ８−１が端子１２−１に、及びプローブ８−２が端子１２−２に電気的に接触しているか否かを（つまり、プローブのコンタクト状態）、配線パターン間の絶縁抵抗を測定する前に判断することができる。

【0066】

本実施形態によれば、配線パターンの微細化に伴い、端子へのプローブの電気的な接触技術が高度化しているが、電気的に接触させるプローブの数を減らすことができるため、プローブの端子への確実な接触を実現できる。

【0067】

また、本実施形態によれば、１個の端子に接触させるプローブが１個であるため、端子の表面に残る痕（パッド痕）が１個となり（つまり、端子に対するプローブの接触回数が減少するため）端子が傷まずに済む。さらに、１個の端子に接触させるプローブが１個であるため、電気的接続装置１００の装置構成を簡単にすることができ、且つ、製造コストを抑えることができる。

【0068】

（Ｂ）他の実施形態
（Ｂ−１）上述した実施形態では、２個の端子を介して配線パターン間の電気容量を測定することで、２個の端子のそれぞれへのプローブの電気的な接触を判断する場合を例示した。つまり、端子間の電気容量を測定する場合を例示した。しかし、電気容量計３は、グランド接続していることを鑑みると、グランド接続（図示せず）と、１個のプローブが接続する１個の端子との間の電気容量を測定することも可能である。この場合でも、制御部１は、配線パターンとグランドとの間の電気容量と、閾値との比較結果に基づいて、当該プローブの端子への電気的な接触状態を判断することができる。

【0069】

（Ｂ−２）上述した実施形態では、電気的接続装置が複数のプローバを備え、それぞれのプローバが有する１個のプローブを、１個の端子に電気的に接触させる場合を例示した。

【0070】

しかし、プローバが、複数のプローブを有しており、この複数のプローブのそれぞれを、複数の端子のそれぞれに、同時に接触させることもできる。この場合も、切替器が、プローブを切り替えることができるので、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0071】

（Ｂ−３）上述した実施形態では、電気的接続装置が絶縁抵抗測定装置である場合を例示した。しかし、電気的接続装置は、絶縁抵抗測定装置に限定されるものではなく、被検査体の電気的特性を検査、測定、試験、及び評価等を行なう検査装置に広く適用することができる。

【符号の説明】

【0072】

１００…電気的接続装置、１…制御部、２…記憶部、３…電気容量計、４…絶縁抵抗計、５…プローブ駆動部、６−１及び６−２…切替器、７−１及び７−２…プローバ、８−１及び８−２…プローブ、１０…被検査体、１１−１及び１１−２…配線パターン、１２−１及び１２−２…端子。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】