特許 6656907 液晶表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6656907

(24)【登録日】2020年2月7日

(45)【発行日】2020年3月4日

(54)【発明の名称】液晶表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1343 20060101AFI20200220BHJP

   G02F 1/1333 20060101ALI20200220BHJP

   G02F 1/1337 20060101ALI20200220BHJP

【ＦＩ】

   G02F1/1343

   G02F1/1333 505

   G02F1/1337

【請求項の数】3

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2015-246117(P2015-246117)

(22)【出願日】2015年12月17日

(65)【公開番号】特開2017-111327(P2017-111327A)

(43)【公開日】2017年6月22日

【審査請求日】2018年12月14日

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】特許業務法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】秋吉 宗治

【審査官】 横井 亜矢子

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１４−０３８３２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０４１２６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０６８９４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０２５２５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−２７１１０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１６／０３１３６１４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１３−００３２００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／０３１４１６９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１４／０１０４５２７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 韓国公開特許第１０−２０１５−０１２２８９８（ＫＲ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０４１３５２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｆ １／１３６−１／１３６８，１／１３４３−１／１３４５

Ｇ０２Ｆ １／１３３３，１／１３３７，１／１３３５

Ｊａｐｉｏ−ＧＰＧ／ＦＸ

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、
有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成された無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に形成された第２電極と、
前記有機絶縁膜、前記第１電極、前記無機絶縁層及び前記第２電極の上方に形成され、前記有機絶縁膜及び前記第２電極に接した配向膜と、を有し、
平面視において、
前記無機絶縁層は、面積及び形状に関して前記第２電極と同一であり、
前記第２電極は、前記無機絶縁層に完全に重なっている
液晶表示装置。

【請求項2】

第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、
有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成された無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に形成された第２電極と、
前記有機絶縁膜、前記第１電極、前記無機絶縁層及び前記第２電極の上方に形成され、前記有機絶縁膜及び前記第２電極に接した配向膜と、
前記有機絶縁膜の下方に形成されたスイッチング素子と、
前記有機絶縁膜上に形成され前記第１電極に間隔を置いて位置した導電層と、
前記有機絶縁膜に形成され前記スイッチング素子を露出させる第１コンタクトホールと、
前記第１コンタクトホールと対向する領域から平面視で離れて位置しており前記無機絶縁層に形成され前記導電層を露出させる第２コンタクトホールと、を有し、
前記導電層は、前記第１コンタクトホールを通り前記スイッチング素子に接続され、
前記第２電極は、前記第２コンタクトホールを通り前記導電層に接続されている、
液晶表示装置。

【請求項3】

第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、
有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成された無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に形成された第２電極と、
前記有機絶縁膜、前記第１電極、前記無機絶縁層及び前記第２電極の上方に形成され、前記有機絶縁膜及び前記第２電極に接した配向膜と、
前記有機絶縁膜上に形成され前記第１電極に間隔を置いて位置した導電層と、を有し、
前記第１基板の断面において、
前記導電層は、第１屈曲部を有し、
前記第２電極は、前記第１屈曲部と対向する領域から離れて位置した第２屈曲部を有する、
液晶表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器やテレビ受像機などの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。
近年では、Fringe Field Switching（ＦＦＳ）モードの液晶表示パネルが実用化されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０−２３１７７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本実施形態は、製造歩留まりの高い液晶表示装置を提供する。又は、製品歩留まりの高い液晶表示装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一実施形態に係る液晶表示装置は、
第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、
有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成された無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に形成された第２電極と、
前記有機絶縁膜、前記第１電極、前記無機絶縁層及び前記第２電極の上方に形成され、前記有機絶縁膜及び前記第２電極に接した配向膜と、を有し、
平面視において、
前記無機絶縁層は、面積及び形状に関して前記第２電極と同一であり、
前記第２電極は、前記無機絶縁層に完全に重なっている。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す斜視図である。

【図2】図２は、図１に示した液晶表示パネルを示す断面図である。

【図3】図３は、図１及び図２に示した液晶表示パネルにおける画素配列の一例を示す図である。

【図4】図４は、図１及び図２に示した第１基板の構成を示す平面図である。

【図5】図５は、上記液晶表示パネルの一部を拡大して示す平面図であり、信号線、金属配線、第１電極、絶縁層、第２電極、及び遮光層を示す図である。

【図6】図６は、図５の線ＶＩ−ＶＩに沿った液晶表示パネルを示す断面図である。

【図7】図７は、図５の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿った第１基板を示す断面図である。

【図8】図８は、図５の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿った第１基板ＳＵＢ１を示す断面図である。

【図9】図９は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の液晶表示パネルの一部を拡大して示す平面図であり、信号線、金属配線、第１電極、絶縁層、第２電極、及び遮光層を示す図である。

【図10】図１０は、図９の線Ｘ−Ｘに沿った第１基板を示す断面図である。

【図11】図１１は、上記第２の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための図であり、製造途中の第１基板を示す断面図である。

【図12】図１２は、第３の実施形態に係る液晶表示装置の液晶表示パネルの一部を拡大して示す平面図であり、信号線、金属配線、第１電極、絶縁層、第２電極、導電層、第１コンタクトホール、第２コンタクトホール、及び遮光層を示す図である。

【図13】図１３は、図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った第１基板を示す断面図である。

【図14】図１４は、変形例に係る液晶表示装置の液晶表示パネルの一部を拡大して示す平面図であり、信号線、第１電極及び第２電極を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0008】

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。
液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビジョン受像機、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。

【0009】

図１は、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの構成を示す斜視図である。本実施形態では、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのそれぞれと互いに直交している。
液晶表示装置ＤＳＰは、アクティブマトリックス型の液晶表示パネルＰＮＬ、液晶表示パネルＰＮＬを駆動する駆動部３、液晶表示パネルＰＮＬを照明するバックライトユニットＢＬ、制御モジュールＣＭ、フレキシブル基板１，２などを備えている。

【0010】

液晶表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板ＳＵＢ２とを備えている。本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１はアレイ基板として機能し、第２基板ＳＵＢ２は対向基板として機能している。液晶表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の主画素ＭＰＸを備えている。主画素ＭＰＸは、後述する３個の副画素のグループに相当する。

【0011】

バックライトユニットＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面に配置されている。このようなバックライトユニットＢＬとしては、種々の形態が適用可能であるが、詳細な構造については説明を省略する。駆動部３は、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。フレキシブル基板１は、液晶表示パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。フレキシブル基板２は、バックライトユニットＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。

【0012】

このような構成の液晶表示装置ＤＳＰは、バックライトユニットＢＬから液晶表示パネルＰＮＬに入射する光を各副画素で選択的に透過することによって画像を表示する、いわゆる透過型の液晶表示装置に相当する。但し、液晶表示装置ＤＳＰは、外部から液晶表示パネルＰＮＬに向かって入射する外光を各副画素で選択的に反射することによって画像を表示する反射型の液晶表示装置であってもよいし、透過型及び反射型の双方の機能を備えた半透過型の液晶表示装置であってもよい。

【0013】

以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方とする。このため、第３方向Ｚはここで言う上方である。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

【0014】

図２は、液晶表示パネルＰＮＬを示す断面図である。
図２に示すように、液晶表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、液晶層ＬＣ、シール材ＳＥ、第１光学素子ＯＤ１、第２光学素子ＯＤ２などを備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の詳細については後述する。

【0015】

シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに配置され、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持されている。第１光学素子ＯＤ１は、第１基板ＳＵＢ１の液晶層ＬＣに接する面の反対側に配置されている。第２光学素子ＯＤ２は、第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＣに接する面の反対側に配置されている。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、それぞれ偏光板を備えている。なお、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、位相差板などの他の光学素子を含んでいてもよい。

【0016】

図３は、液晶表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡにおける画素配列の一例を示す図である。図３には、２種類の単位画素ＵＰＸ１及び単位画素ＵＰＸ２を示している。
図３に示すように、液晶表示パネルＰＮＬは、２種類の単位画素を有している。単位画素としては、単位画素ＵＰＸ１及び単位画素ＵＰＸ２を挙げることができる。単位画素ＵＰＸ１及び単位画素ＵＰＸ２は、それぞれカラー画像を表示するための最小単位に相当する。単位画素ＵＰＸ１は、副画素ＰＸＲ１、副画素ＰＸＢ１及び副画素ＰＸＧ１を含んでいる。単位画素ＵＰＸ２は、副画素ＰＸＲ２、副画素ＰＸＢ２及び副画素ＰＸＧ２を含んでいる。

【0017】

副画素ＰＸＲ１及び副画素ＰＸＲ２は、第１色の副画素であり、第１色の色層ＣＦ１を備えている。副画素ＰＸＢ１及び副画素ＰＸＢ２は、第１色とは異なる第２色の副画素であり、第２色の色層ＣＦ２を備えている。副画素ＰＸＧ１及び副画素ＰＸＧ２は、第１色及び第２色とは異なる第３色の副画素であり、第３色の色層ＣＦ３を備えている。一例では、第１色が赤色であり、第２色が青色であり、第３色が緑色である。色層ＣＦ１乃至ＣＦ３は、それぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。複数色の色層ＣＦ１乃至ＣＦ３は、カラーフィルタＣＦＲを形成している。

【0018】

但し、単位画素ＵＰＸ１及び単位画素ＵＰＸ２は、赤色、青色、及び緑色以外の色を表示する副画素を含んでいてもよいし、赤色、青色、及び緑色の副画素を他の色の副画素に置換してもよい。

【0019】

本明細書では、一例として、３８０ｎｍ乃至７８０ｎｍの波長範囲の光を「可視光」として定義する。「青色」は、３８０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の第１波長範囲内に透過率ピークを有する色と定義する。「緑色」は、４９０ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の第２波長範囲内に透過率ピークを有する色と定義する。「赤色」は、５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の第３波長範囲内に透過率ピークを有する色と定義する。

【0020】

単位画素ＵＰＸ１は、第１方向Ｘに沿って繰り返し配置されている。同様に、単位画素ＵＰＸ２は、第１方向Ｘに沿って繰り返し配置されている。第１方向Ｘに並ぶ単位画素ＵＰＸ１の列と、第１方向Ｘに並ぶ単位画素ＵＰＸ２の列は、第２方向Ｙに沿って交互に繰り返し配置されている。

【0021】

色層ＣＦ１乃至ＣＦ３については、それぞれ上記の副画素のレイアウトに従って配置され、また、それぞれの副画素のサイズに応じた面積を有している。本実施形態において、色層ＣＦ１乃至ＣＦ３は、それぞれストライプ状に形成され、屈曲しつつ第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられている。

【0022】

また、上記の副画素の形状は、図示したような略平行四辺形の例に限らず、正方形や例えば第２方向Ｙに延在した長方形などであってもよい。
例えば、副画素の形状が図示したような略平行四辺形の場合、単位画素ＵＰＸ１及び単位画素ＵＰＸ２の２個の単位画素を組み合わせることにより、各色の副画素に関しても多くのドメインを形成することが可能となり、視野角特性に関して補償することができる。このため、視野角特性に注目すると、単位画素ＵＰＸ１及び単位画素ＵＰＸ２の組み合わせ（２個の単位画素）が、カラー画像を表示するための最小単位に相当する。
なお、単位画素ＵＰＸ１及び単位画素ＵＰＸ２は、それぞれ１個の主画素ＭＰＸで形成されている。

【0023】

図４は、第１基板ＳＵＢ１の構成を示す平面図である。
図４に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、走査線Ｇ、信号線Ｓ、第２電極ＰＥ、スイッチング素子ＳＷ、第１駆動回路ＤＲ１、第２駆動回路ＤＲ２を含む駆動部３などを備えている。

【0024】

複数の走査線Ｇは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。この実施形態において、走査線Ｇは、第１方向Ｘに直線的に延在している。複数の信号線Ｓは、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに延在し、複数の走査線Ｇと交差し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。なお、信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、一部が屈曲していたり、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに交差する方向に延出していたりしてもよい。第２電極ＰＥ及びスイッチング素子ＳＷは、各副画素ＰＸに配置されている。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。第２電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。

【0025】

図示した例において、３個の副画素ＰＸＲ１，ＰＸＢ１，ＰＸＧ１を含む単位画素ＵＰＸ１には、３本の信号線Ｓと、１本の走査線Ｇとが割り当てられている。一方、３個の副画素ＰＸＲ２，ＰＸＢ２，ＰＸＧ２を含む単位画素ＵＰＸ２にも、３本の信号線Ｓと、１本の走査線Ｇとが割り当てられている。

【0026】

第１駆動回路ＤＲ１及び第２駆動回路ＤＲ２は、非表示領域ＮＤＡに配置されている。第１駆動回路ＤＲ１は、非表示領域ＮＤＡに引き出された走査線Ｇと電気的に接続されている。第２駆動回路ＤＲ２は、非表示領域ＮＤＡに引き出された信号線Ｓと電気的に接続されている。第１駆動回路ＤＲ１は、各走査線Ｇに制御信号を出力する。第２駆動回路ＤＲ２は、各信号線Ｓに画像信号（例えば、映像信号）を出力する。

【0027】

図５は、液晶表示パネルＰＮＬの一部を拡大して示す平面図である。図５では、信号線Ｓ、金属配線ＭＬ、第１電極ＣＥ、絶縁層１４（１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）、第２電極ＰＥ、及び遮光層ＳＨ１，ＳＨ２を示している。図５において、第１基板ＳＵＢ１に形成される走査線Ｇ及びスイッチング素子ＳＷの図示は省略している。
なお、図示した例では、液晶表示パネルＰＮＬは、表示モードとしてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードに対応した構成を有している。

【0028】

図５に示すように、副画素ＰＸ、第２電極ＰＥ及び信号線Ｓに注目すると、副画素ＰＸＲ１（第２電極ＰＥＲ）は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間に形成されている。副画素ＰＸＢ１（第２電極ＰＥＢ）は、信号線Ｓ２と信号線Ｓ３との間に形成されている。副画素ＰＸＧ１（第２電極ＰＥＧ）は、信号線Ｓ３と信号線Ｓ４との間に形成されている。

【0029】

金属配線ＭＬ１は、信号線Ｓ１と対向し、信号線Ｓ１に沿って延在している。金属配線ＭＬ２は、信号線Ｓ２と対向し、信号線Ｓ２に沿って延在している。金属配線ＭＬ３は、信号線Ｓ３と対向し、信号線Ｓ３に沿って延在している。金属配線ＭＬ４は、信号線Ｓ４と対向し、信号線Ｓ４に沿って延在している。

【0030】

遮光層ＳＨ１，ＳＨ２は、図中に二点鎖線で示されている。遮光層ＳＨ１，ＳＨ２などの遮光層ＳＨは、第２方向Ｙに隣合う副画素ＰＸの境界に沿った形状を有し、帯状の延出部で形成されている。遮光層ＳＨは、図示しない走査線Ｇやスイッチング素子ＳＷと対向している。
このような遮光層ＳＨと金属配線ＭＬとによって囲まれた領域は、表示に寄与する領域となる。金属配線ＭＬの第１方向Ｘの幅は、対応する信号線Ｓの第１方向Ｘの幅と同一又はそれ以上である。なお、遮光層ＳＨの第２方向Ｙの幅は、走査線の第２方向Ｙの幅よりも大きい。
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁層１４ａ，１４ｂ，１４ｃなどの複数の絶縁層を有している。上記絶縁層は、副画素ＰＸに１個ずつ設けられている。

【0031】

副画素ＰＸＲ１は、第１電極ＣＥの第１分割部ＣＥ１、絶縁層１４ａ、及び第２電極ＰＥＲを有している。
第１分割部ＣＥ１は、金属配線ＭＬ１と金属配線ＭＬ２との間に配置され、金属配線ＭＬ１，ＭＬ２に沿って略第２方向Ｙに延在している。第１分割部ＣＥ１は、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＰＸＲで共用されている。第１分割部ＣＥ１は、金属配線ＭＬ１に対しては隙間を置いて設けられ、金属配線ＭＬ２に対しては複数個所で接続されている。第１分割部ＣＥ１は、遮光層ＳＨ１と対向する領域に開口Ｏ１を有している。導電層ＣＬは、開口Ｏ１の内部に位置し、第１分割部ＣＥ１に絶縁距離を置いて設けられている。

【0032】

絶縁層１４ａ及び第２電極ＰＥＲは、第１分割部ＣＥ１と対向して配置されている。
本実施形態において、絶縁層１４ａは、全体が第１分割部ＣＥ１に重なっている。このため、上記絶縁層１４ａは、第１分割部ＣＥ１と金属配線ＭＬ１との隙間、及び第１分割部ＣＥ１と金属配線ＭＬ２との隙間にはみ出すこと無しに形成されている。但し、上記絶縁層１４ａは、上記の例に限定されるものではなく、種々変形可能である。上記絶縁層１４ａは、上記隙間を完全に覆っていなければよい。このため、上記絶縁層１４ａは、上記隙間に部分的に対向したり、金属配線ＭＬ１，ＭＬ２に部分的に重なったりしてもよい。

【0033】

第２電極ＰＥＲは、遮光層ＳＨ１から離れる側に向かって突出した櫛歯電極を有している。図示した例では、第２電極ＰＥＲは、２個の櫛歯電極を有している。櫛歯電極は、対向する第１分割部ＣＥ１に沿って延出している。又は、櫛歯電極は、隣合う信号線Ｓ１，Ｓ２や金属配線ＭＬ１，ＭＬ２と略平行に延出している。第２電極ＰＥＲは、絶縁層１４ａのサイズより小さいサイズを有し、全体が絶縁層１４ａに重なっている。このため、上記第２電極ＰＥＲは、絶縁層１４ａの外側にはみ出すこと無しに形成されている。第２電極ＰＥＲは、絶縁層１４ａにより、第１分割部ＣＥ１と電気的に絶縁されている。

【0034】

副画素ＰＸＢ１は、第１電極ＣＥの第２分割部ＣＥ２、絶縁層１４ｂ、及び第２電極ＰＥＢを有している。
副画素ＰＸＧ１は、第１電極ＣＥの第３分割部ＣＥ３、絶縁層１４ｃ、及び第２電極ＰＥＧを有している。
副画素ＰＸＢ１及び副画素ＰＸＧ１は、副画素ＰＸＲ１と同様に構成されているため、それらの詳細な説明は省略する。

【0035】

本実施形態において、第１電極ＣＥは、共通電極として機能している。第２電極ＰＥＲ，ＰＥＢ，ＰＥＧなどの第２電極ＰＥは、画素電極として機能している。第１電極ＣＥ及び第２電極ＰＥは、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）やインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明導電材料を利用して形成されている。絶縁層１４は、無機絶縁層であり、シリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機絶縁材料を利用して形成されている。
金属配線ＭＬは、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）などの金属を利用して形成されている。金属配線ＭＬは、光反射率の低い金属で形成されていた方が望ましい。金属配線ＭＬ自体が遮光層として機能することで、別途、遮光層を金属配線ＭＬに対向配置しなくともよいためである。但し、金属配線ＭＬは、アルミニウム（Ａｌ）など相対的に光反射率の高い金属で形成されていてもよく、この場合、金属配線ＭＬと対向し金属配線ＭＬに沿って延在する遮光層を、別途、設けてもよい。なお、このような遮光層は、遮光層ＳＨと同一材料で同時に形成したり、遮光層ＳＨと一体に形成したりすることができる。

【0036】

第１電極ＣＥの分割部ＣＥ１，ＣＥ２，ＣＥ３には金属配線ＭＬを介して電圧が与えられる。又は、第１電極ＣＥの分割部ＣＥ１，ＣＥ２，ＣＥ３の電位は、金属配線ＭＬを介して所望の値に調整される。

【0037】

図６は、図５の線ＶＩ−ＶＩに沿った液晶表示パネルＰＮＬを示す断面図である。
図６に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、カラーフィルタＣＦＲ、及び複数の絶縁層１４（１４ａ），１５（１５ａ）、スイッチング素子ＳＷ、第１分割部ＣＥ１（第１電極ＣＥ）、導電層ＣＬ、第２電極ＰＥＲ、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート構造を有する薄膜トランジスタであるが、ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタであってもよい。

【0038】

スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣ１は、第１絶縁基板１０の上方に形成されている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、非晶質シリコンや、酸化物半導体などによって形成されていてもよい。半導体層ＳＣは、第１領域Ｒ１と、第２領域Ｒ２と、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間に位置した第３領域Ｒ３と、を有している。

【0039】

第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０及び半導体層ＳＣの上に形成されている。走査線Ｇは、第１絶縁膜１１の上に形成され、２個所で第３領域Ｒ３と対向している。本実施形態において、スイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート型の薄膜トランジスタであるが、これに限定されるものではなく、シングルゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。

【0040】

第２絶縁膜１２は、走査線Ｇ及び第１絶縁膜１１の上に形成されている。信号線Ｓ１及び導電層ＲＬは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。信号線Ｓ１は、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールを通って半導体層ＳＣの第１領域Ｒ１にコンタクトしている。導電層ＲＬは、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を貫通する他のコンタクトホールを通って半導体層ＳＣの第２領域Ｒ２にコンタクトしている。

【0041】

有機絶縁膜として、色層ＣＦ１などのカラーフィルタＣＦＲは、第２絶縁膜１２、信号線Ｓ１及び導電層ＲＬの上に形成されている。カラーフィルタＣＦＲには第１コンタクトホールＣＨ１が形成されている。第１コンタクトホールＣＨ１は、カラーフィルタＣＦＲを貫通し、スイッチング素子ＳＷの導電層ＲＬの上面を露出させている。

【0042】

第１分割部ＣＥ１、導電層ＣＬ、及び金属配線ＭＬ１は、カラーフィルタＣＦＲの上に形成されている。第１分割部ＣＥ１の開口Ｏ１は、第１コンタクトホールＣＨ１を取り囲んでいる。導電層ＣＬは、開口Ｏ１の内部に位置し、第１コンタクトホールＣＨ１を通って導電層ＲＬにコンタクトしている。第１基板ＳＵＢ１の断面において、導電層ＣＬは第１屈曲部を有している。上記第１屈曲部のサイズ及び形状は、第１コンタクトホールＣＨ１に基づいている。金属配線ＭＬ１は、信号線Ｓ１と対向している。

【0043】

絶縁層１４ａは、第１分割部ＣＥ１の上に形成されている。開口Ｏ１の内部において、絶縁層１４ａは、導電層ＣＬの上に部分的に形成され、また、導電層ＣＬから外れた領域においてカラーフィルタＣＦＲの上に形成されている。絶縁層１４ａには第２コンタクトホールＣＨ２が形成されている。第２コンタクトホールＣＨ２は、第１コンタクトホールＣＨ１と対向する位置に設けられている。第２コンタクトホールＣＨ２は、絶縁層１４ａを貫通し、導電層ＣＬの上面を露出させている。

【0044】

絶縁層１５ａは、カラーフィルタＣＦＲ及び金属配線ＭＬ１の上に形成され、金属配線ＭＬ１を覆っている。絶縁層１５は、絶縁層１４と同一材料で同時に形成することができる。なお、絶縁層１４，１５だけではなく、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２も、無機絶縁材料を利用して形成されている。無機絶縁材料としては、ＳｉＮやシリコン酸化物（ＳｉＯ）などを挙げることができる。

【0045】

第２電極ＰＥＲは、絶縁層１４ａの上に形成されている。第２電極ＰＥＲは、第２コンタクトホールＣＨ２を通って導電層ＣＬにコンタクトしている。第１基板ＳＵＢ１の断面において、第２電極ＰＥＲは第２屈曲部を有している。上記第２屈曲部のサイズ及び形状は、第２コンタクトホールＣＨ２に基づいている。本実施形態において、第２屈曲部は第１屈曲部と対向する領域に位置しているため、上記第２屈曲部のサイズ及び形状は、第２コンタクトホールＣＨ２だけではなく第１屈曲部にも基づいている。

【0046】

第１配向膜ＡＬ１は、カラーフィルタＣＦＲ、第１分割部ＣＥ１、導電層ＣＬ、金属配線ＭＬ１、絶縁層１４ａ，１５ａ、第２電極ＰＥＲなどの上方に形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、少なくとも、カラーフィルタＣＦＲ及び第２電極ＰＥＲに接している。第１配向膜ＡＬ１は、ここでは、水平配向性を示す材料によって形成されている。

【0047】

一方、第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。第２基板ＳＵＢ２は、遮光層ＳＨ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
遮光層ＳＨは、第２絶縁基板２０の下に形成されている。言い換えると、遮光層ＳＨは、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に形成されている。遮光層ＳＨは、走査線Ｇやスイッチング素子ＳＷと対向している。
第２配向膜ＡＬ２は、第２絶縁基板２０及び遮光層ＳＨの下に形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、ここでは、水平配向性を示す材料によって形成されている。

【0048】

図７は、図５の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿った第１基板ＳＵＢ１を示す断面図である。
図７に示すように、色層ＣＦ１，ＣＦ２，ＣＦ３の端部は信号線Ｓに重なっている。又は色層ＣＦ１，ＣＦ２，ＣＦ３の端部は金属配線ＭＬと対向している。
絶縁層１５ａは、カラーフィルタＣＦＲ及び金属配線ＭＬ１の上に形成され、金属配線ＭＬ１を覆い、絶縁層１４ａに間隔を置いて設けられている。絶縁層１５ｂは、カラーフィルタＣＦＲ及び金属配線ＭＬ２の上に形成され、金属配線ＭＬ２を覆い、絶縁層１４ａに間隔を置いて設けられている。
絶縁層１４ａは、第１分割部ＣＥ１と第２電極ＰＥＲとの間に介在している。このため、第１分割部ＣＥ１、絶縁層１４ａ及び第２電極ＰＥＲは、副画素ＰＸＲ１の保持容量を形成している。

【0049】

第１電極ＣＥは、表示領域ＤＡの全体にわたって形成される単個の電極ではなく、互いに隙間を置いて並べられた複数の分割部で形成されている。例えば、第１分割部ＣＥ１は、金属配線ＭＬ１や金属配線ＭＬ２に隙間を置いて形成されている。このため、第１電極ＣＥ及び金属配線ＭＬは、カラーフィルタＣＦＲの上面を完全に覆うことがないように設けられている。分割部ＣＥ１，ＣＥ２，ＣＥ３などの複数の分割部は、第１配向膜ＡＬ１がカラーフィルタＣＦＲに接する領域と対向する領域において隙間を置いて配置されている。
同様に、絶縁層１４ａ，１５ａ，１５ｂなどのカラーフィルタＣＦＲの上方の絶縁層も、カラーフィルタＣＦＲの上面を完全に覆うことがないように設けられている。このため、第１配向膜ＡＬ１は、カラーフィルタＣＦＲの上面に接している。第１配向膜ＡＬ１がカラーフィルタＣＦＲの上面に接する領域は、各々の副画素に存在している。そして、上記のような領域は、カラーフィルタＣＦＲから第１基板ＳＵＢ１の外部に水蒸気ガスなどのガスを放出するための経路となる。

【0050】

図８は、図５の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿った第１基板ＳＵＢ１を示す断面図である。
図８に示すように、第１分割部ＣＥ１は、複数個所で金属配線ＭＬ２側に突出して形成されている。このため、金属配線ＭＬ２は、複数個所で第１分割部ＣＥ１に重ねられ、第１分割部ＣＥ１に電気的に接続されている。

【0051】

上記のように構成された第１の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層ＬＣと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１は、有機絶縁膜としてのカラーフィルタＣＦＲと、カラーフィルタＣＦＲ上に形成された第１電極ＣＥと、第１電極ＣＥ上に形成された無機絶縁層としての絶縁層１４ａと、絶縁層１４ａ上に形成された第２電極ＰＥＲと、第１配向膜ＡＬ１と、を有している。

【0052】

第１配向膜ＡＬ１は、カラーフィルタＣＦＲ、第１電極ＣＥ、絶縁層１４ａ及び第２電極ＰＥＲの上方に形成され、カラーフィルタＣＦＲ及び第２電極ＰＥＲに接している。例えば、第１電極ＣＥは、第１配向膜ＡＬ１がカラーフィルタＣＦＲに接する領域と対向する領域において隙間を置いて配置された第１分割部ＣＥ１、第２分割部ＣＥ２などを有している。第１配向膜ＡＬ１がカラーフィルタＣＦＲに接する領域は、信号線Ｓに沿って延びている。

【0053】

ＳｉＮなどで形成される絶縁層１４，１５並びにＩＴＯなどで形成される第１電極ＣＥ及び第２電極ＰＥは、水分を吸収しやすい有機材料からなるカラーフィルタＣＦＲの上面の全体に重なっていない。カラーフィルタＣＦＲの上方のうちＳｉＮやＩＴＯの存在しない領域に、第１基板ＳＵＢ１の外部にガスを放出するためのガス放出経路を形成することができる。このため、カラーフィルタＣＦＲの上方に第１電極ＣＥを形成した後に、第１基板ＳＵＢ１が高温プロセスを経ることでカラーフィルタＣＦＲからガスが放出されても、ガス放出経路を通して第１基板ＳＵＢ１の外部にガスを放出することができる。このため、絶縁層１４などの無機層が、カラーフィルタＣＦＲから浮き上がったり、剥がれたりする事態を回避することができる。

【0054】

仮に、絶縁層１４，１５の替わりに単個の無機絶縁膜を、カラーフィルタＣＦＲの上面全体に対向させた場合、ガス放出経路がほとんど無く、カラーフィルタＣＦＲから放出されるガスは上記無機絶縁膜で閉じ込められ易くなるため、望ましくない。なお、上記無機絶縁膜の水平方向の経路長は極めて長いため、水平方向の経路はガスの放出経路としてほとんど機能しない。
カラーフィルタＣＦＲから上記無機絶縁膜が浮き上がってしまうと、例えば、第１分割部ＣＥ１と第２電極ＰＥＲとの間隔が変化することになる。副画素ＰＸＲ１の容量の値が変化してしまうため、表示品位の低下を招いてしまう。
一方、上記無機絶縁膜に剥がれが生じた場合、例えば、パーティクルなど異物として歩留まり低下の懸念をもたらすことになる。
上記のことから、製造歩留まりの高い液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。又は、製品歩留まりの高い液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

【0055】

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰについて説明する。図９は、本実施形態に係る液晶表示パネルＰＮＬの一部を拡大して示す平面図であり、信号線Ｓ、金属配線ＭＬ、第１電極ＣＥ、絶縁層１４ａ，１４ｂ，１４ｃ、第２電極ＰＥＲ，ＰＥＢ，ＰＥＧ、及び遮光層ＳＨを示す図である。

【0056】

図９に示すように、本実施形態では、上記第１の実施形態と比較して、絶縁層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの形状及びサイズが相違している。
Ｘ−Ｙ平面視において、絶縁層１４ａは面積及び形状に関して第２電極ＰＥＲと同一であり、絶縁層１４ｂは面積及び形状に関して第２電極ＰＥＢと同一であり、絶縁層１４ｃは面積及び形状に関して第２電極ＰＥＧと同一である。第２電極ＰＥＲは絶縁層１４ａに完全に重なっている。第２電極ＰＥＢは絶縁層１４ｂに完全に重なっている。第２電極ＰＥＧは絶縁層１４ｃに完全に重なっている。

【0057】

図１０は、図９の線Ｘ−Ｘに沿った第１基板ＳＵＢ１を示す断面図である。
図１０に示すように、本実施形態においても、第１電極ＣＥ、金属配線ＭＬ、絶縁層１４，１５及び第２電極ＰＥは、カラーフィルタＣＦＲの上面を完全に覆うことがないように設けられている。このため、第１配向膜ＡＬ１は、カラーフィルタＣＦＲの上面に接している。第１基板ＳＵＢ１は、カラーフィルタＣＦＲの上面側に、ガス放出経路を有している。

【0058】

絶縁層１４ａと第２電極ＰＥＲとは、これらの側面が面一に形成されている。
絶縁層１５ａの上に導電層ＴＬ１が形成されている。導電層ＴＬ１は面積及び形状に関して絶縁層１５ａと同一であり、絶縁層１５ａに完全に重なっている。絶縁層１５ａと導電層ＴＬ１とは、これらの側面が面一に形成されている。同様に、絶縁層１５ｂの上に導電層ＴＬ２が形成されている。導電層ＴＬ２は面積及び形状に関して絶縁層１５ｂと同一であり、絶縁層１５ｂに完全に重なっている。絶縁層１５ｂと導電層ＴＬ２とは、これらの側面が面一に形成されている。

【0059】

ここで、図１０に示した絶縁層１４ａ，１５ａ，１５ｂ、第２電極ＰＥＲ及び導電層ＴＬ１，ＴＬ２を形成するための手法について説明する。図１１は、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図であり、製造途中の第１基板ＳＵＢ１を示す断面図である。

【0060】

図１１に示すように、第１基板ＳＵＢ１の製造工程において、カラーフィルタＣＦＲ、第１分割部ＣＥ１（第１電極ＣＥ）及び金属配線ＭＬまで形成した後、まず、カラーフィルタＣＦＲ、第１分割部ＣＥ１及び金属配線ＭＬの上にＳｉＮを塗布し、絶縁膜ｆ１を形成する。続いて、絶縁膜ｆ１に上述した第２コンタクトホールＣＨ２を形成する。次いで、絶縁膜ｆ１の上にＩＴＯを塗布して導電膜ｆ２を形成し、その後、導電膜ｆ２の上にレジストマスクＲＭを形成する。

【0061】

その後、レジストマスクＲＭをマスクとしてウエットエッチングを行い、導電膜ｆ２を加工する。続けて、レジストマスクＲＭをマスクとしてドライエッチングをおこない、絶縁膜ｆ１を加工する。その後、レジストマスクＲＭを除去する。これにより、絶縁層１４ａ，１５ａ，１５ｂ、第２電極ＰＥＲ及び導電層ＴＬ１，ＴＬ２が形成される。

【0062】

上記のように構成された第２の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰによれば、第１配向膜ＡＬ１は、上記第１の実施形態と同様、カラーフィルタＣＦＲに接している。カラーフィルタＣＦＲの上方にガス放出経路を形成することができるため、絶縁層１４などの無機層が、カラーフィルタＣＦＲから浮き上がったり、剥がれたりする事態を回避することができる。

【0063】

絶縁層１４ａ，１５ａ，１５ｂなどの絶縁膜ｆ１を利用する部材と、第２電極ＰＥＲ、導電層ＴＬ１，ＴＬ２などの導電膜ｆ２を利用する部材とは、共通のレジストマスクＲＭを用いて加工することができる。位置ずれの無い２層構造を得ることができ、言い換えると、側面が面一の２層構造を得ることができる。絶縁膜ｆ１及び導電膜ｆ２の加工に互いに異なるレジストマスクＲＭを利用する場合に比べて、個々の層の位置合わせのマージンを考慮する必要がなくなる。これにより、より微細なガス放出経路（ガス抜きスリット）を形成することが可能となる。
上記のことから、製造歩留まりの高い液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。又は、製品歩留まりの高い液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

【0064】

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰについて説明する。図１２は、本実施形態に係る液晶表示パネルＰＮＬの一部を拡大して示す平面図であり、信号線Ｓ、金属配線ＭＬ、第１電極ＣＥ、絶縁層１４ａ，１４ｂ，１４ｃ、第２電極ＰＥＲ，ＰＥＢ，ＰＥＧ、導電層ＣＬ、第１コンタクトホールＣＨ１、第２コンタクトホールＣＨ２、及び遮光層ＳＨを示す図である。
図１２に示すように、第１電極ＣＥは、副画素ＰＸに１個ずつ設けられた複数の分割部ＣＥ１ａ，ＣＥ２ａ，ＣＥ３ａを有している。このため、分割部ＣＥ１ａ，ＣＥ２ａ，ＣＥ３ａは、複数の副画素ＰＸで共用されるものではない。

【0065】

副画素ＰＸＲ１は、第１電極ＣＥの第１分割部ＣＥ１ａ、導電層ＣＬ、絶縁層１４ａ、及び第２電極ＰＥＲを有している。第１分割部ＣＥ１ａは、上述した開口Ｏ１を有していない。第１分割部ＣＥ１ａ及び導電層ＣＬは、絶縁距離を置いて隣合っている。なお、金属配線ＭＬ１と金属配線ＭＬ２との間に注目すると、第１分割部ＣＥ１ａ及び導電層ＣＬは、第２方向Ｙに交互に並べられている。そして、同一列の複数の第１分割部ＣＥ１ａは、金属配線ＭＬ２に接続されている。

【0066】

第１コンタクトホールＣＨ１及び第２コンタクトホールＣＨ２は、副画素ＰＸＲ１の導電層ＣＬと対向する領域にて間隔を置いて形成されている。言い換えると、第２コンタクトホールＣＨ２は、第１コンタクトホールＣＨ１と対向する領域から平面視で離れて位置している。なお、第１コンタクトホールＣＨ１及び第２コンタクトホールＣＨ２は、遮光層ＳＨ１と対向する領域内に形成されている。
絶縁層１４ａは、第１分割部ＣＥ１ａ及び導電層ＣＬと対向している。また、第２電極ＰＥＲも、第１分割部ＣＥ１ａ及び導電層ＣＬと対向している。

【0067】

副画素ＰＸＢ１は、第１電極ＣＥの第２分割部ＣＥ２ａ、導電層ＣＬ、絶縁層１４ｂ、及び第２電極ＰＥＢを有している。
副画素ＰＸＧ１は、第１電極ＣＥの第３分割部ＣＥ３ａ、導電層ＣＬ、絶縁層１４ｃ、及び第２電極ＰＥＧを有している。
副画素ＰＸＢ１及び副画素ＰＸＧ１は、副画素ＰＸＲ１と同様に構成されているため、それらの詳細な説明は省略する。
本実施形態において、第１電極ＣＥは、共通電極として機能している。第２電極ＰＥＲ，ＰＥＢ，ＰＥＧなどの第２電極ＰＥは、画素電極として機能している。

【0068】

図１３は、図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った第１基板ＳＵＢ１を示す断面図である。
図１３に示すように、第１基板ＳＵＢ１の断面において、導電層ＣＬは第１屈曲部を有し、第２電極ＰＥＲは第２屈曲部を有している。上記第２屈曲部は、上記第１屈曲部と対向する領域から離れて位置している。

【0069】

上記のように構成された第３の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰによれば、第１配向膜ＡＬ１は、上述した実施形態と同様、カラーフィルタＣＦＲに接している。カラーフィルタＣＦＲの上方にガス放出経路を形成することができるため、絶縁層１４などの無機層が、カラーフィルタＣＦＲから浮き上がったり、剥がれたりする事態を回避することができる。

【0070】

第２コンタクトホールＣＨ２は、第１コンタクトホールＣＨ１に対して水平方向にずれて位置している。第２コンタクトホールＣＨ２が第１コンタクトホールＣＨ１と対向している場合と比較して、第２コンタクトホールＣＨ２を形成し易いため、コンタクト歩留まりの高い液晶表示パネルＰＮＬを得ることができる。すなわち、第２コンタクトホールＣＨ２が貫通せずに未開口のとなることで導電層ＣＬと第２電極ＰＥＲとが電気的に絶縁状態となる事態や、第２コンタクトホールＣＨ２の開口面積が不足することで導電層ＣＬと第２電極ＰＥＲとの接触抵抗が高くなる事態を回避することができる。

【0071】

なお、第３の実施形態と異なり、第２コンタクトホールＣＨ２を第１コンタクトホールＣＨ１と対向させた場合、第２コンタクトホールＣＨ２の微細加工が困難になる。カラーフィルタＣＦＲの厚みの分、第２コンタクトホールＣＨ２の加工用のレジストマスクが厚くなり、第２コンタクトホールＣＨ２を形成する際の露光量を増やす必要があるためである。
上記のことから、製造歩留まりの高い液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。又は、製品歩留まりの高い液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

【0072】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【0073】

例えば、図１４に示すように、第１電極ＣＥは、表示領域ＤＡの全体に設けられる単個の導電膜で形成され、カラーフィルタＣＦＲの上面全体に重なっていてもよい。但し、この場合、第１電極ＣＥは、複数の開口ＣＥｏを有している。複数の開口ＣＥｏは、第１配向膜ＡＬ１がカラーフィルタＣＦＲに接する領域に位置していればよい。なお、図１４に示す例では、複数の開口ＣＥｏは、信号線Ｓと対向し、信号線Ｓに沿って間隔を置いて設けられている。また、開口ＣＥｏは、図示しない遮光層ＳＨと対向している。又は、開口ＣＥｏは、平面視において、遮光層ＳＨと交差している。

【0074】

また、上記絶縁層１４，１５の替わりに単個の無機絶縁膜を、カラーフィルタＣＦＲの上面全体に対向させてもよい。この場合、この無機絶縁膜は、第１配向膜ＡＬ１がカラーフィルタＣＦＲに接する領域に位置する複数の開口やスリットを有していればよい。
上述した実施形態では、有機絶縁膜としてカラーフィルタＣＦＲを例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、上記有機絶縁膜は、透明な有機絶縁膜であってもよい。この場合、カラーフィルタＣＦＲを第２基板ＳＵＢ２側に設けることができる。

【0075】

上述した実施形態では、画素電極が共通電極の上方に位置していたが、共通電極が画素電極の上方に位置していてもよい。
さらに、上述した実施形態では、液晶表示パネルＰＮＬは、ＦＦＳモードを採用している。しかしながら、これに限定されるものではなく、液晶表示パネルは、ＦＦＳモード以外の表示モードを採用してもよい。
上述した実施形態は、上述した液晶表示装置ＤＳＰに限定されるものではなく、各種の液晶表示装置に適用可能である。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、
前記第１基板は、
有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成された無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に形成された第２電極と、
前記有機絶縁膜、前記第１電極、前記無機絶縁層及び前記第２電極の上方に形成され、前記有機絶縁膜及び前記第２電極に接した配向膜と、を有する、
液晶表示装置。
［２］前記有機絶縁膜は、カラーフィルタである、
［１］に記載の液晶表示装置。
［３］前記第１電極は、前記配向膜が前記有機絶縁膜に接する領域に位置した開口を有する、
［１］に記載の液晶表示装置。
［４］前記第１電極は、前記配向膜が前記有機絶縁膜に接する領域と対向する領域において隙間を置いて配置された第１分割部及び第２分割部を有する、
［１］に記載の液晶表示装置。
［５］平面視において、
前記無機絶縁層は、面積及び形状に関して前記第２電極と同一であり、
前記第２電極は、前記無機絶縁層に完全に重なっている
［１］に記載の液晶表示装置。
［６］前記第１基板は、
前記有機絶縁膜の下方に形成された信号線をさらに有し、
前記配向膜が前記有機絶縁膜に接する領域は、前記信号線に沿って延びている、
［１］に記載の液晶表示装置。
［７］前記第１基板は、
前記有機絶縁膜の下方に形成されたスイッチング素子と、
前記有機絶縁膜上に形成され前記第１電極に間隔を置いて位置した導電層と、
前記有機絶縁膜に形成され前記スイッチング素子を露出させる第１コンタクトホールと、
前記第１コンタクトホールと対向する領域から平面視で離れて位置しており前記無機絶縁層に形成され前記導電層を露出させる第２コンタクトホールと、をさらに有し、
前記導電層は、前記第１コンタクトホールを通り前記スイッチング素子に接続され、
前記第２電極は、前記第２コンタクトホールを通り前記導電層に接続されている、
［１］に記載の液晶表示装置。
［８］前記第１基板は、
前記有機絶縁膜上に形成され前記第１電極に間隔を置いて位置した導電層をさらに有し、
前記第１基板の断面において、
前記導電層は、第１屈曲部を有し、
前記第２電極は、前記第１屈曲部と対向する領域から離れて位置した第２屈曲部を有する、
［１］に記載の液晶表示装置。

【符号の説明】

【0076】

ＤＳＰ…液晶表示装置、ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＬＣ…液晶層、ＣＦＲ…カラーフィルタ、ＳＵＢ１…第１基板、Ｇ…走査線、Ｓ，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４…信号線、ＳＷ…スイッチング素子、ＭＬ，ＭＬ１，ＭＬ２，ＭＬ３，ＭＬ４…金属配線、ＰＸ，ＰＸＲ１，ＰＸＲ２，ＰＸＢ１，ＰＸＢ２，ＰＸＧ１，ＰＸＧ２…副画素、ＣＥ…第１電極、ＣＥ１，ＣＥ２，ＣＥ３，ＣＥ１ａ，ＣＥ２ａ，ＣＥ３ａ…分割部、ＣＥｏ…開口、ＣＬ…導電層、ＰＥ，ＰＥＲ，ＰＥＢ，ＰＥＧ…第２電極、ＡＬ１…第１配向膜、ＣＨ１…第１コンタクトホール、ＣＨ２…第２コンタクトホール、１４，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１５，１５ａ，１５ｂ…絶縁層、ＳＵＢ２…第２基板。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】