特許 6671423 電磁波遮蔽機能を有する回路基板とその製造方法、及び、平板ケーブル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6671423

(24)【登録日】2020年3月5日

(45)【発行日】2020年3月25日

(54)【発明の名称】電磁波遮蔽機能を有する回路基板とその製造方法、及び、平板ケーブル

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20200316BHJP

   H05K 9/00 20060101ALI20200316BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20200316BHJP

   H01P 3/08 20060101ALI20200316BHJP

   H01P 11/00 20060101ALI20200316BHJP

   H01B 7/08 20060101ALI20200316BHJP

   H01B 7/00 20060101ALI20200316BHJP

   H01B 7/18 20060101ALI20200316BHJP

【ＦＩ】

   H05K1/02 P

   H05K9/00 R

   H05K3/40 K

   H01P3/08 200

   H01P11/00 102

   H01B7/08

   H01B7/00 306

   H01B7/18 D

【請求項の数】38

【全頁数】27

(21)【出願番号】特願2018-126554(P2018-126554)

(22)【出願日】2018年7月3日

(65)【公開番号】特開2019-16790(P2019-16790A)

(43)【公開日】2019年1月31日

【審査請求日】2018年7月3日

(31)【優先権主張番号】10-2017-0084415

(32)【優先日】2017年7月3日

(33)【優先権主張国】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】514227771

【氏名又は名称】インクテック カンパニー， リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＩＮＫＴＥＣ ＣＯ．， ＬＴＤ．

(74)【代理人】

【識別番号】110001494

【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】チュン， クヮン−チョン

(72)【発明者】

【氏名】ムン， ビョン ウン

【審査官】 鹿野 博司

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００７−２３４５００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特許第６１４２９３３（ＪＰ，Ｂ２）

【文献】 特表平０８−５０６６９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０４−３１３３００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０４１９６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０９−２８９３７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２５８０８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１０−５３０６９０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０１Ｂ ７／００

Ｈ０１Ｂ ７／０８

Ｈ０１Ｂ ７／１８

Ｈ０１Ｐ ３／０８

Ｈ０１Ｐ １１／００

Ｈ０５Ｋ ３／４０

Ｈ０５Ｋ ３／４２

Ｈ０５Ｋ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と、
前記基材上に配置される複数の信号部と、
前記基材上の両側縁のみに前記信号部と並んで配置される接地部と、
前記基材の上部に配置されて前記信号部と前記接地部をカバーする絶縁層と、
前記絶縁層の上部と前記基材の下部にそれぞれ配置される電磁波遮蔽層と、
前記複数の信号部の前記信号部それぞれの両側で前記基材と前記絶縁層を貫通して、前記絶縁層上部の電磁波遮蔽層と前記基材下部の電磁波遮蔽層を電気的に連結する遮蔽ブリッジと
を含む電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項2】

前記電磁波遮蔽層と前記接地部を電気的に連結する接地ブリッジをさらに含む請求項１に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項3】

前記接地ブリッジは、前記絶縁層と基材のうちの少なくともいずれか一つに形成されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項4】

前記接地ブリッジは、前記回路基板の両端部で前記信号部と前記接地部にそれぞれ連結されるコネクタに形成されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項5】

前記接地ブリッジは、前記絶縁層と基材のうちの少なくともいずれか一つを貫通して接地部を露出させるコンタクトホールに形成されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項6】

前記遮蔽ブリッジは複数設けられ、前記信号部の長さ方向に沿って離隔配置されることを特徴とする請求項１に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項7】

前記遮蔽ブリッジの離隔間隔は、前記信号部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されることを特徴とする請求項６に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項8】

前記遮蔽ブリッジの離隔間隔は、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されることを特徴とする請求項６に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項9】

前記遮蔽ブリッジは、基材及び絶縁層を貫通するスルーホールに形成されることを特徴とする請求項６に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項10】

前記接地部は、前記基材の上面両側縁にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項６に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項11】

前記電磁波遮蔽層は、メッシュ状からなることを特徴とする請求項１に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項12】

前記メッシュ状は、網目の対角線の長さが前記信号部で発生する電磁波波長の１／２以下に設定されることを特徴とする請求項１１に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項13】

前記メッシュ状は、網目の対角線の長さが、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されることを特徴とする請求項１１に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板。

【請求項14】

基材、前記基材上に配置される複数の信号部、前記基材上の両側縁のみに前記信号部と並んで配置される接地部、前記基材の上部に配置されて前記信号部と前記接地部をカバーする絶縁層、前記絶縁層の上部と前記基材の下部にそれぞれ配置される電磁波遮蔽層、及び前記複数の信号部の前記信号部それぞれの両側で前記基材と前記絶縁層を貫通して前記絶縁層上部の電磁波遮蔽層と前記基材下部の電磁波遮蔽層を電気的に連結する遮蔽ブリッジを含む電磁波遮蔽機能を有する回路基板、
前記回路基板の両端部に設けられ、前記信号部と前記接地部にそれぞれ連結されるコネクタを含むことを特徴とする平板ケーブル。

【請求項15】

前記回路基板は、前記電磁波遮蔽層と前記接地部を電気的に連結する接地ブリッジをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の平板ケーブル。

【請求項16】

前記遮蔽ブリッジは、複数設けられ、前記信号部の長さ方向に沿って離隔配置されることを特徴とする請求項１４に記載の平板ケーブル。

【請求項17】

前記遮蔽ブリッジの離隔間隔は、前記信号部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されることを特徴とする請求項１６に記載の平板ケーブル。

【請求項18】

前記遮蔽ブリッジの離隔間隔は、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されることを特徴とする請求項１６に記載の平板ケーブル。

【請求項19】

基材の上面の両側縁のみに接地部を形成し、前記両側縁の前記接地部の間に複数の信号部を形成する工程と、
前記基材の上部に前記信号部と接地部を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記信号部の両側で前記基材及び絶縁層を貫通するスルーホールを形成するホール加工工程と、
前記絶縁層の上部と基材の下部にそれぞれ電磁波遮蔽層を形成する工程を含み、
前記スルーホールを形成する前記ホール加工工程においては、前記複数の信号部の前記信号部それぞれの両側に前記スルーホールが形成され、
前記電磁波遮蔽層を形成する工程では、前記電磁波遮蔽層を構成する導電性物質が前記スルーホールに充填され、前記絶縁層上部の電磁波遮蔽層と基材下部の電磁波遮蔽層を連結する遮蔽ブリッジを形成することを特徴とする電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項20】

前記ホール加工工程においては、前記絶縁層と基材のうちの少なくともいずれか一つを貫通して、接地部を露出させるコンタクトホールを形成し、
前記電磁波遮蔽層を形成する工程においては、前記電磁波遮蔽層を構成する導電性物質が前記コンタクトホールに充填され、前記電磁波遮蔽層と接地部を連結する接地ブリッジを形成することを特徴とする請求項１９に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項21】

前記ホール加工工程においては、前記スルーホールを信号部の長さ方向に沿って多数形成することを特徴とする請求項１９に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項22】

前記スルーホールの離隔間隔は、前記信号部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定することを特徴とする請求項２１に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項23】

前記スルーホールの離隔間隔は、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定することを特徴とする請求項２１に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項24】

前記信号部と接地部を形成する工程は、基材の上面に金属層を形成する工程と、前記金属層をパターニングする工程を含むことを特徴とする請求項１９に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項25】

前記電磁波遮蔽層を形成する工程においては、無電解メッキ工程により、前記絶縁層上部の電磁波遮蔽層と、前記基材下部の電磁波遮蔽層と、前記スルーホールに充填される遮蔽ブリッジ及び前記コンタクトホールに充填される接地ブリッジを形成することを特徴とする請求項２０に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項26】

前記電磁波遮蔽層を形成する工程においては、導電性物質で構成された電磁波遮蔽フィルムを絶縁層の上部と基材の下部にそれぞれ配置し、ホットプレス工程により前記電磁波遮蔽フィルムに熱と圧力を提供し、前記電磁波遮蔽フィルムを構成する導電性物質が前記スルーホールとコンタクトホール内に充填されるようにすることを特徴とする請求項１９に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項27】

前記信号部と接地部を形成する工程は、
前記基材の上面に金属シード層を形成する工程と、
前記金属シード層の上側に金属層をメッキする工程と、
前記金属シード層と金属層をパターニングする工程を含むことを特徴とする請求項１９に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項28】

前記信号部と接地部を形成する工程は、
基材の上面に信号部と接地部に対応する形態で金属シード層を形成する工程と、
前記金属シード層上に金属層をメッキする工程を含むことを特徴とする請求項１９に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項29】

前記金属シード層を形成する工程においては、導電性ペーストをフレキシブル基板の上側に印刷して、金属シード層を形成することを特徴とする請求項２８に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項30】

前記電磁波遮蔽層を形成する工程は、
前記絶縁層の上面に上部金属シード層を形成し、前記基材の下面に下部金属シード層を形成するシード層形成工程と、
スルーホールとコンタクトホールとの内壁に金属シード膜を塗布する工程と、
前記金属シード層及び金属シード膜の表面に導電性物質をメッキする工程を含むことを特徴とする請求項１９に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項31】

前記電磁波遮蔽層を形成する工程は、
前記金属シード層の表面にメッキされた導電性物質をパターニングする工程をさらに含むことを特徴とする請求項３０に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項32】

前記シード層形成工程以後、上部金属シード層と下部金属シード層の表面に保護フィルムを形成する工程を行い、
コンタクトホールの内壁に金属シード膜を塗布した以後、前記保護フィルムを除去する工程を行うことを特徴とする請求項３０に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項33】

前記信号部と接地部を形成する工程においては、
前記基材の上面のうちのスルーホールが形成される位置にポストを形成することを特徴とする請求項１９に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項34】

前記ポストを形成する工程においては、ポストを柱状で形成し、多数のポストを信号部の長さ方向に沿って離隔配置することを特徴とする請求項３３に記載の電磁波遮蔽機能を
有する回路基板の製造方法。

【請求項35】

前記ポストの離隔間隔は、前記信号部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定することを特徴とする請求項３４に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項36】

前記ポストの離隔間隔は、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定することを特徴とする請求項３４に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項37】

前記ホール加工工程においては、
前記ポストに対応する位置で前記基材及び絶縁層を貫通するスルーホールを形成し、ポストの上面と下面をそれぞれ露出させることを特徴とする請求項３３に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【請求項38】

前記電磁波遮蔽層を形成する工程においては、前記電磁波遮蔽層を構成する導電性物質が前記スルーホールに充填され、前記絶縁層上部の電磁波遮蔽層と基材下部の電磁波遮蔽層を前記ポストと電気的に連結する遮蔽ブリッジを形成することを特徴とする請求項３７に記載の電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電磁波遮蔽機能を有する回路基板及びその製造方法に関する。より詳細には、隣接する複数の信号部間の電磁波干渉を防止することができる電磁波遮蔽機能を有する回路基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

一般的に、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）は、一種の印刷回路技法を用いて製作し、一般的に硬性回路基板（ＰＣＢ、Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）と硬性回路基板を電気的に連結する目的に使用されている。
このようなフレキシブル回路基板は、一般的に片面または両面の構造を有しており、従
来のフレキシブル回路基板は、回路と回路を連結する単純な目的に主に使用されてきた。

【0003】

このようなフレキシブル回路基板に電気信号が印加されると電磁波妨害（ＥＭＩ、ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｗａｖｅ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）が発生する。電磁波は、人体に有害なのはもちろんのこと、フレキシブル回路基板が適用される製品でノイズを発生させて、品質欠陥の主要な原因を提供するため、このような問題点を防止するために様々な方法が使用されている。そのうちの一つの方法が、フレキシブル回路基板に電磁波遮蔽フィルムを適用することである。

【0004】

図１は、従来の電磁波遮蔽フィルムが設けられたフレキシブル回路基板を説明するための図であって、図１の（ａ）は、フレキシブル回路基板の平面図を、図１の（ｂ）は、図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ’で切断した断面図を示したものである。
図１に示したように、従来のフレキシブル回路基板は、ベースフィルム１２の上に形成された信号ライン１４Ｄ及び接地ライン１４Ｇが形成され、信号ライン１４Ｄ及び接地ライン１４Ｇの上側には、樹脂層１６が設けられ、樹脂層１６の上側には、電磁波遮蔽フィルム１が配置される。

【0005】

ここで、信号ライン１４Ｄは、データ信号伝達のための導電性経路であり、接地ライン１４Ｇは、接地のための導電性経路である。
電磁波遮蔽フィルム１は、ポリマー材質のカバーフィルム１ａと、このようなカバーフィルム１ａに薄い層で形成された金属膜である導電体層１ｂと、このような導電体層１ｂの一面に広く塗布されて接着性を有する樹脂で作られた導電性接着剤層１ｃを含む。導電性接着剤層１ｃは、一般的な樹脂に導電性を有する金属物が混合されたものを意味する。このような金属物は、銀、ニッケル、銅などが使用されることができる。

【0006】

前記電磁波遮蔽フィルム１が電磁波遮蔽の効果を発生させるためには、導電性接着剤層１ｃを用いて、導電体層１ｂを接地ライン１４Ｇに電気的に連結しなければならない。しかし、このような導電性接着剤層１ｃは、熱と圧力を受けて硬質化するため、フレキシブル回路基板の屈曲性が低下する問題が発生する。

【0007】

また、ベースフィルム１２上に設けられる複数の信号ライン１４Ｄでそれぞれ発生する電磁波が隣接信号ライン１４Ｄで発生する電磁波と干渉して、ノイズが発生する問題がある。特に、このようなノイズは、フレキシブル回路基板の長さが長いほど増加することになり、信号ライン１４Ｄを通過する信号の周波数が高いほど増加するので、長さが長いフレキシブル回路基板を用いて、高解像度の映像イメージのような大容量のデータを高速に伝送することができないという問題がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】韓国登録特許第１２１９３５７号（２０１３.０１.０９.）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

したがって、本発明の目的は、このような従来の問題点を解決するためのものであって、信号部で発生する電磁波及びノイズを電磁波遮蔽層及び接地部を介して放出させ、高速信号伝送が可能な電磁波遮蔽機能を有する回路基板及びその製造方法を提供することにある。
また、隣接する複数の信号部間の電磁波干渉を防止することができる電磁波遮蔽機能を有する回路基板及びその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

前記目的は、本発明により、基材と、前記基材上に配置される信号部と、前記信号部と並んで配置される接地部と、前記基材の上部に配置されて前記信号部と前記接地部をカバーする絶縁層と、前記絶縁層の上部と前記基材の下部にそれぞれ配置される電磁波遮蔽層及び前記信号部の両側で前記基材と前記絶縁層を貫通して、前記絶縁層上部の電磁波遮蔽層と前記基材下部の電磁波遮蔽層を電気的に連結する遮蔽ブリッジを含む電磁波遮蔽機能を有する回路基板によって達成される。

【0011】

ここで、前記電磁波遮蔽層と前記接地部を電気的に連結する接地ブリッジをさらに含むことが好ましい。
また、前記接地ブリッジは、前記絶縁層と基材のうちの少なくともいずれか一つに形成されることが好ましい。
また、前記接地ブリッジは、前記回路基板の両端部で前記信号部と前記接地部にそれぞれ連結されるコネクタに形成されることが好ましい。

【0012】

また、前記接地ブリッジは、前記絶縁層と基材のうちの少なくともいずれか一つを貫通して接地部を露出させるコンタクトホールに形成されることが好ましい。
また、前記遮蔽ブリッジは複数設けられ、前記信号部の長さ方向に沿って離隔配置されることが好ましい。
また、前記遮蔽ブリッジの離隔間隔は、前記信号部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されることが好ましい。

【0013】

また、前記遮蔽ブリッジの離隔間隔は、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されることが好ましい。
また、前記遮蔽ブリッジは、基材及び絶縁層を貫通するスルーホールに形成されることが好ましい。
また、前記接地部は、前記基材の上面両側縁にそれぞれ配置されることが好ましい。

【0014】

また、前記電磁波遮蔽層は、メッシュ状からなることが好ましい。
また、前記メッシュは、網目の対角線の長さが前記信号部で発生する電磁波波長の１／２以下に設定されることが好ましい。
また、前記メッシュは、網目の対角線の長さが、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されることが好ましい。

【0015】

また、本発明の目的は、基材、前記基材上に配置される信号部、前記信号部と並んで配置される接地部、前記基材の上部に配置されて前記信号部と前記接地部をカバーする絶縁層、前記絶縁層の上部と前記基材の下部にそれぞれ配置される電磁波遮蔽層、及び前記信号部の両側で前記基材と前記絶縁層を貫通して前記絶縁層上部の電磁波遮蔽層と前記基材下部の電磁波遮蔽層を電気的に連結する遮蔽ブリッジを含む電磁波遮蔽機能を有する回路基板、及び前記回路基板の両端部に設けられ、前記信号部と前記接地部にそれぞれ連結されるコネクタを含むことを特徴とする平板ケーブルによっても達成される。

【0016】

ここで、前記回路基板は、前記電磁波遮蔽層と前記接地部を電気的に連結する接地ブリッジをさらに含むことが好ましい。
また、前記遮蔽ブリッジは、複数設けられ、前記信号部の長さ方向に沿って離隔配置されることが好ましい。

【0017】

また、前記遮蔽ブリッジの離隔間隔は、前記信号部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されることが好ましい。
また、前記遮蔽ブリッジの離隔間隔は、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されることが好ましい。

【0018】

また、本発明の目的は、基材の上面に信号部と接地部を形成する工程と、前記基材の上部に前記信号部と接地部を覆う絶縁層を形成する工程と、前記信号部の両側で前記基材及び絶縁層を貫通するスルーホールを形成するホール加工工程と、前記絶縁層の上部と基材の下部にそれぞれ電磁波遮蔽層を形成する工程を含み、前記電磁波遮蔽層を形成する工程では、前記電磁波遮蔽層を構成する導電性物質が前記スルーホールに充填され、前記絶縁層上部の電磁波遮蔽層と基材下部の電磁波遮蔽層を連結する遮蔽ブリッジを形成することを特徴とする電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法によっても達成される。

【0019】

ここで、前記ホール加工工程においては、前記絶縁層と基材のうちの少なくともいずれか一つを貫通して、接地部を露出させるコンタクトホールを形成し、前記電磁波遮蔽層を形成する工程においては、前記電磁波遮蔽層を構成する導電性物質が前記コンタクトホールに充填され、前記電磁波遮蔽層と接地部を連結する接地ブリッジを形成することが好ましい。

【0020】

また、前記ホール加工工程においては、前記スルーホールを信号部の長さ方向に沿って多数形成することが好ましい。
また、前記スルーホールの離隔間隔は、前記信号部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定することが好ましい。
また、前記スルーホールの離隔間隔は、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定することが好ましい。

【0021】

また、前記信号部と接地部を形成する工程は、基材の上面に金属層を形成する工程と、前記金属層をパターニングする工程を含むことが好ましい。
また、前記電磁波遮蔽層を形成する工程においては、無電解メッキ工程により、前記絶縁層上部の電磁波遮蔽層と、前記基材下部の電磁波遮蔽層と、前記スルーホールに充填される遮蔽ブリッジ及び前記コンタクトホールに充填される接地ブリッジを形成することが好ましい。

【0022】

また、前記電磁波遮蔽層を形成する工程においては、導電性物質で構成された電磁波遮蔽フィルムを絶縁層の上部と基材の下部にそれぞれ配置し、ホットプレス工程により前記電磁波遮蔽フィルムに熱と圧力を提供し、前記電磁波遮蔽フィルムを構成する導電性物質が前記スルーホールとコンタクトホール内に充填されるようにすることが好ましい。
また、前記信号部と接地部を形成する工程は、前記基材の上面に金属シード層を形成する工程と、前記金属シード層の上側に金属層をメッキする工程と、前記金属シード層と金属層をパターニングする工程を含むことが好ましい。

【0023】

また、前記信号部と接地部を形成する工程は、基材の上面に信号部と接地部に対応する形態で金属シード層を形成する工程と、前記金属シード層上に金属層をメッキする工程を含むことが好ましい。
また、前記金属シード層を形成する工程においては、導電性ペーストをフレキシブル基板の上側に印刷して、金属シード層を形成することが好ましい。

【0024】

また、前記電磁波遮蔽層を形成する工程は、前記絶縁層の上面に上部金属シード層を形成し、前記基材の下面に下部金属シード層を形成するシード層形成工程と、スルーホールとコンタクトホールとの内壁に金属シード膜を塗布する工程と、前記金属シード層及び金属シード膜の表面に導電性物質をメッキする工程を含むことが好ましい。
また、前記電磁波遮蔽層を形成する工程は、前記金属シード層の表面にメッキされた導電性物質をパターニングする工程をさらに含むことが好ましい。

【0025】

また、前記シード層形成工程以後、上部金属シード層と下部金属シード層の表面に保護フィルムを形成する工程を行い、コンタクトホールの内壁に金属シード膜を塗布した以後、前記保護フィルムを除去する工程を行うことが好ましい。
また、前記信号部と接地部を形成する工程においては、前記基材の上面のうちのスルーホールが形成される位置にポストを形成することが好ましい。

【0026】

また、前記ポストを形成する工程においては、ポストを柱状で形成し、多数のポストを信号部の長さ方向に沿って離隔配置することが好ましい。
また、前記ポストの離隔間隔は、前記信号部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定することが好ましい。
また、前記ポストの離隔間隔は、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定することが好ましい。

【0027】

また、前記ホール加工工程においては、前記ポストに対応する位置で前記基材及び絶縁層を貫通するスルーホールを形成し、ポストの上面と下面をそれぞれ露出させることが好ましい。
また、前記電磁波遮蔽層を形成する工程においては、前記電磁波遮蔽層を構成する導電性物質が前記スルーホールに充填され、前記絶縁層上部の電磁波遮蔽層と基材下部の電磁波遮蔽層を前記ポストと電気的に連結する遮蔽ブリッジを形成することが好ましい。

【発明の効果】

【0028】

本発明によれば、信号部で発生する電磁波及びノイズを電磁波遮蔽層及び接地部を介して放出させ、高速信号伝送が可能な電磁波遮蔽機能を有する回路基板及びその製造方法が提供される。また、隣接する複数の信号部間の電磁波干渉を防止することができる電磁波遮蔽機能を有する回路基板及びその製造方法が提供される。このように、内部信号部で発生する電磁波及びノイズに対する遮蔽はもちろんのこと、外部で発生する電磁波及びノイズに対する遮蔽も可能な回路基板及びその製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】図１は、従来の電磁波遮蔽フィルムが設けられたフレキシブル回路基板の図である。

【図2】図２は、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の分解斜視図である。

【図3】図３は、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の断面図である。

【図4】図４は、図３のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図5】図５は、本発明の第２実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の分解斜視図である。

【図6】図６は、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板を用いたフラットケーブルの概略図である。

【図7】図７は、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。

【図8】図８は、本発明の第２実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の第１の工程別断面図である。

【図9】図９は、本発明の第２実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の第２の工程別断面図である。

【図10】図１０は、本発明の第３実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の第１の工程別断面図である。

【図11】図１１は、本発明の第３実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の第２の工程別断面図である。

【図12】図１２は、本発明の第４実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の第１の工程別断面図である。

【図13】図１３は、本発明の第４実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の第２の工程別断面図である。

【図14】図１４は、本発明の第５実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。

【図15】図１５は、本発明の第６実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。

【図16】図１６は、本発明の第７実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

説明に先立ち、様々な実施例において、同一の構成を有する構成要素については、同一の符号を使用して代表的に第１実施例で説明し、その他の実施例においては、第１実施例と異なる構成について説明することにする。
以下、添付した図面を参照して、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板について詳細に説明する。

【0031】

添付図面のうち、図２は、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の分解斜視図であり、図３は、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の断面図であり、図４は、図３のＢ−Ｂ’線断面図であり、図５は、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の使用例を示した図である。

【0032】

前記図２〜図４に示したように、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板は、基材１１０、信号部１２１、接地部１２２、絶縁層１３０、スルーホール１４１、コンタクトホール１４２、電磁波遮蔽層１５０、遮蔽ブリッジ１５１及び接地ブリッジ１５２を含む。

【0033】

前記基材１１０は、フレキシブル回路基板の生地素材となるものであって、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のように簡単に曲がることができるフィルムからなり得る。

【0034】

前記信号部１２１は、銅（Ｃｕ）のような電気伝導性に優れた材質からなり、前記基材１１０の上面に複数設けられて、一列に並んで配置される。

【0035】

前記接地部１２２は、前記信号部１２１と同一の材質からなり、前記基材１１０の上面両側縁で前記信号部１２１と並んで配置される。

【0036】

前記絶縁層１３０は、前記基材１１０の上面に形成された信号部１２１と接地部１２２を保護するために基材１１０の上面に積層され、前記信号部１２１と接地部１２２を覆うものであって、絶縁層１３０の前記基材１１０と向き合う面には、接着剤１３１が塗布されることができ、ホットプレス工程により前記基材１１０の上面に接合されることができる。

【0037】

前記スルーホール１４１は、前記信号部１２１の両側で前記基材１１０と絶縁層１３０を貫通して形成されるものであって、前記信号部１２１の長さ方向に沿って一定の間隔で離隔配置される。特に、前記スルーホール１４１の離隔間隔（Ｄ）は、前記信号部１２１で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定されるか、外部で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定される。

【0038】

前記コンタクトホール１４２は、前記絶縁層１３０と基材１１０のうちの少なくともいずれか一つを貫通して形成されるものであって、本実施例では、接地部１２２の上面が露出するように絶縁層１３０を貫通するビアホールの形態で構成されるものとして例を挙げて説明する。また、前記コンタクトホール１４２は、複数設けられて接地部１２２に沿って離隔配置されることによって、コンタクトホール１４２に形成される接地ブリッジ１５２により、前記電磁波遮蔽層１５０が接地部１２２と複数の地点で電気的に連結されるようにすることができる。

【0039】

このようなコンタクトホール１４２の離隔間隔は、電磁波遮蔽層１５０の電気抵抗値により決定されることができ、電磁波遮蔽層１５０の電気抵抗値が大きい場合には、コンタクトホール１４２の離隔間隔を狭くし、電磁波遮蔽層１５０の電気抵抗値が小さい場合には、コンタクトホール１４２の離隔間隔を相対的に広くすることができる。

【0040】

一方、前記コンタクトホール１４２は、基材１１０を貫通するビアホールの形態で構成することができ、この他にも、絶縁層１３０と基材１１０で保護される接地部１２２を露出させるために絶縁層１３０と接地部１２２及び基材１１０を貫通するか、コンタクトホール１４２の内部に接地部１２２の側面が露出するように絶縁層１３０と基材１１０を貫通するスルーホールの形態で構成することも可能である。

【0041】

前記電磁波遮蔽層１５０は、前記絶縁層１３０の上部と前記基材１１０の下部にそれぞれ配置され、遮蔽ブリッジ１５１によって上部の電磁波遮蔽層１５０と下部の電磁波遮蔽層１５０が電気的に連結され、接地ブリッジ１５２によって電磁波遮蔽層１５０と接地部１２２が電気的に連結される。

【0042】

このような電磁波遮蔽層１５０は、熱可塑性の導電性物質で構成された電磁波遮蔽フィルムで構成されることができ、融点よりも少し低い温度に加熱して軟化させた状態で圧力を提供すると、電磁波遮蔽フィルムを構成する導電性物質が、前記スルーホール１４１とコンタクトホール１４２の内部に挿入され、前記絶縁層１３０上部の電磁波遮蔽層１５０と基材１１０下部の電磁波遮蔽層１５０を電気的に連結する遮蔽ブリッジ１５１と、前記絶縁層１３０上部の電磁波遮蔽層１５０と接地部１２２を電気的に連結する接地ブリッジ１５２を形成する。

【0043】

一方、前記電磁波遮蔽フィルムを加熱し、圧力を提供するために、熱エネルギーと圧力を同時に提供するホットプレス工程が用いられることができる。

【0044】

具体的に、前記のようにスルーホール１４１に充填された遮蔽ブリッジ１５１は、前記信号部１２１の両側にそれぞれ配置され、信号部１２１で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔で離隔されて、信号部１２１で発生する電磁波が遮蔽ブリッジ１５１の間の空間を通過できないようになるため、「ファラデーケージ（Ｆａｒａｄａｙ ｃａｇｅ）効果」を提供することができる。

【0045】

すなわち、信号部１２１の両側に配置された遮蔽ブリッジ１５１が、電磁波遮断膜の機能を行うことになるので、信号部１２１の上部と下部にのみ電磁波遮蔽層１５０を積層しながらも、それぞれの信号部１２１を電磁波シールドで囲んだような効果を提供することができる。

【0046】

添付図面のうち、図５は、本発明の第２実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の分解斜視図である。
図５に示したように、本発明の第２実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板は、絶縁層１３０上部の電磁波遮蔽層１５０’と基材下部の電磁波遮蔽層１５０’がそれぞれメッシュ（ｍｅｓｈ）状からなる点で、前述した第１実施例との差を持つ。

【0047】

特に、前記メッシュ状からなる電磁波遮蔽層１５０’は、メッシュの網目の対角線の長さが信号部で発生する電磁波波長の１／２以下、または外部で発生する電磁波波長の１／２以下に設定される。したがって、ファラデーケージ効果によって、信号部１２１で発生する電磁波が電磁波遮蔽層１５０’を通過して外部に放出されるか、外部の電磁波が電磁波遮蔽層１５０’を通過して内部に流入することを防止することができる。

【0048】

特に、電磁波遮蔽層１５０’をメッシュ状に構成する場合には、一般的なプレート状の電磁波遮蔽層に比べて、回路基板の準軟性・フレキシブル性が向上するという利点を提供することができる。
一方、前記電磁波遮蔽層１５０’を除いた残りの構成は、第１実施例と同様であるため、同一の構成についての具体的な説明は省略する。

【0049】

一方、図６に示すように、本発明のフラットケーブルは、図２及び図６のフレキシブル回路基板１００と、フレキシブル回路基板１００の両端部に信号部１２１と接地部１２２にそれぞれ連結されるコネクタ１００ａが設けられた形態で提供されることができる。
このようなフラットケーブルは、フレキシブル回路基板１００の両端部に設けられたコネクタ１００ａが相対移動する第１基板Ｂ１と第２基板Ｂ２にそれぞれ結合し、前記第１基板Ｂ１と第２基板Ｂ２がフレキシブル回路基板１００によって、電気的に連結されるようにすることができる。

【0050】

すなわち、本実施例によれば、フレキシブル回路基板１００に設けられる多数の信号部１２１は、それぞれ独立的に電磁波遮蔽層１５０によって保護されるので、長さが長いフレキシブル平板ケーブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｆｌａｔ ｃａｂｌｅ）、または、映像信号のような大容量信号の高速伝送のためのフレキシブル平板ケーブルとして使用してもフレキシブル回路基板１００を介して伝送される信号にノイズが混ざることを防止することができる。

【0051】

添付図面のうち、図７は、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。
図７に示したように、本発明の第１実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法は、金属層形成工程Ｓ１１０と、信号部と接地部形成工程Ｓ１２０と、絶縁層形成工程Ｓ１３０と、ホール加工工程Ｓ１４０及び電磁波遮蔽層形成工程Ｓ１５０を含む。

【0052】

前記金属層形成工程Ｓ１１０は、図７の（ａ）に示すように、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のように簡単に曲がることができる絶縁性の基材１１０上に銅（Ｃｕ）のような金属層１２０を積層するものであって、基材１１０の上面に金属層１２０が積層された状態で提供されるフレキシブル銅箔積層フィルム（ＦＣＣＬ）を準備することで代替することができる。このように、金属層１２０を基材１１０にラミネートして備えることもでき、金属を基材１１０にコーティングして金属層１２０を備えることもでき、基材１１０の上にメッキして金属層１２０を備えることもできるのはもちろんである。

【0053】

前記信号部と接地部形成工程Ｓ１２０は、図７の（ｂ）に示すように、前記金属層１２０から信号部１２１と接地部１２２を形成するために、フォトリソグラフィ工程により前記金属層１２０をパターニングして、基材１１０の上面に複数の信号部１２１と接地部１２２を形成する。

【0054】

前記絶縁層形成工程Ｓ１３０においては、図７の（ｃ）に示すように、前記基材１１０の上部に前記信号部１２１と接地部１２２を覆う絶縁層１３０を形成する。一方、前記絶縁層１３０が基材１１０に堅固に接合されることができるように、前記絶縁層１３０の前記基材１１０と向き合う面には接着剤１３１が塗布されることができ、前記絶縁層１３０は、ホットプレス工程により、基材１１０の上面に接合されることができる。

【0055】

前記ホール加工工程Ｓ１４０においては、図７の（ｄ）に示すように、前記信号部１２１の両側で前記基材１１０及び絶縁層１３０を貫通するスルーホール１４１を形成し、前記絶縁層１３０と基材１１０のうちの少なくともいずれか一つを貫通して接地部１２２を露出させるコンタクトホール１４２を形成する。ここで、前記スルーホール１４１は、信号部１２１の長さ方向に沿って多数離隔配置され、前記スルーホール１４１の離隔間隔は、前記信号部１２１で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定される。

【0056】

一方、前記コンタクトホール１４２が絶縁層１３０に形成される場合には、前記絶縁層形成工程Ｓ１３０で、コンタクトホール１４２が予め形成された絶縁層１３０を基材１１０の上面に配置し、絶縁層１３０と基材１１０の接合位置が整列された状態で、絶縁層１３０を基材１１０と接合することができる。このように、絶縁層１３０にコンタクトホール１４２を予め形成する場合には、前記ホール加工工程Ｓ１４０でコンタクトホール１４２の加工深さを精密に制御しなくても良い。

【0057】

前記電磁波遮蔽層形成工程Ｓ１５０においては、図７の（ｅ）に示すように、熱可塑性の導電性物質で構成された電磁波遮蔽フィルムを前記絶縁層１３０の上部と基材１１０の下部にそれぞれ配置し、電磁波遮蔽フィルムを融点よりも少し低い温度に加熱して軟化させた状態で圧力を提供すると、電磁波遮蔽フィルムを構成する導電性物質が、前記スルーホール１４１とコンタクトホール１４２の内部に充填され、前記絶縁層１３０上部の電磁波遮蔽層１５０と基材１１０下部の電磁波遮蔽層１５０を電気的に連結する遮蔽ブリッジ１５１と、前記絶縁層１３０上部の電磁波遮蔽層１５０と接地部１２２を電気的に連結する接地ブリッジ１５２を形成することになる。

【0058】

このような電磁波遮蔽層形成工程Ｓ１５０においては、電磁波遮蔽フィルムを加熱すると共に圧力を提供することができるホットプレス工程が用いられることができる。

【0059】

一方、本実施例においては、絶縁層１３０の上部と基材１１０の下部に電磁波遮蔽フィルムを配置し、ホットプレス工程により電磁波遮蔽層１５０と遮蔽ブリッジ１５１及び接地ブリッジ１５２を形成するものとして例を挙げて説明したが、無電解メッキ工程により前記回路基板の外表面全体に無電解メッキ膜を必要な厚さに形成することによって、絶縁層１３０上部の電磁波遮蔽層１５０と、前記基材１１０下部の電磁波遮蔽層１５０と、前記スルーホール１４１に充填される遮蔽ブリッジ１５１及びコンタクトホール１４２に充填される接地ブリッジ１５２を形成することも可能である。

【0060】

添付図面のうち、図８〜図９は、本発明の第２実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。
図８〜図９に示したように、本発明の第２実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法は、金属層形成工程Ｓ２１０と、信号部と接地部形成工程Ｓ２２０と、絶縁層形成工程Ｓ２３０と、上部金属シード層形成工程Ｓ２４０と、下部金属シード層形成工程Ｓ２５０と、ホール加工工程Ｓ２６０と、電磁波遮蔽層形成工程Ｓ２７０及びカバー層形成工程Ｓ２８０を含む。

【0061】

前記金属層形成工程Ｓ２１０においては、図８の（ａ）に示すように、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のように簡単に曲がることができる絶縁性の基材１１０上に銅（Ｃｕ）のような金属層１２０を積層する。このような金属層形成工程Ｓ２１０は、基材１１０の上面に金属層１２０が積層された状態で提供されるフレキシブル銅箔積層フィルム（ＦＣＣＬ）を準備することで代替することができる。このように金属層１２０を基材１１０にラミネートして備えることもでき、金属を基材１１０にコーティングして金属層１２０を備えることもでき、基材１１０の上にメッキして金属層１２０を備えることもできるのはもちろんである。

【0062】

前記信号部と接地部形成工程Ｓ２２０においては、図８の（ｂ）に示すように、前記金属層１２０から信号部１２１と接地部１２２を形成するために、フォトリソグラフィ工程により前記金属層１２０をパターニングして、基材１１０の上面に複数の信号部１２１と接地部１２２を形成する。

【0063】

前記絶縁層形成工程Ｓ２３０においては、図８の（ｃ）に示すように、ボンディングシート状の接着剤１３１’を用いて、絶縁層１３０を基材１１０の上面に接合する。前記接着剤１３１’は、ホットプレス工程により絶縁層１３０と基材１１０との間に接合されるようにすることができる。

【0064】

また、前記上部金属シード層形成工程Ｓ２４０においては、前記絶縁層１３０の上面に電磁波遮蔽層１５０の電解メッキのための上部金属シード層１６２を形成する。このような上部金属シード層１６２は、電気伝導性に優れた銀（Ａｇ）材質からなることができ、グラビアコーティング、スクリーンプリンティング、スロットダイ、スピンコーティング、蒸着などによって形成されることができる。

【0065】

一方、本実施例においては、工程の簡素化のために、絶縁層１３０の上面に金属シード層１６２が形成されたフレキシブルシード積層フィルム（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｓｅｅｄ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ；ＦＳＣＬ）を予め準備し、ボンディングシート１３１’を用いて、前記フレキシブルシード積層フィルムの絶縁層１３０が基材１１０に接合することによって、上部金属シード層形成工程Ｓ２４０を絶縁層形成工程Ｓ２３０と同時に行うものとして例を挙げて説明したが、これに限定するものではない。

【0066】

前記下部金属シード層形成工程Ｓ２５０では、図８の（ｃ）に示すように、前記基材１１０の下面に電磁波遮蔽層１５０の電解メッキのための下部金属シード層１６１を形成する。このような下部金属シード層１６１は、電気伝導性に優れた銀（Ａg）材質からなることができ、下部金属シード層１６１は、グラビアコーティング、スクリーンプリンティング、スロットダイ、スピンコーティング、蒸着などによって形成されることができる。

【0067】

図８の（ｄ）に示すように、前記ホール加工工程Ｓ２６０では、前記信号部１２１の両側で上部金属シード層１６２と絶縁層１３０と接着層１３１’と基材１１０及び下部金属シード層１６１を貫通するスルーホール１４１を形成し、前記接地部１２２を露出させるために、前記接地部１２２が形成された0位置で前記上部金属シード層１６２と絶縁層１３０及び接着層１３１’を貫通するコンタクトホール１４２と、前記基材１１０と下部金属シード層１６１を貫通するコンタクトホール１４２を形成する。

【0068】

ここで、前記スルーホール１４１は、信号部１２１の長さ方向に沿って多数離隔配置され、前記スルーホール１４１の離隔間隔は、前記信号部１２１で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定される。

【0069】

一方、本実施例においては、前記コンタクトホール１４２が接地部１２２の上部と下部で接地部１２２の表面が露出する深さに形成されるものとして例を挙げて説明したが、工程の便宜のために接地部１２２を含んで完全に貫通するように形成することも可能である。一方、接地部１２２が損傷することを防止するために、コンタクトホール１４２の位置を調節して、コンタクトホール１４２内に接地部１２２の側面が露出するようにすることも可能である。

【0070】

前記電磁波遮蔽層形成工程Ｓ２７０は、図９の（ｅ）に示すように、前記スルーホール１４１及びコンタクトホール１４２の内壁に金属シード膜Ｃを形成する工程Ｓ２７１と、図９の（ｆ）に示すように、前記上部金属シード層１６２と下部金属シード層１６１及び前記金属シード膜Ｃの露出表面に銅のような導電性物質をメッキする工程Ｓ２７２及び図９の（ｇ）に示すように、不必要な部分に形成された電磁波遮蔽層１５０と金属シード層１６１，１６２を除去するためのパターニング工程Ｓ２７３を含む。

【0071】

前記金属シード膜Ｃを形成する工程Ｓ２７１では、図９の（ｅ）に示すように、ブラックホール、無電解メッキ、スクリーン印刷などの工程によりスルーホール１４１及びコンタクトホール１４２の内壁に金属シード膜Ｃを形成することができる。

【0072】

続いて、前記導電性物質をメッキする工程Ｓ２７２では、図９の（ｆ）に示すように、電解メッキ工程により上部金属シード層１６２と下部金属シード層１６１の表面に所望の厚さの電磁波遮蔽層１５０を形成し、前記金属シード膜Ｃが形成されたスルーホール１４１とコンタクトホール１４２に導電性物質を充填させて、遮蔽ブリッジ１５１と接地ブリッジ１５２を形成することができる。

【0073】

すなわち、上部電磁波遮蔽層１５０と下部電磁波遮蔽層１５０は、電磁波遮蔽層１５０と同一の工程で同一の材質で形成される遮蔽ブリッジ１５１によって互いに電気的に連結され、電磁波遮蔽層１５０は、同一の工程で同一の材質で形成される接地ブリッジ１５２を介して接地部１２２と電気的に連結されるので、従来のように熱硬化性樹脂材質の接着剤を用いて接地部と電磁波遮蔽フィルムを連結する構造における屈曲性低下問題を解決することができる。

【0074】

前記カバー層積層工程Ｓ２８０では、図９の（ｈ）に示すように、前記電磁波遮蔽層１５０を保護するために、前記上部電磁波遮蔽層１５０の上面と下部電磁波遮蔽層１５０の下面にそれぞれ絶縁物質からなるカバー層１７０を積層する。
添付図面のうち、図１０〜図１１は、本発明の第３実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。

【0075】

図１０〜図１１に示されたような本発明の第３実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法は、金属層形成工程Ｓ３１０と、下部金属シード層形成工程Ｓ３２０と、下部保護フィルム形成工程Ｓ３３０と、信号部と接地部形成工程Ｓ３４０と、絶縁層形成工程Ｓ３５０と、上部金属シード層形成工程Ｓ３６０と、上部保護フィルム形成工程Ｓ３７０と、ホール加工工程Ｓ３８０と、保護フィルム除去工程Ｓ３９０と、電磁波遮蔽層形成工程Ｓ４００及びカバー層形成工程Ｓ４１０を含む。

【0076】

前記金属層形成工程Ｓ３１０では、図１０の（ａ）に示すように、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のように簡単に曲がることができる絶縁性の基材１１０上に銅（Ｃｕ）のような金属層１２０を積層する。

【0077】

このような基材１１０に金属層１２０を形成する金属層形成工程Ｓ３１０は、金属層１２０を基材１１０の上面に熱硬化性接着剤Ａで接合した状態で提供される片面のフレキシブル銅箔積層フィルム（ＦＣＣＬ）を準備することで代替することができる。このように金属層１２０を基材１１０にラミネートして備えることもでき、金属を基材１１０にコーティングして金属層１２０を備えることもでき、基材１１０の上にメッキして金属層１２０を備えることもできるのはもちろんである。

【0078】

前記下部金属シード層形成工程Ｓ３２０では、図１０の（ｂ）に示すように、前記金属層パターニング工程Ｓ３４０に先立ち、前記基材１１０の下面に電磁波遮蔽層１５０の電解メッキのための下部金属シード層１６１を形成する。このような下部金属シード層１６１は、電気伝導性に優れた銀（Ａｇ）材質からなることができ、クラビアコーティング、スクリーンプリンティング、スロットダイ、スピンコーティング、蒸着などによって形成されることができる。

【0079】

前記下部保護フィルム形成工程Ｓ３３０では、図１０の（ｃ）に示すように、前記下部金属シード層１６１の下部に下部保護フィルム１６３を積層する。

【0080】

前記信号部と接地部形成工程Ｓ３４０は、図１０の（ｄ）に示すように、前記金属層１２０から信号部１２１と接地部１２２を形成するために、フォトリソグラフィ工程により前記金属層１２０をパターニングし、基材１１０の上面に多数の信号部１２１と接地部１２２を形成する。この際、前記下部金属シード層１６１は、下部保護フィルム１６３によって覆われているので、パターニング過程で下部金属シード層１６１が損傷することを防止することができる。

【0081】

図１０の（ｅ）に示すように、前記絶縁層形成工程Ｓ３５０では、ボンディングシート状の接着剤１３１’を用いて絶縁層１３０を基材１１０の上面に接合する。前記接着剤１３１’は、ホットプレス工程により絶縁層１３０と基材１１０との間に接合されるようにすることができる。

【0082】

また、前記上部金属シード層形成工程Ｓ３６０では、前記絶縁層１３０の上面に電磁波遮蔽層１５０の電解メッキのための上部金属シード層１６２を形成する。このような上部金属シード層１６２は、電気伝導性に優れた銀（Ａg）材質からなることができ、クラビアコーティング、スクリーンプリンティング、スロットダイ、スピンコーティング、蒸着などによって形成されることができる。

【0083】

一方、本実施例においては、工程の簡素化のために、絶縁層１３０の上面に金属シード層が形成されたフレキシブルシード積層フィルム（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｓｅｅｄ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ；ＦＳＣＬ）を予め準備し、接着剤１３１’を用いて前記フレキシブルシード積層フィルムの絶縁層１３０を基材１１０に接合することによって、前記絶縁層形成工程Ｓ３５０と上部金属シード層形成工程Ｓ３６０を同時に行うものとして例を挙げて説明したが、これに限定するものではない。

【0084】

前記上部保護フィルム形成工程Ｓ３７０では、図１０の（ｆ）に示すように、前記上部金属シード層１６２の上部に上部保護フィルム１６４を積層する。

【0085】

前記ホール加工工程Ｓ３８０では、図１１の（ｇ）に示すように、前記信号部１２１の両側で上部保護フィルム１６４と上部金属シード層１６２と絶縁層１３０と接着層１３１’と基材１１０と下部金属シード層１６１及び下部保護フィルム１６３を貫通するスルーホール１４１を形成し、前記接地部１２２を露出させるために、前記接地部１２２が形成された位置で前記上部保護フィルム１６４と上部金属シード層１６２と絶縁層１３０及び接着層１３１’を貫通するコンタクトホール１４２を形成し、前記基材１１０と下部金属シード層１６１及び下部保護フィルム１６３を貫通するコンタクトホール１４２を形成する。

【0086】

ここで、前記スルーホール１４１は、信号部１２１の長さ方向に沿って多数離隔配置され、前記スルーホール１４１の離隔間隔は、前記信号部１２１で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定される。また、前記コンタクトホール１４２の離隔間隔は、電磁波遮蔽層１５０の電気抵抗値を考慮し、電磁波遮蔽層１５０に吸収された電磁波が接地部１２２を介して円滑に抜け出すことができるように設定されることができる。

【0087】

一方、本実施例においては、前記コンタクトホール１４２が接地部１２２の上部と下部で接地部１２２の表面が露出する深さに形成されるものとして例を挙げて説明したが、工程の便宜のために、接地部１２２を含んで完全に貫通するように形成することも可能である。一方、接地部１２２が損傷することを防止するために、コンタクトホール１４２の位置を調節して、コンタクトホール１４２内に接地部１２２の側面が露出するようにすることも可能である。

【0088】

前記電磁波遮蔽層形成工程Ｓ４００は、図１１の（ｈ）に示すように、前記スルーホール１４１及びコンタクトホール１４２の内壁に金属シード膜Ｃを形成する工程Ｓ４０１と、図１１の（ｊ）に示すように、前記上部金属シード層１６２と下部金属シード層１６１及び前記金属シード膜Ｃに銅のような導電性物質をメッキする工程Ｓ４０２と、図１１の（ｋ）に示すように、不必要な部分に形成された電磁波遮蔽層１５０と金属シード層１６１，１６２を除去するためのパターニング工程Ｓ４０３を含む。

【0089】

前記金属シード膜Ｃを形成する工程Ｓ４０１では、図１１の（ｈ）に示すように、ブラックホール、無電解メッキ、スクリーン印刷などの工程によりスルーホール１４１及びコンタクトホール１４２の内壁に金属シード膜Ｃを形成することができ、前記導電性物質をメッキする工程Ｓ４０２では、図１１の（ｊ）に示すように、電解メッキ工程により上部金属シード層１６２と下部金属シード層１６１の表面に所望の厚さの電磁波遮蔽層１５０を形成し、前記金属シード膜Ｃが形成されたスルーホール１４１とコンタクトホール１４２に導電性物質を充填させて、遮蔽ブリッジ１５１と接地ブリッジ１５２を形成することができる。

【0090】

一方、本実施例においては、前記電磁波遮蔽層１５０を形成するために、無電解メッキ工程により金属シード層１６１，１６２と金属シード膜Ｃを形成した後、電解メッキ工程により電磁波遮蔽層１５０と遮蔽ブリッジ１５１及び接地ブリッジ１５２を形成するものとして例を挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、ホール加工工程Ｓ２６０以後に無電解メッキ工程により回路基板の外表面全体に無電解メッキ膜を形成して、電磁波遮蔽層１５０と遮蔽ブリッジ１５１及び接地ブリッジ１５２を形成することも可能である。

【0091】

一方、前記保護フィルム除去工程Ｓ３９０は、図１１の（ｉ）に示すように、前記金属シード膜を形成する工程Ｓ４０１と導電性物質をメッキする工程Ｓ４０２との間で、上部金属シード層１６２の上部に積層された上部保護フィルム１６４と、下部金属シード層１６１の下部に積層された下部保護フィルム１６３を除去する。
前記カバー層積層工程Ｓ４１０では、図１１の（ｌ）に示すように、前記電磁波遮蔽層１５０を保護するために、前記上部電磁波遮蔽層１５０の上面と下部電磁波遮蔽層１５０の下面にそれぞれ絶縁物質からなるカバー層１７０を積層する。

【0092】

添付図面のうち、図１２〜図１３は、本発明の第４実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。

【0093】

図１２〜図１３に示されたような本発明の第４実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法は、金属シード層形成工程Ｓ５１０と、下部保護フィルム積層工程Ｓ５２０と、金属層形成工程Ｓ５３０と、信号部と接地部形成工程Ｓ５４０と、絶縁層形成工程Ｓ５５０と、上部金属シード層形成工程Ｓ５６０と、上部保護フィルム形成工程Ｓ５７０と、ホール加工工程Ｓ５８０と、上部保護フィルム及び下部保護フィルム除去工程Ｓ５９０と、電磁波遮蔽層形成工程Ｓ６００及びカバー層形成工程Ｓ６１０を含む。

【0094】

前記金属シード層形成工程Ｓ５１０では、図１２の（ａ）に示すように、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のように簡単に曲がることができる基材１１０の上面に金属層１２０メッキのための金属シード層１２０’を形成し、基材１１０の下面には、電磁波遮蔽層１５０の電解メッキのための下部金属シード層１６１を形成する。このような金属シード層１２０’，１６１は、電気伝導性に優れた銀（Ａｇ）材質からなることができ、クラビアコーティング、スクリーンプリンティング、スロットダイ、スピンコーティング、蒸着などによって形成されることができる。

【0095】

前記下部保護フィルム形成工程Ｓ５２０では、図１２の（ｂ）に示すように、前記下部金属シード層１６１の下部に下部保護フィルム１６３を積層する。

【0096】

前記金属層形成工程Ｓ５３０では、図１２の（ｃ）に示すように、前記基材１１０の上面に形成された金属シード層１２０’上に銅のような導電性物質を電解メッキして金属層１２０を形成する。この際、前記下部金属シード層１６１は、下部保護フィルム１６３によって覆われているので、金属層１２０を電解メッキする過程で下部金属シード層１６１に導電性物質がメッキされることを防止することができる。

【0097】

一方、図１２の（ｄ）〜（ｇ）及び図１３の（ｈ）〜（ｌ）に示された、本実施例の前記信号部と接地部形成工程Ｓ５４０と、絶縁層形成工程Ｓ５５０と、上部金属シード層形成工程Ｓ５６０と、上部保護フィルム形成工程Ｓ５７０と、ホール加工工程Ｓ５８０と、上部保護フィルム及び下部保護フィルム除去工程Ｓ５９０と、電磁波遮蔽層形成工程Ｓ６００及びカバー層積層工程Ｓ６１０は、前述した第３実施例と同様であるため、これに対する具体的な説明は省略する。

【0098】

添付図面のうち、図１４は、本発明の第５実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。
図１４に示されたような本発明の第５実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法は、信号部と接地部形成工程Ｓ７１０と、絶縁層形成工程Ｓ７２０と、ホール加工工程Ｓ７３０と、電磁波遮蔽層形成工程Ｓ７４０及びカバー層積層工程Ｓ７５０を含む。

【0099】

前記信号部と接地部形成工程Ｓ７１０は、図１４の（ａ）に示すように、基材１１０の上面に信号部１２１と接地部１２２に対応する形態で、金属シード層１２０’を印刷する工程Ｓ７１１と、図１３の（ｂ）に示すように、前記金属シード層１２０’上に金属層１２０をメッキする工程Ｓ７１２を含む。

【0100】

前記金属シード層を印刷する工程Ｓ７１１では、図１４の（ａ）に示すように、ロータリースクリーンやフレキソロール・ツー・ロール（Ｒ２Ｒ）プリンティングのような印刷工程により前記基材１１０の上面に、銀（Ａg）のような導電性ペーストを印刷し、信号部１２１と接地部１２２に対応する形態で金属シード層１２０’を形成する。

【0101】

前記金属層をメッキする工程Ｓ７１２では、図１４の（ｂ）に示すように、電解メッキ工程により前記基材１１０の上面に形成された金属シード層１２０’上に銅のような導電性物質を電解メッキして金属層を形成する。この際、前記金属シード層１２０’は、信号部１２１と接地部１２２に対応する形態で形成されているので、金属シード層１２０’上に電解メッキされた金属層によって信号部１２１と接地部１２２が形成される。

【0102】

前記絶縁層形成工程Ｓ７２０では、図１４の（ｃ）に示すように、前記基材１１０の上面に形成された信号部１２１と接地部１２２を保護するために、絶縁コーティング物質で構成された絶縁層１３０’を前記信号部１２１と接地部１２２が形成された基材１１０の上面に積層する。

【0103】

前記ホール加工工程Ｓ７３０では、図１４の（ｄ）に示すように、前記信号部１２１の両側で絶縁層１３０’と基材１１０を貫通するスルーホール１４１を形成し、前記接地部１２２を露出させるために前記接地部１２２が形成された位置で絶縁層１３０’を貫通するコンタクトホール１４２と、基材１１０及び金属シード層１２０’を貫通するコンタクトホール１４２を形成する。

【0104】

ここで、前記スルーホール１４１は、信号部１２１の長さ方向に沿って多数離隔配置され、前記スルーホール１４１の離隔間隔は、前記信号部１２１で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定される。また、前記コンタクトホール１４２の離隔間隔は、電磁波遮蔽層１５０の電気抵抗値を考慮して、電磁波遮蔽層１５０に吸収された電磁波が接地部１２２を介して円滑に抜け出すことができるように設定されることができる。

【0105】

一方、前記コンタクトホール１４２の離隔間隔をスルーホール１４１の離隔間隔と同一に設定する場合には、コンタクトホール１４２に充填される接地ブリッジ１５２が遮蔽ブリッジ１５１の機能を行うことができるので、信号部１２１と接地部１２２との間の領域に配置されるスルーホール１４１と遮蔽ブリッジ１５１を省略することができる。

【0106】

一方、本実施例においては、前記コンタクトホール１４２が接地部１２２を貫通するものとして例を挙げて説明したが、接地部１２２が形成された位置で食刻やレーザードリリング（Ｌａｓｅｒ ｄｒｉｌｌｉｎｇ）などの方法により接地部１２２の外側面が露出する位置までコンタクトホール１４２を形成するか、接地部１２２の側面が露出するようにコンタクトホール１４２の位置を調節することによって、接地部１２２の損傷を最小化することも可能である。

【0107】

前記電磁波遮蔽層形成工程Ｓ７４０は、図１４の（ｅ）に示すように、前記絶縁層１３０’の上部に上部金属シード層１６２’を形成し、前記基材１１０の下部に下部金属シード層１６１’を形成し、前記スルーホール１４１及びコンタクトホール１４２の内壁に金属シード膜Ｃを形成する工程Ｓ７４１と、図１４の（ｆ）に示すように、前記上部金属シード層１６２と下部金属シード層１６１及び前記金属シード膜Ｃに銅のような導電性物質をメッキする工程Ｓ７４２と、図１４の（ｇ）に示すように、不必要な部分に形成された電磁波遮蔽層１５０と金属シード層１６１，１６２を除去するためのパターニング工程Ｓ７４３を含む。

【0108】

前記除去時、金属を除去するための当業界で知られている様々なすべての方法を適用することができ、例えば、マスキングテープを用いて除去することもできるが、これに本発明が限定されるものではない。

【0109】

前記上部金属シード層１６２’と下部金属シード層１６１’及び金属シード膜Ｃを形成する工程Ｓ７４１では、図１４の（ｅ）に示すように、ブラックホール、無電解メッキ、スクリーン印刷などの工程により、前記絶縁層１３０’の上面に上部金属シード層１６２’を形成し、前記基材１１０の下面に下部金属シード層１６１’を形成し、前記スルーホール１４１及びコンタクトホール１４２の内壁に金属シード膜Ｃを形成することができる。

【0110】

この際、回路基板の両端部に設けられるコネクタのように、金属シード膜Ｃの無電解メッキ過程でメッキ物質から保護されなければならない部分には、予めマスキングテープを付けておき、無電解メッキ工程以後に除去することが好ましい。

【0111】

前記導電性物質をメッキする工程Ｓ７４２では、図１４の（ｆ）に示すように、電解メッキ工程により前記絶縁層１３０’の上面と基材１１０の下面に形成された金属シード膜Ｃの表面に所望の厚さの電磁波遮蔽層１５０を形成し、前記金属シード膜Ｃが形成されたスルーホール１４１とコンタクトホール１４２に導電性物質を充填させて、遮蔽ブリッジ１５１と接地ブリッジ１５２を形成することができる。

【0112】

前記カバー層積層工程Ｓ７５０では、図１４の（ｈ）に示すように、前記電磁波遮蔽層１５０を保護するために、前記上部電磁波遮蔽層１５０の上面と下部電磁波遮蔽層１５０の下面にそれぞれ絶縁物質からなるカバー層１７０を積層する。

【0113】

添付図面のうち、図１５は、本発明の第６実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。
図１５に示されたような本発明の第６実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法は、金属層形成工程Ｓ８１０と、信号部と接地部形成工程Ｓ８２０と、絶縁層形成工程Ｓ８３０と、ホール加工工程Ｓ８４０と、電磁波遮蔽層形成工程Ｓ８５０及びカバー層積層工程Ｓ８６０を含む。

【0114】

前記金属層形成工程Ｓ８１０では、図１５の（ａ）に示すように、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のように簡単に曲がることができる絶縁性の基材１１０上に銅（Ｃｕ）のような金属層１２０を積層する。

【0115】

このような基材１１０に金属層１２０を形成する工程は、金属層１２０を基材１１０の上面に熱硬化性接着剤Ａで接合して提供される片面のフレキシブル銅箔積層フィルム（ＦＣＣＬ）を準備することで代替することができる。このように金属層１２０を基材１１０にラミネートして備えることもでき、金属を基材１１０にコーティングして金属層１２０を備えることもでき、基材１１０の上にメッキして金属層１２０を備えることもできるのはもちろんである。

【0116】

前記信号部と接地部形成工程Ｓ８２０は、図１５の（ｂ）に示すように、前記金属層１２０から信号部１２１と接地部１２２を形成するために、フォトリソグラフィ工程により前記金属層１２０をパターニングして、基材１１０の上面に複数の信号部１２１と接地部１２２を形成する。

【0117】

図１５の（ｃ）〜（ｆ）に示された本実施例の絶縁層形成工程Ｓ８３０と、ホール加工工程Ｓ８４０と、電磁波遮蔽層形成工程Ｓ８５０及びカバー層積層工程Ｓ８６０は、前述した第５実施例と同様あるため、これに対する具体的な説明は省略する。

【0118】

このように、本発明によれば、それぞれの信号部１２１を金属で包装するように金属材質のシールド缶で信号部１２１を実際に囲んだ従来とは異なって、信号部１２１で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔で離隔され、信号部１２１で発生する電磁波が遮蔽ブリッジ１５１の間の空間を通過できないようになるため、「ファラデーケージ（Ｆａｒａｄａｙ ｃａｇｅ）効果」を提供することができる。

【0119】

すなわち、信号部１２１全体を囲んだ実体が存在する従来のシールド缶とは異なり、信号部１２１の両側に配置された遮蔽ブリッジ１５１が、目では見えない電気的特性のみある仮想の電磁波遮断膜を形成し、この仮想の遮断膜で信号部１２１を囲みながら遮蔽機能を行うことによって、信号部１２１の上部と下部にのみ電磁波遮蔽層１５０を積層しながらも、それぞれの信号部１２１を電磁波シールドで囲んだことと同じ効果を提供することができるようになる。

【0120】

添付図面のうち、図１６は、本発明の第７実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法の工程別断面図である。
図１６に示されたような本発明の第７実施例に係る電磁波遮蔽機能を有する回路基板の製造方法は、金属層形成工程Ｓ９１０と、信号部と接地部形成工程Ｓ９２０と、絶縁層形成工程Ｓ９３０と、ホール加工工程Ｓ９４０と、マスキングテープ付着工程Ｓ９５０と、電磁波遮蔽層形成工程Ｓ９６０と、マスキングテープ除去工程Ｓ９７０及びカバー層積層工程Ｓ９８０を含む。

【0121】

前記金属層形成工程Ｓ９１０では、図１６の（ａ）に示すように、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のように簡単に曲がることができる絶縁性の基材１１０上に銅（Ｃｕ）のような金属層１２０を積層する。このような基材１１０に金属層１２０を形成する工程は、金属層１２０を基材１１０の上面に熱硬化性接着剤Ａで接合して提供される片面のフレキシブル銅箔積層フィルム（ＦＣＣＬ）を準備することで代替することができる。このように金属層１２０を基材１１０にラミネートして備えることもでき、金属を基材１１０にコーティングして金属層１２０を備えることもでき、基材１１０の上にメッキして金属層１２０を備えることもできるのはもちろんである。

【0122】

前記信号部と接地部形成工程Ｓ９２０では、図１６の（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程により前記金属層１２０をパターニングして基材１１０の上面に複数の信号部１２１と接地部１２２を形成し、信号部の両側に柱状のポスト１２３を形成する。このようなポスト１２３は、信号部１２１の長さ方向に沿って多数離隔配置され、ポスト１２３の離隔間隔は、前記信号部１２１で発生する電磁波波長の１／２以下の間隔に設定される。

【0123】

前記絶縁層形成工程Ｓ９３０では、図１６の（ｃ）に示すように、前記基材１１０の上面に形成された信号部１２１と接地部１２２及びポスト１２３を保護するために、絶縁コーティング物質で構成された絶縁層１３０’を前記信号部１２１と接地部１２２及びポスト１２３が形成された基材１１０の上面に積層する。

【0124】

前記ホール加工工程Ｓ９４０では、図１６の（ｄ）に示すように、前記ポスト１２３が形成された位置で絶縁層１３０’と基材１１０を貫通するスルーホール１４１を形成して、前記ポスト１２３の上面と下面がそれぞれ露出するようにし、前記接地部１２２が形成された位置で絶縁層１３０’と基材１１０を貫通するコンタクトホール１４２を形成して、前記接地部１２２の上面と下面がそれぞれ露出するようにする。

【0125】

前記マスキングテープ付着工程Ｓ９５０では、電磁波遮蔽層形成工程Ｓ９６０のメッキ過程でメッキ物質から保護されなければならない部分にマスキングテープ（Ｍ）を付ける。このようなマスキングテープ（Ｍ）は、電磁波遮蔽層形成工程Ｓ９６０のメッキ過程で任意に分離されず、メッキ以後に簡単に剥がすことができるほどの接着力を有することが好ましい。

【0126】

前記電磁波遮蔽層形成工程Ｓ９６０は、図１６の（ｅ）に示すように、前記絶縁層１３０’の上部と基材１１０の下部に上部金属シード層１６２’及び下部金属シード層１６１’を形成し、前記スルーホール１４１及びコンタクトホール１４２の内壁に金属シード膜Ｃを形成する工程Ｓ９６１と、図１６の（ｆ）に示すように、前記上部金属シード層１６２’と下部金属シード層１６１’及び前記金属シード膜Ｃに銅のような導電性物質をメッキする工程Ｓ９６２を含む。

【0127】

前記上部金属シード層と下部金属シード層及び金属シード膜Ｃを形成する工程Ｓ９６１では、図１６の（ｅ）に示すように、ブラックホール、無電解メッキ、スクリーン印刷などの工程により前記絶縁層１３０’の上面に上部金属シード層１６２’を形成し、前記基材１１０の下面に下部金属シード層１６１’を形成し、前記スルーホール１４１及びコンタクトホール１４２の内壁に金属シード膜Ｃを形成する。

【0128】

前記導電性物質をメッキする工程Ｓ９６２では、図１６の（ｆ）に示すように、電解メッキ工程により前記絶縁層１３０’の上面に形成された上部金属シード層１６２’と前記基材１１０の下面に形成された下部金属シード層１６１’の表面に所望の厚さの電磁波遮蔽層１５０を形成し、前記金属シード膜Ｃが形成されたスルーホール１４１とコンタクトホール１４２に導電性物質を充填させて、遮蔽ブリッジ１５１と接地ブリッジ１５２を形成することができる。

【0129】

ここで、前記スルーホール１４１は、回路基板を完全に貫通する形態からなるものではなく、ポスト１２３の上部と下部にそれぞれ形成されているので、メッキ物質がスルーホール１４１の内部に完全に充填されない問題を効果的に改善することができる。

【0130】

前記マスキングテープ除去工程Ｓ９７０では、図１６の（ｇ）に示すように、絶縁層１３０’の上部及び基材１１０の下部に接合されていたマスキングテープ（Ｍ）を除去し、前記カバー層積層工程Ｓ９８０では、図１６の（ｈ）に示すように、前記上部電磁波遮蔽層１５０の上面と下部電磁波遮蔽層１５０の下面にそれぞれ絶縁物質からなるカバー層１７０を積層する。

【0131】

一方、前述した実施例においては、本発明の基材がフレキシブル基材であるフレキシブル回路基板に適用されるものとして例を挙げて説明したが、これに限定するものではなく、基材が硬性基材である硬性回路基板に適用することも可能である。

【0132】

このように、本発明の権利範囲は、前述した実施例に限定されるものではなく、添付した特許請求の範囲内で様々な形態の実施例で具現することができる。特許請求の範囲で請求する本発明の要旨を逸脱することなく、当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば誰でも変形可能な多様な範囲まで本発明の請求範囲の記載の範囲内にあるものとみなす。

【符号の説明】

【0133】

１１０：基材 １２０：金属層
１２０’：金属シード層 １２１：信号部
１２２：接地部 １３０：絶縁層
１３１：接着剤 １４１：スルーホール
１４２：コンタクトホール １５０：電磁波遮蔽層
１５１：遮蔽ブリッジ １５２：接地ブリッジ
１６１：下部金属シード層 １６２：上部金属シード層
１６３：下部保護フィルム １６４：上部保護フィルム
Ａ：熱硬化性接着剤 Ｃ：金属シード膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】