特許6674478大電流読出強誘電体単結晶薄膜メモリ及びその製造方法と操作方法

発明の名称　大電流読出強誘電体単結晶薄膜メモリ及びその製造方法と操作方法

出願人　▲復▼旦大学　（識別番号 505294816）

　　　　特許公開件数ランキング 1788 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1520 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6674478

公報発行日　2020年4月1

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6674478

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