特許 6685218 ゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6685218

(24)【登録日】2020年4月2日

(45)【発行日】2020年4月22日

(54)【発明の名称】ゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネル

(51)【国際特許分類】

   G09G 3/3266 20160101AFI20200413BHJP

   G09G 3/20 20060101ALI20200413BHJP

【ＦＩ】

   G09G3/3266

   G09G3/20 611F

   G09G3/20 621M

   G09G3/20 622B

   G09G3/20 680G

【請求項の数】12

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2016-246099(P2016-246099)

(22)【出願日】2016年12月20日

(65)【公開番号】特開2017-120411(P2017-120411A)

(43)【公開日】2017年7月6日

【審査請求日】2016年12月20日

【審判番号】不服2018-14566(P2018-14566/J1)

【審判請求日】2018年11月2日

(31)【優先権主張番号】10-2015-0189958

(32)【優先日】2015年12月30日

(33)【優先権主張国】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(72)【発明者】

【氏名】ノ ソク

(72)【発明者】

【氏名】ハン インヒョ

【合議体】

【審判長】 中塚 直樹

【審判官】 濱野 隆

【審判官】 梶田 真也

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００７−２４１０２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２４１０２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００８／０９３４５８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１５／０３７１５９８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１０−２３８３２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１３／０２４３１５０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００６−２９３２９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−６８９７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００９／０２５６７９４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 中国特許出願公開第１０３０３５２９８（ＣＮ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１４０５９３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

G09G 3/3226

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

一端が第１ゲート駆動信号生成部と連結され、他端が第１ゲートラインの一端と連結される第１プルアップＴＦＴ、
一端が前記第１ゲートラインの一端と連結され、他端が低電圧端子と連結される第１プルダウンＴＦＴ、
一端が前記第１ゲート駆動信号生成部と連結され、他端が前記第１ゲートラインの前記一端の反対側に位置した他端と連結される第２プルアップＴＦＴ、
一端が第２ゲート駆動信号生成部と連結され、他端が第２ゲートラインの一端と連結される第３プルアップＴＦＴ、
一端が前記第２ゲートラインの一端と連結され、他端が低電圧端子と連結される第２プルダウンＴＦＴ、及び
前記第３プルアップＴＦＴのゲート端と第３インバーターを通じて連結されるＱｂ３ノード
を含み、
前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴのゲート端に各ＴＦＴの閾値電圧を超える電圧を有する第１の信号を同時に印加することにより前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴがターンオンされると同時に前記第１プルダウンＴＦＴはターンオフされ、第１期間の経過後に前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴがターンオフされると同時に前記第１プルダウンＴＦＴはターンオンされ、
前記第３プルアップＴＦＴのゲート端に閾値電圧を超える電圧を有する第２の信号を印加することにより前記第３プルアップＴＦＴがターンオンされると同時に前記第２プルダウンＴＦＴはターンオフされ、第２期間の経過後に前記第３プルアップＴＦＴがターンオフされると同時に前記第２プルダウンＴＦＴはターンオンされ、
前記Ｑｂ３ノードは、前記第２プルダウンＴＦＴのゲート端と連結され、且つ前記第２プルアップＴＦＴのゲート端と第２インバーターを通じて連結されるＱｂ２ノードと連結され、
前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴがターンオンされて前記第１プルダウンＴＦＴがターンオフされると、前記第１ゲート駆動信号生成部によって生成された第１ゲート駆動信号が前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴを通じて前記第１ゲートラインに印加され、次いで、前記第３プルアップＴＦＴがターンオンされて前記第２プルダウンＴＦＴがターンオフされると、前記第２ゲート駆動信号生成部によって生成された第２ゲート駆動信号が前記第３プルアップＴＦＴを通じて前記第２ゲートラインに印加され、
前記第１ゲート駆動信号は、前記第１ゲートラインに含まれる画素構造内のスキャントランジスターの閾値電圧を超える電圧を有し、
前記第２ゲート駆動信号は、前記第２ゲートラインに含まれる画素構造内のスキャントランジスターの閾値電圧を超える電圧を有する、
ゲート駆動モジュール。

【請求項2】

前記画素構造はデータライン、キャパシター、及びドライビングトランジスターをさらに含み、
前記第１ゲート駆動信号が前記第１ゲートラインに印加される時、前記スキャントランジスターはターンオンされ、データ電圧は連続的に前記データラインと、前記スキャントランジスターを通じて前記ドライビングトランジスターのゲート端に印加されて、前記ドライビングトランジスターと連結された有機発光ダイオードをターンオンさせることを特徴とする、請求項１に記載のゲート駆動モジュール。

【請求項3】

前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴがターンオフされて前記第１プルダウンＴＦＴがターンオンされると、低電圧信号が前記第１プルダウンＴＦＴを通じて前記第１ゲートラインに印加されることを特徴とする、請求項１に記載のゲート駆動モジュール。

【請求項4】

一端が前記第１プルアップＴＦＴのゲート端と連結され、他端が前記第１プルダウンＴＦＴのゲート端と連結される第１インバーターをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のゲート駆動モジュール。

【請求項5】

前記第１インバーターは、前記第１プルアップＴＦＴに印加された信号を変更し、前記変更された信号を前記第１プルダウンＴＦＴに出力することを特徴とする、請求項４に記載のゲート駆動モジュール。

【請求項6】

一端が第１ゲート駆動信号生成部と連結され、他端が第１ゲートラインの一端と連結される第１プルアップＴＦＴ、
一端が前記第１ゲートラインの一端と連結され、他端が低電圧端子と連結される第１プルダウンＴＦＴ、
一端が前記第１ゲート駆動信号生成部と連結され、他端が前記第１ゲートラインの前記一端の反対側に位置した他端と連結される第２プルアップＴＦＴ、
前記第１ゲート駆動信号生成部によって生成され、前記第１ゲートラインを通じて印加されるゲート駆動信号によってスキャン動作を行う表示領域、
一端が第２ゲート駆動信号生成部と連結され、他端が第２ゲートラインの一端と連結される第３プルアップＴＦＴ、及び
一端が前記第２ゲートラインの一端と連結され、他端が低電圧端子と連結される第２プルダウンＴＦＴ、
前記第３プルアップＴＦＴのゲート端と第３インバーターを通じて連結されるＱｂ３ノード
を含み、
前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴのゲート端に各ＴＦＴの閾値電圧を超える電圧を有する第１の信号を同時に印加することにより前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴがターンオンされると同時に前記第１プルダウンＴＦＴはターンオフされ、第１期間の経過後に前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴがターンオフされると同時に前記第１プルダウンＴＦＴはターンオンされ、
前記第３プルアップＴＦＴのゲート端に閾値電圧を超える電圧を有する第２の信号を印加することにより前記第３プルアップＴＦＴがターンオンされると同時に前記第２プルダウンＴＦＴはターンオフされ、第２期間の経過後に前記第３プルアップＴＦＴがターンオフされると同時に前記第２プルダウンＴＦＴはターンオンされ、
前記Ｑｂ３ノードは、前記第２プルダウンＴＦＴのゲート端と連結され、且つ前記第２プルアップＴＦＴのゲート端と第２インバーターを通じて連結されるＱｂ２ノードと連結され、
前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴがターンオンされて前記第１プルダウンＴＦＴがターンオフされると、前記第１ゲート駆動信号生成部によって生成された第１ゲート駆動信号が前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴを通じて前記第１ゲートラインに印加され、次いで、前記第３プルアップＴＦＴがターンオンされて前記第２プルダウンＴＦＴがターンオフされると、前記第２ゲート駆動信号生成部によって生成された第２ゲート駆動信号が前記第３プルアップＴＦＴを通じて前記第２ゲートラインに印加され、
前記第１ゲート駆動信号は、前記第１ゲートラインに含まれる画素構造内のスキャントランジスターの閾値電圧を超える電圧を有し、
前記第２ゲート駆動信号は、前記第２ゲートラインに含まれる画素構造内のスキャントランジスターの閾値電圧を超える電圧を有する、
ゲート内蔵パネル。

【請求項7】

前記画素構造は、データライン、キャパシター、及びドライビングトランジスターをさらに含み、
前記第１ゲート駆動信号が前記第１ゲートラインに印加される時、前記スキャントランジスターはターンオンされ、データ電圧は連続的に前記データラインと、前記スキャントランジスターを通じて前記ドライビングトランジスターのゲート端に印加されて、前記ドライビングトランジスターと連結された有機発光ダイオードをターンオンさせることを特徴とする、請求項６に記載のゲート内蔵パネル。

【請求項8】

前記第１プルアップＴＦＴ及び前記第２プルアップＴＦＴがターンオフされて前記第１プルダウンＴＦＴがターンオンされると、低電圧信号が前記第１プルダウンＴＦＴを通じて前記第１ゲートラインに印加されることを特徴とする、請求項６に記載のゲート内蔵パネル。

【請求項9】

一端が前記第１プルアップＴＦＴのゲート端と連結され、他端が前記第１プルダウンＴＦＴのゲート端と連結される第１インバーターをさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載のゲート内蔵パネル。

【請求項10】

前記第１インバーターは、前記第１プルアップＴＦＴに印加された信号を変更し、前記変更された信号を前記第１プルダウンＴＦＴに出力することを特徴とする、請求項９に記載のゲート内蔵パネル。

【請求項11】

請求項１に記載のゲート駆動モジュールを含む有機発光ディスプレイ装置。

【請求項12】

請求項６に記載のゲート内蔵パネルを含む有機発光ディスプレイ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルに係り、より詳しくは、プルダウンＴＦＴを共有することでＴＦＴの数を減らし、ベゼル（Ｂｅｚｅｌ）の厚さを減らすためのゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルに関するものである。

【背景技術】

【0002】

本格的に情報化時代に入ったことにより、視覚イメージの形で電気信号に含まれる情報を扱う装置として、フラットディスプレイ装置（Ｆｌａｔ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）に係る技術が急速に発展している。特に、フラットディスプレイ装置の薄型化、軽量化及び低消費電力化などのための研究が続けられている。

【0003】

フラットディスプレイ装置の例としては、液晶ディスプレイ装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ；ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ ｄｅｖｉｃｅ；ＰＤＰ）、電界放出ディスプレイ装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ；ＦＥＤ）、電気発光ディスプレイ装置（ＥｌｅｃＴｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ；ＥＬＤ）、電気湿潤ディスプレイ装置（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｗｅｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ；ＥＷＤ）及び有機発光ディスプレイ装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ；ＯＬＥＤ）などがある。

【0004】

この中で、有機発光ディスプレイ装置は、自発光型素子の有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を利用して画像を表示する装置である。このような有機発光ディスプレイ装置は、互いに異なる色相の光を放出する二つ以上の有機発光ダイオードを含むことで、ＬＣＤ装置のような他の装置とは異なり、別途のカラーフィルターを備えなくてもカラー画像を実現できる長所がある。また、別途の光源が不要であって、液晶ディスプレイ装置より小型化、薄型化及び軽量化が可能であり、視野角が広い長所がある。また、液晶ディスプレイ装置より１０００倍以上速い反応速度を示すため、残像が少ない長所がある。

【0005】

このような有機発光ディスプレイ装置は、映像を実現するためにゲートラインに電圧を印加してスキャントランジスターをターンオンさせなければならない。スキャントランジスターがターンオンされると、データラインを通じて印加された電圧がドライビングトランジスターをターンオンさせる。ドライビングトランジスターがターンオンされると、ドライビングトランジスターを通じて流れる電流が有機発光ダイオードをターンオンさせる。このような機能を行うために、ゲートラインに電圧を印加するためのゲート駆動モジュールが必要である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、従来のゲート駆動モジュールでは、ゲートを駆動するためのＴＦＴの数が多く、ＴＦＴの数が増加するにつれ、ゲート駆動モジュールのベゼルの厚さが厚くなる問題点がある。また、従来のゲート駆動モジュールが厚いベゼルを有するため、視聴者の画面への没入度が減少し、パネル全体の体積が増加するという問題点がある。また、従来のゲート駆動モジュールによれば、ゲートを駆動するためのＱｂノード及びインバーターの数が多いという問題点がある。

【0007】

本発明は、プルダウンＴＦＴを共有することで、ＴＦＴの数を減らすためのゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルを提供することを目的とする。

【0008】

また、本発明はＴＦＴの数を減らすことで、ベゼルの厚さを減らすためのゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルを提供することを目的とする。

【0009】

また、本発明はベゼルの厚さを減らすことで、画面没入度を増加させるためのゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルを提供することを目的とする。

【0010】

また、本発明はベゼルの厚さを減らすことで、パネル全体の体積を減らすためのゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルを提供することを目的とする。

【0011】

また、本発明はＱｂノードを共有することで、Ｑｂノードの数を減らすためのゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルを提供することを目的とする。

【0012】

また、本発明はＱｂノードの数を減らすことで、インバーターの数を減らすためのゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルを提供することを目的とする。

【0013】

また、本発明はスキャントランジスターのターンオン及びターンオフ動作を制御するためのゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルを提供することを目的とする。

【0014】

また、本発明はスキャントランジスターのターンオン及びターンオフ動作を制御することで、有機発光ダイオードのターンオン及びターンオフタイミングを制御することができるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルを提供することを目的とする。

【0015】

また、本発明はゲート駆動信号を第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴに同時に印加するためのゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルを提供することを目的とする。

【0016】

また、本発明はゲート駆動信号を第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴに同時に印加することで、表示領域に印加される電圧信号が遅延されることを減らすことができるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0017】

前述したような目的を達成するために、本発明はプルダウンＴＦＴを共有してＴＦＴの数を減らし、ベゼルの厚さを減少させるためのゲート駆動モジュールを提供する。

【0018】

より具体的には、本発明の一実施形態によるゲート駆動モジュールは、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴがターンオンされると第１プルダウンＴＦＴはターンオフされ、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴがターンオフされると第１プルダウンＴＦＴはターンオンされる。第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴがターンオンされると、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴを通じてゲートラインにゲート駆動信号が印加される。次に、第１プルダウンＴＦＴがターンオンされると、第１プルダウンＴＦＴを通じてゲートラインに低電圧信号が印加される。前述したような本発明によると、第１プルアップＴＦＴ、第２プルアップＴＦＴ及び第１プルダウンＴＦＴのみを利用してゲート駆動信号及び低電圧信号を印加することにより、ＴＦＴの数を減らしてベゼルの厚さを減少させることができる。

【0019】

また、本発明の一実施形態によるゲート駆動モジュールは、一端が前記第１プルアップＴＦＴのゲート端と連結され、他端が前記第１プルダウンＴＦＴのゲート端と連結される第１インバーターをさらに含むことができる。

【0020】

また、本発明の一実施形態によるゲート駆動モジュールは、第３プルアップＴＦＴのゲート端と第３インバーターを通じて連結されるＱｂ３ノードがＱｂ２ノードに連結されることができる。Ｑｂ２ノードは第２プルアップＴＦＴのゲート端と第２インバーターを通じて連結されることができる。前述したような本発明によると、Ｑｂ３ノードがＱｂ２ノードに連結されることによって、Ｑｂノードの数を減らし、インバーターの数を減少させることができる。

【0021】

すなわち、本発明の一実施形態によるゲート駆動モジュールは、プルダウンＴＦＴを共有することができ、Ｑｂノードを共有することもできる。これによってＴＦＴの数、Ｑｂノードの数、及びインバーターの数を減らすことができる。

【0022】

一方、前述したような目的を達成するために、本発明はプルダウンＴＦＴを共有してＴＦＴの数を減らし、ベゼルの厚さを減少させるための内蔵ゲートパネルを提供する。

【0023】

より具体的には、本発明の一実施形態による内蔵ゲートパネルは、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴがターンオンされると第１プルダウンＴＦＴはターンオフされ、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴがターンオフされると第１プルダウンＴＦＴはターンオンされる。第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴがターンオンされると第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴを通じてゲートラインにゲート駆動信号が印加される。次に、第１プルダウンＴＦＴがターンオンされると第１プルダウンＴＦＴを通じてゲートラインに低電圧信号が印加される。前述したような本発明によると、第１プルアップＴＦＴ、第２プルアップＴＦＴ及び第１プルダウンＴＦＴのみを利用してゲート駆動信号及び低電圧信号を印加することで、ＴＦＴの数を減らし、ベゼルの厚さを減少させることができる。

【0024】

また、本発明の一実施形態による内蔵ゲートパネルは、第１ゲートラインを通じて印加されるゲート駆動信号によってスキャン動作を行う表示領域を含むことができる。

【0025】

また、本発明の一実施形態による内蔵ゲートパネルは、一端が前記第１プルアップＴＦＴのゲート端と連結され、他端が前記第１プルダウンＴＦＴのゲート端と連結される第１インバーターをさらに含むことができる。

【0026】

また、本発明の一実施形態による内蔵ゲートパネルは、第３プルアップＴＦＴのゲート端と第３インバーターを通じて連結されるＱｂ３ノードがＱｂ２ノードに連結されることができる。Ｑｂ２ノードは第２プルアップＴＦＴのゲート端と第２インバーターを通じて連結されることができる。前述したような本発明によると、Ｑｂ３ノードがＱｂ２ノードに連結されることによって、Ｑｂノードの数を減らし、インバーターの数を減らすことができる。

【0027】

すなわち、本発明の一実施形態によると、他の内蔵ゲートパネルはプルダウンＴＦＴを共有することも、Ｑｂノードを共有することができ、これによってＴＦＴの数、Ｑｂノードの数、及びインバーターの数を減らすことができる。

【発明の効果】

【0028】

前述したような本発明によると、プルダウンＴＦＴを共有することでＴＦＴの数を減らすことができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、ベゼルの厚さを減少させて画面没入度を増加させる場合に有効に活用することができる。つまり、ベゼルが薄いほど画面の範囲が拡大し、映画、ドラマ等を視聴する際に視聴者の画面没入度が増加する。

【0029】

また、本発明によると、ベゼルの厚さを減少させることにより、画面の大きさ対パネル全体の体積を減らすことができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、パネル全体の体積を減らして不要な空間を減らす場合に有効に活用することができる。

【0030】

また、本発明によると、Ｑｂノードを共有することでＱｂノードの数を減らすことができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、いずれか一つのＱｂノードと他のＱｂノードを連結してＱｂノードの数を減らす場合に有効に活用することができる。Ｑｂノードを共有すれることにより、Ｑｂノードに連結されたインバーターも共有することができ、かつ、これによってベゼルの厚さが減少する長所もある。

【0031】

また、本発明はスキャントランジスターのターンオン及びターンオフ動作を制御することができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、プルアップＴＦＴ及びプルダウンＴＦＴのターンオン及びターンオフ動作を制御してゲートラインに印加される電圧信号を制御する場合に有効に活用することができる。

【0032】

また、本発明はスキャントランジスターのターンオン及びターンオフ動作を制御することで、有機発光ダイオードのターンオン及びターンオフタイミングを制御することができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、有機発光ダイオードを任意の順にターンオンまたはターンオフさせる場合に有効に活用することができる。

【0033】

また、本発明は表示領域に印加される電圧信号のディレイを減らすことができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、表示領域に印加される電圧信号が不規則で、有機発光ダイオードがターンオンまたはターンオフされるタイミングが不規則な場合に有効に活用することができる。

【図面の簡単な説明】

【0034】

【図1】本発明の一実施形態によるゲート駆動モジュールを図示した図面である。

【図2】（ａ）は本発明の一実施形態によるゲート駆動信号を図示した図面であり、（ｂ）は本発明の一実施形態によるプルアップＴＦＴのゲート端に印加される電圧信号を図示した図面である。（ｃ）は本発明の一実施形態によるプルダウンＴＦＴのゲート端に印加される電圧信号を図示した図面であり、（ｄ）は本発明の一実施形態によるゲートラインに印加される電圧信号を図示した図面である。

【図3】本発明の一実施形態による画素構造を図示した等価回路図である。

【図4】本発明の他の実施形態によるゲート駆動モジュールを図示した図面である。

【図5】本発明の一実施形態による内蔵ゲートパネルを図示した図面である。

【図6】本発明の他の実施形態による内蔵ゲートパネルを図示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0035】

前述した目的、特徴及び長所は、添付された図面を参照して詳細に後述され、これによって本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明の技術的思想を容易に実施することができる。本発明を説明するにあたり、本発明と係わる公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができると判断される場合は、詳細な説明を省略する。以下、添付の図面を参照して本発明による好ましい実施形態を詳しく説明する。図面において同一な参照符号は、同一または類似の構成要素を示すものとして使われる。

【0036】

図１は本発明の一実施形態によるゲート駆動モジュールを図示した図面である。図１を参照ると、本発明の一実施形態によるゲート駆動モジュールは、第１プルアップＴＦＴ１１０、第１プルダウンＴＦＴ１２０及び第２プルアップＴＦＴ１３０を含んで構成されることができる。図１に図示されたゲート駆動モジュールは一実施形態によるもので、その構成要素が図１に図示された実施形態に限定されるものではなく、必要に応じて一部の構成要素が付加、変更または削除されることができる。

【0037】

図２（ａ）は本発明の一実施形態によるゲート駆動信号を図示した図面であり、図２（ｂ）は本発明の一実施形態によるプルアップＴＦＴのゲート端に印加される電圧信号を図示した図面である。

【0038】

図２（ｃ）は本発明の一実施形態によるプルダウンＴＦＴのゲート端に印加される電圧信号を図示した図面であり、図２（ｄ）は本発明の一実施形態によるゲートラインに印加される電圧信号を図示した図面である。

【0039】

図３は本発明の一実施形態による画素構造１０を図示した等価回路図である。以下、図１ないし図３を参照して、本発明の一実施形態によるゲート駆動モジュールを説明する。

【0040】

第１プルアップＴＦＴ１１０は、一端がゲート駆動信号生成部１６０と連結され、他端が第１ゲートライン１５０の一端と連結されることができる。第１プルアップＴＦＴ１１０は、ＭＯＳＦＥＴ、ＢＪＴ、ＩＧＢＴなどであることができ、第１プルアップＴＦＴ１１０の種類は限定しない。ゲート駆動信号生成部１６０は、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）を生成する構成を意味し、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）はゲートラインに印加されてスキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）をターンオンさせる電圧信号を意味する。一実施形態として、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）はクロック信号でありえるし、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）の波形はクロック信号に限定しない。

【0041】

第１プルダウンＴＦＴ１２０は、一端が前記第１ゲートライン１５０の一端と連結され、他端が低電圧端子１７０と連結されることができる。低電圧端子１７０は、第１プルダウンＴＦＴ１２０のソース端に直流電圧信号を印加することができる構成を意味し、低電圧端子１７０は直流電源であることができ、低電圧端子１７０の種類はこれに限定しない。第１プルダウンＴＦＴ１２０は、ＭＯＳＦＥＴ、ＢＪＴ、ＩＧＢＴなどであることができ、第１プルダウンＴＦＴ１２０の種類は限定しない。

【0042】

第２プルアップＴＦＴ１３０は、一端が前記ゲート駆動信号生成部１６０と連結され、他端が前記第１ゲートライン１５０の他端と連結されることができる。第２プルアップＴＦＴ１３０は、ＭＯＳＦＥＴ、ＢＪＴ、ＩＧＢＴなどであることができ、第２プルアップＴＦＴ１３０の種類は限定しない。また、第１プルアップＴＦＴ１１０、第１プルダウンＴＦＴ１２０及び第２プルアップＴＦＴ１３０の種類は同一であってもよく、異なっていてもよい。また、第１プルアップＴＦＴ１１０、第１プルダウンＴＦＴ１２０及び第２プルアップＴＦＴ１３０の位置は、図１に図示された構造と同一であってもよく、異なっていてもよい。

【0043】

一実施形態として、前記第１プルアップＴＦＴ１１０及び前記第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオンされると前記第１プルダウンＴＦＴ１２０はターンオフされ、前記第１プルアップＴＦＴ１１０及び前記第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオフされると前記第１プルダウンＴＦＴ１２０はターンオンされることができる。図２（ｂ）を参照すると、信号２１０が第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端に印加されることができる。信号２１０が第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端に印加されると、区間２３０で第１プルアップＴＦＴ１１０はターンオンされることができる。

【0044】

一方、図２（ｃ）を参照すると、信号２２０が第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加されることができる。信号２２０は、信号２１０の信号２２０が第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加されると、区間２３０で第１プルダウンＴＦＴ１２０はターンオフされることができる。第１プルアップＴＦＴ１１０及び第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端には、図２（ｂ）ないし図２（ｃ）に図示されたように位相が逆の信号が印加されることで、ターンオンされる過程及びターンオフされる過程、そしてその他などが反復的な順序で同時に繰り返されることができる。

【0045】

一実施形態として、ゲート駆動モジュールは一端が前記第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端と連結され、他端が前記第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端と連結される第１インバーター１４０をさらに含むことができる。第１インバーター１４０は、Ｑ１ノードに印加された信号の位相を変更させてＱｂ１ノードに伝送することができる。例えば、第１インバーター１４０は、図２（ｂ）に図示された信号２１０を図２（ｃ）に図示された信号２２０に変更して出力し、これを第１プルダウンＴＦＴ１２０に適用することができる。第１インバーター１４０が図２（ｂ）に図示された信号２１０を図２（ｃ）に図示された信号２２０に変更して伝送する際、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第１プルダウンＴＦＴ１２０は図２（ｂ）ないし図２（ｃ）に図示された位相が逆の信号２１０、２２０に応じて、反復的な順序でターンオンとターンオフ動作を同時に繰り返して行うことができる。

【0046】

本発明の一実施形態によると、第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端に印加される信号２１０及び第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加される信号２２０は、Ｑ１ノード及びＱｂ１ノードにそれぞれ印加されることができる。また、第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端に印加される信号２１０及び第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加される信号２２０は、Ｑ１ノードに印加された信号をインバーターが変更して第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加することもできる。第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端及び第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に信号を印加する方法は、前述した実施形態に限定せずに、他の方法を通じて印加されることもできる。

【0047】

一方、第２プルアップＴＦＴ１３０は第１プルアップＴＦＴ１１０と同時にターンオンされることができる。より具体的に説明すると、第２プルアップＴＦＴ１３０のゲート端にも図２（ｂ）に図示された信号２１０が印加されることができる。第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０のゲート端に信号２１０が印加され、第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に信号２２０が印加されると、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０のターンオン及びターンオフ動作と第１プルダウンＴＦＴ１２０のターンオン及びターンオフ動作が逆に行われることがある。第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０を同時にターンオンさせると、各画素がターンオンされる時点の間にディレイが発生することを防止することができる。

【0048】

一実施形態として、前記第１プルアップＴＦＴ１１０及び前記第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオンされて前記第１プルダウンＴＦＴ１２０がターンオフされると、前記ゲート駆動信号生成部１６０によって生成されたゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）が前記第１プルアップＴＦＴ１１０及び前記第２プルアップＴＦＴ１３０を通じて前記第１ゲートライン１５０に印加されることができる。また、前記第１プルアップＴＦＴ１１０及び前記第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオフされて前記第１プルダウンＴＦＴ１２０がターンオンされると、低電圧信号が前記第１プルダウンＴＦＴ１２０を通じて前記第１ゲートライン１５０に印加されることができる。低電圧信号は直流電圧信号でありえる。

【0049】

より具体的には、信号２１０が第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０に印加されると、区間２３０で第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオンされる。第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオンされると、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）の中で一部が第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０を通じて第１ゲートライン１５０に印加されることができる。図２（ａ）ないし図２（ｄ）を参照すると、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）の中でＣＬＫ１が第１プルアップＴＦＴ１１０および第２プルアップＴＦＴ１３０のいずれかに印加されることができる。次に、信号２２０が第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加されてターンオンさせることができる一方、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０はターンオフされる。第１プルダウンＴＦＴ１２０がターンオンされると低電圧信号が第１ゲートライン１５０に印加され、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオフされるとゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）がそれ以上第１ゲートライン１５０に印加されない。すなわち、図２（ｄ）に図示された信号３３０が第１ゲートライン１５０に印加されると、信号３３０は図３に図示されたスキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）をターンオンさせることができる。

【0050】

図３を参照すると、第１ゲートライン１５０に信号３３０が印加されると、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）がターンオンされる。スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）がターンオンされると、データライン１３にデータ電圧信号Ｖｄａｔａが印加される。データライン１３にデータ電圧信号を印加する構成は、データドライバーであり得る。データライン１３に印加されたデータ電圧信号Ｖｄａｔａは、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）を通じてキャパシター（Ｃｓｔ）またはドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）のゲート端に印加される。データ電圧信号がドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）のゲート端に印加されるとドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）がターンオンされ、ドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）がターンオンされるとドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）を通じて電流が流れる。ドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）を通じて流れる電流は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）をターンオンさせることができる。

【0051】

前述したように、本発明の一実施形態によるゲート駆動モジュールはスキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）のターンオン及びターンオフ動作を制御することができる。また、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）のターンオン及びターンオフ動作を制御することにより、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のターンオン及びターンオフタイミングを制御することができる。

【0052】

図４は本発明の他の実施形態によるゲート駆動モジュールを図示した図面である。図４を参照すると、本発明の他の実施形態によるゲート駆動モジュールは、第３プルアップＴＦＴ５１０、第２プルダウンＴＦＴ５２０、第４プルアップ５４０、Ｑ３ノード、及びＱｂ３ノードをさらに含むことができる。

【0053】

第３プルアップＴＦＴ５１０は、一端が第２ゲートラインの前記ゲート駆動信号生成部１６０と連結され、他端が第２ゲートライン５５０の一端と連結されることができる。第１ゲートラインのゲート駆動信号生成部と第２ゲートラインのゲート駆動信号生成部は相いに同一であってもよく、異なっていてもよい。第３プルアップＴＦＴ５１０の種類は、第１プルアップＴＦＴ１１０の種類と同一であってもよく、異なっていてもよい。また、第３プルアップＴＦＴ５１０の駆動過程は、前述した第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０の駆動過程と同一であってもよい。

【0054】

Ｑｂ３は第２プルダウンＴＦＴ５２０のゲート端と連結されることができ、前記第３プルアップＴＦＴ５１０のゲート端と第３インバーター５３０を通じて連結されることができる。第３プルアップＴＦＴ５１０、第２プルダウンＴＦＴ５２０、Ｑ３ノード、Ｑｂ３ノード、および第３インバーター５３０の構造、機能、動作は、図１の類似素子と類似であることができる。また、Ｑｂ３ノードは前記第２プルアップＴＦＴ１３０のゲート端と第２インバーター１８０を通じて連結されるＱｂ２ノードと連結されることができる。Ｑｂ３ノードは前述したＱｂ１ノードとその構造及び機能が同一であり得る。

【0055】

但し、本発明の他の実施形態によるＱｂ３ノードはＱｂ２ノードと連結されるが、これを通じてＱｂ３ノードはＱｂ２ノードの役割を同時に行うことができる。また、Ｑｂ３ノードがＱｂ２ノードを共有することでＱｂ２ノードを省略することもでき、インバーター５３０がインバーター１８０の役割を共有するためインバーター１８０を省略することもできる。本発明の他の実施形態によるゲート駆動モジュールは、Ｑｂ２ノード及びインバーター１８０を省略することでベゼルの厚さを減少させることができる。

【0056】

図４において、本発明の他の実施形態によるゲート駆動モジュールは、第４プルアップＴＦＴ５４０及びＱｂ４ノードをさらに含むことができる。

【0057】

第４プルアップＴＦＴ５４０の一端はゲート駆動信号生成部１６０と連結され、第４プルアップＴＦＴ５４０の他端は第２ゲートラインの他端に連結されることができる。第４プルアップＴＦＴ５４０は、ＭＯＳＦＥＴ、ＢＪＴ、ＩＧＢＴなどであることができ、第４プルアップＴＦＴ５４０の類型はこれに限定されない。第３プルアップＴＦＴ５１０、第２プルダウンＴＦＴ５２０、及び第４プルアップＴＦＴ５４０は同一のタイプであってもよく、または異なるタイプでもあってもよい。第３プルアップＴＦＴ５１０、第２プルダウンＴＦＴ１２０、及び第４プルアップＴＦＴ５４０が配置される位置は、図４に図示されたものと同一であってもよく、異なっていてもよい。

【0058】

一方、第４プルアップＴＦＴ５４０及び第３プルアップＴＦＴ５１０は同時にターンオンされることができる。より具体的に、図２（ｂ）に図示された信号２１０は、同様に第４プルアップＴＦＴ５４０のゲート端に印加されることができる。信号２２０が第２プルダウンＴＦＴ５１０のゲート端に印加される間、信号２１０は第３プルアップＴＦＴ５１０及び第４プルアップＴＦＴ５４０のゲート端に印加されるので、第３プルアップＴＦＴ５１０と第４プルアップＴＦＴ５４０は、第２プルダウンＴＦＴ５２０がターンオフされる間にターンオンされる。第３プルアップＴＦＴ５１０及び第４プルアップＴＦＴ５４０を同時にターンオンさせることで、画素がターンオンされる時間の間の遅延を避けることができる。

【0059】

ゲート駆動モジュールは、第４プルアップＴＦＴ５４０のゲート端に連結される一端及びＱｂ４ノードに連結される他端を有するインバーター５６０をさらに含むことができる。Ｑｂ４ノードは前述したＱｂ３ノードと同一の構造及び機能を有し得る。

【0060】

Ｑｂ４ノードはＱｂ１ノードの機能を有するので、Ｑｂ１ノードは省略することができる。また、インバーター５６０はインバーター１４０の機能を有するため、インバーター１４０は省略することができる。

【0061】

図５は本発明の一実施形態による内蔵ゲートパネルを図示した図面である。図５を参照すれば、本発明の一実施形態による内蔵ゲートパネルは、第１プルアップＴＦＴ１１０、第１プルダウンＴＦＴ１２０、第２プルアップＴＦＴ１３０及び表示領域１１００を含んで構成されることができる。図５に図示された内蔵ゲートパネルは、一実施形態によるものであって、その構成要素が図５に図示された実施形態に限定されるものではなく、必要に応じて一部の構成要素が付加、変更または削除されてもよい。

【0062】

第１プルアップＴＦＴ１１０は一端が第１ゲートライン１５０のゲート駆動信号生成部１６０と連結され、他端が第１ゲートライン１５０の一端と連結されることができる。第１プルアップＴＦＴ１１０は、ＭＯＳＦＥＴ、ＢＪＴ、ＩＧＢＴなどであることができ、第１プルアップＴＦＴ１１０の種類は限定されない。ゲート駆動信号生成部１６０は、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）を生成する構成を意味し、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）はゲートラインに印加されてスキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）をターンオンさせる電圧信号を意味する。一実施形態として、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）はクロック信号であることができ、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）の波形はクロック信号に限定されない。

【0063】

第１プルダウンＴＦＴ１２０は一端が前記第１ゲートライン１５０の一端と連結され、他端が低電圧端子１７０と連結されることができる。低電圧端子１７０は第１プルダウンＴＦＴ１２０のソース端に直流電圧信号を印加することができる構成を意味し、低電圧端子１７０は直流電源であることができ、低電圧端子１７０の種類はこれに限定されない。第１プルダウンＴＦＴ１２０は、ＭＯＳＦＥＴ、ＢＪＴ、ＩＧＢＴなどであることができ、第１プルダウンＴＦＴ１２０の種類は限定されない。

【0064】

第２プルアップＴＦＴ１３０は一端が前記ゲート駆動信号生成部１６０と連結され、他端が前記第１ゲートライン１５０の他端と連結されることができる。第２プルアップＴＦＴ１３０は、ＭＯＳＦＥＴ、ＢＪＴ、ＩＧＢＴなどであることができ、第２プルアップＴＦＴ１３０の種類は限定されない。また、第１プルアップＴＦＴ１１０、第１プルダウンＴＦＴ１２０及び第２プルアップＴＦＴ１３０の種類は同一であることも、異なることもできる。また、第１プルアップＴＦＴ１１０、第１プルダウンＴＦＴ１２０及び第２プルアップＴＦＴ１３０の位置及びその機能は、図１に図示された構造及び機能と同一であってもよく、異なっていてもよい。

【0065】

一実施形態として、前記第１プルアップＴＦＴ１１０及び前記第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオンされると前記第１プルダウンＴＦＴ１２０はターンオフされ、前記第１プルアップＴＦＴ１１０及び前記第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオフされると前記第１プルダウンＴＦＴ１２０はターンオンされることができる。図２（ｂ）を参照すると、信号２１０が第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端に印加される。信号２１０が第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端に印加されると、区間２３０で第１プルアップＴＦＴ１１０はターンオンされる。

【0066】

一方、図２（ｃ）を参照すれば、信号２２０が第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加される。信号２２０が第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加されると、区間２３０で第１プルダウンＴＦＴ１２０はターンオフされる。第１プルアップＴＦＴ１１０及び第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端には、図２に図示されたように位相が逆である信号が印加されることで、ターンオンされる過程及びターンオフされる過程が図２（ｂ）ないし図２（ｃ）に図示された位相が逆の信号２１０に応じて反復的な順序で同時に繰り返されることができる。

【0067】

一実施形態として、ゲート駆動モジュールは一端が前記第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端と連結され、他端が前記第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端と連結される第１インバーター１４０をさらに含むことができる。第１インバーター１４０は、Ｑ１ノードに印加された信号の位相を変更させてＱｂ１ノードに伝送することができる。例えば、第１インバーター１４０は図２（ｂ）に図示された信号２１０を図２（ｃ）に図示された信号２２０に変更して伝送することができる。第１インバーター１４０が第２（ｂ）に図示された信号２１０を図２（ｃ）に図示された信号２２０に変更して伝送すると、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第１プルダウンＴＦＴ１２０はターンオンとターンオフ動作を繰り返して行う。

【0068】

本発明の一実施形態によれば、第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端に印加される信号２１０及び第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加される信号２２０は、Ｑ１ノード及びＱｂ１ノードにそれぞれ印加されることができる。また、第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端に印加される信号２１０はＱ１ノードに印加されることができ、インバーターによって変更され、第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に信号２２０で印加されることができる。したがって、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第１プルダウンＴＦＴ１２０は、同時に繰り返してターンオン及びターンオフされることができる。第１プルアップＴＦＴ１１０のゲート端及び第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に信号を印加する方法は、前述した実施形態に限定されないものであり、他の方法によって印加されてもよい。

【0069】

一方、第２プルアップＴＦＴ１３０は第１プルアップＴＦＴ１１０と同時にターンオンされることができる。より具体的に説明すると、第２プルアップＴＦＴ１３０のゲート端にも図２（ｂ）に図示された信号２１０が印加されることができる。第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０のゲート端に信号２１０が印加され、第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に信号２２０が印加されると、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０のターンオン及びターンオフ動作と、第１プルダウンＴＦＴ１２０のターンオン及びターンオフ動作が逆に行われることができる。第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０を同時にターンオンさせると、各画素がターンオンされる時点の間のディレイが発生することを防止することができる。

【0070】

一実施形態として、前記第１プルアップＴＦＴ１１０及び前記第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオンされて前記第１プルダウンＴＦＴ１２０がターンオフされると、前記ゲート駆動信号生成部１６０によって生成されたゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）が前記第１プルアップＴＦＴ１１０及び前記第２プルアップＴＦＴ１３０を通じて前記第１ゲートライン１５０に印加されることができる。また、前記第１プルアップＴＦＴ１１０及び前記第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオフされて前記第１プルダウンＴＦＴ１２０がターンオンされると、低電圧信号が前記第１プルダウンＴＦＴ１２０を通じて前記第１ゲートライン１５０に印加されることができる。低電圧信号は直流電圧信号でありえる。

【0071】

より具体的には、信号２１０が第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０に印加されると、区間２３０で第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオンされることができ、その間、第１プルダウンＴＦＴ１２０はターンオフされることができる。第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオンされると、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）の中で一部が第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０を通じて第１ゲートライン１５０に印加される。図２（ａ）ないし図２（ｄ）を参照すると、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）の中でＣＬＫ１がプルアップＴＦＴに印加される。次に、信号２２０が第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加されてこれをターンオンさせることができる。それに対し、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０はターンオフされる。第１プルダウンＴＦＴ１２０がターンオンされると低電圧信号が第１ゲートライン１５０に印加され、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオフされるとゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）がそれ以上第１ゲートライン１５０に印加されない。したがって、図２（ｄ）に図示された信号３３０がゲートラインに印加されることができ、信号３３０は図３に図示されたスキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）をターンオンさせることができる。

【0072】

表示領域１１００は第１ゲートライン１５０を通じて印加されるゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）によってスキャン動作を行うことができる。表示領域１１００は一つ以上の画素構造１０を含むことができ、画素構造１０は図３に図示された等価回路と同じであってもよい。また、表示領域１１００上には、白色、赤色、緑色、青色の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が順に配置されてもよく、いずれか一つの色を持つ有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）がラインを異にして配置されてもよい。

【0073】

表示領域１１００の駆動方法を図３及び図５を参照して説明する。第１ゲートライン１５０に信号が印加されると、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）がターンオンされる。スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）がターンオンされると、データライン１３にデータ電圧信号が印加される。データライン１３にデータ電圧信号を印加する構成は、データドライバーであり得る。データライン１３に印加されたデータ電圧信号は、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）を通じてキャパシター（Ｃｓｔ）またはドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）のゲート端に印加される。データ電圧信号がドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）のゲート端に印加されるとドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）がターンオンされ、ドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）がターンオンされるとドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）を通じて電流が流れる。ドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）を通じて流れる電流は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）をターンオンさせることができる。

【0074】

前述したように、本発明の一実施形態による内蔵ゲートパネルは、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）のターンオン及びターンオフ動作を制御することができる。また、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）のターンオン及びターンオフ動作を制御することにより、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のターンオン及びターンオフタイミングを制御することができる。

【0075】

図６は本発明の他の実施形態による内蔵ゲートパネルを図示した図面である。図６を参照すると、本発明の他の実施形態による内蔵ゲートパネルは第３プルアップＴＦＴ５１０及びＱｂ３ノードをさらに含むことができる。

【0076】

第３プルアップＴＦＴ５１０は、一端が第２ゲートラインの前記ゲート駆動信号生成部１６０と連結され、他端が第２ゲートラインの一端と連結されることができる。第１ゲートラインのゲート駆動信号生成部及び第２ゲートラインのゲート駆動信号生成部は同一であってもよく、異なっていてもよい。第３プルアップＴＦＴ５１０の種類は、第１プルアップＴＦＴ１１０の種類と同一であってもよく、異なっていてもよい。また、第３プルアップＴＦＴ５１０の駆動過程は、前述した第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０の駆動過程と同一であり得る。

【0077】

Ｑｂ３は前記第３プルアップＴＦＴ５１０のゲート端と第３インバーター５３０を通じて連結されることができる。また、Ｑｂ３ノードは前記第２プルアップＴＦＴ１３０のゲート端と第２インバーター１８０を通じて連結されるＱｂ２ノードと連結されることができる。Ｑｂ３ノードは前述したＱｂ１ノードとその構造及び機能が同一であり得る。

【0078】

但し、本発明の他の実施形態によるＱｂ３ノードはＱｂ２ノードと連結されるが、これによりＱｂ３ノードはＱｂ２ノードの役割を同時に行うことができる。また、Ｑｂ３ノードがＱｂ２ノードを共有することで、Ｑｂ２ノードを省略することもでき、第３インバーター５３０がインバーター１８０の機能を有することで第２インバーター１８０を省略することもできる。本発明の他の実施形態による内蔵ゲートパネルは、Ｑｂ２ノード及び第２インバーター１８０を省略することでベゼルの厚さを減少させることができる。

【0079】

図６において、本発明の他の実施形態によるゲート駆動モジュールは、第４プルアップＴＦＴ５４０及びＱｂ４ノードをさらに含むことができる。

【0080】

第４プルアップＴＦＴ５４０の一端はゲート駆動信号生成部１６０と連結され、第４プルアップＴＦＴ５４０の他端は第２ゲートラインの他端に連結されることができる。第４プルアップＴＦＴ５４０は、ＭＯＳＦＥＴ、ＢＪＴ、ＩＧＢＴなどであることができ、第４プルアップＴＦＴ５４０の類型はこれに限定されない。第３プルアップＴＦＴ５１０、第２プルダウンＴＦＴ５２０、及び第４プルアップＴＦＴ５４０は同一なタイプでも、または異なるタイプでもあり得る。第３プルアップＴＦＴ５１０、第２プルダウンＴＦＴ１２０、及び第４プルアップＴＦＴ５４０が配置される位置は、図６に図示されたものと同一であってもよく、異なっていてもよい。

【0081】

一方、第４プルアップＴＦＴ５４０及び第３プルアップＴＦＴ５１０は同時にターンオンされることができる。より具体的に、図２（ｂ）に図示された信号２１０は、同様に第４プルアップＴＦＴ５４０のゲート端に印加されることができる。信号２２０が第２プルダウンＴＦＴ５１０のゲート端に印加される間、信号２１０は第３プルアップＴＦＴ５１０及び第４プルアップＴＦＴ５４０のゲート端に印加されるため、第３プルアップＴＦＴ５１０と第４プルアップＴＦＴ５４０は第２プルダウンＴＦＴ５２０がターンオフされる間にターンオンされる。第３プルアップＴＦＴ５１０及び第４プルアップＴＦＴ５４０を同時にターンオンさせることで、画素がターンオンされる時間の間の遅延を避けることができる。

【0082】

ゲート駆動モジュールは、第４プルアップＴＦＴ５４０のゲート端に連結される一端及びＱｂ４ノードに連結される他端を有するインバーター５６０をさらに含むことができる。Ｑｂ４ノードは前述したＱｂ３ノードと同一の構造及び機能を有することができる。

【0083】

Ｑｂ４ノードはＱｂ１ノードの機能を行うので、Ｑｂ１ノードは省略することができる。また、インバーター５６０はインバーター１４０の機能を有するため、インバーター１４０は省略することができる。

【0084】

一方、本発明の他の実施形態によるゲート駆動方法は、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴをターンオンさせる段階、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴを通じて第１ゲートラインにゲート駆動信号を印加する段階、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴをターンオフさせる段階、第１プルダウンＴＦＴをターンオンさせる段階、及び第１プルダウンＴＦＴを通じて低電圧信号を第１ゲートラインに印加する段階を含むことができる。

【0085】

先ず、本発明の他の実施形態によるゲート駆動方法が実行されると、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴをターンオンさせる。第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴをターンオンさせるために第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴのゲート端に図２（ａ）に図示された信号が印加され得る。

【0086】

次に、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴを通じて第１ゲートラインにゲート駆動信号が印加され得る。ゲート駆動信号は、図３（ａ）に図示されたようにクロック信号であり得るが、ゲート駆動信号の波形はクロック信号に限定されない。

【0087】

次に、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴをターンオフさせ、第１プルダウンＴＦＴをターンオンさせる。第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴをターンオンさせる段階及び第１プルダウンＴＦＴをターンオフさせる段階は同時に行われることができる。

【0088】

第１プルダウンＴＦＴがターンオンされると、第１プルダウンＴＦＴを通じて低電圧信号を第１ゲートラインに印加する。低電圧信号は、直流電圧信号であることができ、低電圧信号の種類は直流電圧信号に限定されない。第１プルダウンＴＦＴを通じて低電圧信号を第１ゲートラインに印加する段階は、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴを通じて第１ゲートラインにゲート駆動信号を印加する段階の前に行われることができる。また、第１プルダウンＴＦＴを通じて低電圧信号を第１ゲートラインに印加する段階は、第１プルアップＴＦＴ及び第２プルアップＴＦＴを通じて第１ゲートラインにゲート駆動信号を印加する段階の後に行われることができる。

【0089】

より具体的には、信号２１０が第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０に印加されると、区間２３０で第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオンされる。第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオンされると、ゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）が第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０を通じて第１ゲートライン１５０に印加される。次に、信号２２０が第１プルダウンＴＦＴ１２０のゲート端に印加されてこれをターンオンさせる。それに対し、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０はターンオフされる。第１プルダウンＴＦＴ１２０がターンオンされると低電圧信号が第１ゲートライン１５０に印加され、第１プルアップＴＦＴ１１０及び第２プルアップＴＦＴ１３０がターンオフされるとゲート駆動信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２、ＣＬＫ３、ＣＬＫ４）がそれ以上第１ゲートライン１５０に印加されない。すなわち、図２（ｄ）に図示された信号３３０がゲートラインに印加され、信号３３０は図３に図示されたスキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）をターンオンさせる。

【0090】

図３を参照すると、第１ゲートライン１５０に信号３３０が印加されると、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）がターンオンされる。スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）がターンオンされると、データライン１３にデータ電圧信号が印加される。データライン１３にデータ電圧信号を印加する構成はデータドライバーであることができる。データライン１３に印加されたデータ電圧信号は、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）を通じてキャパシター（Ｃｓｔ）またはドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）のゲート端に印加される。データ電圧信号がドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）のゲート端に印加されるとドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）がターンオンされ、ドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）がターンオンされるとドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）を通じて電流が流れる。ドライビングトランジスター（Ｄｒ＿Ｔｒ）を通じて流れる電流は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）をターンオンさせることができる。

【0091】

前述したように、本発明の一実施形態によるゲート駆動方法は、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）のターンオン及びターンオフ動作を制御することができる。また、スキャントランジスター（Ｓｃａｎ＿Ｔｒ）のターンオン及びターンオフ動作を制御することにより、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のターンオン及びターンオフタイミングを制御することができる。

【0092】

前述したような本発明によると、プルダウンＴＦＴを共有することでＴＦＴの数を減らすことができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、ベゼルの厚さを減少させて画面没入度を増加させる場合に有効に活用することができる。つまり、ベゼルが薄いほど画面の範囲が拡大し、映画、ドラマ等を視聴する際に視聴者の画面没入度が増加し得る。

【0093】

また、本発明によると、ベゼルの厚さを減少させることによって画面の大きさに対する対パネル全体の体積の割合を減らすことができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、パネル全体の体積を減らして不要な空間を減らす場合に有効に活用することができる。

【0094】

また、本発明によると、Ｑｂノードを共有することでＱｂノードの数を減らすことができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、いずれか一つのＱｂノードと他のＱｂノードを連結してＱｂノードの数を減らす場合に有効に活用することができる。Ｑｂノードを共有することで、Ｑｂノードに連結されたインバーターも共有することができ、これによってベゼルの厚さが減少する長所もある。

【0095】

また、本発明はスキャントランジスターのターンオン及びターンオフ動作を制御することができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、プルアップＴＦＴ及びプルダウンＴＦＴのターンオン及びターンオフ動作を制御してゲートラインに印加される電圧信号を制御する場合に有効に活用することができる。

【0096】

また、本発明はスキャントランジスターのターンオン及びターンオフ動作を制御することで、有機発光ダイオードのターンオン及びターンオフタイミングを制御することができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、有機発光ダイオードを任意の順にターンオンまたはターンオフさせる場合に有効に活用することができる。

【0097】

また、本発明は表示領域に印加される電圧信号のディレイを減らすことができる長所がある。例えば、本発明によるゲート駆動モジュール及び内蔵ゲートパネルは、表示領域に印加される電圧信号が不規則で、有機発光ダイオードがターンオンまたはターンオフされるタイミングが不規則である場合に有効に活用することができる。前述した本発明は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって、本発明の技術的思想を脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であるため、前述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではない。

【符号の説明】

【0098】

１１０：第１プルアップＴＦＴ
１２０：第１プルダウンＴＦＴ
１３０：第２プルアップＴＦＴ
１４０：第１インバーター
１５０：第１ゲートライン
１６０：ゲート駆動信号生成部
１７０：低電圧端子
１８０：第２インバーター

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】