【実施例】
【0067】
ワニスの調製で検討する様々な溶媒の特性を表1に示す。表1中の溶解度パラメータ(“SP)の値は、以下の通りに計算されるハンセン溶解度である。
【数1】
式中、
δdは分子間の分散力からのエネルギーであり,
δpは分子間の双極子分子間力からのエネルギーであり、
δhは分子間の水素結合からのエネルギーである。
Hansen,Charles (2007).Hansen Solubility Parameters:A user’s handbook,Second Edition. Boca Raton,Fla:CRC Press.
【表1】
【0068】
表2に示す材料を実施例で使用した。
【表2】
【0069】
(試料試験)
物理学的測定は、後述するように、下記の試験および試験方法を用いて行った。別段の指示がない限り、試験標準は2014年に施行されたものを指す。
【0070】
粘度は、ブルックフィールド粘度計(DV−I Primo)によって、示した温度で測定した。
【0071】
(ラミネートの調製の一般手順)
PEIを含有するワニスを含むラミネートを、下記の一般手順に従って調製した。ワニスを、厚さ0.8〜1mmのアルミナプレート上に注型して、コーティングを形成した。コーティングしたアルミナプレートを、加熱または真空下で乾燥して、コーティングから溶媒を除去した。乾燥後、銅箔を、乾燥した有機層上に配置した。280℃の温度で2時間(hr)、加熱加圧機械を用いて熱ラミネーションを行った後、金属コア銅張積層板を得た。
【0072】
ラミネートの面間熱伝導率は、ASTM E1461に準拠し、Netzsh Group社のNanoflash LFA447キセノンフラッシュ装置によるレーザーフラッシュ法を用いて求めた。試験試料を、10x10mm
2の試料にカットした。これらの測定の結果を、k(W/mK)の単位で表す。熱伝導度k(T)は、下記方程式に従い、試料の熱拡散率、比熱、および密度によって求めた:
【数2】
式中、k(T)は、熱伝導度を指し;α(T)は熱拡散率を指し;c
p(T)は比熱を指し、ρ(T)は試料の密度を指す。熱拡散率(α(T)、cm
2/s)は、正面での短いエネルギーパルスによって生じた薄肉円板試料の後面での温度上昇を測定することによって求めることができる。
【0073】
比熱(Cp、J/gK)(比熱容量とも呼ばれる)は、特定の試料の1gの純粋な物質を1℃上昇させるのに必要なエネルギーの量を指し、示差走査熱量測定法(DSC)によって求めることができる。また、密度(ρ、g/cm
3)は、液浸方法(ASTM D792)を用いて求められる。
【0074】
(実施例1)
本実施例では、120gの示した溶媒をフラスコ内で加熱し、80℃の油浴中で維持した。30gの示したポリマーをフラスコに添加し、混合物をポリマーが溶解するまで撹拌した。粉末材料の溶解時間は概して約1hrであり、ペレットでは約8〜約12hrであった。ポリマーが溶解した後、熱源を除去し、温度が23℃に達したら、混合物を1〜3日間静置した。各組成物の粘度を、表3に示した温度で測定した。各ポリマーのデータのプロットを
図1〜4に示す。
【表3】
【0075】
図1〜4および表3のデータは、ポリエーテルイミドが、NMP、シクロペンタノンおよびDMAc中で溶液(すなわち、ワニス)を形成することができたことを示す。より高い作業温度によって、より低い粘度のワニスがもたらされた。また、ポリエーテルイミド材料の分子量は、ワニス調製に影響を及ぼすことが見られた。より低い分子量の材料、例えば、フェニレンジアミンおよびビスフェノールA−二無水物から誘導され、質量平均分子量が23,000g/モルであるポリエーテルイミドは、より高い分子量の材料、例えば、フェニレンジアミンおよびビスフェノールA−二無水物から誘導され、質量平均分子量が32,000g/モルであるポリエーテルイミドと比較して、様々な溶媒での溶解度の増加を示した。より低い分子量の材料の溶解度の増大によって、試験した温度でより低い粘度のワニスが得られた。
【0076】
(実施例2〜4)
ポリエーテルイミドとジメチルホルムアミド(DMF)を含むワニスから金属コア銅張積層板を調製した。80gのDMFをフラッシュで加熱し、油浴中で温度を80℃に維持した。20gのPEI−1を添加し、ポリマーが溶解するまで混合物を撹拌した。ポリマーが溶解したら、厚さ25〜250μmのワニス層を、0.8〜1mm厚さのアルミナプレート上に注型することで調製した。送風乾燥オーブンを用いて150℃で4hrワニス層を乾燥した後、真空オーブンを用いて150℃で24hr乾燥することで、ポリエーテルイミド層を得た。銅箔をポリマー層上に配置した後、20〜40barの圧力下280℃で2hrホットプレスすることで、MCCCLを得た。実施例2、3および4のポリマー層の厚さは、それぞれ200、70および45μmであった。実施例2および4のMCCCLの断面を、それぞれ
図7および8に示すように、走査電子顕微鏡を用いて画像化した。
【0077】
(実施例5〜6)
ポリエーテルイミドとジメチルホルムアミド(DMF)を含むワニスから金属コア銅張積層板を調製した。80gのDMFをフラスコ内で加熱し、温度を油浴中で80℃に維持した。14gのPEI−1および6gのAl
2O
3をフラスコに添加し、ポリマーが溶解するまで混合物を撹拌した。ポリマーが溶解したら、厚さ25〜250μmのワニス層を0.8〜1mm厚さのアルミナプレート上にワニスを注型することで得た。ワニス層を150℃で4hr送風乾燥オーブンを用いて乾燥した後、150℃で24hr真空オーブンを用いて乾燥することで、ポリエーテルイミド層を得た。銅箔をポリマー層上に配置した後、20〜40barの圧力下280℃で2hrホットプレスすることで、MCCCLを得た。実施例5および6のポリマー層の厚さは、それぞれ73および50μmであった。実施例5のMCCCLの断面を、
図9に示すように、走査電子顕微鏡を用いて画像化した。
【0078】
(実施例7〜8)
金属コア銅張積層板をポリエーテルイミドとジメチルホルムアミド(DMF)を含むワニスから調製した。65gのDMFをフラスコ内で加熱し、温度を油浴中で80℃に維持した。14gのPEI−1および6gのBN−1をフラスコに添加し、混合物をポリマーが溶解するまで撹拌した。ポリマーが溶解したら、厚さ25〜250μmのワニス層を、0.8〜1mm厚さのアルミナプレート上に注型することで得た。ワニス層を150℃で4hr送風乾燥オーブンを用いて乾燥した後、150℃で24hr真空オーブンを用いて乾燥することで、ポリエーテルイミド層を得た。銅箔をポリマー層上に配置した後、20〜40barの圧力下280℃で2hrホットプレスすることで、MCCCLを得た。実施例7および8のポリマー層の厚さは、それぞれ78および46μmであった。実施例7および8のMCCCLの断面を、
図10および11に示すように、走査電子顕微鏡を用いて画像化した。
【0079】
(実施例9〜10)
金属コア銅張積層板を、65gのDMFをフラスコ内で加熱し、油浴中で温度を80℃に維持し、14gのPEI−1および6gのBN−2をフラスコに添加することよって調製した。混合物をポリマーが溶解するまで撹拌した。ポリマーが溶解したら、厚さ25〜250μmのワニス層を、0.8〜1mm厚さのアルミナプレート上に注型することによって得た。ワニス層を150℃で4hr送風乾燥オーブンを用いて乾燥した後、150℃で24hr真空オーブンを用いて乾燥することで、ポリエーテルイミド層を得た。銅箔をポリマー層上に配置した後、20〜40barの圧力下280℃で2hrホットプレスすることで、MCCCLを得た。実施例9および10のポリマー層の厚さは、それぞれ75および52μmであった。実施例9および10のMCCCLの断面を、
図12および13に示すように、走査電子顕微鏡を用いて画像化した。
【0080】
実施例2〜10のラミネートの特性を表4に要約する。
【表4】
【0081】
実施例2〜4は、ポリマー層がより薄いと熱伝導率(TC)がより大きくなり得ることを例証する。実施例5〜10は、熱伝導性充填剤、例えばAl
2O
3およびBNの添加が、熱伝導性充填剤を含有しない実施例(実施例2〜4)に対して、さらに熱伝導度を増大し得ることを実証する。
【0082】
(予言的な実施例1)
FR−4銅張積層板(CCL)を、ポリエーテルイミド(PEI−1)と、窒化ホウ素と、エポキシと、ジメチルホルムアミド(DMF)とを含むワニスから調製できる。50gのDMFをフラスコ内で加熱し、温度を油浴中で80℃に維持する。5gのPEI−1および5gの窒化ホウ素をフラスコに添加し、混合物をポリマーが溶解するまで撹拌する。溶解したら、80℃に予熱した38gのビスフェノールジグリシジルエーテルを混合物に添加する。1gのジシアンジアミドおよび1gの2−エチル−4−メチルイミダゾールを添加し、混合し、ワニスを形成する。E−ガラス布をワニスでぬらした後、溶媒を蒸発させることで、プリプレグを調製する。140℃で1〜5分間加熱することで、プリプレグの硬化を達成する。銅箔をプリプレグの上部および底部に配置し、2〜10MPaの圧力下200℃で2hrホットプレスすることによってラミネートすることで、FR−4CCLを得ることができる。
【0083】
(予言的な実施例2)
炭素織布を含有する複合材料が、ワニスから調製される。120gのDMFをフラスコ内で加熱し、温度を油浴中で80℃に維持する。30gのPEI−1をフラスコに添加し、ポリマーが溶解するまで混合物を撹拌する。ポリマーが溶解したら、炭素織布にワニスを、織布をワニス中に1〜5分間浸すことによって含浸させる。含浸した炭素織布を送風乾燥オーブン内で、120℃で4hr乾燥した後、300〜360℃の加熱下および圧力下で炭素織布をラミネートすることで、炭素織布を含有するプリプレグ複合材を得る。
【0084】
(予言的な実施例3)
ガラス織布を含有する複合材料が、ワニスから調製される。108gのDMFをフラスコ内で加熱し、温度を油浴中で80℃に維持する。30gのPEI−1および12gの窒化ホウ素をフラスコに添加し、ポリマーが溶解するまで混合物を撹拌する。ポリマーが溶解したら、ガラス織布をワニス中に1〜5分間浸す。含浸したガラス布を、送風乾燥オーブン内で、120℃で4hr加熱することで乾燥し、続いて10〜20mmの長さとなるようにカットする。300〜340℃の加熱下および圧力下で射出成形またはラミネートすることで、ガラス織布を含有する複合材を得ることができる。
【0085】
(予言的な実施例4)
本実施例では、コーティング材料の調製を説明する。120gのDMFをフラスコ内で加熱し、温度を油浴中で80℃に維持する。30gのPEI−2をフラスコに添加し、ポリマーが溶解するまで混合物を撹拌した。ポリマーが溶解したら、生じたワニスを、厚さ25〜100μmのコーティング層をもたらすようにポリテトラフルオロエチレン(PTFE)プレート上へ注型する。送風乾燥オーブン内で、120℃で4hr乾燥することで、PTFE基材上へのコーティングを得る。
【0086】
ポリエーテルイミドワニス、それから調製される物品、および製造方法は、以下の非限定的な実施形態によってさらに例示される。
【0087】
実施形態1:ポリエーテルイミドと無機微粒子組成物と溶媒との合計量100wt%に対して、ガラス転移温度が180℃以上である単離した合成直後のポリエーテルイミドを1〜45wt%と;ポリエーテルイミドが選択した温度で溶液のままであるのに有効な量の溶媒と;無機微粒子組成物を0〜40wt%と、を含むワニス。
【0088】
実施形態2:粘度が23℃で100cP超であるか、または90℃で30cP超である実施形態1のワニス。
【0089】
実施形態3:ポリエーテルイミドが、式(1)の単位(式中、RがC
2−20炭化水素基であり、Tが−O−または式−O−Z−O−の基であり、−O−または−O−Z−O−基の二価の結合が3,3’、3,4’、4,3’または4,4’の位置であり、Zが1〜6個のC
1−8アルキル基、1〜8個のハロゲン原子、または前記したものの少なくとも1つを含む組み合わせで任意に置換された芳香族C
6−24単環式または多環式基である)を含む実施形態1〜2のいずれか1つ以上のワニス。
【0090】
実施形態4:Rが式(2)の二価の基であり、式(2)中、Q
1が−O−、−S−、−C(O)−、−SO
2−、−SO−、−C
yH
2y−およびそのハロゲン化誘導体(yは、1〜5の整数)、または−(C
6H
10)
z−(zは1〜4の整数)であり;Zが式(3)のジヒドロキシ化合物由来の基であり、式(3)中、R
aおよびR
bはそれぞれ独立してハロゲン原子または一価のC
1−6アルキル基であり;pおよびqはそれぞれ独立して0〜4の整数であり;cは0〜4であり;X
aは単結合、−O−、−S−、−S(O)−、−SO
2−、−C(O)−、またはC
1−18有機架橋基である実施形態3のワニス。
【0091】
実施形態5:Rがそれぞれ独立してメタ−フェニレン、パラ−フェニレン、または前記したものの少なくとも1つを含む組み合わせであり、Zが4,4’−ジフェニレンイソプロピリデンである実施形態4のワニス。
【0092】
実施形態6:ポリエーテルイミドが、式(9)の単位をさらに含むコポリマーであり、式中、R’はそれぞれ独立にC
1−13一価ヒドロカルビル基であり、R
4はそれぞれC
2−C
20ヒドロカルビル基であり、シロキサンのEは2〜50、5〜30、または10〜40であり、イミドのRおよびZは請求項3に記載のものであり、nは、5〜100の整数である実施形態2〜5のいずれか1つ以上のワニス。
【0093】
実施形態7:ポリエーテルイミドが、R基の少なくとも10モル%がスルホン基を含み、好ましくはRが4,4’−ジフェニレンスルホンであり、Zが4,4’−ジフェニレンイソプロピリデンであるエーテルイミド単位を含む実施形態2〜5のいずれか1つ以上のワニス。
【0094】
実施形態8:溶媒が極性の電子供与性溶媒である実施形態1〜7のいずれか1つ以上のワニス。
【0095】
実施形態9:溶媒の溶解度パラメータ値が8.5〜13である実施形態1〜8のいずれか1つ以上のワニス。
【0096】
実施形態10:溶媒の沸点が90℃超である実施形態1〜9のいずれか1つ以上のワニス。
【0097】
実施形態11:溶媒がクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クレゾール、ジメチルアセトアミド、ベラトロール、ピリジン、ニトロベンゼン、安息香酸メチル、ベンゾニトリル、アセトフェノン、n−ブチルアセテート、2−エトキシエタノール、2−n−ブトキシエタノール、ジメチルスルホキシド、アニソール、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、または前記したものの少なくとも1つを含む組み合わせである実施形態1〜10のいずれか1つ以上のワニス。
【0098】
実施形態12:無機微粒子組成物を0.5〜40wt%含み、無機微粒子組成物が、熱伝導度が45W/mK超である高熱伝導性充填剤、好ましくは窒化アルミニウム、炭化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、アルミニウム酸窒化物、窒化ケイ素マグネシウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、グラファイト、膨張黒鉛、グラフェン、炭素繊維;熱伝導度が10〜45W/mKである熱伝導性充填剤、好ましくは硫化亜鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン;熱伝導度が10W/mK未満である断熱充填剤、好ましくはタルク、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、マイカ、酸化バリウム、ベーマイト、ギブサイト、硫酸バリウム、珪灰石、酸化ジルコニウム、シリカ、ガラスビーズ、ガラス繊維、アルミン酸マグネシウム、ドロマイト、セラミックでコーティングしたグラファイト、クレイ;または前記したものの少なくとも1つを含む組み合わせの1つ以上を含む実施形態1〜11のいずれか1つ以上のワニス。
【0099】
実施形態13:ポリエーテルイミドを5〜45wt%、好ましくは10〜40wt%、より好ましくは15〜35wt%と;無機粒子状充填剤、好ましくは高熱伝導性充填剤を1〜40wt%、好ましくは5〜30wt%とを含み;溶媒が、溶解度パラメータ値が8.5〜13であり沸点が90℃超である極性の電子供与性溶媒である実施形態1〜12のいずれか1つ以上のワニス。
【0100】
実施形態14:熱硬化性ポリマー、好ましくはエポキシ、シアン酸エステル、フェノールノボラックエポキシ、または前記したものの少なくとも1つを含む組み合わせをさらに含む実施形態1〜13のいずれか1つ以上のワニス。
【0101】
実施形態15:ポリエーテルイミドの質量に対して、熱硬化性ポリマー組成物を30〜90wt%含む実施形態14のワニス。
【0102】
実施形態16:溶媒を除去し、熱硬化性組成物を硬化した後のワニスを含む試料において、硬化した熱硬化性組成物単独の試料と比較して、難燃性、靱性および銅からの剥離強度の少なくとも1つが向上している実施形態14〜15のいずれか1つ以上のワニス。
【0103】
実施形態17:ワニスが繊維状プリフォーム、好ましくはガラス織布、ガラス不織布または炭素織布上に配置され、ワニスでコーティングされているかまたはワニスが含浸されている実施形態1〜16のいずれか1つ以上のワニス。
【0104】
実施形態18:実施形態1〜17のいずれか1つ以上のワニスの製造方法であって、ワニスの成分を混合するステップと;ポリエーテルイミドを溶媒に溶解させるのに有効な温度および時間で、好ましくは溶媒の沸点より低い温度で、成分加熱するステップとを備える製造方法。
【0105】
実施形態19:実施形態1〜17のいずれか1つ以上のワニスから物品を製造する方法であって、ワニスから物品を形成するステップと;形成された物品から溶媒を除去するステップとを備える製造方法。
【0106】
実施形態20:物品が、繊維、層、等角のコーティング、キャスト物品、プリプレグ、または硬化した複合品の形態である実施形態19の方法。
【0107】
実施形態21:物品が層であり、ワニスを基材上へ注型して注型層を形成することによって形成され;注型層を加熱することによって、注型層を加熱下および圧力下で加熱することによって、または注型層を別の基材へラミネートすることによって、溶媒を除去する実施形態20の方法。
【0108】
実施形態22:物品が繊維状プリフォームをさらに含み、物品を形成するステップが、ワニスでプリフォームをコーティングするステップ、またはワニスをプリフォームに含浸するステップを備える実施形態19〜20のいずれか1つ以上の方法。
【0109】
実施形態23:物品が接着剤、包装材料、コンデンサフィルム、回路基板層、または強化複合品である実施形態19〜22のいずれか1つ以上の方法。
【0110】
実施形態24:銅張積層板の調製方法であって、加熱、圧力またはそれらの組み合わせの下で、実施形態20のポリエーテルイミド層を導電性金属回路層にラミネートするステップと;任意に、続いてまたは同時に、ポリエーテルイミド層を支持金属マトリックス層にラミネートするステップとを備え、支持金属マトリックス層が、導電性金属回路層と反対側のポリエーテルイミド層上に配置されている調製方法。
【0111】
実施形態25:金属コア銅張積層板の調製方法であって、加熱、圧力またはそれらの組み合わせの下で、実施形態20のポリエーテルイミド層を支持金属マトリックスにラミネートするステップと;続いてまたは同時に、ポリエーテルイミド層を導電性金属回路層にラミネートするステップとを備え、導電性金属回路層が、支持金属マトリックス層と反対側のポリエーテルイミド誘電層上に配置されている調製方法。
【0112】
実施形態26:ポリエーテルイミド層が、実施形態1〜17のいずれか1つ以上のワニスを基材上へ注型するステップと;注型層から溶媒を除去するステップとを備える方法によって調製される実施形態24〜25の1つ以上の方法。
【0113】
実施形態27:銅張積層板の調製方法であって、実施形態1〜17の1つ以上のワニスを導電性金属回路層上へ注型するステップと;溶媒を除去してポリエーテルイミド誘電層を得るステップと;任意に続いてポリエーテルイミド誘電層を導電性金属回路層にラミネートするステップとを備え、導電性金属回路層が、支持金属マトリックス層と反対側のポリエーテルイミド誘電層上に配置されている調製方法。
【0114】
実施形態28:支持金属マトリックス層がアルミニウム、銅、鉄、またはスチールを含む実施形態24〜27のいずれか1つ以上の方法。
【0115】
実施形態29:ポリエーテルイミド層が、ガラス織布またはガラス不織布をさらに含む実施形態24〜28のいずれか1つ以上の方法。
【0116】
実施形態30:実施形態1〜13のいずれか1つ以上のワニスをガラス織布に含浸するステップと;含浸したガラス織布から溶媒を除去するステップとを備える方法によって、ポリエーテルイミド層が調製される実施形態29の方法。
【0117】
実施形態31:実施形態24〜30のいずれか1つ以上の方法によって調製される銅張積層板。
【0118】
実施形態32:ポリエーテルイミド層が、熱硬化性ポリマー、好ましくはエポキシ、シアン酸エステル、フェノールノボラックエポキシ、または前記したものの少なくとも1つを含む組み合わせをさらに含む実施形態29〜30のいずれか1つ以上の方法。
【0119】
実施形態33:熱硬化性ポリマーが、ラミネートする前に硬化されないか、または部分的に硬化される実施形態29〜30のいずれか1つ以上の方法。
【0120】
実施形態34:熱硬化性ポリマーが、溶媒の除去中、溶媒の除去後、またはそれら両方において部分的に硬化される実施形態33の方法。
【0121】
実施形態35:熱硬化性ポリマーを、ラミネートする間またはラミネートした後またはそれら両方において完全に硬化するステップをさらに備える請求項33の方法。
【0122】
実施形態36:熱硬化性ポリマーがラミネートする前に完全に硬化される実施形態29〜30のいずれか1つ以上の方法。
【0123】
実施形態37:熱硬化性ポリマーが、溶媒の除去中、溶媒の除去後、またはそれら両方において完全に硬化される実施形態36の方法。
【0124】
実施形態38:溶媒を除去し、熱硬化性ポリマーを完全に硬化した後、硬化した熱硬化性ポリマー単独と比較して、ポリエーテルイミド層の難燃性、靱性および銅からの剥離強度の少なくとも1つが向上している実施形態29〜37のいずれか1つ以上の方法。
【0125】
実施形態39:実施形態32〜38のいずれか1つ以上の熱硬化性方法によって調製される銅張積層板。
【0126】
実施形態40:導電性金属回路層にパターン形成してプリント回路板を得るステップをさらに含む実施形態24〜39のいずれか1つ以上の方法。
【0127】
実施形態41:金属コア銅張積層板を成形するステップをさらに含み、プリント回路板が金属コアプリント回路板であり、シート、管、またはロッドの形状である実施形態40の方法。
【0128】
実施形態42:実施形態24〜41のいずれか1つ以上の方法によって調製され、熱伝導度が0.3W/m−K超である金属コア銅張積層板。
【0129】
実施形態43:プリント回路板が、LED照明用途または太陽エネルギー用途に使用される実施形態40〜41の方法。
【0130】
実施形態44:プリント回路板が、テレビ、携帯電話、またはラップトップコンピューターに使用される実施形態40〜41の方法。
【0131】
実施形態45:複合材の製造方法であって、実施形態1〜17のいずれか1つ以上のワニスを多孔質基材に含浸するステップと;含浸した多孔質基材から溶媒を除去するステップとを備える製造方法。
【0132】
実施形態46:加熱することによって、圧縮することによって、または加熱し、圧縮することによって溶媒を除去する実施形態45の方法。
【0133】
実施形態47:多孔質基材が、セラミック、ポリマー、ガラス、炭素、またはそれらの組み合わせを含む実施形態45〜46のいずれか1つ以上の方法。
【0134】
実施形態48:実施形態45〜47のいずれか1つ以上の方法によって形成される複合材であって、多孔質基材が、ガラス織布、ガラス不織布、繊維ガラス織布または炭素繊維を含む繊維状プリフォームであり;繊維状プリフォームが、ワニスでコーティングされているか、または含浸されている複合材。
【0135】
実施形態49:実施形態48の複合材を含む物品であって、プリプレグ、シート、繊維、ワイヤコーティング、成形物品または圧縮物品である物品。
【0136】
実施形態50:多層物品の製造方法であって、実施形態1〜17のいずれか1つ以上のワニスを含む層を基材上に形成するステップと;層から溶媒を除去してプライマー層を得るステップと;セラミック、熱可塑性ポリマー、熱硬化性ポリマーまたは前記したものの少なくとも1つを含む組み合わせを含む第2の層をプライマー層上に形成して多層物品を得るステップと;任意に、多層物品を熱処理して熱硬化性ポリマーを硬化するステップを備える製造方法。
【0137】
実施形態51:加熱することによって、圧縮することによって、または加熱し、圧縮することによって溶媒を除去する実施形態50の方法。
【0138】
実施形態52:第2の層が実施形態1〜17のいずれか1つ以上のワニスをさらに含み、層を形成するステップが、第2の層から溶媒を除去するステップをさらに備える実施形態50または51の方法。
【0139】
実施形態53:加熱することによって、圧縮することによって、または加熱し、圧縮することによって、第2の層の溶媒を除去する実施形態52の方法。
【0140】
実施形態54:セラミックがAl
2O
3、TiO
2、ZrO
2、Cr
2O
3、SiO
2、MgO、BeO;Y
2O
3、Al
2O
3−SiO
2、MgO−ZrO
2、SiC、WC、B
4C、TiC、Si
3N
4、TiN、BN、AlN、TiB、ZrB
2または前記したものの少なくとも1つを含む組み合わせである実施形態50〜53のいずれか1つ以上の方法。
【0141】
実施形態55:熱可塑性ポリマーが、フッ素ポリマー、より好ましくはポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、ポリクロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−エチレンコポリマー、ポリビニリデンフッ化物、または前記したものの少なくとも1つを含む組み合わせである実施形態50〜53のいずれか1つ以上の方法。
【0142】
実施形態56:熱硬化性ポリマー組成物が、エポキシ、シアン酸エステル、フェノールノボラックエポキシ、または前記したものの少なくとも1つを含む組み合わせである実施形態50〜53のいずれか1つ以上の方法。
【0143】
一般に、組成物、方法、および物品は、選択的に、本明細書に開示されるいずれの適切な成分またはステップを含み得るか、それらの成分またはステップからなり得るか、それらの成分またはステップから本質的になり得る。組成物、方法および物品は、さらに、または選択的に、先行技術の組成物で使用されているか、または本願の特許請求の範囲の機能および/または目的の達成に必要ではない構成要素、材料、成分、補助剤または種のいずれも欠くか、実質的に含まないように処方され得る。
【0144】
本明細書に開示されるすべての範囲は端点を含み、端点は互いに独立して組み合わせ可能である。「組み合わせ」は、ブレンド、混合物、合金、反応生成物などを含有する。「第1の」「第2の」などの用語は、順番、量、または重要性を示すものではなく、ある要素を別の要素と区別するために用いられる。用語「a」、「an」および「the」は、本明細書において別段の記載があるか、または、文脈により明確に否定されない限り、単数及び複数の両方を包含すると解釈すべきである。「または」は、別段の記載がない限り、「および/または」を意味する。明細書全体にわたって、「一部の実施形態」、「ある実施形態」などは、該実施形態に関連して記載された特定の要素が、本明細書に記載された少なくとも1つの実施形態に含まれており、他の実施形態には含まれていても含まれていなくてもよいことを意味する。さらに、記載された要素(類)は、種々の実施形態において任意の好適な方法で組み合わせられ得るものと理解されるべきである。
【0145】
「アルキル」は、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、s−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、s−ペンチル、n−およびs−ヘキシル、n−ヘプチル、s−ヘプチル、n−オクチルおよびs−オクチルなどの、分岐鎖または直鎖の、不飽和脂肪族C
1−30炭化水素基を含む。「アルケニル」は、少なくとも1つの炭素−炭素二重結合を有する直鎖または分岐鎖の一価炭化水素基(例えば、エテニル−(−HC=CH
2))を意味する。「アルコキシ」は、例えば、メトキシ、エトキシおよびsec−ブチルオキシ基などの、酸素経由で結合したアルキル基(すなわち、アルキル−O−)を意味する。「アルキレン」は、直鎖または分岐鎖の飽和二価脂肪族炭化水素基(例えば、メチレン(−CH
2−)または、プロピレン(−(CH
2)
3−))を意味する。「シクロアルキレン」は、二価環式アルキレン基、−C
nH
2n−x(式中、xは、環化で置換された水素の数)を意味する。「シクロアルケニル」は、1つ以上の炭素−炭素二重結合を有する環(環員がすべて炭素である)を1つ以上有する一価の基(例えば、シクロペンチルおよびシクロヘキシル)を意味する。「アリール」は、フェニル、トロポン、インダニル、またはナフチルなどの、特定の数の炭素原子を含有する芳香族炭化水素基を意味する。接頭辞「ハロ」は、フルオロ、クロロ、ブロモ、またはヨード置換基を1つ以上含む基または化合物を意味する。異なるハロ基の組み合わせ(例えば、ブロモとフルオロ)、またはクロロ基だけが存在できる。接頭辞「ヘテロ」は、化合物または基が、ヘテロ原子(例えば、1、2、または3個のヘテロ原子。ヘテロ原子はそれぞれ独立にN、O、S、またはP)である環員を少なくとも1つ含むことを意味する。「置換」は、置換される原子の正常な原子価を超過しないことを条件に、水素に代わって、C
1−9アルコキシ、C
1−9ハロアルコキシ、ニトロ(−NO
2)、シアノ(−CN)、C
1−6アルキルスルホニル(−S(=O)
2−アルキル)、C
6−12アリールスルホニル(−S(=O)
2−アリール)aチオール(−SH)、チオシアノ(−SCN)、トシル(CH
3C
6H
4SO
2−)、C
3−12シクロアルキル、C
2−12アルケニル、C
5−12シクロアルケニル、C
6−12アリール、C
7−13アリールアルキレン、C
4−12ヘテロシクロアルキル、およびC
3−12ヘテロアリールから独立して選択される少なくとも1個(例えば、1、2、3または4個)の置換基で化合物または基が置換されることを意味する。
【0146】
すべての参考文献が、参照によって本明細書に組み込まれる。
【0147】
特定の実施形態について説明したが、現在予測されないか、予測できない代替手段、改変、バリエーション、改良、および実質的な等価物が出願人らまたは他の当業者であれば思い付く可能性がある。したがって、出願時および補正し得る添付の特許請求の範囲は、そのような代替手段、改変、バリエーション、改良、および実質的な等価物のすべてを包含するものである。