(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記低電源電圧のオーミック降下は、前記複数のフィードバック電圧のうち、最大フィードバック電圧と前記ディスプレイパネルに印加される低電源電圧との差に相当すること、
を特徴とする、請求項5に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0019】
<1.本発明の実施形態>
図1は、本発明の実施形態に係る電界発光ディスプレイ装置の駆動方法を示すフローチャートである。
【0020】
図1を参照すると、ディスプレイパネルから負の電圧レベルを有する低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(Ohmic dropまたはIR drop)(IRD)を検出するための少なくとも1つのフィードバック電圧(VFB)を提供し(S100)、提供されたフィードバック電圧(VFB)を変換してディジタルフィードバック信号(DG_VFB)を発生する(S200)。入力映像データ(RGB_DATA)及びディジタルフィードバック信号(DG_VFB)に基づいて入力映像データ(RGB_DATA)の分布及び低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)によって変化する電圧制御信号(DG_ELVSS)を発生する(S300)。入力電圧(VIN)及び電圧制御信号(DG_ELVSS)に基づいて低電源電圧を発生する(S400)。
【0021】
図6、
図7、及び
図20を参照して後述するように、ディスプレイパネルは低電源電圧(ELVSS)に基づいて動作する複数のピクセルを含む。ピクセルは正の電圧レベルを有する高電源電圧(ELVDD)と負の電圧レベルを有する低電源電圧(ELVSS)を受信し、高電源電圧(ELVDD)と低電源電圧(ELVSS)との差に該当する駆動電圧(VEL)に従う駆動電流を発生してイメージを表示する。本発明は低電源電圧(ELVSS)の適応的制御に関するものであり、以下では本発明の実施形態の説明に必要な場合を除いては高電源電圧(ELVDD)に対する言及および説明は省略する。
【0022】
従来、消費電力を削減する方法としては、イメージの輝度分析に基づいて電源電圧を制御する方法が知られている。しかしながら、イメージの輝度分析のみに依存する場合、色相別の輝度比と消費電流比との不一致によりユーザが認識する画質が劣化する可能性がある。また、イメージによって変化するオーミック降下の分布を予測することが困難であり、充分な駆動電圧を確保しなければならないため、消費電力の改善効果は減少する。一方、本発明の実施形態に従ってフィードバック電圧を用いて低電源電圧のオーミック降下を検出し、検出されたIRに基づいて前記低電源電圧を制御することによって、画質の劣化を最小化し、かつ消費電力を効率的に削減することができる。
【0023】
図2は本発明の実施形態に係る電界発光ディスプレイ装置を示すブロック図であり、
図3は
図2の電界発光ディスプレイ装置の低電源電圧の制御過程を説明するための図である。
【0024】
図2を参照すると、電界発光ディスプレイ装置10は、適応的電圧コントローラ20、電圧コンバータ30、ディスプレイパネル40、及びアナログ−ディジタルコンバータ(ADC:analog−to−digital converter)50を含む。
【0025】
ディスプレイパネル40は、負の電圧レベルを有する低電源電圧(ELVSS)に基づいて動作する複数のピクセルを含む。ディスプレイパネル40及びこれに含まれるピクセルに対しては
図6、
図7、図及び20を参照して後述する。
【0026】
アナログ−ディジタルコンバータ(ADC)50は、ディスプレイパネル40から提供され低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)を検出するための少なくとも1つのフィードバック電圧(VFB)、を変換してディジタルフィードバック信号(DG_VFB)を発生させる。フィードバック電圧(VFB)は、ディスプレイパネル40の1つの地点でサンプリングされた1つのアナログ電圧、または多数の地点でサンプリングされた複数のアナログ電圧でありうる。フィードバック電圧(VFB)のサンプリングについては
図8を参照して後述する。
【0027】
適応的電圧コントローラ20は、入力映像データ(RGB_DATA)及びディジタルフィードバック信号(DG_VFB)に基づいて入力映像データ(RGB_DATA)の分布、及び低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)によって変化する電圧制御信号(DG_ELVSS)を発生する。本発明の一実施形態について、
図3を参照して後述するように、入力映像データ(RGB_DATA)の分布は、入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調を含むことができる。また、本発明の別の実施形態について、
図14を参照して後述するように、入力映像データ(RGB_DATA)の分布は、入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調及び平均階調を含むことができる。
【0028】
電圧コンバータ30は、入力電圧(VIN)及び電圧制御信号(DG_ELVSS)に基づいて負の電圧レベルを有する低電源電圧(ELVSS)を発生させる。電圧制御信号(DG_ELVSS)は、低電源電圧(ELVSS)の電圧レベルに関する情報を含み、電圧コンバータ30は、電圧制御信号(DG_ELVSS)に相当する電圧レベルを有する低電源電圧(ELVSS)を発生させる。電圧コンバータ30は、直流電圧を強圧して負の電圧レベルを有する低電源電圧(ELVSS)を提供することができる。
【0029】
図3を参照すると、適応的電圧コントローラ20は、低電源電圧(ELVSS)が入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調によって変化する階調マージン(Gray Scale Margin)(GSM)と低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)によって変化するオーミック降下マージン(IR drop margin)(IRM)との和(GSM+IRD)だけ基準電圧(VREF)より増加した目標電圧(TGV2)に維持されるように電圧制御信号(DG_ELVSS)を調節することができる。ここで、基準電圧(VREF)は低電源電圧(ELVSS)が有することができる最も低い電圧レベルに相当する。基準電圧(VREF)より階調マージン(GSM)だけ増加した電圧を第1目標電圧(TGV1)と称することができ、基準電圧(VREF)より階調マージン(GSM)とオーミック降下マージン(IRM)との和だけ増加した電圧を第2目標電圧(TGV2)と称することができる。
【0030】
階調マージン(GSM)は、入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調が増加するほど減少する。一方、最大階調が増加するほど、より広い範囲の階調を表現するために駆動電圧(VEL)を増加する必要がある。また、高電源電圧(ELVDD)が最大階調に関わらず一定に維持された場合、駆動電圧(VEL)を増加させるために低電源電圧(ELVSS)をより低い負の電圧レベルに減少させなければならない。例えば、入力映像データ(RGB_DATA)が8ビットのピクセルデータで表現される場合、最大階調が0であれば階調マージン(GSM)は最大となり、最大階調が255であれば階調マージン(GSM)は0とすることができる。最大階調と階調マージン(GSM)とのマッピング関係はピクセルの特性によって決定でき、ルックアップテーブル(look up table)の形態に提供できる。
【0031】
オーミック降下マージン(IRM)は、低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)が増加するほど減少する。
図3で、最大オーミック降下マージン(IRM_MAX)は、ピクセルの有機発光ダイオードのカソード電極に印加されるカソード電圧(VCTH)の上限に該当する。最大オーミック降下マージン(IRM_MAX)は、全てのピクセルデータが最大階調を有する場合、即ち全てのピクセルに対して駆動電流が最大となる場合のオーミック降下(IRD)に該当する。言い換えると、最大オーミック降下マージン(IRM_MAX)は、オーミック降下(IRD)とオーミック降下マージン(IRM)との和で表現できる。結果的に、オーミック降下(IRD)が増加するほどオーミック降下マージン(IRM)は減少し、オーミック降下(IRD)が減少するほどオーミック降下マージン(IRM)は増加する。
【0032】
以上説明したように、本発明の実施形態に従ってフィードバック電圧を用いて低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)を検出し、検出されたオーミック降下(IRD)に基づいてオーミック降下マージン(IRM)を反映するように低電源電圧(ELVSS)を制御することによって、画質の劣化を最小化し、かつ消費電力を効率的に削減することができる。
【0033】
図4は、
図2の電界発光ディスプレイ装置に含まれる適応的電圧コントローラの一実施形態を示すブロック図である。
【0034】
図4を参照すると、適応的電圧コントローラ20は、第1電圧計算部100、オーミック降下検出部200、第2電圧計算部300、及び制御信号発生部400を含む。
【0035】
第1電圧計算部100は、入力映像データ(RGB_DATA)に基づいて、入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調によって変化する第1目標電圧(TGV1)を示す第1目標電圧信号(DG_TGV1)を発生させる。第1目標電圧(TGV1)は、アナログ値であり、第1目標電圧信号(DG_TGV1)は、前記アナログ値に相当するディジタル値でありうる。
【0036】
オーミック降下検出部200は、ディジタルフィードバック信号(DG_VFB)に基づき、低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)によって変化する測定オーミック降下マージン(MIRM)を提供する。
【0037】
第2電圧計算部300は、第1目標電圧信号(DG_TGV1)及び測定オーミック降下マージン(MIRM)に基づいて、第1目標電圧(TGV1)より測定オーミック降下マージン(MIRM)だけ増加した第2目標電圧(TGV2)を示す第2目標電圧信号(DG_TGV2)を発生させる。第2目標電圧(TGV2)はアナログ値であり、第2目標電圧信号(DG_TGV2)は前記アナログ値に相当するディジタル値でありうる。
【0038】
制御信号発生部400は、第2目標電圧信号(DG_TGV2)に基づいて、電圧制御信号(DG_ELVSS)を発生する。制御信号発生部400は、低電源電圧(ELVSS)が第2目標電圧(TGV2)を追従するように電圧制御信号(DG_ELVSS)を調節することができる。例えば、
図12〜
図14を参照して後述するように、制御信号発生部400は、低電源電圧(ELVSS)が順次に減少または増加するように電圧制御信号(DG_ELVSS)をフレーム周期毎に順次変更することができる。
【0039】
図5は、
図4の適応的電圧コントローラに含まれる第1電圧計算部の一実施形態を示すブロック図である。
【0040】
図5を参照すると、第1電圧計算部100は、最大階調抽出部110、最低電圧計算部120、及び第1目標電圧決定部130を含むことができる。前述した入力映像データ(RGB_DATA)は、赤色データ(R_DATA)、緑色データ(G_DATA)、及び青色データ(B_DATA)を含み、第1電圧計算部100は、赤色データ(R_DATA)、緑色データ(G_DATA)、及び青色データ(B_DATA)の最大階調(RMAX、GMAX、BMAX)を抽出して第1目標電圧(TGV1)を決定することができる。
【0041】
最大階調抽出部110は、赤色最大階調抽出部111、緑色最大階調抽出部112、及び青色最大階調抽出部113を含むことができ、最低電圧計算部120は、赤色最低電圧計算部121、緑色最低電圧計算部122、及び青色最低電圧計算部123を含むことができる。
【0042】
最大階調抽出部110は、毎フレーム毎に赤色データの最大階調(RMAX)、緑色データの最大階調(GMAX)、及び青色データの最大階調(BMAX)を各々抽出することができる。具体的に、赤色最大階調抽出部111は、赤色データ(R_DATA)の入力をフレーム毎に順次に受け付け、この中で最も高い階調を赤色データの最大階調(RMAX)として抽出することができる。緑色最大階調抽出部112は、緑色データ(G_DATA)の入力をフレーム毎に順次に受け付け、この中で最も高い階調を緑色データの最大階調(GMAX)として抽出することができる。青色最大階調抽出部113は、青色データ(B_DATA)の入力をフレーム毎に順次に受け付け、この中で最も高い階調を青色データの最大階調(BMAX)として抽出することができる。
【0043】
最低電圧計算部120は、赤色データの最大階調(RMAX)に対応する第1低電源電圧(RVM)を計算し、緑色データの最大階調(GMAX)に対応する第2低電源電圧(GVM)を計算し、青色データの最大階調(BMAX)に対応する第3低電源電圧(BVM)を計算することができる。具体的に、赤色最低電圧計算部121は、赤色データの最大階調(RMAX)の入力を受けて、最大階調(RMAX)に対応する第1低電源電圧(RVM)を第1目標電圧決定部130に出力することができる。緑色最低電圧計算部122は、緑色データの最大階調(GMAX)の入力を受けて、最大階調(GMAX)に対応する第2低電源電圧(GVM)を第1目標電圧決定部130に出力することができる。青色最低電圧計算部123は、青色データの最大階調(BMAX)の入力を受けて、最大階調(BMAX)に対応する第3低電源電圧(BVM)を第1目標電圧決定部130に出力することができる。前述したように、最大階調(RMAX、GMAX、BMAX)と、これに相当する階調マージンまたは低電源電圧(RVM、GVM、BVM)とのマッピング関係は、ピクセルの特性によって決定されることができ、ルックアップテーブルの形態で提供できる。
【0044】
第1目標電圧決定部130は、赤色最低電圧計算部121で出力される第1低電源電圧(RVM)、緑色最低電圧計算部122で出力される第2低電源電圧(GVM)、及び青色最低電圧計算部123で出力される第3高電源電圧(BVM)を比較して、第1から第3低電源電圧(RVM、GVM、BVM)のうち、最も低い電圧を第1目標電圧(TGV1)と決定し、これに相当する第1目標電圧信号(DG_TGV1)を発生させることができる。
【0045】
図6は、
図2の電界発光ディスプレイ装置に含まれるピクセルの一例を示す回路図である。
【0046】
図6を参照すると、ピクセル(PX)は、スイッチングトランジスタST、ストレージキャパシタCST、駆動トランジスタDT、及び有機発光ダイオードOLEDを含むことができる。
【0047】
スイッチングトランジスタSTは、データ信号(DATA)に連結された第1電極、ストレージキャパシタCSTに連結された第2電極、及びスキャン信号(SCAN)に連結されたゲート電極を有することができる。スイッチングトランジスタSTは、スキャンドライバから印加されたスキャン信号(SCAN)に応答してデータドライバから提供されたデータ信号(DATA)をストレージキャパシタCSTに転送することができる。
【0048】
ストレージキャパシタCSTは、高電源電圧(ELVDD)に連結された第1電極、及び駆動トランジスタDTのゲート電極に連結された第2電極を有することができる。ストレージキャパシタCSTは、スイッチングトランジスタSTを通じて転送されたデータ信号(DATA)の電圧を格納することができる。
【0049】
駆動トランジスタDTは、高電源電圧(ELVDD)に連結された第1電極、有機発光ダイオードOLEDに連結された第2電極、及びストレージキャパシタCSTに連結されたゲート電極を有することができる。駆動トランジスタDTは、ストレージキャパシタCSTに格納されたデータ信号(DATA)によってターンオン、またはターンオフできる。有機発光ダイオードOLEDは、駆動トランジスタDTに連結されたアノード電極、及び低電源電圧(ELVSS)に連結されたカソード電極を有することができる。
【0050】
有機発光ダイオードOLEDは、駆動トランジスタDTがターンオンされる間、高電源電圧(ELVDD)から低電源電圧(ELVSS)に流れる電流によって発光することができる。
【0051】
画素ピクセルのこのような単純な構造、即ち2つのトランジスタST、DT、及び1つのキャパシタCSTを有する2T1C構造は、ディスプレイ装置の大型化に適した性質を持つ。
【0052】
図7は、
図2の電界発光ディスプレイ装置に含まれるディスプレイパネルの垂直構造を説明するための断面図である。
【0053】
図7には、
図6におけるピクセルの構成要素のうち、駆動トランジスタDTと有機発光ダイオードOLEDが例示的に示されている。
図7を参照すると、ディスプレイパネル500は、基板501、バッファ層505、アクティブパターン510、ゲート絶縁層530、ゲート電極535、第1層間絶縁膜540、金属層550に形成される連結パターン551、552、第2層間絶縁膜555、アノード電極560、ピクセル定義膜565、有機発光層570、及びカソード電極575を含むことができる。
【0054】
ガラス、透明プラスチック、透明セラミックなどの透明絶縁物質で構成できる基板501の上にバッファ層505が形成され、バッファ層505の上にアクティブパターン510を形成することができる。アクティブパターン510は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、プリンティング工程、スプレー工程、真空蒸着工程、原子層積層工程、ゾル−ゲル工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程などを用いて形成できる。アクティブパターン510は、ソース−ドレイン領域515、520、及びゲート電極535の下部に位置するチャンネル領域525を含むことができる。
【0055】
アクティブパターン510が形成された後、アクティブパターン510をカバーするゲート絶縁層530が形成できる。ゲート絶縁層530は、化学気相蒸着工程、熱酸化工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、高密度プラズマ−化学気相蒸着工程などを用いて形成できる。ゲート絶縁層530は、アクティブパターン510を十分にカバーするように相対的に厚く形成できる。
【0056】
ゲート絶縁層530の上には、ゲート電極535が形成できる。ゲート電極535は、スパッタリング工程、スプレー工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、真空蒸着工程、プリンティング工程などにより形成できる。
【0057】
ゲート電極535が形成された後、アクティブパターン510は不純物によりドーピングできる。ソース−ドレイン領域515、520には不純物がドーピングされ、ゲート電極535の下部に位置するチャンネル領域525には不純物がドーピングされないことがある。その結果、ソース−ドレイン領域515、520は導体として動作することができ、ゲート電極535の下部に位置するチャンネル領域525は駆動トランジスタDTのチャンネルとして動作することができる。
【0058】
ゲート絶縁層530の上には、ゲート電極535を覆う第1層間絶縁膜540が形成できる。第1層間絶縁膜540は、ゲート電極535を十分にカバーするように相対的に厚く形成できる。この場合、第1層間絶縁膜540は実質的に平坦な上面を有することができ、このような第1層間絶縁膜540の平坦な上面を具現するために、第1層間絶縁膜540に対して平坦化工程が追加的に遂行できる。
【0059】
第1層間絶縁膜540を部分的にエッチングして、アクティブパターン510のソース−ドレイン領域515、520を各々露出させるコンタクトホールを形成することができる。次に、コンタクトホールを通じた金属層550の内に連結パターン551、552を形成することができる。
【0060】
第1層間絶縁膜540の上には、連結パターン551、552を覆う第2層間絶縁膜555が形成できる。第2層間絶縁膜555は、連結パターン551、552を十分にカバーするように相対的に厚く形成できる。この場合、第2層間絶縁膜555は実質的に平坦な上面を有することができ、このような第2層間絶縁膜555の平坦な上面を具現するために、第2層間絶縁膜555に対して平坦化工程が追加的に遂行できる。
【0061】
第2層間絶縁膜555を部分的にエッチングして、連結パターン551の一部を露出させるコンタクトホールを形成することができる。次に、コンタクトホールを通じた第2層間絶縁膜555の上にアノード電極560を形成することができる。アノード電極560は、第2層間絶縁膜555の一部の上に形成できる。
【0062】
第2層間絶縁膜555の上には第1電極560を覆うピクセル定義膜565が形成できる。ピクセル定義膜565は、アノード電極560を十分にカバーするように相対的に厚く形成できる。
【0063】
ピクセル定義膜565は、第1電極560の一部に開口部を形成することができ、開口部には有機発光層570が形成できる。即ち、有機発光層570はピクセル定義膜565の開口部を通じて露出するアノード電極560の上に配置できる。
【0064】
最後に、ピクセル定義膜565、及び有機発光層570の上には、カソード電極575が形成できる。カソード電極575は、ピクセルが形成されるアクティブ領域の全体を覆うように形成される。このように、アクティブ領域の全体を覆うカソード電極575の少なくとも1つの地点に対してオーミック降下が発生した低電源電圧(ELVSS)のフィードバック電圧(VFB)をサンプリングできる。
【0065】
図6及び7を参照して説明したピクセルの構造は、本発明の実施形態を説明するための例示的なものであり、ピクセルの構造は多様に変更できる。
【0066】
図8は、本発明の一実施形態に係るオーミック降下検出のためのフィードバック電圧を提供する方法を説明するための図である。
【0067】
図8を参照すると、前述した少なくとも1つのフィードバック電圧(VFB)は、ディスプレイパネルのカソード電極(CE)の上の複数の検出ポイント(FP1〜FP10)に各々連結された複数の伝導ライン(LN1〜LN10)を通じて、
図2のアナログ−ディジタルコンバータ50に提供される複数のフィードバック電圧(VFB1〜VFB10)を含むことができる。この場合、
図9を参照して後述するように、前述した低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)は、複数のフィードバック電圧(VFB1〜VFB10)のうち、最大フィードバック電圧とディスプレイパネルに印加される低電源電圧(ELVSS)との差に相当することができる。最大フィードバック電圧は、低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下が最も激しく発生した検出ポイントでサンプリングされたフィードバック電圧に該当する。
【0068】
図8に示すように、低電源電圧(ELVSS)が、下部に形成されたリード線(IL1、IL2)に連結されたパワーポイント(PP1、PP2)を通じて供給される場合、ディスプレイパネルの中央上部、即ちカソード電極(CE)の中央上部領域(DRG)に低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下が最も激しく発生する。このように、オーミック降下が最も激しく発生すると予測される検出ポイント(FP6)から、1つのフィードバック電圧(VFB6)のみをサンプリングすることもできる。
【0069】
図9は、
図4の適応的電圧コントローラに含まれるオーミック降下検出部の一実施形態を示すブロック図である。
【0070】
図9を参照すると、オーミック降下検出部200は、最大フィードバック電圧抽出ユニット210、第1計算ユニット220、第2計算ユニット230、及び第3計算ユニット240を含むことができる。
【0071】
最大フィードバック電圧抽出ユニット210は、複数のフィードバック電圧(VFB1〜VFBk)に各々相当する複数のディジタルフィードバック信号(DG_VFB1〜DG_VFBk)に基づいて、フィードバック電圧(VFB1〜VFBk)のうち、最大フィードバック電圧(VMAX)を抽出して提供する。最大フィードバック電圧(VMAX)は、低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下が最も激しく発生した検出ポイントでサンプリングされた低電源電圧(ELVSS)のフィードバック電圧に該当する。
【0072】
第1計算ユニット220は、最大フィードバック電圧(VMAX)及び電圧制御信号(DG_ELVSS)に基づいて、測定オーミック降下(MIRD)を提供する。前述したように、電圧制御信号(DG_ELVSS)は、
図2の電圧コンバータ30が発生する低電源電圧(ELVSS)の電圧レベルに関する情報を含み、第1計算ユニット220は電圧制御信号(DG_ELVSS)に基づいてディスプレイパネルに印加される低電源電圧(ELVSS)の電圧レベルを計算することができる。結果的に、第1計算ユニット220は最大フィードバック電圧(VMAX)と低電源電圧(ELVSS)との電圧レベルの差を測定オーミック降下(MIRD)として提供することができる。
【0073】
第2計算ユニット230は、第1目標電圧信号(DG_TGV1)に基づいて、最大オーミック降下(IRD_MAX)を提供することができる。最大オーミック降下(IRD_MAX)は、全てのピクセルデータが最大階調を有する場合、即ち全てのピクセルに対して駆動電流が最大となる場合のオーミック降下(IRD)に該当する。即ち、最大オーミック降下(IRD_MAX)は、
図3を参照して説明した最大オーミック降下マージン(IRM_MAX)と同一でありうる。
図5を参照して説明したように、第1目標電圧信号(DG_TGV1)は、入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調に関する情報を含む。第2計算ユニット230は、第1目標電圧信号(DG_TGV1)に相当する最大階調を抽出し、抽出された最大階調に基づいて最大オーミック降下(IRD_MAX)を計算することができる。
【0074】
第3計算ユニット240は、測定オーミック降下(MIRD)及び最大オーミック降下(IRD_MAX)に基づいて、測定オーミック降下マージン(MIRM)を提供することができる。例えば、第3計算ユニット240は最大オーミック降下(IRD_MAX)と測定オーミック降下(MIRD)との差を、測定オーミック降下マージン(MIRM)として提供することができる。
図3を参照して説明したように、測定オーミック降下(MIRD)が増加するほど測定オーミック降下マージン(MIRM)が減少できる。
【0075】
図10は、最大階調及びオーミック降下に従う目標電圧の変化を示す図である。
【0076】
図10で、横軸は8ビットのピクセルデータで構成された入力映像データの最大階調を示し、縦軸は低電源電圧(ELVSS)の目標電圧を示す。
図10には前述した第1目標電圧(TGV1)が「×」で表示されており、第2目標電圧(TGV2)は点で表示されている。
【0077】
図10を参照すると、第1目標電圧(TGV1)は、基準電圧(VREF)(例えば、−4V)より階調マージン(GSM)だけ増加した電圧であり、第2目標電圧(TGV2)は基準電圧(VREF)より階調マージン(GSM)とオーミック降下マージン(IRM)との和だけ増加した電圧である。
【0078】
図10に示すように、階調マージン(GSM)は入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調が増加するほど減少できる。
図10には、便宜上、オーミック降下マージン(IRM)が最大オーミック降下マージン(IRM_MAX)の場合を示している。最大オーミック降下マージン(IRM_MAX)は、オーミック降下(IRD)が0の場合に相当する。オーミック降下マージン(IRM)は、低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)が増加するほど減少できる。フィードバック電圧を用いて実際に測定される測定オーミック降下(MIRD)は0より大きい値を有し、第2目標電圧(TGV2)は、
図10に図示されたものより低くなることがある。
【0079】
イメージの輝度分析に基づき、電源電圧を制御して消費電力を減少することも可能であるが、イメージの輝度分析のみに依存する場合、色相別の輝度比と消費電流比との不一致により、ユーザが認識する画質が劣化する可能性がある。また、イメージによって変化するオーミック降下の分布予測が困難なため、充分な駆動電圧を確保しなければならず、消費電力の改善効果が減少する。本発明の実施形態では、イメージに従う階調マージン(GSM)に加えて、実際に測定されるオーミック降下マージン(IRM)を追加的に反映することにより画質の劣化を最小化し、かつ消費電力を効率的に減少することができる。
【0080】
図11は、
図4の適応的電圧コントローラに含まれる制御信号発生部の一実施形態を示すブロック図であり、
図12は、
図11の制御信号発生部の動作を説明するための図である。
【0081】
図11を参照すると、制御信号発生部400は、減算部411、加算部412、第1比較器413、第2比較器414、出力部415、及びバッファ(BUFF)416を含むことができる。
【0082】
バッファ416は、1つのフレーム周期の間、電圧制御信号(DG_ELVSS)をバッファリングして前フレームの電圧制御信号(DG_PRE)を出力することができる。減算部411は、前フレームの電圧制御信号(DG_PRE)に相当する低電源電圧(ELVSS)から第1電圧(V1)を減少した電圧(ELVSS−V1)に相当する出力を提供することができる。加算部412は、前フレームの電圧制御信号(DG_PRE)に相当する低電源電圧(ELVSS)から第2電圧(V2)を増加した電圧(ELVSS+V2)に相当する出力を提供することができる。
【0083】
第1比較器413は、第2目標電圧信号(DG_TGV2)と減算部411の出力を比較してダウン信号(DN)を出力する。第1比較器413は、第2目標電圧信号(DG_TGV2)が減算部411の出力より小さい場合には、ダウン信号(DN)を論理ハイレベルに活性化し、第2目標電圧信号(DG_TGV2)が減算部411の出力より大きい場合には、ダウン信号(DN)を論理ローレベルに不活性化することができる。結果的に、
図12に示すように、第2目標電圧(TGV2)が第1範囲(RG1)及び第2範囲(RG2)に該当する場合には、ダウン信号(DN)が論理ローレベル(L)に不活性化され、第2目標電圧(TGV2)が第3範囲(RG3)に該当する場合には、ダウン信号(DN)が論理ハイレベル(H)に活性化できる。
【0084】
第2比較器414は、第2目標電圧信号(DG_TGV2)と加算部412の出力を比較してアップ信号(UP)を出力する。第2比較器414は、第2目標電圧信号(DG_TGV2)が加算部412の出力より大きい場合には、アップ信号(UP)を論理ハイレベルに活性化し、第2目標電圧信号(DG_TGV2)が加算部412の出力より小さい場合には、アップ信号(UP)を論理ローレベルに不活性化することができる。結果的に、
図12に示すように、第2目標電圧(TGV2)が第1範囲(RG1)に該当する場合には、アップ信号(UP)が論理ハイレベル(H)に活性化され、第2目標電圧(TGV2)が第2範囲(RG2)及び第3範囲(RG3)に該当する場合には、アップ信号(UP)が論理ローレベル(L)に不活性化できる。
【0085】
出力部415は、ダウン信号(DN)が活性化された場合、即ち第2目標電圧(TGV2)が第3範囲(RGR3)に該当する場合には、低電源電圧(ELVSS)が減少するように電圧制御信号(DG_ELVSS)を調節することができる。出力部415は、アップ信号(UP)が活性化された場合、即ち第2目標電圧(TGV2)が第1範囲(RG1)に該当する場合には、低電源電圧(ELVSS)が増加するように電圧制御信号(DG_ELVSS)を調節することができる。出力部415は、ダウン信号(DN)とアップ信号(UP)が全て不活性化された場合、即ち第2目標電圧(TGV2)が第2範囲(RG2)に該当する場合には、電圧制御信号(DG_ELVSS)を変更せず、低電源電圧(ELVSS)をそのまま維持することができる。
【0086】
図13は、
図11の制御信号発生部を用いた低電源電圧の制御を示すタイミング図である。
【0087】
図11及び13を参照すると、制御信号発生部400は、低電源電圧(ELVSS)が第2目標電圧に従って順次に増加または減少するように電圧制御信号(DG_ELVSS)を調節することができる。
【0088】
低電源電圧(ELVSS)が第2目標電圧(TGVa)より大きい時間t1までの区間では、ダウン信号(DN)が活性化されるため、制御信号発生部400は、活性化されたダウン信号(DN)に応答して低電源電圧(ELVSS)がフレーム周期(tFR)毎に第1電圧間隔(VD)ずつ順次に減少するように電圧制御信号(DG_ELVSS)を調節することができる。
【0089】
低電源電圧(ELVSS)が目標電圧(TGVb)より小さい時間t2以後の区間では、アップ信号(UP)が活性化されるため、制御信号発生部400は、活性化されたアップ信号(UP)に応答して低電源電圧(ELVSS)がフレーム周期(tFR)毎に第2電圧間隔(VU)ずつ順次に増加するように電圧制御信号(DG_ELVSS)を調節することができる。
【0090】
また、
図13に示すように、本発明の一実施形態では、第1電圧間隔(VD)を、第2電圧間隔(VU)より大きく設定することもできる。即ち、低電源電圧(ELVSS)を低めた場合、相対的に速い速度で第2目標電圧(TGVa)に到達し、低電源電圧(ELVSS)を高めた場合、相対的に速い速度で目標電圧(TGVb)に到達できる。表示されるイメージの輝度が増加する場合には、低電源電圧を速かに低めることによって、即ち駆動電圧を速かに増加させることによって、ユーザが認識するイメージの品質劣化を防止することができる。
【0091】
図14は、
図2の電界発光ディスプレイ装置に含まれる適応的電圧コントローラの一実施形態を示すブロック図である。
【0092】
図14を参照すると、適応的電圧コントローラ21は、第1電圧計算部101、オーミック降下検出部201、オーミック降下計算部202、第2電圧計算部301、及び制御信号発生部401を含む。
【0093】
第1電圧計算部101は、入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調によって変化する第1目標電圧(TGV1)を示す、第1目標電圧信号(DG_TGV1)を発生させる。第1目標電圧(TGV1)は、アナログ値であり、第1目標電圧信号(DG_TGV1)はアナログ値に相当するディジタル値でありうる。
【0094】
オーミック降下検出部201は、ディジタルフィードバック信号(DG_VFB)に応じた降下マージン(MIRM)を提供する。降下マージン(MIRM)は、低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)によって変化する。
【0095】
オーミック降下計算部202は、入力映像データ(RGB_DATA)に応じた計算オーミック降下マージン(CIRM)を提供する。計算オーミック降下マージン(CIRM)は、入力映像データ(RGB_DATA)の平均階調によって変化する
【0096】
第2電圧計算部301は、第1目標電圧信号(DG_TGV1)、測定オーミック降下マージン(MIRM)、及び計算オーミック降下マージン(CIRM)に基づく第2目標電圧(TGV2)を示す第2目標電圧信号(DG_TGV2)を発生させる。第2目標電圧(TGV2)は、第1目標電圧(TGV1)より、測定オーミック降下マージン(MIRM)と計算オーミック降下マージン(CIRM)のうち、より小さいマージン分だけ増加した値、でありうる。第2目標電圧(TGV2)はアナログ値であり、第2目標電圧信号(DG_TGV2)は、アナログ値に相当するディジタル値でありうる。
【0097】
制御信号発生部401は、第2目標電圧信号(DG_TGV2)に基づいて電圧制御信号(DG_ELVSS)を発生させる。前述したように、制御信号発生部400は、低電源電圧(ELVSS)が第2目標電圧(TGV2)を追従するように電圧制御信号(DG_ELVSS)を調節することができる。
【0098】
図15は、
図14の適応的電圧コントローラに含まれるオーミック降下計算部の一実施形態を示すブロック図である。
【0099】
図15を参照すると、オーミック降下計算部202は、平均階調計算ユニット250、第1計算ユニット260、及び第2計算ユニット270を含むことができる。前述した入力映像データ(RGB_DATA)は、赤色データ(R_DATA)、緑色データ(G_DATA)、及び青色データ(B_DATA)を含み、オーミック降下計算部202は、赤色データ(R_DATA)、緑色データ(G_DATA)、及び青色データ(B_DATA)の平均階調(RAVR、GAVR、BAVR)を計算して計算オーミック降下マージン(CIRM)を決定することができる。
【0100】
平均階調計算ユニット250は、入力映像データ(RGB_DATA)に含まれる赤色データ(R_DATA)、緑色データ(G_DATA)、及び青色データ(B_DATA)の平均階調(RAVR、GAVR、BAVR)を計算することができる。平均階調計算ユニット250は、赤色平均階調計算ユニット251、緑色平均階調計算ユニット252、及び青色平均階調計算ユニット253を含むことができる。赤色平均階調計算ユニット251は、赤色データ(R_DATA)の入力を順次に受けて、フレーム毎の平均値を計算し、赤色平均階調(RAVR)を提供することができる。緑色平均階調計算ユニット252は、緑色データ(G_DATA)の入力を順次に受けて、フレーム毎の平均値を計算し、緑色平均階調(GAVR)を提供することができる。青色平均階調計算ユニット253は、青色データ(B_DATA)の入力を順次に受けて、フレーム毎の平均値を計算し、青色平均階調(BAVR)を提供することができる。
【0101】
第1計算ユニット260は、平均階調(RAVR、GAVR、BAVR)に基づいて計算オーミック降下(CIRD)を提供することができる。例えば、第1計算ユニットは次の数式により計算オーミック降下(CIRD)を提供することができる。
【0102】
CIRD=Kr×RAVR+Kg×GAVR+Kb×BAVR
【0103】
上記の数式で、Kr、Kg、Krは各々、赤色ピクセル、緑色ピクセル、青色ピクセルの電圧−電流特性によって決定される比例定数である。
【0104】
第2計算ユニット270は、計算オーミック降下(CIRD)及び最大オーミック降下(IRD_MAX)に基づいて、測定オーミック降下マージン(CIRM)を提供することができる。最大オーミック降下(IRD_MAX)は、
図9を参照して説明した通りである。例えば、第2計算ユニット270は、最大オーミック降下(IRD_MAX)と計算オーミック降下(CIRD)との差を計算オーミック降下マージン(CIRM)として提供することができる。
図3を参照して説明したように、計算オーミック降下(CIRD)が増加するほど計算オーミック降下マージン(CIRM)が減少できる。
【0105】
図16及び
図17は、本発明の実施形態に従ってフレーム単位で低電源電圧を制御する電界発光ディスプレイ装置を示す図である。
【0106】
図16を参照すると、電界発光ディスプレイ装置11は、適応的電圧コントローラ(AVC)21、電圧コンバータ(VCON)31、ディスプレイパネル41、及びデータドライバ(DDRV)61を含むことができる。
【0107】
入力映像データ(RGB_DATA)は、フレーム単位でビットストリームとしてデータドライバ61に提供され、データドライバ61は受信されたデータに基づいてリアルタイムにディスプレイパネルを駆動する。例えば、データドライバ61は、1つの行に対するデータの受信が完了したとき、相当する行のピクセルに対する駆動を直ぐに開始することができる。一方、適応的電圧コントローラ21は、フレーム単位で入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調と平均階調の両方、またはいずれか一方を算出しなければならないため、1つのフレームに対するデータの受信が完了しなければ、電圧制御信号(DG_ELVSS)の値を決定することができない。結果的に、適応的電圧コントローラ21は、ディスプレイパネル41がN番目(Nは、2以上の整数)のフレームデータの映像を表示する間に、N−1番目フレームデータに基づいて決定された電圧制御信号(DG_ELVSS)を発生させることができる。
【0108】
図17を参照すると、電界発光ディスプレイ装置12は、適応的電圧コントローラ(AVC)22、電圧コンバータ(VCON)32、ディスプレイパネル42、データドライバ(DDRV)62、及びフレームメモリ72を含むことができる。
【0109】
フレームメモリ72は、入力映像データ(RGB_DATA)をフレーム単位で格納し、1つのフレーム周期の後にバッファリングされたデータを、データドライバ62に提供することができる。即ち、フレームメモリ72はM+1番目(Mは、1以上の整数)のフレームデータを受信する間に、M番目フレームデータを出力することができる。結果的に、適応的電圧コントローラ22は、ディスプレイパネル42がM番目フレームデータの映像をディスプレイする間に、M番目フレームデータに基づいて決定された電圧制御信号(DG_ELVSS)を発生させることができる。
【0110】
図18は、本発明の実施形態に係る電界発光ディスプレイ装置を示すブロック図である。
【0111】
図18を参照すると、電界発光ディスプレイ装置15は、データ補正ユニット95、適応的電圧コントローラ25、電圧コンバータ35、ディスプレイパネル45、及びアナログ−ディジタルコンバータ55を含む。
【0112】
図2の電界発光ディスプレイ装置10と比較して、
図18の電界発光ディスプレイ装置15は、入力映像データ(RGB_DATA)の階調を補正して補正映像データ(RGB_CORR)を提供するデータ補正ユニット95をさらに含む。適応的電圧コントローラ25は、入力映像データ(RGB_DATA)の代わりに補正映像データ(RGB_CORR)に基づいて電圧制御信号(DG_ELVSS)を発生させる。
【0113】
図19A及び19Bは、
図18の電界発光ディスプレイ装置に含まれるデータ補正ユニットによるデータ補正方法の例を説明するための図である。
【0114】
図19A及び
図19Bにおいて、横軸は入力映像データ(RGB_DATA)の階調を示し、縦軸は補正映像データ(RGB_CORR)の階調を示す。例えば、入力映像データ(RGB_DATA)及び補正映像データ(RGB_CORR)は8ビットのピクセルデータで表現できる。
【0115】
図19Aを参照すると、データ補正ユニット95は、入力映像データ(RGB_DATA)の全ての階調を一定の値(dG1)だけ減少させて、補正映像データ(RGB_CORR)を提供することができる。この場合、G1以下の階調は全て0に変更できる。
図19Bを参照すると、データ補正ユニット95は、入力映像データ(RGB_DATA)の全ての階調を一定の割合(dG2/255)で減少させて、補正映像データ(RGB_CORR)を提供することができる。このように、低電源電圧(ELVSS)を制御する以前に、先に階調を補正することによって、消費電力をより減少することができる。
【0116】
図20は、本発明の実施形態に係る電界発光ディスプレイ装置を示すブロック図である。
【0117】
図20に示されたディスプレイ装置600、またはディスプレイモジュールは、電子と正孔との再結合により光を発生する発光ダイオード、または有機発光ダイオードを含む電界発光ディスプレイ装置でありうる。
【0118】
ディスプレイ装置600は、複数のピクセル(PX)を含むディスプレイパネル610、スキャンドライバ(SDRV)620、データドライバ(DDRV)630、タイミングコントローラ650、ディスプレイ装置600に電源及び電圧信号を提供する電圧供給部(VP)660、アナログ−ディジタルコンバータ(ADC)、及び適応的電圧コントローラ(AVC)を含むことができる。
【0119】
ピクセル(PX)は、複数の行制御ライン(SL1〜SLn)及び複数のデータライン(DL1〜DLm)の交差部毎に配置できる。それぞれのピクセル(PX)は行方向に配列されたR(red)サブピクセル、G(green)サブピクセル、及びB(blue)サブピクセルを含むことができる。この場合、
図20に示されたデータライン(DL1〜DLm)の各々は3個のRGBサブピクセルを各々駆動するための3個の信号ラインを含むことができる。
【0120】
ピクセル(PX)は、電圧供給部660から正の電圧レベルを有する高電源電圧(ELVDD)及び負の電圧レベルを有する低電源電圧(ELVSS)の供給を受ける。スキャンドライバ620は、
図6に示すようなスキャン信号(SCAN)を、行制御ライン(SL1〜SLn)を通じて行単位でピクセル(PX)に提供し、データドライバ630は、
図6に示すようなデータ信号(DATA)を、複数のデータライン(DL1〜DLm)を通じて列単位でピクセル(PX)に提供する。
【0121】
タイミングコントローラ650は、外部から伝達される複数の映像信号(R、G、B)を複数の映像データ信号(DR、DG、DB)に変換してデータドライバ630に伝達する。また、タイミングコントローラ650は、垂直同期信号(Vsync)、水平同期信号(Hsync)、及びクロック信号(MCLK)を外部から受信し、スキャンドライバ620及びデータドライバ630を制御するための信号を生成して各々に伝達する。即ち、タイミングコントローラ650は、スキャンドライバ620を制御するスキャン駆動制御信号(SCS)及びデータドライバ630を制御するデータ駆動制御信号(DCS)を各々生成して伝達する。それぞれのピクセル(PX)は、データライン(DL1〜DLm)を通じて伝達されるデータ信号によって発光素子(LED)に供給される駆動電流に相当する輝度の光を発光する。
【0122】
アナログ−ディジタルコンバータ(ADC)は、低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)を検出するためにディスプレイパネル610から提供される、フィードバック電圧(VFB)の少なくとも1つを変換して、ディジタルフィードバック信号(DG_VFB)を発生させる。フィードバック電圧(VFB)は、ディスプレイパネル610の1つの地点でサンプリングされた1つのアナログ電圧、または複数の地点でサンプリングされた複数のアナログ電圧でありうる。フィードバック電圧(VFB)のサンプリングについては、
図8を参照して前述した通りである。
【0123】
適応的電圧コントローラ(AVC)は、入力映像データ(RGB_DATA)及びディジタルフィードバック信号(DG_VFB)に基づいて、電圧制御信号(DG_ELVSS)を発生させる。電圧制御信号(DG_ELVSS)は、入力映像データ(RGB_DATA)の分布及び低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)によって変化する。本発明の一実施形態において、
図3を参照して前述したように、入力映像データ(RGB_DATA)の分布は、入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調を含むことができる。また、
図14を参照して前述したように、入力映像データ(RGB_DATA)の分布は、入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調及び平均階調を含むことができる。
【0124】
電圧供給部660は、高電源電圧(ELVDD)を発生する第1電圧コンバータ(VCON1)、及び低電源電圧(ELVSS)を発生する第2電圧コンバータ(VCON2)を含むことができる。電圧制御信号(DG_ELVSS)は、第2電圧コンバータ(VCON2)に提供され、第2電圧コンバータ(VCON2)は、電圧制御信号(DG_ELVSS)に相当する電圧レベルを有する低電源電圧(ELVSS)を発生する。
【0125】
図20に示すように、適応的電圧コントローラ(AVC)は、タイミングコントローラ650に含まれることができる。適応的電圧コントローラ(AVC)は、ソフトウェア若しくはハードウェア、またはソフトウェアとハードウェアとの組み合わせで具現できる。適応的電圧コントローラ(AVC)の少なくとも一部の構成要素は、プロセッサにより読取可能なプログラムコードの形態に具現できる。
【0126】
図21は、最大階調及びオーミック降下に従う駆動電圧の変化を示す図である。
【0127】
図21で、横軸は8ビットのピクセルデータで構成された入力映像データの最大階調を示し、縦軸は駆動電圧(VEL)を示す。駆動電圧(VEL)は高電源電圧(ELVDD)と低電源電圧(ELVSS)との差(ELVDD−ELVSS)に該当する。
図21には前述した階調マージン(GSM)を反映した駆動電圧が「×」で示されており、階調電圧(GSM)及びオーミック降下マージン(IRM)を全て反映した駆動電圧は点で示されている。
【0128】
図21を参照すると、階調マージン(GSM)を伴う駆動電圧は、基準駆動電圧(例えば、9V)より階調マージン(GSM)だけ減少した電圧であり、階調マージン(GSM)とオーミック降下マージン(IRM)を伴う駆動電圧は、基準駆動電圧より階調マージン(GSM)とオーミック降下マージン(IRM)の和だけ減少した電圧である。
【0129】
図21に示すように、階調マージン(GSM)は、入力映像データ(RGB_DATA)の最大階調が増加するほど減少できる。また、オーミック降下マージン(IRM)は、低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)が増加するほど減少できる。
【0130】
また、イメージの輝度分析に基づく電源電圧の制御により、消費電力を削減することができる。しかしながら、イメージの輝度分析のみに依存する場合、色相別の輝度比と消費電流比との不一致により、ユーザが認識する画質が劣化する可能性がある。また、イメージによって変化するオーミック降下の分布予測が困難であるため、充分な駆動電圧を確保する必要があり、消費電力の改善効果が減少する。本発明の実施形態では、イメージに従う階調マージン(GSM)に加えて実際に測定されるオーミック降下マージン(IRM)を追加的に反映することによって、画質の劣化を最小化し、かつ消費電力を効率的に削減することができる。
【0131】
図22は、本発明の実施形態に係るモバイル装置を示すブロック図である。
【0132】
図22を参照すると、モバイル装置700は、システムオンチップ710及び複数の機能モジュール740、750、760、770を含む。モバイル装置700は、メモリ装置720、格納装置730、及び電力管理装置780をさらに含むことができる。
【0133】
システムオンチップ710は、モバイル装置700の全般的な動作を制御することができる。言い換えると、システムオンチップ710は、メモリ装置720、格納装置730、及び複数の機能モジュール740、750、760、770を制御することができる。例えば、システムオンチップ710は、モバイル装置700に備えられるアプリケーションプロセッサ(Application Processor;AP)でありうる。
【0134】
システムオンチップ710は、中央処理ユニット712及び電力管理システム714を含むことができる。メモリ装置720及び格納装置730は、モバイル装置700の動作に必要とされるデータを格納することができる。例えば、メモリ装置720は、DRAM(dynamic random access memory)装置、SRAM(static random access memory)装置、モバイルDRAM装置などの揮発性メモリ装置に相当することができ、格納装置730は、EPROM(erasable programmable read−only memory)装置、EEPROM(electrically erasable programmable read−only memory)装置、フラッシュメモリ(flash memory)装置、PRAM(phase change random access memory)装置、RRAM(resistance random access memory)(登録商標)装置、NFGM(nano floating gate memory)装置、PoRAM(polymer random access memory)装置、MRAM(magnetic random access memory)装置、FRAM(ferroelectric random access memory)(登録商標)装置などの不揮発性メモリ装置に相当することができる。本発明の実施形態では、格納装置730は、ソリッドステートドライブ(solid state drive;SSD)、ハードディスクドライブ(harddisk drive;HDD)、CD−ROMなどをさらに含むこともできる。
【0135】
複数の機能モジュール740、750、760、770は、モバイル装置700の多様な機能を各々遂行することができる。例えば、モバイル装置700は、通信機能を遂行するための通信モジュール740(例えば、CDMA(code division multiple access)モジュール、LTE(long term evolution)モジュール、RF(radio frequency)モジュール、UWB(ultra wideband)モジュール、WLAN(wireless local area network)モジュール、WIMAX(worldwide interoperability for microwave access)モジュールなど)、カメラ機能を遂行するためのカメラモジュール750、表示機能を遂行するためのディスプレイモジュール760、タッチ入力機能を遂行するためのタッチパネルモジュール770などを含むことができる。本発明の実施形態では、モバイル装置700は、GPS(global positioning system)モジュール、マイクモジュール、スピーカーモジュール、ジャイロスコープ(gyroscope)モジュールなどをさらに含むことができる。但し、モバイル装置700に備えられる複数の機能モジュール740、750、760、770の種類はそれに限定されないことは自明である。
【0136】
電力管理装置780は、システムオンチップ710、メモリ装置720、格納装置730、及び複数の機能モジュール740、750、760、770に各々駆動電圧を提供することができる。
【0137】
本発明の実施形態では、ディスプレイモジュール760は、前述したようなアナログ−ディジタルコンバータ(ADC)及び適応的電圧コントローラ(ADC)を含む。アナログ−ディジタルコンバータ(ADC)は、低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)を検出するためにディスプレイパネルから提供されるフィードバック電圧(VFB)の少なくとも1つを変換して、ディジタルフィードバック信号(DG_VFB)を発生させる。適応的電圧コントローラ(ADC)は、入力映像データ(RGB_DATA)及びディジタルフィードバック信号(DG_VFB)に基づいて、電圧制御信号(DG_ELVSS)を発生させる。電圧制御信号(DG_ELVSS)は、入力映像データ(RGB_DATA)の分布及び低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)によって変化する。本発明の実施形態では、フィードバック電圧を用いて低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)を検出し、検出されたオーミック降下(IRD)に基づいてオーミック降下マージン(IRM)を反映するように低電源電圧(ELVSS)を制御することによって、画質の劣化を最小化し、かつ消費電力を効率的に削減することができる。
【0138】
図23は、
図22のモバイル装置で使われるインターフェースの一例を示すブロック図である。
【0139】
図23を参照すると、モバイル装置800は、システムオンチップ802、及び複数のインターフェース811、812、813、814、815、816、817、818、819、820、821、822、823を含む。本発明の実施形態では、モバイル装置800は、携帯電話(Mobile Phone)、スマートフォン(Smart Phone)、個人情報端末機(Personal Digital Assistant;PDA)、携帯型マルチメディアプレーヤー(Portable Multimedia Player;PMP)、ディジタルカメラ(Digital Camera)、音楽再生機(Music Player)、携帯用ゲームコンソール(Portable Game Console)、ナビゲーション(Navigation)システムなどの任意のモバイルシステムで具現できる。
【0140】
システムオンチップ802は、モバイル装置800の全般的な動作を制御することができる。例えば、システムオンチップ802は、モバイル装置800に備えられるアプリケーションプロセッサ(Application Processor;AP)でありうる。
【0141】
システムオンチップ802は、複数のインターフェース811〜823の各々を介して多数の周辺装置と通信することができる。例えば、複数のインターフェース811〜823の各々は、各電力領域に具現された多数の構成要素のうち、相当する構成要素から出力された少なくとも1つの制御信号を多数の周辺装置に転送することができる。
【0142】
例えば、システムオンチップ802は、各ディスプレイインターフェース811、812を介して各平板ディスプレイ装置(flat panel display)の電力状態と動作状態を制御することができる。平板ディスプレイ装置は、LCDディスプレイ、LEDディスプレイ、OLEDディスプレイ、またはAMOLED(Active Matrix Organic Light−Emitting Diode)ディスプレイを含むことができる。
【0143】
システムオンチップ802は、カムコーダインターフェース813を介してカムコーダの電力状態と動作状態を制御することができ、TVインターフェース814を介してTVモジュールの電力状態と動作状態を制御することができ、イメージセンサーインターフェース815を介してカメラモジュールまたはイメージセンサーモジュールの電力状態と動作状態を制御することができる。
【0144】
システムオンチップ802は、GPSインターフェース816を介してGPSモジュールの電力状態と動作状態を制御することができ、UWBインターフェース817を介してUWBモジュールの電力状態と動作状態を制御することができ、USBドライブインターフェース818を介してUSBドライブの電力状態と動作状態を制御することができる。
【0145】
システムオンチップ802は、DRAMインターフェース(dynamic random access memory interface)819を介してDRAMの電力状態と動作状態を制御することができ、不揮発性メモリインターフェース820、例えばフラッシュメモリインターフェースを介して不揮発性メモリ、例えばフラッシュメモリの電力状態と動作状態を制御することができ、オーディオインターフェース821を介してオーディオモジュールの電力状態と動作状態を制御することができ、MFCインターフェース822を介してMFCの電力状態を制御することができ、MP3プレーヤーインターフェース823を介してMP3プレーヤーの電力状態を制御することができる。ここで、モジュール(module)またはインターフェースは、ハードウェアまたはソフトウェアで具現できる。
【0146】
図24は、本発明の実施形態に係る携帯用端末機を示すブロック図である。
【0147】
図24を参照すると、携帯用端末機1000は、イメージ処理部1100、無線送受信部1200、オーディオ処理部1300、イメージファイル生成部1400、メモリ装置1500、ユーザインターフェース1600、アプリケーションプロセッサ1700、及び電力管理装置1800を含む。
【0148】
イメージ処理部1100は、レンズ1110、イメージセンサー1120、イメージプロセッサ1130、及びディスプレイモジュール1140を含む。無線送受信部1200は、アンテナ1210、トランシーバー1220、及びモデム1230を含む。オーディオ処理部1300は、オーディオプロセッサ1310、マイク1320、及びスピーカー1330を含む。
【0149】
本発明の実施形態では、ディスプレイモジュール1140は、前述したようなアナログ−ディジタルコンバータ(ADC)、及び適応的電圧コントローラ(ADC)を含む。アナログ−ディジタルコンバータ(ADC)は、低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)を検出するためにディスプレイパネルから提供されるフィードバック電圧(VFB)の少なくとも1つを変換して、ディジタルフィードバック信号(DG_VFB)を発生させる。適応的電圧コントローラ(ADC)は、入力映像データ(RGB_DATA)及びディジタルフィードバック信号(DG_VFB)に基づいて、電圧制御信号(DG_ELVSS)を発生させる。電圧制御信号(DG_ELVSS)は、入力映像データ(RGB_DATA)の分布及び低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)によって変化する。本発明の実施形態では、フィードバック電圧を用いて低電源電圧(ELVSS)のオーミック降下(IRD)を検出し、検出されたオーミック降下(IRD)に基づいてオーミック降下マージン(IRM)を反映するように低電源電圧(ELVSS)を制御することによって、画質の劣化を最小化し、かつ消費電力を効率的に削減することができる。
【0150】
携帯用端末機1000は、多様な種類の半導体装置を含むことができ、アプリケーションプロセッサ1700には、低電力性、高性能性が求められる。このため、アプリケーションプロセッサ1700は、工程の微細化によりマルチコアを形成することもある。アプリケーションプロセッサ1700は、中央処理ユニット1702及び電力管理システム1704を含むことができる。
【0151】
電力管理装置780は、イメージ処理部1100、無線送受信部1200、オーディオ処理部1300、イメージファイル生成部1400、メモリ装置1500、ユーザインターフェース1600、及びアプリケーションプロセッサ1700の各々に駆動電圧を提供することができる。
【0152】
<2.まとめ>
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。