【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成28年度、独立行政法人科学技術振興機構、SIP(戦略的イノベーション創造プログラム)「コーティングの環境遮蔽設計及びプロセス技術の開発」「コーティング材の実機システム適用可能性評価」委託研究、産業技術力強化法第19条の適用を受ける特許出願
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記第2層における前記希土類ダイシリケート化合物及び前記希土類モノシリケート化合物の含有割合が、前記希土類ダイシリケート化合物及び前記希土類モノシリケート化合物の合計量を100体積%とした場合に、それぞれ、90体積%以上100体積%未満及び0体積%を超えて10体積%以下である請求項1に記載の積層構造。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本発明の積層構造は、
図1に示されるように、無機化合物を含む基部20の1面側に形成される積層構造10であって、ムライトを含む第1層11と、REを希土類元素とした場合に、RE
2Si
2O
7で表される希土類ダイシリケート化合物及びRE
2SiO
5で表される希土類モノシリケート化合物を含む第2層13とが接合されてなる。そして、第2層は、希土類ダイシリケート化合物を含む母相と、該母相の中に分散された、希土類モノシリケート化合物を含む分散相とからなる。
本発明の積層構造10の第1層11と、基部20とが接合された積層材料1は、特に、酸素、水蒸気等を含む高温ガス環境下で使用される航空機エンジンや発電用タービンにおける高圧タービン部の動翼部品、静翼部品又はシュラウド部品、更には、ロケットエンジンのスラスターや燃焼ガスチューブ等の高温部品の形成に好適である。
【0010】
上記第1層は、ムライトを含む層である。ムライトは、好ましくは、Al
4+2xSi
2−2xO
10−x(0.20≦x≦0.39)で表される化合物であり、0.20≦x≦0.39の範囲における複数の化合物を用いてもよい。本発明においては、積層構造10を含む物品(高温部品)を、1100℃以上の高い温度で、且つ、酸素、水蒸気等を含む雰囲気下で用いた場合に、アルミニウムイオンの、酸素分圧の低い側に位置する第1層の基部側への移動の抑制効果に優れることから、好ましくはAl
4+2xSi
2−2xO
10−x(0.20≦x≦0.34)で表される化合物、より好ましくはAl
4+2xSi
2−2xO
10−x(0.23≦x≦0.30)で表される化合物である。尚、第1層は、化学組成が限定されたムライトのみを含んでよいし、化学組成の異なるムライトどうし(2種以上)を含んでもよい。後者の場合、複数のムライトは、混合状態であってよいし、特定の化学組成を有するムライトの分布を、層の一端側から他端側に向かって傾斜させてもよい。化学組成の異なるムライトを傾斜配置する場合には、第2層の構成材料との熱膨張係数差がより小さくなり、また、上記基部の表面(
図1の下面側)における耐水蒸気揮散性を高められることから、上記基部側から第1層の表面側に向かって、Al/Si比を大きくすることが好ましい。
【0011】
上記第1層の気孔率の上限は、高い温度の酸素を含む雰囲気下における断面方向の酸素遮蔽性及び構造安定性(耐熱性)の観点から、好ましくは10体積%、より好ましくは5体積%である。
【0012】
上記第1層は、ムライトのみからなる層であることが好ましいが、本発明の効果を損なわない範囲において、ムライトと他の化合物とからなる層であってもよい。他の化合物としては、アルミナ等が挙げられる。上記第1層が他の化合物を含む場合、その含有割合の上限は、ムライト及び他の化合物の合計を100体積%とした場合に、好ましくは30体積%、より好ましくは20体積%、更に好ましくは10体積%である。
【0013】
上記第1層の厚さは、特に限定されないが、本発明の効果が確実に得られることから、好ましくは5〜800μm、より好ましくは10〜600μmである。
【0014】
次に、上記第2層は、希土類ダイシリケート化合物を含む母相と、該母相の中に分散された、希土類モノシリケート化合物を含む分散相とを備える層である。
上記希土類ダイシリケート化合物は、RE
2Si
2O
7で表され、また、上記希土類モノシリケート化合物は、RE
2SiO
5で表される。希土類ダイシリケート化合物のRE及び希土類モノシリケート化合物のREは、同一であってよいし、異なってもよいが、REは、いずれも、好ましくはYb、Lu、Sm、Eu、Tm、Y又はGdであり、特に好ましくはYbである。
【0015】
上記母相に含まれる希土類ダイシリケート化合物の種類は、1種のみであってよいし、2種以上であってもよい。本発明の積層構造において、第1層及び第2層は接合されており、これらの界面では、実質的に、第1層に含まれるムライトと、第2層の母相に含まれる希土類ダイシリケートとが接合している。ムライトの熱膨張係数及び希土類ダイシリケートの熱膨張係数の差は微少であるため、本発明の積層構造は、1300℃〜1600℃における断面方向の酸素遮蔽性だけでなく、構造安定性にも優れる。
【0016】
上記分散相に含まれる希土類モノシリケート化合物の種類は、1種のみであってよいし、2種以上であってもよい。また、上記第2層は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、アルミナ、ムライト等の他の物質とからなる分散相を含んでもよい。
【0017】
上記第2層において、希土類モノシリケート化合物を含む分散相の形状及び大きさは、特に限定されない。例えば、断面画像の画像処理により求められる数平均粒子径は、本発明の効果が確実に得られることから、好ましくは0.1〜5.0μm、より好ましくは0.1〜2.0μmである。
【0018】
上記第2層において、上記希土類ダイシリケート化合物及び上記希土類モノシリケート化合物の含有割合は、1300℃〜1600℃、特に、1400℃以上1500℃程度までの温度における酸素遮蔽性及び構造安定性(耐熱性)の観点から、上記希土類ダイシリケート化合物及び上記希土類モノシリケート化合物の合計量を100体積%とした場合に、それぞれ、好ましくは90体積%以上100体積%未満及び0体積%を超えて10体積%以下、より好ましくは92.0〜99.5体積%及び0.5〜8.0体積%、更に好ましくは96.0〜99.0体積%及び1.0〜4.0体積%である。尚、上記各化合物の含有割合は、第2層における希土類元素RE及び珪素元素のモル比(RE/Si)に反映され、RE/Siは、好ましくは1.000を超えて1.070以下、より好ましくは1.005〜1.060、更に好ましくは1.010〜1.030である。
【0019】
上記第2層の気孔率の上限は、高い温度の酸素を含む雰囲気下における断面方向の酸素遮蔽性及び構造安定性(耐熱性)の観点から、好ましくは10体積%、より好ましくは5体積%である。
【0020】
上記第2層の厚さは、特に限定されないが、本発明の効果が確実に得られることから、好ましくは1〜100μm、より好ましくは2〜50μmである。
【0021】
本発明の積層構造は、無機化合物を含む基部の1面側に形成されるものである。この基部は、単層型及び複層型のいずれでもよい。
上記基部を構成する無機化合物は、好ましくは、窒化物、炭化物、ホウ化物等であり、これらは、単独で用いてよいし、2種以上の組み合わせで用いてもよい。
窒化物としては、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化タンタル等を用いることができる。
炭化物としては、炭化硅素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化タンタル等を用いることができる。
ホウ化物としては、ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウム、ホウ化タンタル等を用いることができる。
これらのうち、上記基部を構成する材料は、炭化珪素、窒化珪素又はサイアロンを含むことが好ましい。
【0022】
上記基部が複数の材料からなる場合、炭素繊維又はセラミックス繊維が、上記の酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物等を含む母相の中に分散された繊維強化セラミックスを用いることができる。セラミックス繊維としては、アルミナ繊維、炭化珪素繊維、炭窒化チタン繊維、炭化ホウ素繊維等が挙げられる。母相に含まれる炭素繊維又はセラミックス繊維の含有割合は、特に限定されないが、機械的強度、破壊靱性等の観点から、繊維強化セラミックスの全体に対して、好ましくは10〜50体積%、より好ましくは20〜45体積%である。
上記繊維強化セラミックスとしては、炭化珪素を含む母相の中に炭化珪素繊維が分散されてなる炭化珪素繊維強化セラミックスが好ましい。
【0023】
上記基部が複層型である場合、炭素繊維又はセラミックス繊維が、上記の酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物等を含む母相の中に分散された繊維強化セラミックスからなる層と、サイアロンを含む層とからなるものとし、サイアロン層が第1層側に配されていることが好ましい。このときのサイアロンは、特に限定されず、α’−サイアロン、β’−サイアロン、(α’+β’)複合サイアロン等とすることができる。これらのうち、β’−サイアロンが好ましい。このβ’−サイアロンは、β−Si
3N
4のSi原子の位置にAl原子が、N原子の位置にO原子が置換型に固溶した固溶体であり、一般式Si
6−ZAl
ZO
ZN
8−Z(0<z≦4.2)で表される化合物である。本発明においては、この一般式において0<z≦3.5の化合物が好ましい。
【0024】
上記基部の形状は、特に限定されず、板状、筒状、棒状、各種複雑三次元形状等の定形又はこれらを変形させた不定形とすることができる。また、第1層と面する部分における基部の形状は、平面、曲面及び凹凸面のいずれでもよい。
【0025】
本発明の積層構造は、酸素遮蔽性に優れ、例えば、1400℃の場合、1面側から他面側への酸素透過係数(単位粒界長さ1mあたりの酸素透過係数)は、好ましくは2×10
−17mol/(m・s)以下、より好ましくは1×10
−17mol/(m・s)以下である。
【0026】
本発明の積層構造は、第2層の表面に、更に、酸素遮蔽層を備えることができる。この酸素遮蔽層の酸素透過係数は、第2層の酸素透過係数に対して、好ましくは0.1倍以下、より好ましくは0.05倍以下である。
上記酸素遮蔽層は、単層型及び複層型のいずれでもよいが、アルミナ、ムライト等を含むことが好ましい。
【0027】
本発明の積層構造が、酸素遮蔽層を備える場合、この酸素遮蔽層の厚さは、好ましくは5〜500μm、より好ましくは10〜300μmである。
【0028】
本発明の積層構造は、基部材料の表面に、第1層及び第2層を、順次、形成することにより製造することができる。
上記第1層は、ムライト粉末の加熱処理又はエアロゾルデポジション、電子ビーム蒸着、レーザー化学蒸着、アルミナ粉末及び酸化珪素粉末の混合粉末の加熱処理等により形成することができる。
上記第2層は、希土類酸化物粉末及び酸化珪素粉末の混合粉末の加熱処理、電子ビーム蒸着、熱蒸着、イオンビーム蒸着、スパッタリング、反応性スパッタリング、熱化学蒸着、プラズマ化学蒸着、電子サイクロトロン共鳴源プラズマ化学蒸着、プラズマ溶射等により形成することができる。例えば、希土類酸化物粉末及び酸化珪素粉末の混合粉末を加熱処理する場合、これら原料粉末の元素比を調整することにより、希土類ダイシリケート化合物を含む母相の中に希土類モノシリケート化合物を含む分散相を有する膜を形成することができる。具体的には、希土類酸化物を構成する希土類元素REと、酸化珪素を構成する珪素元素とのモル比(RE/Si)を、好ましくは0.99以上、より好ましくは1.00以上とする。但し、上限は、通常、1.07である。
また、電子ビーム蒸着の場合、希土類酸化物及び酸化珪素を蒸着原料として使用し、それぞれを、独立した電子ビームにより蒸発させることで、希土類ダイシリケート化合物及び希土類モノシリケート化合物を含む膜を形成することができる。
【0029】
本発明の積層構造は、1300℃〜1600℃、特に、1400℃以上1500℃程度までの高い温度であって、酸素、水蒸気等を含む雰囲気下において、第1層側の第2層における粒界溝の形成が抑制され、接合状態が良好に保持される。従って、本発明の積層構造は、上記の温度において酸素遮蔽性だけでなく、構造安定性(耐酸化性、耐水蒸気性、耐剥離性、防食性等)が求められる用途に好適である。
例えば、航空機エンジン等に配設されるタービン部品等の高温部品は、水蒸気を含む高温ガス環境下(例えば、燃焼ガス中の水蒸気分圧が101.3kPa)において、高温(例えば、部品表面温度が700℃〜1400℃)と、低温(例えば、部品表面温度が50℃以下)とを繰り返す熱サイクルに曝される。本発明の積層構造を利用して高温部品を形成した場合には、特に、第1層及び第2層の剥離又は積層構造の薄肉化がないだけでなく、全体の層構造が安定である。
【0030】
本発明の効果である実用上の酸素遮蔽性は、第2層のみの単層型基板、あるいは、基部を備えない、第1層及び第2層からなる積層構造物、を用いて確認することができる。前者の場合、単層型基板の両面側の酸素分圧に差をつけた状態で、その断面方向に酸素透過試験を行うことにより確認することができる。また、後者の場合、ムライト薄肉板の上に、噴霧熱分解等により希土類ダイシリケート化合物及び希土類モノシリケート化合物を含む膜を形成し、得られた積層構造物の断面方向に第2層側からの酸素透過試験を行うことにより確認することができる。
【実施例】
【0031】
以下、実施例を挙げて、本発明を更に具体的に説明する。但し、本発明は、下記の実施例に制約されるものではない。
【0032】
実施例1
日本イットリウム社製硝酸イッテルビウム及び日産化学社製シリカゾルを、Yb及びSiのモル比がYb/Si=1.00となるように用い、イオン交換水を媒体とした混合液を得た。次いで、この混合液を噴霧熱分解法に供し、Yb
2Si
2O
7基粉末(p1)を得た。その後、このYb
2Si
2O
7基粉末(p1)を大気雰囲気中、1400℃で2時間仮焼した。そして、仮焼物を粉砕し、圧力20MPaでプレス成形、及び、圧力250MPaでCIP成形を、順次、行った。次いで、得られた円板状成形体を、大気雰囲気中、1500℃で5時間焼成した。その後、切削加工及び鏡面仕上げを行い、直径23.5mm、厚さ250μmの焼結体試験片(A)を得た。この焼結体試験片(A)の走査型電子顕微鏡による断面拡大画像を
図2に示す。この
図2において矢印で示した部分はYb
2SiO
5であり、画像処理によるYb
2SiO
5の割合は、4体積%であった。また、ICP分析により、焼結体試験片(A)におけるYb及びSiのモル比はYb/Si=1.03であった。
【0033】
次に、この焼結体試験片(A)に対し、
図3に示す熱処理装置を用いて、酸素透過試験を行い、酸素遮蔽性を評価した。
具体的には、2本のアルミナ保護管の間に、Pt製シールリングを介して焼結体試験片(A)を配置し、上側のアルミナ保護管に対して錘で一定荷重を加え、焼結体試験片(A)とPt−Au製シールリングとの間に面圧を負荷した。その後、
図3の上側に「X」と表記したところ、及び、下側に「Y」と表記したところから、焼結体試験片(A)の両面に、ドライアイスが投入されたエタノール浴中を通過させて−72℃に冷却した高純度Arガスを、毎分100mlの流速で供給した。
次いで、焼結体試験片(A)の上側チャンバー及び下側チャンバーの酸素分圧を、それぞれ、酸素センサ(ジルコニアセンサ)により計測しながら、電気炉を駆動して1400℃まで昇温させてPt−Au製シールリングによるシールを完成させた。そして、「X」から、上側チャンバーのみにAr−H
2系ガスを供給し続けて、焼結体試験片(A)の上側で、P
O2(lo)=10
−9Pa、10
−7Pa及び10
−5Pa、下側で、P
O2(hi)=1Paの各酸素分圧差として、単位粒界長さ1mあたりの酸素透過係数を測定した。その結果を
図4に示す。
また、
図3の「X」から、上側チャンバーにAr−H
2系ガスを供給して焼結体試験片(A)の上側の酸素分圧P
O2(lo)を10
−9Paで一定とし、「Y」から、下側チャンバーに酸素を供給して、P
O2(hi)=10
5Paとした場合、酸素透過係数は2.5×10
−16mol/sであった。この値は、
図4のP
O2(lo)=10
−9Paのときの酸素透過係数1.7×10
−16mol/sよりも高かったが、酸素分圧が10
5倍であっても、透過率の上昇率が47%に留まった。
【0034】
比較例1
日本イットリウム社製硝酸イッテルビウム及び日産化学社製シリカゾルを、Yb及びSiのモル比がYb/Si=0.98となるように用いた以外は、実施例1と同様の操作を行い、Yb
2Si
2O
7基粉末(p2)を得た。そして、このYb
2Si
2O
7基粉末(p2)を用いて、実施例1と同様の操作を行い、直径23.5mm、厚さ250μmの焼結体試験片(B)を得た。ICP分析により、焼結体試験片(B)におけるYb及びSiのモル比はYb/Si=1.00であった。
図5は、焼結体試験片(B)の走査型電子顕微鏡による断面拡大画像である。この
図5において矢印で示した部分はSi−Oを含む非晶質相であり、粒界に存在すること、及び、実施例1の
図2で観察されたYb
2SiO
5が確認されず、焼結体試験片(B)はYb
2SiO
5を含まず、実質的にYb
2Si
2O
7からなることが分かった。
【0035】
次に、実施例1と同様にして、焼結体試験片(B)の上側で、P
O2(lo)=5×10
−7Pa、2×10
−5Pa及び10
−3Pa、下側で、P
O2(hi)=1Paの各酸素分圧差として、酸素透過係数を測定した。その結果を
図4に示す。
【0036】
図4より、実施例1の焼結体試験片(A)の酸素透過係数は、比較例1の焼結体試験片(B)の酸素透過係数より小さく、酸素遮蔽性に優れることが分かる。
【0037】
尚、
図3の「X」から、上側チャンバーにAr−H2系ガスを供給して焼結体試験片(B)の上側の酸素分圧P
O2(lo)を10
−9Paで一定とし、「Y」から、下側チャンバーに酸素を供給して、P
O2(hi)=10
5Paとした場合、酸素透過が確認されなかった。これは、粒界に偏析するSi−Oを含む非晶質相に沿って焼結体試験片(B)の上側方向に透過してきた酸素が、焼結体試験片(B)の上側に存在するH2と反応して水蒸気を生成し、それが、焼結体試験片(B)の表面粒界に存在するSi−Oを含む非晶質相と反応して、ガス種のSi(OH)
4を生成したためと考えられる。
この反応が継続的に進行すると、焼結体試験片(B)を構成するYb
2Si
2O
7の粒界部分からSi−Oを含む非晶質相が消失し、構造を維持することができず崩壊に至る。