特許第6744034号(P6744034)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】6744034
(24)【登録日】2020年8月3日
(45)【発行日】2020年8月19日
(54)【発明の名称】スルーホールビアおよび回路基板
(51)【国際特許分類】
   H05K 1/02 20060101AFI20200806BHJP
   H05K 3/46 20060101ALI20200806BHJP
【FI】
   H05K1/02 P
   H05K3/46 N
【請求項の数】4
【全頁数】9
(21)【出願番号】特願2019-51030(P2019-51030)
(22)【出願日】2019年3月19日
【審査請求日】2019年3月19日
(73)【特許権者】
【識別番号】000227205
【氏名又は名称】NECプラットフォームズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100106909
【弁理士】
【氏名又は名称】棚井 澄雄
(74)【代理人】
【識別番号】100134544
【弁理士】
【氏名又は名称】森 隆一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100149548
【弁理士】
【氏名又は名称】松沼 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100162868
【弁理士】
【氏名又は名称】伊藤 英輔
(72)【発明者】
【氏名】中村 卓哉
【審査官】 齊藤 健一
(56)【参考文献】
【文献】 特表2008−518486(JP,A)
【文献】 米国特許第6388208(US,B1)
【文献】 特開2010−27654(JP,A)
【文献】 米国特許出願公開第2004/0251047(US,A1)
【文献】 米国特許出願公開第2008/0017411(US,A1)
【文献】 米国特許出願公開第2008/0308313(US,A1)
【文献】 特開2004−146810(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01P1/00−11/00
H05K1/00−3/46
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁層の表面に導体パターンを形成した配線層を複数備えた回路基板を厚さ方向に貫通するスルーホールビアであって、
前記回路基板を貫通する孔内に配置され、導体により形成された第1の貫通導体と、
この第1の貫通導体との間に前記孔の円周方向に間隔をおいて、前記孔内に配置された第2の貫通導体と、
前記第1の貫通導体を一の絶縁層の導体パターンに接続する第1のランド部と、
前記第1の貫通導体と第2の貫通導体とを前記一の絶縁層とは異なる他の絶縁層で接続する第2のランド部と、
有し、
前記第1のランド部は、前記第1の貫通導体と第2の貫通導体との間に前記孔の周囲を囲んで設けられてこれらを互いに接続する環状の導体パターンを環状の導体の一部を切り欠くことによって互いに分離して形成され、
前記第2のランド部は、前記第1の貫通導体と第2の貫通導体との間に前記孔の周囲を囲んで設けられてこれらを互いに接続する環状の導体パターンであり、
前記第2のランド部は、前記第2の貫通導体が接続される一の導体パターンが形成された絶縁層から遠い他の絶縁層で前記第1の貫通導体と第2の貫通導体とを接続し、
前記第1の貫通導体と第2の貫通導体とは、一体の筒状に形成された導体層に前記回路基板の厚さ方向へのスリットを形成することによって互いに分離することにより形成された、
スルーホールビア。
【請求項2】
前記第2のランド部は、信号が流れる導体パターンが形成されていない他の絶縁層で前記第1の貫通導体と第2の貫通導体とを互いに接続する、
請求項1に記載のスルーホールビア。
【請求項3】
前記第1のランド部は前記回路基板の上下いずれか一方の面に設けられ、前記第2のランド部は、前記回路基板の上下いずれか他方の面に設けられた、請求項1または2のいずれか1項に記載のスルーホールビア。
【請求項4】
請求項1〜3のいずれか1項に記載のスルーホールビアと、複数層の導体パターンとを有する回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、スルーホールビアおよび回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
導体回路パターンを複数層にわたって備えた、いわゆる多層プリント基板においては、一の層の回路パターンと他の層の回路パターンとの間での信号配線の配線層乗り換えを、スルーホールビア、すなわち、多数の配線層を貫通して配置された棒状(あるいは筒状)の導体を介して行うことがある。
この配線層乗り換えの際、回路パターンに接続されていて、スルーホールビアの信号伝送路となる以外の経路に存在する導体はスタブとなり、信号伝送の劣化要因となる。
このスタブは、長くなるほど信号劣化への影響が大きくなるため、スタブが短くなるように信号配線層を調整する。または、スタブが長くなった場合は、スタブとなる箇所を後に別途の工程において、バックドリル工法等の機械加工により除去し、できるだけスタブを短くすることが行われている。
このスタブへの対策に関連する技術として、特許文献1、2、3に記載されたものがある。
【0003】
特許文献1は、スルーホールの一部を例えばバックドリルと呼ばれる機械加工処理によって除去することにより、スタブに起因する寄生容量の削減を図る技術を提案するものである。図6は、特許文献1に関連するバックドリルによる機械加工処理の例を模式化して示すものである。
多層基板1の表面には、回路導体2が設けられている。この回路導体2は、連続した円筒状のスルーホールビア3の上面の環状のランドに接続されている。前記スルーホールビア3は、複数の回路基板層4を有する多層基板1を厚さ方向に貫通する貫通孔を穿孔し、その内側に導体によって形成されている。また、この多層基板1にあっては、前記回路導体2と反対側、すなわち、図6の下面からドリル等の工具で切削してスルーホールビア3の一部を多層基板1とともに除去することにより、バックドリル穴5を形成する処理、すなわち、スルーホールビア3を構成する導体の面積を削減して、スタブを最小限とする処理がなされている。
【0004】
すなわち、前記バックドリル穴5が形成されることにより、多層基板1の回路導体2によって、図6に矢印aで示すような信号経路が形成されることとなり、前記バックドリル穴5によって信号経路と無関係な導体が取り除かれることにより、スタブの範囲が矢印bに示す範囲に短縮されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2013−143461号公報
【特許文献2】特開2014−229865号公報
【特許文献3】特開2016―181623号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、図6に示すようなバックドリル加工によりスタブを取り除く加工は、スタブを短く抑えることができるももの、基板へスルーホールを形成するための機械加工工程や、スルーホール内に導体を設けるための、マスキングやめっき等の工程とは別に、バックドリルを用いた機械加工の工程を必要とするという問題がある。
また、バックドリル加工によって、スルーホールビア3より大きな径の孔(バックドリル穴5)が形成されるため、多層基板1の実装可能面積を減少させることとなり、多層基板への実装レイアウト計画に際し、あるいは導体パターンの設計に際し、バックドリル加工が施される個所を迂回する等の配慮が必要となる。すなわち、多層基板の実装レイアウトの自由度が制限され、さらには、多層基板の実装密度の高度化の妨げとなるという課題がある。
【0007】
また特許文献2に記載されたスタブ処理の技術は、スルーホールの端部を電気伝導体で塞ぐものであるが、この電気伝導体を設ける工程を製造工程にさらに追加すること必要となる。
【0008】
また特許文献3に記載されたスタブ処理の技術は、単にスルーホールの導体を分割したに過ぎず、複数層の導体パターンが重ねられたいわゆる多層基板にいかに適用するかについての具体的構成は、未だ開発されていない。
【0009】
本発明は、従来のスタブの低減方法である配線層の調整やバックドリル工法とは異なり、信号伝送経路を変更するスルーホールビアの加工により、複数層構成の基板における信号劣化の原因となるスタブ低減方法を提案する。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を解決するために、本発明のスルーホールビアは、絶縁層の表面に導体パターンを形成した配線層を複数備えた回路基板を厚さ方向に貫通するスルーホールビアであって、前記回路基板を貫通する孔内に配置され導体により形成された第1の貫通導体とこの第1の貫通導体との間に前記孔の円周方向に間隔をおいて、前記孔内に配置された第2の貫通導体と、前記第1の貫通導体を一の絶縁層の導体パターンに接続する第1のランド部と、前記第1の貫通導体と第2の貫通導体とを前記一の絶縁層とは異なる他の絶縁層で接続する第2のランド部とを有する。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、複数層基板の実装レイアウトや導体パターンの設計変更を最小限にしつつ、ビア長を短くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
図1】本発明の最小構成を示すもので、(a)は上面図、(b)は断面図、(c)は下面図である。
図2】比較例として、本発明の第1実施形態を採用されていたスリットが設けられていないスルーホールビアを示すもので、(a)は上面図、(b)は断面図、(c)は下面図、(d)はスルーホールビア部のみの斜視図である。
図3】本発明の第1実施形態を示すもので、(a)は上面図、(b)は断面図、(c)は下面図、(d)はスルーホールビア部のみの斜視図である。
図4】本発明の第2実施形態を示すもので、(a)は上面図、(b)は断面図、(c)は下面図、(d)はスルーホールビア部のみの斜視図である。
図5】本発明の第3実施形態を示すもので、(a)は上面図、(b)は断面図、(c)は下面図、(d)はスルーホールビア部のみの斜視図である。
図6】本願に関連するバックドリルによる穴形成を示すもので、(a)は上面図、(b)は断面図、(c)は下面図、(d)はスルーホールビア部、バックドリル部のみの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
本発明の最小構成にかかるスルーホールビアを図1により説明する。
回路基板1は、絶縁層の表面に導体パターン2を形成した配線層を複数備える。この回路基板1には、厚さ方向に貫通するスルーホールビア3が形成されている。
このスルーホールビア3は、前記回路基板1を貫通する貫通孔1a内に配置され、導体により形成された第1の貫通導体3aと、この第1の貫通導体3aとの間に間隔をおいて、前記貫通孔1a内に配置された第2の貫通導体3bと、前記第1の貫通導体3aを一の絶縁層(図1では上面の層)の導体パターン2に接続する第1のランド部3cと、前記第1の貫通導体3aと第2の貫通導体3bとを前記一の絶縁層以外であって、信号接続の無い他の絶縁層(図1では下面の層)で接続する第2のランド部3dとを有する。
【0014】
上記構成のスルーホールビア3は、第1の貫通導体3aから分離している第2の貫通導体3bが回路基板1の下面で第2のランド部3dによって電気的に接続されているため、第2の貫通導体3bがいわゆるスタブとしてノイズの原因となるリスクが小さくなる。また、スルーホールビア3は、通常のスルーホールビアと同径の貫通孔1a内に設けることができ、回路基板の実装計画や、導体パターン設計の制約となることが少ない。
【0015】
図2図3により本発明の第1実施形態を説明する。なお、図中図1と共通の構成には同一符号を付し、説明を簡略化する。
図2は本発明の構造を適用する前のスルーホールビアを比較例として示すものである。
多数層で構成された回路基板1は、絶縁層の表面に導体パターン2を形成した配線層を複数備える。内部の回路基板層を符号4,内部の導体パターンを符号2A、2B、2Cで示す。この回路基板1には、厚さ方向に貫通するスルーホールビア3が形成されている。図2では、スルーホールビア3の全体が一体の電気伝導体、例えば銅により形成されている。また上面のランド13には、図2(a)に示すように、導体パターン2が接続され、下面のランド13には、図2(c)に示すように、導体パターン2が接続されていない。またスルーホールビア3の中間部分には、内部の回路層の導体パターン2Aが接続されている。
【0016】
このような接続とされた結果、比較例にあっては、図2(b)あるいは(d)に矢印aで示す信号伝送経路が形成され、上面の導体パターン2から導体パターン2Aに到る矢印aで示す信号伝送経路より下部のスルーホールビア3において、図中矢印bで示す範囲がスタブとなっている。
【0017】
図3は第1実施形態を示すものである。
このスルーホールビア3は、前記回路基板1を貫通する貫通孔1a内に配置され、導体により形成された第1の貫通導体3aと、この第1の貫通導体3aとの間に貫通孔1aの円周方向へ相互に間隔をおいて、前記貫通孔1a内に配置された第2の貫通導体3bと、前記第1の貫通導体3aを一の絶縁層(図1では上面の層)の導体パターン2に接続する第1のランド部3cと、前記第1の貫通導体3aと第2の貫通導体3bとを前記一の絶縁層以外であって、信号接続の無い他の絶縁層(図3(c)に示すように下面の層)で接続する、環状の第2のランド部3dとを有する。
【0018】
前記第1の貫通導体3aと第2の貫通導体3bとは、例えば、一体の筒状に形成された導体層に回路基板1の厚さ方向へのスリットを形成することによって互いに分離することにより、容易に形成することができる。また第1のランド部3c、第2のランド部3dは、導体パターン2、あるいはスルーホールビア3を形成するめっき、トリミング等の加工に際して、これらと一体に形成することができる。
【0019】
なお、図3において点描により影を付して示す領域(符号Gを付す)は、第1の貫通導体3aと第2の貫通導体3bとの間に設けられた間隙を示すものであって、実際には導体、絶縁体等が存在しない空間である。図3(a)の上面図に示すように、0時位置の前後の範囲、6時位置の前後の範囲が間隙Gとなっていて、第1の貫通導体3aと第2の貫通導体3bとを絶縁している。
【0020】
上記構成の回路基板にあっては、図3に矢印aで示すように、導体パターン2から、第1の貫通導体3a〜第2のランド部3d〜第2の貫通導体3b〜導体パターン2Aに到る信号伝送経路が形成され、導体パターン2Aより上側の第2の貫通導体3bの矢印bで示す範囲がスタブとなる。
【0021】
図3に示す第1実施形態にあっては、矢印bで示す範囲がスタブとなり、図2に示す比較例の場合よりスタブとなる長さが狭くなり、スタブの長さ(面積)の大きさに依存して発生する寄生容量の増加に起因する、多層回路基板の電気的特性への悪影響を小さくすることができる。
【0022】
図4は第2実施形態を示すものである。
このスルーホールビア3は、前記第1実施形態と同様、第1の貫通導体3aと、この第1の貫通導体3aとの間に間隔をおいて、前記貫通孔1a内に配置された第2の貫通導体3bと、前記第1の貫通導体3aを一の絶縁層の導体パターン2に接続する第1のランド部3cと、第2のランド部3dとを有する。なお図4において点描により影を付して示す領域(符号Gを付す)は、第1の貫通導体3aと第2の貫通導体3bとの間に設けられた間隙であって、図4(a)の上面図に示すように、0時〜2時の位置の前後、6時〜8時の位置の前後が間隙Gとなっていて、第1の貫通導体3aと第2の貫通導体3bとを絶縁している。
【0023】
上記第2実施形態にあっても、図4に矢印aで示すように、導体パターン2から、第1の貫通導体3a〜第2のランド部3d〜第2の貫通導体3b〜導体パターン2Aに到る信号伝送経路が形成され、導体パターン2Aより上側の第2の貫通導体3bの矢印bで示す範囲がスタブとなる。したがって、矢印bで示す範囲がスタブとなり、図2に示す比較例の場合よりスタブとなる範囲が狭くなり、多層回路基板の電気的特性への悪影響を小さくすることができる。
【0024】
図5は第3実施形態を示すものである。
このスルーホールビア3は、前記第1実施形態、第2実施形態と同様、第1の貫通導体3aと、この第1の貫通導体3aとの間に間隔をおいて、前記貫通孔1a内に配置された第2の貫通導体3bと、前記第1の貫通導体3aを一の絶縁層の導体パターン2に接続する第1のランド部3cと、第2のランド部3dとを有する。なお図5において点描により影を付して示す領域(符号Gを付す)は、第1の貫通導体3aと第2の貫通導体3bとの間に設けられた間隙であって、図5(c)の下面図に示すように、0時前後の範囲、6時前後の範囲が間隙Gとなっていて、第1の貫通導体3aと第2の貫通導体3bとを絶縁している。
なお第3実施形態にあっては、第2の貫通導体3bに接続された導体パターン2Aが回路基板1の下面寄りの位置に配置されていることから、第2のランド部3dを回路基板1の上面、すなわち、導体パターン2Aから遠い側で第1のランド部3cに接続する構成とすることによって、スタブbを短くするよう配慮されている。
【0025】
上記第3実施形態にあっても、図5に矢印aで示すように、下面の導体パターン2から、第1の貫通導体3a〜第2のランド部3d〜第2の貫通導体3b〜導体パターン2Aに到る信号伝送経路が形成され、導体パターン2Aより下側の第2の貫通導体3bの矢印bで示す範囲がスタブとなる。したがって、矢印bで示す範囲がスタブとなり、図2に示す比較例の場合よりスタブとなる範囲が狭くなり、多層回路基板の電気的特性への悪影響を小さくすることができる。
【0026】
上記第1〜第3実施形態にあっては、上面、下面のいずれか一方に第1のランド部を設け、いずれか他方に第2のランド部を設けたが、多層構成とされた回路基板の中間層に第1のランド部、第2のランド部のいずれか、あるいは両方を設けるようにしても良い。すなわち、層毎の電気的特性の相違、ありは、層毎を流れる信号の周波数の相違等を好著して、スタブの影響を受け易い回路層がいずれであるかに応じて、第1のランド部、第2のランド部の位置、数、あるいは、スルーホールビアの数、配置を決定すべきものである。
【0027】
以上、第1〜第3実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこれらの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【産業上の利用可能性】
【0028】
本発明は、導体パターンの回路を複数層にわたって備えた回路基板に利用することができる。
【符号の説明】
【0029】
1 回路基板(多層基板)
2、2A、2B、2C 導体パターン(回路導体)
3 スルーホールビア
3a 第1の貫通導体
3b 第2の貫通導体
3c 第1のランド部
3d 第2のランド部
4 回路基板層
13 ランド
【要約】
【課題】回路基板のスタブによるノイズを減少させる。
【解決手段】回路基板1は、絶縁層の表面に導体パターン2を形成した配線層を複数備える。この回路基板1には、厚さ方向に貫通するスルーホールビア3が形成され、このスルーホールビア3は、貫通孔1a内に配置され、導体により形成された第1の貫通導体3aと、この第1の貫通導体3aとの間に間隔をおいて、配置された第2の貫通導体3bと、第1の貫通導体3aを一の絶縁層(図1では上面の層)の導体パターン2に接続する第1のランド部3cと、第1の貫通導体3aと第2の貫通導体3bとを一の絶縁層以外の層で接続する第2のランド部3dとを有する。
【選択図】図1
図1
図2
図3
図4
図5
図6