(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記第1の電気部品と前記第2の電気部品は、パッケージオンパッケージ構造体における上下に配設されるICパッケージであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一つに記載の電気部品用ソケット。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、従来のものにあっては、試験時の環境によって試験に当たって上下のICパッケージに温度差が生じる虞があり、上下のICパッケージで温度が略等しい状態で試験を行うことが難しかった。
【0006】
そこで、この発明は、複数の電気部品が上下に配置された状態で試験等を行う電気部品用ソケットにおいて、簡単な構造で、上下の電気部品同士で温度差の小さい状態にすることができる電気部品用ソケットを提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
かかる課題を達成するために、請求項1に記載の発明は、第1の電気部品と第2の電気部品が収容されて配線基板上に配設される電気部品用ソケットであって、前記配線基板上に配設され、前記第1の電気部品と前記第2の電気部品を収容するソケット本体を有し、該ソケット本体は、前記第1の電気部品を収容する上側収容部と、前記第2の電気部品を収容する下側収容部とを有しており、前記上側収容部は、本体部と、該本体部に設けられた開口部に配設されて前記本体部よりも熱伝導率の高い熱伝導性部材とを有しており、該熱伝導性部材が、前記上側収容部に収容された前記第1の電気部品と前記下側収容部に収容された前記第2の電気部品の双方に接触するように構成されている電気部品用ソケットとしたことを特徴とする。
【0008】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明に加えて、前記開口部は、前記上側収容部の略中央部に設けられており、前記熱伝導性部材は、絶縁性を有している電気部品用ソケットとしたことを特徴とする。
【0009】
また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発明に加えて、前記上側収容部の上方に、前記上側収容部に収容された前記第1の電気部品と前記下側収容部に収容された前記第2の電気部品を押圧する押圧部材を有しており、該押圧部材に、前記第1の電気部品と前記第2の電気部品を上方から加熱するヒータが配設されている電気部品用ソケットとしたことを特徴とする。
【0010】
また、請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3の何れか一つに記載の発明に加えて、前記第1の電気部品と前記第2の電気部品は、パッケージオンパッケージ構造体における上下に配設されるICパッケージである電気部品用ソケットとしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【0011】
請求項1に記載の発明によれば、複数の電気部品が上下に配置された状態で試験等を行う電気部品用ソケットにおいて、上側収容部に収容された第1の電気部品と下側収容部に収容された第2の電気部品の双方に接触するように、上側収容部にその本体部よりも熱伝導率の高い熱伝導性部材を配設したため、簡単な構造で、上下の電気部品同士で熱を伝わり易くすることができ、上下の電気部品同士で温度差の小さい状態にすることができる。その結果、上下の電気部品を、設定した温度状態に近い状態にして試験を行うことができる。
【0012】
請求項2に記載の発明によれば、熱伝導性部材が、上側収容部の略中央部に設けられた開口部に配設されているため、第1の電気部品と第2の電気部品の双方により広い面積で接触することができる。そのため、上下の電気部品同士の温度差をより小さくすることができる。また、熱伝導性部材が絶縁性を有しているため、不適当な電気の流れを防止しつつ、熱だけを伝えることができる。
【0013】
請求項3に記載の発明によれば、上側収容部の上方に押圧部材を有し、この押圧部材にヒータを設けることにより、電気部品用ソケットを配置する装置で設定可能な温度条件よりも、電気部品をさらに高温状態にすることができる。ここで、ヒータの熱が上方から伝えられるため、通常、上側に配置される第1の電気部品の方が温度が上がり易く、下側に配置される第2の電気部品の方は温度が上がり難くなる。しかし、第1の電気部品と第2の電気部品の間に熱伝導性部材を設けているため、上方からの熱を、下側の第2の電気部品にも伝わり易くすることができ、電気部品の加熱時に上下で温度差の小さい状態とすることができる。
【0014】
請求項4に記載の発明によれば、パッケージオンパッケージ構造体を構成する上下の電気部品を配設する電気部品用ソケットにおいて前記した上下の電気部品同士の温度差を小さくする構成を有しているため、製品となったときに上下に重ねて使用するパッケージオンパッケージ構造体の試験をできるだけ製品に近い状態で行うことができる。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、この発明の実施の形態について説明する。
【0017】
図1〜
図15には、この発明の実施の形態を示す。
【0018】
まず構成を説明すると、この実施の形態に係る「電気部品用ソケット」としてのICソケット10は、
図1及び
図2に示すように、「上側収容部」としてのアッパーモジュール20と「下側収容部」としてのボトムモジュール30を有するソケット本体10aを有しており、「第1の電気部品」であるメモリパッケージ11をアッパーモジュール20に収容し、「第2の電気部品」であるプロセッサパッケージ12をボトムモジュール30に収容した状態で、「押圧部材」としての平面視四角形状のカバー40の下側にアッパーモジュール20を介してボトムモジュール30を組み付けると共に、
図4に示すように、配線基板19上にボトムモジュール30を配設することにより、2種類の電気部品(メモリパッケージ11及びプロセッサパッケージ12)を同時に試験することができるように構成されたものである。
【0019】
ここで、この実施の形態のメモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12は、プロセッサパッケージ12の上側にメモリパッケージ11を積層した状態で実装する所謂パッケージオンパッケージ(PoP)構造体を呈するものである。
【0020】
このうち、メモリパッケージ11は、
図13に示すように、所謂BGAと称されるもので、平面視で正方形状に形成された本体部11aを有し、この本体部11aの下面における四角枠形状の周縁部から複数の半球状の端子11bが下向きに突出して形成されたものである。
【0021】
また、プロセッサパッケージ12も、
図14に示すように、所謂BGAと称されるもので、平面視で正方形状に形成されたメモリパッケージ11の本体部11aと同様の大きさの本体部12aを有し、この本体部12aの下面から配線基板19に接触するための複数の半球状の下側端子12bが下向きに突出して形成されている。また、本体部12aの上面における四角枠形状の周縁部には、メモリパッケージ11の半球状の端子11bを接触させて導電可能な半球状の上側端子12cが形成されている(
図12参照)。なお、上記した各端子の形状は、半球状に限るものではなく、略平板状等の適宜の形状であっても良い。
【0022】
一方、ICソケット10におけるボトムモジュール30は、
図10に示すように、本体部としてのモジュール本体30aを有している。このモジュール本体30aには、枠形状の枠状部31を有しており、その中央部には、略正方形板状のコンタクトユニット32が嵌合している。このコンタクトユニット32は、
図10〜12に示すように、下板部材33と上板部材34とフローティング部材35を有している。また、下板部材33と上板部材34に対してフローティング部材35がスプリング(図示省略)によって上方に付勢されている。また下板部材33は、上側の第1下板部材33aと下側の第2下板部材33bとで構成されている。これらが図示しない保持部材によって保持され、フローティング部材35の上面に設けられた下側配置部38にプロセッサパッケージ12を配置した状態で、上板部材34と下板部材33に対してフローティング部材35が上方に弾性的に付勢された形で上下動自在にされている。
【0023】
また、この下側配置部38には、
図10〜12に示すように、多数のコンタクトピン70が上下方向に配設されている。
【0024】
これらのコンタクトピン70は、プロセッサパッケージ12の下側端子12bに当接する第1プランジャ71と、配線基板19に当接する第2プランジャ72と、第1プランジャ71と第2プランジャ72の間に設けられて双方を離間する方向に付勢するコイルスプリング等の付勢部材73とを有している。そして、
図4に示すように、ボトムモジュール30及びアッパーモジュール20がカバー40に組み付けられて配線基板19上に設置された状態では、
図11の(b)に示すように、第1プランジャ71の上端部がボトムモジュール30の下側配置部38上のプロセッサパッケージ12の下側端子12bに接触するとともに、第2プランジャ72の下端部が配線基板19の端子(図示省略)に接触するように設けられている。
【0025】
さらに、モジュール本体30aの外周面には、
図4に示すように、後述するカバー40の一対のラッチ51と係合しうる一対の被係合片30bが設けられている。各被係合片30bはそれぞれ、テーパ状の上側被係合部30cおよびテーパ状の下側被係合部30dを有している。これらの上側被係合部30c、下側被係合部30dはいずれも、カバー40の各ラッチ51の爪部51aに対向して外向きに形成されている。
【0026】
ここで、上側被係合部30cと下側被係合部30dとの上下方向の位置の差(上側被係合部30cの高さから下側被係合部30dの高さを減じたもの)は、
図4に示すように、アッパーモジュール20の組付高さ(すなわち、カバー40にアッパーモジュール20を介してボトムモジュール30が組み付けられたときのボトムモジュール30の上下方向の位置と、カバー40にアッパーモジュール20を介することなくボトムモジュール30が組み付けられたときのボトムモジュール30の上下方向の位置との差)にほぼ等しくなっている。
【0027】
そのため、ICソケット10は、
図4に示すように、カバー40のラッチ51の爪部51aをボトムモジュール30の被係合片30bの上側被係合部30cに引っ掛けて係合させることにより、アッパーモジュール20を介してボトムモジュール30をカバー40に組み付けることができる他、カバー40のラッチ51の爪部51aをボトムモジュール30の被係合片30bの下側被係合部30dに引っ掛けて係合させることにより、アッパーモジュール20を介することなくボトムモジュール30を単独でカバー40に組み付けることもできる。
【0028】
また、アッパーモジュール20は、
図4〜6に示すように、本体部としてのモジュール本体20aを有している。このモジュール本体20aには、枠形状の枠状部21を有しており、その中央部には、略正方形板状のコンタクトユニット22が嵌合している。このコンタクトユニット22は、
図8,9,12に示すように、下板部材23と上板部材24とフローティング部材25を有している。また、下板部材23と上板部材24に対してフローティング部材25がスプリング26によって上方に付勢されている。
【0029】
また、下板部材23と上板部材24とフローティング部材25を貫通するストッパ部材27を有している。このストッパ部材27は、下方のネジ部27aと、その上側に設けられてネジ部27aより幅広の小フランジ部27bによって下板部材23と上板部材24が固定されるようになっている。また、さらにその上側に設けられて小フランジ部27bより幅広の大フランジ部27cによって、フローティング部材25が所定位置以上に上昇しないように下方に抑えられている。
【0030】
そして、このフローティング部材25の上面には、メモリパッケージ11を配置する上側配置部28が設けられており、上板部材24とストッパ部材27の大フランジ部27cの間で、上方に弾性的に付勢された形で上下動自在に設けられている。また、この上側配置部28の四隅には、メモリパッケージ11を配置する際にガイドするガイド28aが設けられている。
【0031】
また、この上側配置部28の周縁部の下方に、
図6,7,12に示すように、多数のコンタクトピン60が上下方向に配設されている。これらのコンタクトピン60は、メモリパッケージ11の端子11bに当接するプランジャ61と、当該プランジャ61の下部に挿入されてプロセッサパッケージ12の上側端子12cに当接するコイルスプリング等の付勢部材62とを有している。
【0032】
そして、
図1に示すように、ボトムモジュール30及びアッパーモジュール20がカバー40に組み付けられた状態では、
図7の(b)に示すように、プランジャ61の上端部がアッパーモジュール20の上側配置部23上のメモリパッケージ11の端子11bに接触するとともに、付勢部材62の下端部がボトムモジュール30の下側配置部38上のプロセッサパッケージ12の上側端子12cに所定の接圧で接触するように設けられている。
【0033】
また、
図2,4〜6に示すように、アッパーモジュール20のコンタクトユニット22における下板部材23の略中央部には、平面視略正方形状の下板開口部23bが設けられている。また、コンタクトユニット22における上板部材24の略中央部には、平面視略正方形状で下板開口部23bと略同形状で略同じ大きさの上板開口部24bが設けられている。そして、これら下板開口部23bと上板開口部24bによってアッパーモジュール20のコンタクトユニット22における開口部20bを構成している。
【0034】
このように構成された開口部20bに、平面視略正方形状の直方体形状の熱伝導性部材29が配設されている。この熱伝導性部材29は、熱を伝導しやすく、かつ、絶縁性を有するようになっており、ここでは、アルミニウムからなる熱伝導率の高い部材にアルマイト加工して絶縁性を備えた部材を用いている。
【0035】
また、この熱伝導性部材29の上面と下面は略平面形状に形成されており、熱伝導性部材29の上面が広い面積でメモリパッケージ11に当接し、熱伝導性部材29の下面が広い面積でプロセッサパッケージ12に当接するようになっている。
【0036】
また、この熱伝導性部材29は、上下方向の中央部辺りがフランジ状に外側に突出した突出部29aを周縁部の全周にわたって有している。また、上板部材24における上板開口部24b周縁の下部には突出部29aを挿入可能な切欠部24aが設けられており、この切欠部24aに突出部29aを挿入した状態で下板部材23で挟み込んで、ストッパ部材27で固定することで、アッパーモジュール20において下板開口部23bと上板開口部24bからなる開口部20bに熱伝導性部材29を保持するように構成されている。
【0037】
また、ICソケット10におけるカバー40は、
図2〜
図5に示すように、略直方体枠形状のカバー本体41を有しており、カバー本体41の内部には当該カバー本体41に対して昇降可能に構成されたヒートシンク42が位置決めピン43に沿って上下動自在に装着されている。そして、このヒートシンク42は、スプリング(図示省略)によって上方へ弾性的に付勢された形で上下動自在に取り付けられている。
【0038】
さらに、カバー本体41には略コ字形のベール(操作レバー)45が、待機位置P1と試験位置P2との間でシャフト46を中心として矢印M、N方向に約180°回動自在に取り付けられている。ベール45の両方の先端部には、カム47が1個ずつ計一対になって取り付けられて、ベール45を回転させることにより、カム47がシャフト46を中心として回転してヒートシンク42に接触して当該ヒートシンク42を押し下げるように構成されている。
【0039】
そして、
図4の左側に示すように、ベール45が試験位置P2に位置決めされると、
図5に示すように、カム47の押下部47aがヒートシンク42の突出部42aの上面に接触してヒートシンク42を押し下げるようになっている。また、
図4の右側に示すように、ベール45が待機位置P1に位置決めされると、カム47の押下部47aがヒートシンク42の突出部42aの上面への押圧を解除し、それに伴ってスプリングで上方に付勢されたヒートシンク42が押し上がるようになっている。
【0040】
また、カバー本体41の外周面には、
図4に示すように、一方の対向2辺に一対のラッチ51が、それぞれシャフト52を中心として矢印K、L方向に回転することによって開閉するように取り付けられている。各ラッチ51にはそれぞれ、上端部に操作部51bが形成されているとともに、下端部にテーパ状の爪部51aが内向きに形成されている。
【0041】
また、各ラッチ51の上端部の操作部51bとカバー本体41との間にはそれぞれ、2個のコイルスプリング53がラッチ51を常に矢印L方向に弾性的に付勢して閉じるように縮設されている。さらに、カバー本体41には、
図4に示すように、一対のラッチ51が閉じた状態でロックするための一対の略円柱状のロックピン49が、水平方向外向き(つまり、一対のラッチ51側)に突出した形で埋設されている。
【0042】
また、前記したヒートシンク42の内部には、
図3に示すように、ヒータ44が配設されている。そして、試験時には、このヒータ44でヒートシンク42を加熱し、このヒートシンク42の熱で、当該ヒートシンク42におけるメモリパッケージ11を押圧する部位により、アッパーモジュール20に収容されたメモリパッケージ11を加熱し、さらに後述する熱伝導性部材29を介して下方に伝達された熱で、ボトムモジュール30に収容されたプロセッサパッケージ12を加熱するようになっている。
【0043】
また、ヒートシンク42には、ヒータ44の温度を管理する温度管理装置として熱電対44aが配設されている。なお、このヒータ44は、バーンイン装置の能力で所定温度以上の高温(例えば80℃)の温度設定が容易でないときに、当該ヒータ44で追加加熱することで、予め予定していた温度(例えば120℃)で試験を行うことができるようにするものである。
【0044】
次に、かかるICソケット10を用いて2種類の電気部品(メモリパッケージ11及びプロセッサパッケージ12)について同時に試験(ここではバーンイン試験)を行う際の作用を、以下に説明する。
【0045】
まず、
図2に示すように、ボトムモジュール30の下側配置部38上にプロセッサパッケージ12を収容するとともに、アッパーモジュール20の上側配置部28上にメモリパッケージ11を収容する。
【0046】
次に、
図4に示すように、カバー40のベール45が待機位置P1に位置決めされている状態で、このカバー40のラッチ51をボトムモジュール30の被係合片30bに引っ掛けて係合させることにより、カバー40の下側にアッパーモジュール20及びボトムモジュール30を取り付ける。これにより、ボトムモジュール30はアッパーモジュール20を介してカバー40に組み付けられた状態となる。
【0047】
次に、
図4に示すように、このICソケット10を配線基板19上に配設した後、
図4の左側に示すように、カバー40のベール45を矢印N方向に回動して試験位置P2に位置決めする。すると、カム47の押下部47bがヒートシンク42の突出部42aの上面に接触して下降する。
【0048】
その結果、ヒートシンク42に押されてアッパーモジュール20の上側配置部23上のメモリパッケージ11がモジュール本体20a内で下降し、コンタクトピン60がボトムモジュール30のモジュール本体30a内のプロセッサパッケージ12に接触し、メモリパッケージ11の下側端子11bがプロセッサパッケージ12の上側端子12cに所定の接圧で接触して電気的に接続される。
【0049】
それとともに、アッパーモジュール20に押されてボトムモジュール30の下側配置部38上のプロセッサパッケージ12がモジュール本体31内で下降し、コンタクトピン70が配線基板19に接触し、プロセッサパッケージ12の下側端子12bが配線基板19の端子(図示省略)に所定の接圧で接触して電気的に接続される。
【0050】
また、こうしたヒートシンク42の下降動作に伴い、
図4に示すように、一対のロックピン49が下降して一対のラッチ51の段差部51cに接触する。その結果、これらのラッチ51が閉じた状態を保持することができる。
【0051】
それから、バーンイン装置(図示省略)内を設定された温度(例えば80℃)にする。また、ICソケット10のカバー40に配設されたヒータ44をオンにして、メモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12をさらに加熱することで、メモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12の表面温度を予め予定していた温度(例えば120℃)にする。なお、この実施の形態では、バーンイン装置の能力で80℃より高温の温度設定が容易でないため、ICソケット10に取り付けたヒータ44で追加加熱することで、予め予定していた120℃の温度で試験を行うことができるようになっている。
【0052】
また、このとき、メモリパッケージ11とアッパーモジュール20の下降に伴って、アッパーモジュール20の略中央部の開口部20bに配設された熱伝導性部材29がメモリパッケージ11の下面とプロセッサパッケージ12の上面に当接する。これにより、メモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12の双方に対して互いに熱が伝わり易くなり、双方のパッケージ11,12の温度差を小さくすることができる。
【0053】
その結果、上方のヒートシンク42内部に設置されたヒータ44でヒートシンク42を加熱し、このヒートシンク42の熱でアッパーモジュール20に配置されたメモリパッケージ11に熱を加え、この熱が熱伝導性部材29を介してプロセッサパッケージ12に伝わって、プロセッサパッケージ12の温度もメモリパッケージ11と略等しい温度に設定することができる。
【0054】
この状態で、2種類の電気部品(メモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12)に電流を流して試験を行うものである。
【0055】
次に、熱伝導性部材29を備えたこの実施の形態に係るICソケット10と、熱伝導性部材29を有していないICソケットとの比較実験について、
図15を参照して説明する。
【0056】
この実験では、この実施の形態に係るICソケット10と当該ICソケットにおいて熱伝導性部材29が設けられていないものとを、ヒータ150degC(固定)、風無し、環境温度25degC(室温)にて同時に加熱した。そして、温度上昇後、温度が安定した状態の温度を測定した。
【0057】
その結果、この実施の形態に係るICソケット10は、
図15(a)に示すように比較的上下で温度差が小さい状態となった。具体的には、メモリパッケージ11が145.75degC、熱伝導性部材29が142.04degC、プロセッサパッケージ12が141.23degCとなり、メモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12との温度差は4.52degCとなった。
【0058】
これに対し、熱伝導性部材29が設けられていないものは、
図15(b)に示すように比較的上下で温度差が大きい状態となった。具体的には、メモリパッケージ11が149.14degC、プロセッサパッケージ12が128.23degCとなり、メモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12との温度差は20.91degCとなった。
【0059】
このように、熱伝導性部材29を有しているこの実施の形態に係るICソケット10は、熱伝導性部材29を有していない状態と比べて明らかに上下のパッケージ11,12同士の温度差を小さくすることができることが分かった。
【0060】
このように、この実施の形態のICソケット10は、メモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12が上下に配置された状態で試験等を行うICソケット10において、アッパーモジュール20に収容されたメモリパッケージ11とボトムモジュール30に収容されたプロセッサパッケージ12の双方に接触するように、アッパーモジュール20にそのモジュール本体20aよりも熱伝導率の高い熱伝導性部材29を配設したため、簡単な構造で、上下のメモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12同士で熱を伝わり易くすることができ、上下のメモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12同士で温度差の小さい状態にすることができる。その結果、上下のメモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12を、設定した温度状態に近い状態にして試験を行うことができる。
【0061】
また、この実施の形態のICソケット10は、熱伝導性部材29が、アッパーモジュール20の略中央部に設けられた開口部20bに配設されているため、メモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12の双方により広い面積で接触することができる。そのため、上下のメモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12同士の温度差をより小さくすることができる。また、熱伝導性部材29が絶縁性を有しているため、不適当な電気の流れを防止しつつ、熱だけを伝えることができる。
【0062】
また、この実施の形態のICソケット10は、アッパーモジュール20の上方にカバー40を有し、このカバー40にヒータ44を設けることにより、ICソケット10を配置するバーンイン装置で設定可能な温度条件よりも、メモリパッケージ11及びプロセッサパッケージ12をさらに高温状態にすることができる。ここで、ヒータ44の熱が上方から伝えられるため、通常、上側に配置されるメモリパッケージ11の方が温度が上がり易く、下側に配置されるプロセッサパッケージ12の方は温度が上がり難くなる。しかし、メモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12の間に熱伝導性部材29を設けているため、上方からの熱を、下側のプロセッサパッケージ12にも伝わり易くすることができ、メモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12の加熱時に上下で温度差の小さい状態とすることができる。
【0063】
また、この実施の形態のICソケット10は、パッケージオンパッケージ構造体を構成する上下のICパッケージ11,12を配設するICソケット10において前記した上下のメモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12同士の温度差を小さくする構成を有しているため、製品となったときに上下に重ねて使用するパッケージオンパッケージ構造体の試験をできるだけ製品に近い状態で行うことができる。
【0064】
なお、前記した実施の形態では、「電気部品用ソケット」としてICソケット10にこの発明を適用したが、これに限らず、他の装置にも適用できることは勿論である。
【0065】
また、前記した実施の形態では、電気部品としてパッケージオンパッケージ構造体に用いられるICパッケージであるメモリパッケージ11とプロセッサパッケージ12を用いて説明したが、これに限るものではない。例えば、パッケージオンパッケージ構造体に用いられるものでないICパッケージを上下に2つ配置するようになっていても良い。また、ICパッケージ以外の他の電気部品を上下に収容するようになっていても良い。