特許 6754183 電子デバイス封止用シート、及び、電子デバイスパッケージの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6754183

(24)【登録日】2020年8月25日

(45)【発行日】2020年9月9日

(54)【発明の名称】電子デバイス封止用シート、及び、電子デバイスパッケージの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/08 20060101AFI20200831BHJP

   H01L 23/00 20060101ALI20200831BHJP

   H01L 23/29 20060101ALI20200831BHJP

   H01L 23/31 20060101ALI20200831BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/08 A

   H01L23/00 A

   H01L23/30 R

【請求項の数】6

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2015-227419(P2015-227419)

(22)【出願日】2015年11月20日

(65)【公開番号】特開2017-98353(P2017-98353A)

(43)【公開日】2017年6月1日

【審査請求日】2018年9月21日

【審判番号】不服2019-17123(P2019-17123/J1)

【審判請求日】2019年12月19日

(73)【特許権者】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000729

【氏名又は名称】特許業務法人 ユニアス国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】土生 剛志

(72)【発明者】

【氏名】砂原 肇

(72)【発明者】

【氏名】清水 祐作

【合議体】

【審判長】 山田 正文

【審判官】 井上 信一

【審判官】 山本 章裕

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１５−３２６６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００５／０７１７３１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１４−２０３９７１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

H01L 23/00

H01L 23/30

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面粗さＲａが０．３μｍ以上である第１の面と、
表面粗さＲａが０．１μｍ以下である第２の面とを有することを特徴とする電子デバイス封止用シート。

【請求項2】

前記第１の面は、熱硬化後の表面粗さＲａが０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス封止用シート。

【請求項3】

電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
請求項１に記載の電子デバイス封止用シートを準備する工程と、
前記電子デバイス封止用シートの前記第２の面と前記電子デバイスとが接触するように、前記電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
熱プレスにより、前記電子デバイスを前記電子デバイス封止用シートに埋め込む工程と、
前記埋め込む工程の後、前記電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程とを含むことを特徴とする電子デバイスパッケージの製造方法。

【請求項4】

前記封止体を得る工程の後、前記第１の面は、表面粗さＲａが０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。

【請求項5】

請求項１に記載の電子デバイス封止用シートと、
前記電子デバイス封止用シートの前記第１の面に積層されたセパレータとを備え、
前記セパレータが前記第１の面に積層された状態で熱硬化をおこなってから測定される前記第１の面の表面粗さＲａが０．３μｍ以上である、
セパレータ付き電子デバイス封止用シート。

【請求項6】

請求項１に記載の電子デバイス封止用シートと、
前記電子デバイス封止用シートの前記第１の面に積層されたセパレータとを備え、
前記セパレータをはく離した後に、１５０℃、１時間で熱硬化をおこなってから測定される前記第１の面の表面粗さＲａが０．３μｍ以上である、
セパレータ付き電子デバイス封止用シート。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子デバイス封止用シート、及び、電子デバイスパッケージの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、電子デバイスパッケージの製造方法としては、基板などに固定された１又は複数の電子デバイス（例えば、半導体チップ）を封止樹脂にて封止した後、封止体を電子デバイス単位のパッケージとなるようにダイシングするという方法が知られている。このような封止樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂シートが知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００６−１９７１４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述したような電子デバイスパッケージの製造方法で電子デバイスパッケージを製造する場合、封止樹脂にレーザーマーキングを行い、封止体や電子デバイスパッケージを互いに識別できるようにしておくことが好ましい。しかしながら、封止樹脂は、封止を行なうためのものであるため、レーザーマーキングされた部分の視認性に乏しい場合がある。

【0005】

本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザーマーキングされた部分の視認性に優れた電子デバイス封止用シート、及び、当該封止用シートを用いた電子デバイスパッケージの製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。

【0007】

すなわち、本発明に係る電子デバイス封止用シートは、
表面粗さＲａが０．３μｍ以上である第１の面と、
表面粗さＲａが０．１μｍ以下である第２の面とを有することを特徴とする。

【0008】

前記構成によれば、表面粗さＲａが０．３μｍ以上である第１の面を有するため、第１の面にレーザーマーキングを行えば、レーザーマーキングを行った部分と行っていない部分との間でコントラストがつき易い。その結果、レーザーマーキングされた部分の視認性に優れる。
なお、レーザーマーキングは、熱硬化後に行われる場合がある。しかしながら、熱硬化前の表面粗さＲａが０．３μｍ以上であれば、熱硬化後においても一定以上の表面粗さを有することになる。従って、熱硬化前の表面粗さＲａが０．３μｍ以上であれば、レーザーマーキングされた部分の視認性に優れることになる。
また、表面粗さＲａが０．１μｍ以下である第２の面を有するため、第２の面を被着体に貼り付ければ、貼付面にボイドが発生することを抑制することができる。

【0009】

前記構成において、前記第１の面は、熱硬化後の表面粗さＲａが０．３μｍ以上であることが好ましい。

【0010】

前記第１の面の熱硬化後の表面粗さＲａが０．３μｍ以上であると、レーザーマーキングされた部分の視認性は、より優れる。

【0011】

また、本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法は、
電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
前記電子デバイス封止用シートを準備する工程と、
前記電子デバイス封止用シートの前記第２の面と前記電子デバイスとが接触するように、前記電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
熱プレスにより、前記電子デバイスを前記電子デバイス封止用シートに埋め込む工程と、
前記埋め込む工程の後、前記電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程とを含むことを特徴とする。

【0012】

前記構成によれば、前記電子デバイス封止用シートを用いているため、第１の面にレーザーマーキングを行えば、レーザーマーキングを行った部分と行っていない部分との間でコントラストがつき易い。その結果、レーザーマーキングされた部分の視認性に優れる。
また、表面粗さＲａが０．１μｍ以下である第２の面が電子デバイスや被着体に貼り付くため、貼付面にボイドが発生することを抑制することができる。

【0013】

前記構成においては、前記封止体を得る工程の後、前記第１の面は、表面粗さＲａが０．３μｍ以上であることが好ましい。

【0014】

前記封止体を得る工程の後、前記第１の面の表面粗さＲａが０．３μｍ以上であると、レーザーマーキングされた部分の視認性は、より優れる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本実施形態に係る電子デバイス封止用シートの断面模式図である。

【図2】本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。

【図3】本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。

【図4】本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。

【図5】本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。

【図6】本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。

【図7】本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

【0017】

図１は、本実施形態に係る電子デバイス封止用シートの断面模式図である。図１に示すように、本実施形態に係る電子デバイス封止用シート１１（以下、「封止用シート１１」ともいう）は、第１の面１１ａと第２の面１１ｂとを有する。第２の面１１ｂは第１の面１１ａとは反対側の面である。詳しくは、電子デバイスパッケージの製造方法の項で説明するが、第１の面１１ａは、レーザーマーキングされる側の面である。第２の面１１ｂは、電子デバイスを埋め込む側の面であり、被着体に貼り付けられる面である。

【0018】

第１の面１１ａは、表面粗さＲａが０．３μｍ以上であり、好ましくは０．８μｍ以上であり、より好ましくは１．０μｍ以上である。第１の面１１ａの表面粗さＲａが０．５μｍ以上であるため、第１の面１１ａにレーザーマーキングを行えば、レーザーマーキングを行った部分と行っていない部分との間でコントラストがつき易い。その結果、レーザーマーキングされた部分の視認性に優れる。
なお、レーザーマーキングは、熱硬化後に行われる場合がある。しかしながら、熱硬化前の表面粗さＲａが０．３μｍ以上であれば、熱硬化後においても一定以上の表面粗さを有することになる。従って、熱硬化前の表面粗さＲａが０．３μｍ以上であれば、レーザーマーキングされた部分の視認性に優れることになる。
また、第１の面１１ａは、外観性の観点から、表面粗さＲａが３．０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２．０μｍ以下である。

【0019】

第２の面１１ｂは、表面粗さＲａが０．１μｍ以下であり、好ましくは０．０８μｍ以下であり、より好ましくは、０．０５μｍ以下である。第２の面１１ｂの表面粗さＲａが０．１μｍ以下であるため、第２の面１１ｂを被着体に貼り付ければ、貼付面にボイドが発生することを抑制することができる。
また、第２の面１１ｂの表面粗さＲａは、小さいほど好ましいが、例えば、０．０１μｍ以上である。

【0020】

表面粗さＲａの測定方法は、実施例に記載の方法による。

【0021】

第１の面１１ａの表面粗さＲａは、例えば、第１の面１１ａにセパレータ１１ｃを積層する場合には、セパレータ１１ｃの表面粗さによりコントロールすることができる。また、封止用シート１１に無機充填剤を含有させる場合には、無機充填剤の含有量や粒径（平均粒径）によりコントロールすることができる。
同様に、第２の面１１ｂの表面粗さＲａは、例えば、第２の面１１ｂにセパレータ１１ｄを積層する場合には、セパレータ１１ｄの表面粗さによりコントロールすることができる。また、封止用シート１１に無機充填剤を含有させる場合には、無機充填剤の含有量や粒径（平均粒径）によりコントロールすることができる。

【0022】

第１の面１１ａには、セパレータ１１ｃが積層されている。セパレータ１１ｃの第１の面１１ａ側の表面粗さＲａは、好ましくは０．５μｍ以上であり、より好ましくは１．０μｍ以上である。セパレータ１１ｃの表面形状は、ある程度、第１の面１１ａに転写される。従って、セパレータ１１ｃの第１の面１１ａ側の表面粗さＲａが０．５μｍ以上であると、封止用シート１１の製造時に、第１の面１１ａの表面粗さを０．３μｍ以上とし易い。セパレータ１１ｃの第１の面１１ａ側の表面粗さＲａは、製造される封止用シート１１の外観の観点から３．０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２．０μｍ以下である。

【0023】

第２の面１１ｂには、セパレータ１１ｄが積層されている。セパレータ１１ｄの第２の面１１ｂ側の表面粗さＲａは、好ましくは０．１μｍ以下であり、より好ましくは０．０５μｍ以下である。セパレータ１１ｄの表面形状は、ある程度、第２の面１１ｂに転写される。従って、セパレータ１１ｄの第２の面１１ｂ側の表面粗さＲａが０．１μｍ以下であると、封止用シート１１の製造時に、第２の面１１ｂの表面粗さを０．１μｍ以下とし易い。セパレータ１１ｄの第２の面１１ｂ側の表面粗さＲａは、小さいほど好ましいが、例えば、０．０１μｍ以上である。

【0024】

セパレータ１１ｃ、及び、セパレータ１１ｄの材質としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメチルペンテン、ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙げられる。

【0025】

セパレータ１１ｃ、及び、セパレータ１１ｄは、剥離を容易に行うために、封止用シート１１と接触する側の面が、離型処理されていてもよい。例えば、シリコーン系離型剤、フッ素系離型剤、長鎖アルキルアクリレート系離型剤などの剥離剤により表面コートされていてもよい。

【0026】

本実施形態では、電子デバイス封止用シートの両側の面にセパレータが積層されている場合について説明するが、本発明の電子デバイス封止用シートは、表面粗さＲａが０．３μｍ以上である第１の面と、表面粗さＲａが０．１μｍ以下である第２の面とを有していれば、この例に限定されない。例えば、第１の面にも第２の面にもセパレータが積層されていなくてもよい。また、第１の面にのみセパレータが積層され、第２の面にはセパレータが積層されていなくてもよい。また、第２の面にのみセパレータが積層され、第１の面にはセパレータが積層されていなくてもよい。

【0027】

封止用シート１１は、エポキシ樹脂、及びフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。

【0028】

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。

【0029】

エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、成型性および信頼性の観点から、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などがより好ましい。

【0030】

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

【0031】

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高く安価であるという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。

【0032】

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。

【0033】

封止用シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量の下限は、５．０重量％以上が好ましく、７．０重量％以上がより好ましい。５．０重量％以上であると、電子デバイス、被着体に対する接着力が良好に得られる。一方、上記合計含有量の上限は、２５重量％以下が好ましく、２０重量％以下がより好ましい。２５重量％以下であると、封止用シートの吸湿性を低減させることができる。

【0034】

封止用シート１１は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、得られる封止用シートの耐熱性、可撓性、強度を向上させることができる。

【0035】

熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、可とう性が得やすく、エポキシ樹脂との分散性が良好であるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。

【0036】

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

【0037】

前記アクリル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、５０℃以下が好ましく、−７０〜２０℃がより好ましく、−５０〜０℃がさらに好ましい。５０℃以下とすることにより、シートに可とう性を持たせることができる。

【0038】

前記アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が５万以上のものが好ましく、１０万〜２００万のものがより好ましく、３０万〜１６０万のものがさらに好ましい。上記数値範囲内であると、封止用シート１１の粘度と可とう性をより高くすることができる。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。

【0039】

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂と反応して、封止用シート１１の粘度を高くできる観点から、カルボキシル基含有モノマー、グリシジル基（エポキシ基）含有モノマー、ヒドロキシル基含有モノマーうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。

【0040】

封止用シート１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、０．５重量％以上が好ましく、１．０重量％以上がより好ましい。上記含有量が０．５重量％以上であると、封止用シートの柔軟性、可撓性が得られる。封止用シート１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、１０重量％以下が好ましく、５重量％以下がより好ましい。１０重量％以下であると、電子デバイスや基板に対する封止用シートの接着性が良好である。

【0041】

封止用シート１１は、無機充填剤を含有することが好ましい。無機充填剤を含有していると、無機充填剤の含有量や粒径（平均粒径）に応じて、封止用シート１１の第１の面１１ａや第２の面１１ｂの表面粗さＲａをコントロールすることができる。特に、封止用シート１１の第１の面１１ａにセパレータ１１ｃが積層されている場合、第１の面１１ａの表面粗さＲａは、セパレータ１１ｃの表面粗さＲａと無機充填剤の含有量及び粒径との選択によりコントロールすることができる。また、封止用シート１１の第２の面１１ｂにセパレータ１１ｄが積層されている場合、第２の面１１ｂの表面粗さＲａは、セパレータ１１ｄの表面粗さＲａと無機充填剤の含有量及び粒径との選択によりコントロールすることができる。

【0042】

前記無機充填剤は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。

【0043】

シリカとしては、シリカ粉末が好ましく、溶融シリカ粉末がより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。

【0044】

封止用シート１１は、無機充填剤を６９〜８６体積％の範囲内で含有することが好ましい。上記含有量は、７５体積％以上がより好ましく、７８体積％以上がさらに好ましい。無機充填剤を６９〜８６体積％の範囲内で含有すると、熱膨張係数を電子デバイス（例えば、後述するＳＡＷチップ１３）に近づけることができる。その結果、パッケージの反りを抑制することができる。さらに、無機充填剤を６９〜８６体積％の範囲内で含有すると、吸水率を低くすることができる。

【0045】

前記無機充填剤がシリカである場合、前記無機充填剤の含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。封止用シート１１中のシリカの含有量は、８０〜９２重量％であることが好ましく、８５〜９２重量％であることがより好ましい。

【0046】

無機充填剤の平均粒径は５０μｍ以下の範囲のものを用いることが好ましく、０．１〜２０μｍの範囲のものを用いることがより好ましく、０．５〜１０μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。
また、前記無機充填剤としては、平均粒子径の異なる２種以上の無機充填剤を用いてもよい。平均粒径の異なる２種以上の無機充填剤を用いる場合、前記の「無機充填剤の平均粒径は５０μｍ以下」とは、無機充填剤全体の平均粒径が５０μｍ以下のことをいう。
平均粒径５０μｍ以下の範囲のものを用いると、第１の面１１ａの表面粗さＲａを０．３μｍ以上とし、且つ、第２の面１１ｂの表面粗さＲａを０．１μｍ以下とし易くなる。

【0047】

前記無機充填剤の形状は特に限定されず、球状（楕円体状を含む。）、多面体状、多角柱状、扁平形状、不定形状等の任意の形状であってもよいが、高充填状態の達成や適度な流動性の観点から、球状が好ましい。

【0048】

封止用シート１１に含有される前記無機充填剤は、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において、２つのピークを有していることが好ましい。このような無機充填剤は、例えば、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合することにより得ることができる。粒度分布において２つのピークを有する無機充填剤を用いると、無機充填剤を高密度で充填することができる。その結果、無機充填剤の含有量をより多くすることが可能となる。
前記２つのピークは、特に限定されないが、粒径の大きい側のピークが、３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあることが好ましい。前記２つのピークが前記数値範囲内にあると、無機充填剤の含有量をさらに多くすることが可能となる。
上記粒度分布は、具体的には、以下の方法により得られる。
（ａ）封止用シート１１をるつぼに入れ、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱して灰化させる。
（ｂ）得られた灰分を純水中に分散させて１０分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「ＬＳ １３ ３２０」；湿式法）を用いて粒度分布（体積基準）を求める。
なお、封止用シート１１の組成として無機充填剤以外は有機成分であり、上記の強熱処理により実質的に全ての有機成分が焼失することから、得られる灰分を無機充填剤とみなして測定を行う。なお、平均粒径の算出も粒度分布と同時に行うことができる。

【0049】

封止用シート１１は、無機充填剤がシランカップリング剤で予め表面処理されていることが好ましい。

【0050】

前記シランカップリング剤としては、メタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有しており、無機充填剤の表面処理をすることが可能なものであれば特に限定されない。前記シランカップリング剤の具体例としては、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシオクチルトリメトキシシラン、メタクリロキシオクチルトリエトキシシランを挙げることができる。なかでも、反応性とコストの観点から、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。

【0051】

無機充填剤の表面をシランカップリング剤で処理する場合、アウトガス（例えば、メタノール）が発生する。そこで、封止用シート１１を作成する前段階で、予め無機充填剤をシランカップリング剤で表面処理しておけば、この段階である程度のアウトガスを排除することができる。その結果、封止用シート１１の作成時にシート内に閉じ込められるアウトガスの量を抑制することができ、ボイドの発生が低減できる。

【0052】

封止用シート１１が、シランカップリング剤としてのメタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物で予め表面処理された無機充填剤を含有する場合、前記無機充填剤は、無機充填剤１００重量部に対して０．５〜２重量部のシランカップリング剤により予め表面処理されていることが好ましい。
シランカップリング剤により無機充填剤の表面処理をすれば、封止用シート１１の粘度が大きくなりすぎるのを抑制することができるが、シランカップリング剤の量が多いとアウトガス発生量も増加する。そのため、無機充填剤を予め表面処理したとしても、封止用シート１１の作成時に発生するアウトガスにより、封止用シート１１の性能が低下することとなる。一方、シランカップリング剤の量が少ないと粘度が大きくなりすぎる場合がある。そこで、無機充填剤１００重量部に対して０．５〜２重量部のシランカップリング剤により無機充填剤を予め表面処理すれば、好適に粘度を低下させることができるとともに、アウトガスによる性能低下を抑制することができる。

【0053】

封止用シート１１が、シランカップリング剤としてのメタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物で予め予め表面処理された無機充填剤を含有する場合であり、且つ、前記無機充填剤として、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合したものを用いる場合、少なくとも、平均粒径の小さい方の無機充填剤を予めシランカップリング剤で表面処理しておくことが好ましい。平均粒径の小さい方の無機充填剤の方が、比表面積は大きいため、粘度の上昇をより抑制することが可能となる。
また、前記無機充填剤として、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合したものを用いる場合、平均粒径の小さい方の無機充填剤と大きい方の無機充填剤との両方を予めシランカップリング剤で表面処理しておくことがより好ましい。この場合、粘度の上昇をさらに抑制することが可能となる。

【0054】

封止用シート１１は、硬化促進剤を含むことが好ましい。

【0055】

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。なかでも、反応性が良好で硬化物のＴｇが高め易いという理由から、イミダゾール系化合物が好ましい。イミダゾール系化合物のなかでも、熱硬化時の粘度上昇を早めることができる点で、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。

【0056】

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。

【0057】

封止用シート１１は、必要に応じ、難燃剤成分を含んでもよい。これにより、部品ショートや発熱などにより発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン系難燃剤などを用いることができる。

【0058】

封止用シート１１は、顔料を含むことが好ましい。顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。

【0059】

封止用シート１１中の顔料の含有量は、０．１〜２重量％が好ましい。０．１重量％以上であると、良好なマーキング性が得られる。２重量％以下であると、硬化後の封止用シートの強度を確保することができる。

【0060】

なお、樹脂組成物には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。

【0061】

封止用シート１１の厚さは特に限定されないが、例えば、１００〜２０００μｍである。上記範囲内であると、良好に電子デバイスを封止することができる。

【0062】

封止用シート１１は、単層構造であってもよいし、組成の異なる複数の層を積層させた多層構造であってもよい。

【0063】

［電子デバイス封止用シートの製造方法］
封止用シート１１は、適当な溶剤に封止用シート１１を形成するための樹脂等を溶解、分散させてワニスを調整し、このワニスをセパレータ１１ｃ又はセパレータ１１ｄ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させて形成することができる。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜３０分間の範囲内で行われる。その後、もう一方のセパレータを貼り付ける。
また、他の方法として、支持体上に前記ワニスを塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて封止用シート１１を形成してもよい。その後、セパレータ１１ｃ又はセパレータ１１ｄ上に封止用シート１１を支持体と共に貼り合わせる。その後、支持体を剥離し、もう一方のセパレータを貼り付ける。封止用シート１１が、特に、熱可塑性樹脂（アクリル樹脂）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を含む場合、これらすべてを溶剤に溶解させた上で、塗布、乾燥させる。溶剤としては、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン等を挙げることができる。
また、封止用シート１１は、混練押出により製造してもよい。混練押出により製造する方法としては、例えば、封止用シート１１を形成するための各成分をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物を可塑加工してシート状に形成する方法などが挙げられる。
具体的には、溶融混練後の混練物を冷却することなく高温状態のままで、押出成形することで、封止用シートを形成することができる。このような押出方法としては、特に制限されず、Ｔダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。押出温度としては、上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。以上により、封止用シート１１を形成することができる。

【0064】

［電子デバイスパッケージの製造方法］
本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法は、
電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
電子デバイス封止用シートを準備する工程と、
電子デバイス封止用シートの第２の面と前記電子デバイスとが接触するように、前記電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
熱プレスにより、前記電子デバイスを前記電子デバイス封止用シートに埋め込む工程と、
前記埋め込む工程の後、前記電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
を少なくとも含む。

【0065】

前記被着体としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板等が挙げられる。
前記電子デバイスとしては、センサー、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタなどの中空構造を有する電子デバイス（中空型電子デバイス）；半導体チップ、ＩＣ（集積回路）、トランジスタなどの半導体素子；コンデンサ；抵抗などが挙げられる。

【0066】

以下では、本発明の電子デバイスパッケージが中空型電子デバイスパッケージである場合について説明する。中空型電子デバイスパッケージとは、電子デバイスと被着体との間に中空部が存在する電子デバイスパッケージのことをいう。しかしながら、本発明の電子デバイスパッケージは、中空型電子デバイスパッケージに限定されない。本発明の電子デバイスパッケージは、電子デバイスと被着体との間に樹脂等が充填されており、中空部が存在しない電子デバイスパッケージであってもよい。
具体的に、以下で説明する実施形態では、プリント配線基板１２上に搭載されたＳＡＷチップ１３を封止用シート１１により中空封止して中空パッケージを作製する場合について説明する。なお、ＳＡＷチップ１３とは、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタを有するチップである。すなわち、本実施形態では、本発明の電子デバイスが、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタを有するチップである場合について説明する。

【0067】

図２〜図７は、本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。

【0068】

（積層体を準備する工程）
本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法では、まず、複数のＳＡＷチップ１３（ＳＡＷフィルタ１３）がプリント配線基板１２上に搭載された積層体１５を準備する（図２参照）。ＳＡＷチップ１３は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。ＳＡＷチップ１３のプリント配線基板１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプ１３ａを介して電気的に接続されている。また、ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２との間は、ＳＡＷフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部１４を維持するようになっている。ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２との間の距離（中空部の幅）は適宜設定でき、一般的には１０〜１００μｍ程度である。

【0069】

（電子デバイス封止用シートを準備する工程）
また、本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法では、封止用シート１１（図１参照）を準備する。

【0070】

（電子デバイス封止用シートを配置する工程）
次に、図３に示すように、下側加熱板２２上に、積層体１５を、ＳＡＷチップ１３が固定された面を上にして配置するとともに、ＳＡＷチップ１３面上に封止用シート１１を配置する。この際、封止用シート１１の第２の面１１ｂにセパレータ１１ｄが積層されている場合には、セパレータ１１ｄを剥離した後、封止用シート１１の第２の面１１ｂがＳＡＷチップ１３に接触するように配置する。この工程においては、下側加熱板２２上にまず積層体１５を配置し、その後、積層体１５上に封止用シート１１を配置してもよく、積層体１５上に封止用シート１１を先に積層し、その後、積層体１５と封止用シート１１とが積層された積層物を下側加熱板２２上に配置してもよい。

【0071】

（電子デバイスを電子デバイス封止用シートに埋め込む工程）
次に、図４に示すように、下側加熱板２２と上側加熱板２４とにより熱プレスして、ＳＡＷチップ１３を封止用シート１１に埋め込む。下側加熱板２２、及び、上側加熱板２４は、平板プレスが備えるものであってよい。封止用シート１１は、ＳＡＷチップ１３及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能することとなる。

【0072】

具体的に、ＳＡＷチップ１３を封止用シート１１に埋め込む際の熱プレス条件としては、封止用シート１１の粘度等に応じて異なるが、温度が、好ましくは４０〜１５０℃、より好ましくは６０〜１２０℃であり、圧力が、例えば、０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．２〜５ＭＰａであり、時間が、例えば０．３〜１０分間、好ましくは０．５〜５分間である。熱プレス方法としては、平行平板プレスやロールプレスが挙げられる。なかでも、平行平板プレスが好ましい。熱プレス条件を上記数値範囲内とすることにより、より好適にＳＡＷチップ１３を封止用シート１１に埋め込むことができる。封止用シート１１の第２の面１１ｄの表面粗さＲａが０．１μｍ以下であるため、ＳＡＷチップ１３やプリント配線基板１２との界面にボイドが発生することを抑制することができる。

【0073】

また、封止用シート１１のＳＡＷチップ１３及びプリント配線基板１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下においてプレスすることが好ましい。
前記減圧条件としては、圧力が、例えば、０．１〜５ｋＰａ、好ましくは、０．１〜１００Ｐａであり、減圧保持時間（減圧開始からプレス開始までの時間）が、例えば、５〜６００秒であり、好ましくは、１０〜３００秒である。

【0074】

（セパレータ剥離工程）
次に、封止用シート１１の第１の面１１ａにセパレータ１１ｃが積層されている場合には、セパレータ１１ｃを剥離する（図５参照）。

【0075】

（熱硬化させて封止体を得る工程）
次に、封止用シート１１を熱硬化させて封止体２５を得る。封止用シート１１の第１の面１１ａは、熱硬化前の表面粗さＲａが０．３μｍ以上であるので、熱硬化後においても一定以上の表面粗さを有している。具体的には、例えば、熱硬化後の表面粗さＲａは、０．３μｍ以上である。
特に、本実施形態では、セパレータ１１ｃを剥離した後に、熱硬化を行っている。熱硬化時、有機成分は、僅かに収縮し、封止用シート１１の厚さ（有機成分に依存する厚さ）は、僅かに薄くなる。従って、有機成分中に分散されている無機充填剤の表面形状が僅かに第１の面１１ａに現れる。その結果、熱硬化後の第１の面１１ａの表面粗さＲａは、無機充填剤の存在にも影響を受けることとなる。そのため、より好適に第１の面１１ａの表面を荒らすことができ、レーザーマーキング工程によりレーザーマーキングされる部分の視認性をより高めることができる。

【0076】

具体的に、熱硬化処理の条件として、封止用シート１１の粘度や構成材料等に応じて異なるが、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。熱硬化処理の条件を上記数値範囲内とすることにより、第１の面１１ａの熱硬化後の表面粗さＲａを一定以上とすることができる。

【0077】

（レーザーマーキング工程）
次に、図６に示すように、レーザーマーキング用のレーザー３０を用いて、封止用シート１１にレーザーマーキングを行なう。第１の面１１ａは、一定以上の表面粗さＲａを有しているので、レーザーマーキングされた部分の視認性に優れる。なお、レーザーマーキングを行う前に、シリコン−ニッケルをターゲットとしたスパッタリングにより、第１の面１１ａに薄膜を形成してもよい。前記薄膜を形成しておくと、よりレーザーマーキング部分の視認性が向上する。

【0078】

レーザーマーキングの条件としては、特に限定されないが、封止用シート１１に、レーザー［波長：５３２ｎｍ］を、強度：０．３Ｗ〜２．０Ｗの条件で照射することができる。また、一例として、この際の加工深さ（深度）が２μｍ以上となるように照射する方法が挙げられる。前記加工深さの上限は特に制限されないが、例えば、２μｍ〜２５μｍの範囲から選択することができ、好ましくは３μｍ以上（３μｍ〜２０μｍ）であり、より好ましくは５μｍ以上（５μｍ〜１５μｍ）である。レーザーマーキングの条件を前記数値範囲内とすることにより、レーザーマーキングされた部分の視認性をより良好とすることができる。

【0079】

なお、封止用シート１１のレーザー加工性は、構成樹脂成分の種類やその含有量、着色剤の種類やその含有量、架橋剤の種類やその含有量、充填材の種類やその含有量などによってもコントロールすることができる。

【0080】

封止用シート１１におけるレーザーマーキングを行なう箇所としては、特に限定されず、ＳＡＷチップ１３の直上であってもよく、ＳＡＷチップ１３が配置されていない箇所の上側（例えば、封止用シート１１の外周部分）であってもよい。また、レーザーマーキングによってマーキングされる情報としては、封止体単位での区別を可能とするための文字情報や図形情報等であってもよく、同一の封止体２５内において互いの電子デバイスを区別可能とするための文字情報や図形情報等であってもよい。これにより、封止体２５や封止体２５内の複数のＳＡＷチップ１３（電子デバイス）の相互識別性を持たせることができる。

【0081】

電子デバイスとしてのＳＡＷフィルタ１３を１つのみ封止した場合は、封止体２５を１つの電子デバイスパッケージとすることができる。また、複数のＳＡＷフィルタ１３を一括して封止した場合は、ＳＡＷフィルタごとに分割することにより、それぞれ１つの電子デバイスパッケージとすることができる。すなわち、本実施形態のように、複数のＳＡＷフィルタ１３を一括して封止した場合、さらに、下記の構成を行ってもよい。

【0082】

（ダイシング工程）
レーザーマーキング工程の後、封止体２５のダイシングを行ってもよい（図６参照）。これにより、ＳＡＷチップ１３単位での電子デバイスパッケージ１８（中空型電子デバイスパッケージ）を得ることができる。

【0083】

（基板実装工程）
必要に応じて、電子デバイスパッケージ１８に対してバンプを形成し、これを別途の基板（図示せず）に実装する基板実装工程を行うことができる。電子デバイスパッケージ１８の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。

【0084】

上述した実施形態では、セパレータ１１ｃを剥離した後、熱硬化を行う場合について説明した。しかしながら、本発明においてはこの例に限定されず、熱硬化後に、第１の面に積層されたセパレータを剥離することとしてもよい。
この場合、熱硬化時に第１の面にセパレータが積層された状態である。そのため、セパレータと封止用シートの有機成分との間で界面張力が働いており、セパレータ近辺の有機成分が収縮すると、その分、他の部分から有機成分がセパレータ側に引き寄せられる。その結果、上述した実施形態の場合（セパレータ１１ｃを剥離した後、熱硬化を行う場合）ほどは、有機成分中に分散されている無機充填剤の表面形状が第１の面１１ａに現れない。つまり、この場合、よりセパレータの形状に依存した表面粗さとすることができる点で優れる。

【0085】

上述した実施形態では、電子デバイス封止用シートを用いて、電子デバイスを平行平板プレスで埋め込む場合について説明したが、本発明は、この例に限定されず、真空状態の真空チェンバー内において、離型フィルムで、電子デバイスと中空型電子デバイス封止用シートとの積層物を密閉した後、チャンバー内に大気圧以上のガスを導入して、電子デバイスを電子デバイス封止用シートに埋め込むこととしてもよい。具体的には、特開２０１３−５２４２４号公報に記載されている方法により、電子デバイスを電子デバイス封止用シートに埋め込むことしてもよい。

【0086】

上述した実施形態では、電子デバイス封止用シートの熱硬化後にレーザーマーキングを行う場合について説明した。しかしながら、本発明はこの例に限定されず、レーザーマーキングを行った後に熱硬化を行ってもよい。具体的には、第１の面側のセパレータを剥離した後、第１の面にレーザーマーキングを行い、その後、熱硬化させてもよい。また、第１の面側のセパレータを積層させたままの状態で第１の面にレーザーマーキングを行い、次に、第１の面側のセパレータを剥離し、その後、熱硬化させてもよい。また、第１の面側のセパレータを積層させたままの状態で第１の面にレーザーマーキングを行い、次に、熱硬化させ、その後、第１の面側のセパレータを剥離してもよい。これらの場合、熱硬化前の第１の面の表面粗さＲａが０．３μｍ以上であるため、レーザーマーキングされた部分の視認性は良好となる。

【実施例】

【0087】

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

【0088】

実施例で使用した封止用シートの成分、及び、セパレータの種類について説明する。

【0089】

（封止用シートの成分）
エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．、軟化点８０℃）
フェノール樹脂：群栄化学製のＬＶＲ８２１０ＤＬ（ノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ．、軟化点６０℃）
熱可塑性樹脂：根上工業社製のＨＭＥ−２００６Ｍ（カルボキシル基含有のアクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量：約６０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：−３５℃）
無機充填剤Ａ：電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（平均粒径５μｍ、表面処理ナシ）
無機充填剤Ｂ：アドマテックス社製のＳＯ−２５Ｒ（平均粒径０．５μｍ）を３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の製品名：ＫＢＭ−５０３）で表面処理したもの。無機充填剤Ｂの１００重量部に対して１重量部のシランカップリング剤で表面処理。
無機充填剤Ｃ：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４Ｆ（平均粒径２０μｍ、表面処理ナシ）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
硬化促進剤：四国化成工業社製の２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４−ヒドロキシメチル−５−メチルイミダゾール）

【0090】

（セパレータの種類）
ＴＰＸ Ａ：三井化学東セロ（株）製：Ｘ−８８ＢＭＴ４ 両面エンボスタイプ（凹凸小面）
ＴＰＸ Ｂ：三井化学東セロ（株）製：Ｘ−８８ＢＭＴ４ 両面エンボスタイプ（凹凸大面）
ＰＥＴ Ａ：（株）フジコー社製：５０−Ｘ４２
ＰＥＴ Ｂ：帝人社製：Ｕ７０
ＰＥＴ Ｃ：三菱樹脂（株）社製：ＭＲＡ３８

【0091】

［実施例、及び、比較例に係る両面セパレータ付き封止用シートの作成］
表１に記載の封止用シートの配合比に従い、各成分を溶剤としてのメチルエチルケトンに溶解、分散させ、濃度８５重量％のワニスを得た。このワニスを、第１の面側のセパレータ上に塗布した後、１１０℃で５分間乾燥させた。これをシートＸとした。
また、前記ワニスを、第２の面側のセパレータとするセパレータ上に塗布した後、１１０℃で５分間乾燥させた。これをシートＹとした。シートＹは、同じものを３つ作製した。第１の面側のセパレータとするセパレータ、及び、第２の面側のセパレータとするセパレータは、表１に示した通りである。これにより、厚さ５５μｍのシート（シートＸ、シートＹ）を得た。この４つのシートを積層させて、厚さ２２０μｍのシートを作製した。具体的な４層の積層方法としては、以下の通りである。
（１）第１の面側のセパレータに積層されたシートＸと、第２の面側のセパレータに積層されたシートＹとを貼り合わせて、積層体Ｚ１とする。
（２）２つの、第２の面側のセパレータに積層されたシートＹを貼り合わせて、積層体Ｚ２とする。
（３）積層体Ｚ１から、第２の面側のセパレータを剥離するとともに、積層体Ｚ２から、一方の第２の面側のセパレータを剥離する。
（４）上記（３）の操作で露出したシート面同士を貼り合わせて、両面にセパレータを有する４層構造の封止用シートを得た。

【0092】

（セパレータの表面粗さの測定）
実施例、比較例にて使用したセパレータの表面粗さ（Ｒａ）を、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に基づき、Ｌａｓｅｒｔｅｃ社製の共焦点顕微鏡（ＯＰＴＥＬＩＣＳ Ｈ３００）を用いて測定した。測定条件は、５０倍とし、測定値は、測定データにＭｅｄｉａｎ ｆｉｌｔｅｒをかけて求めた。測定は、各封止用シートについて、測定箇所を変更しながら５回行い、その平均値を表面粗さ（Ｒａ）とした。これを各セパレータ表面粗さＲａとした。結果を下記表１に示す。

【0093】

（熱硬化前の封止用シートの表面粗さの測定）
実施例、及び、比較例に係る封止用シートの熱硬化前の第１の面、及び、第２の面の表面粗さ（Ｒａ）を、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に基づき、Ｌａｓｅｒｔｅｃ社製の共焦点顕微鏡（ＯＰＴＥＬＩＣＳ Ｈ３００）を用いて測定した。測定条件は、セパレータの表面粗さの測定時と同様とした。具体的には、上記にて作製した両面セパレータ付き封止用シートから、第１の面側のセパレータを剥離した後、第１の面の表面粗さ（Ｒａ）を測定した。また、上記にて作製した両面セパレータ付き封止用シートから、第２の面側のセパレータを剥離した後、第２の面の表面粗さ（Ｒａ）を測定した。結果を表１に示す。

【0094】

（熱硬化後の封止用シートの第１の面の表面粗さの測定）
実施例、及び、比較例に係る封止用シートの熱硬化後の表面粗さ（Ｒａ）を、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に基づき、Ｌａｓｅｒｔｅｃ社製の共焦点顕微鏡（ＯＰＴＥＬＩＣＳ Ｈ３００）を用いて測定した。測定条件は、セパレータの表面粗さの測定時と同様とした。
具体的には、以下の２通りの場合について測定した。
測定方法Ａ：両面セパレータ付き封止用シートの状態で封止用シートを熱硬化させた後、第１の面側のセパレータを剥離し、封止用シートの第１の面の表面粗さＲａを測定した。
測定方法Ｂ：両面セパレータ付き封止用シートから、第１の面側のセパレータを剥離した後、封止用シートを熱硬化させた。その後、封止用シートの第１の面の表面粗さＲａを測定した。
なお、熱硬化条件は、測定方法Ａ、測定方法Ｂのいずれの場合にも、１５０℃、１時間とした。結果を表１に示す。

【0095】

（レーザーマーキング性評価）
実施例、及び、比較例に係る封止用シートの熱硬化後のレーザーマーキング性について、以下のようにして評価した。
・評価方法Ａ
実施例、比較例にて作成した両面セパレータ付き封止用シートの状態で封止用シートを熱硬化させた後、第１の面側のセパレータを剥離した。次に、第１の面に、レーザー印字装置（商品名「ＭＤ−Ｓ９９００」、ＫＥＹＥＮＣＥ社製）を用いて、下記の照射条件にて、レーザー印字した。
＜レーザー印字の照射条件＞
レーザー波長：５３２ｎｍ
レーザーパワー：１．２Ｗ
周波数：３２ｋＨｚ
レーザー印字された第１の面に、ＫＥＹＥＮＣＥ社の装置名：ＣＡ−ＤＤＷ８を用いて、第１の面に対し全方位方向から斜光照明を照射し、ＣＣＤカメラ（装置名：ＣＶ−０３５０）（ＫＥＹＥＮＣＥ社製）で反射光を取り込んだ。取り込んだ反射光の明度をＫＥＹＥＮＣＥ社の装置名：ＣＶ−５０００を用いて測定した。明度測定は、レーザー印字部と非印字部との両方に対して行なった。なお、明度とは、白色を１００％と黒色を０％とした値であり、本明細書においては、上述したＫＥＹＥＮＣＥ社の装置名、ＣＶ−５０００を用いて測定した値とする。レーザー印字部の明度と非印字部の明度の差をコントラスト［％］とし、４０％以上の場合を○、４０％未満の場合を×としてレーザーマーキング性を評価した。結果を表１に示す。
・評価方法Ｂ
実施例、比較例にて作成した両面セパレータ付き封止用シートから、第１の面側のセパレータを剥離した後、封止用シートを熱硬化させた。次に、第１の面に、レーザー印字した。レーザー印字の照射条件は、評価方法Ａと同様とした。また、評価方法Ａと同様にしてレーザーマーキング性を評価した。結果を下記表１に示す。
なお、熱硬化条件は、評価方法Ａ、評価方法Ｂのいずれの場合にも、１５０℃、１時間とした。結果を表１に示す。

【0096】

【表1】

【符号の説明】

【0097】

１１ 電子デバイス封止用シート（封止用シート）
１３ ＳＡＷフィルタ（電子デバイス）
１４ 中空部
１５ 積層体
１８ 電子デバイスパッケージ
２５ 封止体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】