特許 6754798 有機ＥＬ表示パネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6754798

(24)【登録日】2020年8月26日

(45)【発行日】2020年9月16日

(54)【発明の名称】有機ＥＬ表示パネル

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/06 20060101AFI20200907BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20200907BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20200907BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20200907BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20200907BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/06

   H01L27/32

   H05B33/14 A

   H05B33/12 B

   G09F9/30 330

   G09F9/30 338

   G09F9/30 365

【請求項の数】11

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2018-83298(P2018-83298)

(22)【出願日】2018年4月24日

(65)【公開番号】特開2019-192467(P2019-192467A)

(43)【公開日】2019年10月31日

【審査請求日】2019年7月26日

(73)【特許権者】

【識別番号】514188173

【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】100189430

【弁理士】

【氏名又は名称】吉川 修一

(74)【代理人】

【識別番号】100190805

【弁理士】

【氏名又は名称】傍島 正朗

(72)【発明者】

【氏名】山本 哲郎

(72)【発明者】

【氏名】廣升 泰信

【審査官】 酒井 康博

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１７−１９９６７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０３３８３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１７１７４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１５／０１４４９２２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１６／０１４９１５５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１６／００１３４３８（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／０６

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

Ｇ０９Ｆ ９／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の画素を有する有機ＥＬ（electro luminescence）表示パネルであって、
前記複数の画素のそれぞれは、アノード電極層と、前記アノード電極層よりも面積が大きく、少なくとも一部が前記アノード電極層を覆うように配置されている有機層と、少なくとも一部が前記有機層を覆うように配置されているカソード電極層とを備え、
前記有機層および前記カソード電極層のそれぞれは、前記複数の画素間において繋がるように共通化され、
前記複数の画素のそれぞれには、１以上の有機ＥＬ素子が含まれ、
前記有機ＥＬ素子は、前記アノード電極層の一部であるアノード部と、前記カソード電極層の一部であるカソード部と、前記有機層の一部であり、前記アノード部および前記カソード部の間に設けられた発光部とを有し、
前記有機ＥＬ素子の光出射方向から見た場合に、前記有機ＥＬ素子が形成されている領域の外側の領域に、凹部を有する導体層が設けられ、
前記導体層の前記凹部は、前記有機層で覆われている被覆部と、前記有機層で覆われずに前記導体層が露出している導体露出部とを有し、
前記カソード電極層は、前記導体露出部の少なくとも一部に接続されている
有機ＥＬ表示パネル。

【請求項2】

前記被覆部は、前記凹部の側面の一部、および、前記側面の一部に繋がる底面を覆う前記有機層によって形成され、
前記カソード電極層は、前記被覆部を形成する前記有機層上に設けられ、前記導体露出部に接続されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項3】

前記凹部は、前記光出射方向から見た場合に矩形状であり、４つの側面を有し、
前記導体露出部は、前記４つの側面のうち１以上３以下の側面に設けられ、
前記被覆部は、前記４つの側面のうち、前記導体露出部である領域を除く１以上の側面に設けられている
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項4】

前記凹部を、前記光出射方向に平行な断面で断面視した場合に、
前記被覆部における前記有機層の表面の傾斜は、前記導体露出部における前記凹部の側面の傾斜よりも緩やかである
請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項5】

前記有機ＥＬ表示パネルは、
ＴＦＴ基板上に設けられたＴＦＴ層と、
前記アノード電極層、前記有機層および前記カソード電極層を含むＥＬ層と、
前記ＴＦＴ層と前記ＥＬ層との間に設けられた層間絶縁層と
を備え、
前記導体層は、ＴＦＴ層内に設けられた電源ラインと同一の金属層であり、
前記被覆部は、前記層間絶縁層の一部および前記有機層の一部によって形成されている
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項6】

前記導体層と前記ＴＦＴ基板との間に、半導体材料層、または、前記導体層とは異なる他の導体層が設けられている
請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項7】

前記導体層と前記ＴＦＴ基板との間に、前記導体層と異なる他の導体層が設けられ、
前記導体層は、前記他の導体層に接続されている
請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項8】

前記導体層は、前記アノード電極層と同じ材料を含む層であり、前記アノード電極層に接続されていない
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項9】

第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に沿ってマトリクス状に配置された複数の画素を有する有機ＥＬ（electro luminescence）表示パネルであって、
前記複数の画素のそれぞれは、前記第１方向に沿って配置され互いに異なる色の光を出射する複数の副画素を有し、
前記複数の副画素のそれぞれは、アノード電極層と、少なくとも一部が前記アノード電極層を覆うように配置されてる有機層と、前記アノード電極層および前記有機層よりも面積が大きく少なくとも一部が前記有機層を覆うように配置されている有機共通層と、前記アノード電極層および前記有機層よりも面積が大きく前記有機共通層を覆うように配置されているカソード電極層とを備え、
前記有機共通層および前記カソード電極層は、前記第１方向に隣り合う前記複数の副画素間において繋がるように共通化され、
前記複数の副画素のそれぞれには、有機ＥＬ素子が含まれ、
前記有機ＥＬ素子は、前記アノード電極層の一部であるアノード部と、前記カソード電極層の一部であるカソード部と、前記有機層の一部であり、前記アノード部および前記カソード部の間に設けられた発光部と、前記有機共通層の一部であり、前記発光部および前記カソード部の間に設けられた層間有機部と、を有し、
前記第１方向に配置された前記複数の画素の間に、凹部を有する導体層が設けられ、
前記導体層の前記凹部は、前記有機共通層で覆われている被覆部と、前記有機共通層で覆われずに前記導体層が露出している導体露出部とを有し、
前記カソード電極層は、前記導体露出部の少なくとも一部に接続されている
有機ＥＬ表示パネル。

【請求項10】

前記第１方向および前記第２方向の両方に垂直な方向から見た場合、前記第２方向に平行で前記凹部を通る軸線上には、前記有機ＥＬ素子が存在していない
請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項11】

前記複数の画素は、同色の光を出射する複数の同色の前記副画素が前記第２方向に沿って並ぶように配置され、
前記有機共通層は、前記第２方向に並ぶ同色の前記副画素間において繋がっている
請求項９または１０に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数の有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示パネルに関する。

【背景技術】

【0002】

デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、複数の画素がマトリクス状に配置された有機ＥＬ（electro luminescence）表示パネルが知られている。カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルでは、例えば、ＲＧＢ各色に対応する３つの有機ＥＬ素子によって３つの副画素が形成され、この３つの副画素が組み合わされることで１つの画素が形成される。

【0003】

有機ＥＬ素子は、アノード部と、カソード部と、アノード部およびカソード部の間に設けられた有機材料を含む発光部とを備える。有機ＥＬ素子は、アノード部およびカソード部に電圧が印加されることで、発光部にホールおよび電子が注入され、注入されたホールと電子とが再結合することで発光する。

【0004】

トップエミッション構造を有する有機ＥＬ表示パネルは、基板上にアノード電極層、有機層およびカソード電極層が順に積層された構造を有している。有機ＥＬ素子を構成するアノード部は、アノード電極層の一部によって形成され、カソード部は、カソード電極層の一部によって形成され、発光部は、有機層の一部によって形成される。

【0005】

例えば、カソード電極層が基板の全面に形成され複数の画素にて共通化されている有機ＥＬ表示パネルでは、給電部から離れて位置する画素への電力供給が不十分となり、当該画素における発光量が低下し、輝度むら等の画質不良が発生することがある。給電部から離れて位置する画素に十分な電力を供給するための方策として、カソード電極層を低抵抗化することが考えられる。その一例として、特許文献１には、カソード電極層に補助電極を接続し、カソード電極層を低抵抗化する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００２−３１８５５６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかしながら、特許文献１に開示された有機ＥＬ表示パネルでは、カソード電極層と補助電極との接続が不十分となり、カソード電極層の一部であるカソード部にて電位変動が起き、画質不良が発生することがある。

【0008】

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、カソード電極層が複数の画素にて共通化されている有機ＥＬ表示パネルにおいて、カソード電極層の一部であるカソード部の電位変動に起因する画質不良を抑制することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの一態様は、複数の画素を有する有機ＥＬ表示パネルであって、前記複数の画素のそれぞれは、アノード電極層と、前記アノード電極層よりも面積が大きく、少なくとも一部が前記アノード電極層を覆うように配置されている有機層と、少なくとも一部が前記有機層を覆うように配置されているカソード電極層とを備え、前記有機層および前記カソード電極層のそれぞれは、前記複数の画素間において繋がるように共通化され、前記複数の画素のそれぞれには、１以上の有機ＥＬ素子が含まれ、前記有機ＥＬ素子は、前記アノード電極層の一部であるアノード部と、前記カソード電極層の一部であるカソード部と、前記有機層の一部であり、前記アノード部および前記カソード部の間に設けられた発光部とを有し、前記有機ＥＬ素子の光出射方向から見た場合に、前記有機ＥＬ素子が形成されている領域の外側の領域に、凹部を有する導体層が設けられ、前記導体層の前記凹部は、前記有機層で覆われている被覆部と、前記有機層で覆われずに前記導体層が露出している導体露出部とを有し、前記カソード電極層は、前記導体露出部の少なくとも一部に接続されている。

【0010】

また、上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの一態様は、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に沿ってマトリクス状に配置された複数の画素を有する有機ＥＬ表示パネルであって、前記複数の画素のそれぞれは、前記第１方向に沿って配置され互いに異なる色の光を出射する複数の副画素を有し、前記複数の副画素のそれぞれは、アノード電極層と、少なくとも一部が前記アノード電極層を覆うように配置されてる有機層と、前記アノード電極層および前記有機層よりも面積が大きく少なくとも一部が前記有機層を覆うように配置されている有機共通層と、前記アノード電極層および前記有機層よりも面積が大きく前記有機共通層を覆うように配置されているカソード電極層とを備え、前記有機共通層および前記カソード電極層は、前記第１方向に隣り合う前記複数の副画素間において繋がるように共通化され、前記複数の副画素のそれぞれには、有機ＥＬ素子が含まれ、前記有機ＥＬ素子は、前記アノード電極層の一部であるアノード部と、前記カソード電極層の一部であるカソード部と、前記有機層の一部であり、前記アノード部および前記カソード部の間に設けられた発光部と、前記有機共通層の一部であり、前記発光部および前記カソード部の間に設けられた層間有機部と、を有し、前記第１方向に配置された前記複数の画素の間に、凹部を有する導体層が設けられ、前記導体層の前記凹部は、前記有機共通層で覆われている被覆部と、前記有機共通層で覆われずに前記導体層が露出している導体露出部とを有し、前記カソード電極層は、前記導体露出部の少なくとも一部に接続されている。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、カソード電極層が複数の画素にて共通化されている有機ＥＬ表示パネルにおいて、カソード電極層の一部であるカソード部の電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルを含む表示装置を示す模式図である。

【図2】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの画素の回路図である。

【図3】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの回路構成を示す図である。

【図4】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルを光出射方向から見た場合の模式図である。

【図5】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルを図４に示すＶ−Ｖ線で切断した場合の断面図である。

【図5A】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルを図４に示すＶＡ−ＶＡ線で切断した場合の断面図である。

【図6】図５に示す有機ＥＬ表示パネルの導体層の凹部を拡大した図である。

【図7】図６に示す導体層の凹部をＶＩＩ−ＶＩＩ線で切断した場合の図である。

【図8】比較例における有機ＥＬ表示パネルの断面図である。

【図9】実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルの断面図である。

【図10】図９に示す有機ＥＬ表示パネルの導体層の凹部を拡大した図である。

【図11】実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネルの画素を光出射方向から見た場合の模式図である。

【図12】実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネルを図１１に示すＸＩＩ−ＸＩＩ線で切断した場合の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

【0014】

各図において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を付している。また、各図は、模式図であり、膜厚および各部の大きさの比などは、必ずしも厳密に表したものではない。

【0015】

（実施の形態１）
［１−１．表示装置の構成］
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０を含む表示装置１について、図１および図２を参照しながら説明する。図１は、有機ＥＬ表示パネル１０を含む表示装置１を示す模式図である。図２は、表示パネル１０の画素１０ａの回路図である。

【0016】

表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以下、表示パネル１０と呼ぶ）と、表示パネル１０に接続された駆動制御回路部２０とを備えている。

【0017】

表示パネル１０は、複数の画素１０ａがマトリクス状に配置された表示部１０ｃを有している。カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルでは、例えば、ＲＧＢ（赤緑青）各色に対応する３つの有機ＥＬ（electro luminescence）素子によって３つの副画素が形成され、この３つの副画素が組み合わされることで１つの画素１０ａが形成されている。なお、各画素１０ａは、３つの副画素に限られず、Ｗ（白）による１つの副画素、または、ＲＧＢＷによる４つの副画素によって形成されていてもよい。

【0018】

駆動制御回路部２０は、例えば、４つの駆動回路２１、２２、２３、２４と制御回路２５とを備えている。

【0019】

［１−２．各画素および表示パネルの回路構成］
次に、図２を参照しながら、各画素１０ａおよび表示パネル１０の回路構成について説明する。

【0020】

各画素１０ａは、例えば、駆動トランジスタＴｒ１と、スイッチングトランジスタＴｒ２と、キャパシタＣと、有機ＥＬ素子９０とを備えている。駆動トランジスタＴｒ１およびスイッチングトランジスタＴｒ２のそれぞれは、例えば、電界効果トランジスタである。

【0021】

スイッチングトランジスタＴｒ２のゲートＧ２は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２は、データラインＶｄａｔに接続され、ドレインＤ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のドレインＤ１は、電源ラインＶａに接続され、ソースＳ１は、有機ＥＬ素子９０のアノード部に接続されている。有機ＥＬ素子９０のカソード部は、電源ラインＶｃａｔに接続されている。キャパシタＣの一方端は、スイッチングトランジスタＴｒ２のドレインＤ２および駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１に接続され、他方端は、電源ラインＶａに接続されている。

【0022】

この回路では、駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１に印加する電圧を変えることで、有機ＥＬ素子９０に流れる電流値をコントロールし、各画素１０ａの明るさを変えることができる。

【0023】

図３は、表示パネル１０の回路構成を示す図である。表示パネル１０では、複数の画素１０ａが、ｍ行ｎ列に配置されている。

【0024】

各画素１０ａのゲートＧ２からは、ゲートラインＧＬ−１〜ｎが引き出されている。ゲートラインＧＬ−１〜ｎは、表示部１０ｃの外側の接続部１０ｂにおいて、配線接続部ＣＮｓｃｎ−１〜ｎを介して外部接続端子ＴＭｓｃｎ−１〜ｎに接続され、さらに走査ラインＶｓｃｎ−１〜ｎに接続されている。

【0025】

各画素１０ａのソースＳ２からは、ソースラインＳＬ−１〜ｍが引き出されている。ソースラインＳＬ−１〜ｍは、接続部１０ｂにおいて、配線接続部ＣＮｄａｔ−１〜ｍを介して外部接続端子ＴＭｄａｔ−１〜ｍに接続され、さらにデータラインＶｄａｔ−１〜ｍに接続されている。

【0026】

各画素１０ａの電源ラインＶａは結線され、接続部１０ｂにおいて、配線接続部ＣＮａを介して外部接続端子ＴＭａに接続されている。各画素１０ａの電源ラインＶｃａｔは結線され、接続部１０ｂにおいて、配線接続部ＣＮｃａｔを介して外部接続端子ＴＭｃａｔに接続されている。

【0027】

［１−３．表示パネルの構造］
次に、表示パネル１０の構造について、図４および図５を参照しながら説明する。図４は、表示パネル１０を光出射方向から見た場合の模式図である。図５は、表示パネル１０を図４に示すＶ−Ｖ線で切断した場合の断面図である。

【0028】

以下、図４に示すように、複数の画素１０ａの列並び方向を第１方向Ｘ、第１方向Ｘに交差する方向であって、複数の画素１０ａの行並び方向を第２方向Ｙと呼ぶ。また、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの両方に直交する方向であって、有機ＥＬ素子９０から光が出射される方向を光出射方向Ｚと呼ぶ。なお、光出射方向Ｚのプラス側を上側と呼び、光出射方向Ｚのマイナス側を下側と呼ぶ場合がある。また、図３および図４を対比した場合、図３における紙面右方向がＹ方向であり、紙面下方向がＸ方向である。

【0029】

表示パネル１０は、トップエミッション構造を有する有機ＥＬ表示パネルである。図５に示すように、表示パネル１０では、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板１００上にＴＦＴ層ｔ１が形成され、ＴＦＴ層ｔ１の上側に層間絶縁層ｉ１が形成され、層間絶縁層ｉ１の上側にＥＬ層ｅ１が形成されている。ＥＬ層ｅ１上には、保護膜１２２、封止樹脂１２１および封止基板１２０がこの順で積層されている。

【0030】

同様に各画素１０ａは、ＴＦＴ基板１００に、ＴＦＴ層ｔ１、層間絶縁層ｉ１およびＥＬ層ｅ１が順に積層された構造を有している。各画素１０ａには、後述する有機ＥＬ素子９０が含まれている。

【0031】

ＴＦＴ基板１００は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板またはプラスチック基板である。

【0032】

ＴＦＴ層ｔ１は、図５に示すように、チャネル１０１、ゲート絶縁層１０３、ゲート電極１０４、保護層１０６、ソース電極１０７、ドレイン電極１０８、パッシベーション層１１２を有する。

【0033】

チャネル１０１は、ＴＦＴ基板１００上に設けられている。ゲート絶縁層１０３は、チャネル１０１およびＴＦＴ基板１００の表面を覆うように設けられている。ゲート電極１０４は、ゲート絶縁層１０３上に設けられている。保護層１０６は、ゲート電極１０４およびゲート絶縁層１０３を覆うように設けられている。

【0034】

ゲート電極１０４は、例えば、モリブデン−タングステン合金、または、チタンとアルミニウムとの積層体である。ゲート絶縁層１０３は、例えば、酸化シリコンと窒化シリコンとの積層体である。チャネル１０１は、例えば、アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）である。保護層１０６は、例えば、酸化シリコンである。

【0035】

チャネル１０１およびゲート電極１０４よりも上側に位置する保護層１０６上には、ソース電極１０７およびドレイン電極１０８が互いに間隔をあけて設けられている。ソース電極１０７は、保護層１０６およびゲート絶縁層１０３に設けられた層間導体によってチャネル１０１に接続されている。ドレイン電極１０８は、保護層１０６およびゲート絶縁層１０３に設けられた、上記層間導体と異なる層間導体によって、チャネル１０１に接続されている。ソース電極１０７およびドレイン電極１０８のそれぞれは、例えば、チタンとアルミニウムとの積層体である。

【0036】

パッシベーション層１１２は、ソース電極１０７、ドレイン電極１０８および保護層１０６を覆うように設けられている。パッシベーション層１１２は、例えば、酸化シリコンである。

【0037】

図５と図２との対応関係について説明すると、図２におけるゲートＧ１がゲート電極１０４に対応し、ソースＳ１がソース電極１０７に対応し、ドレインＤ１がドレイン電極１０８に対応している。なお、図２に示すトランジスタＴｒ２およびキャパシタＣは、図５とは異なる断面に存在するので、図５には表されていない。

【0038】

ＴＦＴ層ｔ１上には、層間絶縁層ｉ１が形成されている。層間絶縁層ｉ１は、絶縁層１１３および絶縁層１１５を有する。具体的には、絶縁層１１３がパッシベーション層１１２上に設けられ、絶縁層１１５が絶縁層１１３上に設けられている。絶縁層１１３、１１５のそれぞれは、例えば、ポリイミド、ポリアミドまたはアクリル系樹脂材料などの有機材料を含む有機層である。

【0039】

層間絶縁層ｉ１上には、ＥＬ層ｅ１が形成されている。ＥＬ層ｅ１は、アノード電極層１１６、バンク（隔壁）１１７、有機層１１８およびカソード電極層１１９を備える。これらのうち、アノード電極層１１６、有機層１１８およびカソード電極層１１９が積層されて重なっている領域に、有機ＥＬ素子９０が形成される。

【0040】

有機ＥＬ素子９０は、アノード部ＡＮと、カソード部ＣＡと、アノード部ＡＮとカソード部ＣＡとの間に設けられた発光部ＥＭとを有する。有機ＥＬ素子９０は、アノード部ＡＮおよびカソード部ＣＡに電圧が印加されることで、発光部ＥＭにホールおよび電子が注入され、注入されたホールと電子とが再結合することで発光する。本実施の形態において、アノード部ＡＮはアノード電極層１１６の一部であり、カソード部ＣＡはカソード電極層１１９の一部であり、発光部ＥＭは有機層１１８の一部である。

【0041】

アノード電極層１１６は、光反射性を有する層であり、絶縁層１１５上に設けられている。アノード部ＡＮは、絶縁層１１５、１１３およびパッシベーション層１１２の貫通孔内に形成されたアノード電極層１１６を介してソース電極１０７に接続されている。アノード電極層１１６は、例えば、タングステンと、アルミニウムまたはアルミニウム合金との積層体であり、スパッタリング法または真空蒸着法によって形成される。

【0042】

バンク１１７は、アノード部ＡＮの外縁を囲むように枠状に設けられている。バンク１１７は、例えば、絶縁性を有する樹脂材料または有機材料によって形成される。

【0043】

有機層１１８は、発光性を有する有機材料を含む層であり、アノード電極層１１６上およびバンク１１７上に形成されている。有機層１１８は、アノード電極層１１６よりも面積が大きく、少なくとも一部はアノード電極層１１６を覆うように配置されている。有機層１１８は、高分子材料のホストと、電子および正孔が結合する際に発光中心として機能するドーパントとを含み、例えば、インクジェット法または真空蒸着法によって形成される。

【0044】

カソード電極層１１９は、光透過性を有する層である。カソード電極層１１９は、アノード電極層１１６よりも面積が大きく、少なくとも一部が有機層１１８を覆うように配置されている。カソード電極層１１９は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）であり、スパッタリング法または真空蒸着法によって形成される。

【0045】

図５Ａは、表示パネル１０を図４に示すＶＡ−ＶＡ線で切断した場合の断面図である。なお、図５Ａでは、簡易的に電源ラインおよびソースラインを割愛している。図５Ａに示すように、複数の画素１０ａの間の領域を上記ＶＡ−ＶＡ線で切断した場合、有機層１１８の少なくとも一部およびカソード電極層１１９のそれぞれは、複数の画素１０ａの間において繋がっている。すなわち、有機層１１８の少なくとも一部およびカソード電極層１１９は、複数の画素１０ａ間において共通化されている。

【0046】

図４および図５に示すように、表示パネル１０には、導体層５０が設けられている。導体層５０は、光出射方向Ｚから見た場合に、画素１０ａ内の領域に設けられ、さらに詳細には、有機ＥＬ素子９０が形成されている領域の外側の領域に設けられている。

【0047】

本実施の形態の導体層５０は、電源ラインＶａと同層の金属である（図３参照）。導体層５０は、ＴＦＴ基板１００に設けられた半導体材料層１０２上に形成されている。なお、導体層５０は、導体層５０とは異なる他の導体層上に設けられていてもよい。導体層５０は、ゲート絶縁層１０３の一部、および、保護層１０６を貫通し、半導体材料層１０２に接続されている。導体層５０は、低抵抗材料を含み、例えば、チタンとアルミニウムとの積層体、または、アルミニウム合金によって形成される。導体層５０上には、開口を有するパッシベーション層１１２が形成されている。

【0048】

また、導体層５０には、窪み形状を有する凹部５１が形成されている。凹部５１は、パッシベーション層１１２の開口の内側に形成されている。凹部５１内には、絶縁層１１３、有機層１１８、カソード電極層１１９および保護膜１２２が形成されている。カソード電極層１１９の一方端１１９ａは、凹部５１内において導体層５０に接続されている。なお、カソード電極層１１９の他方端１１９ｂは、導体層５０に接続されていない。

【0049】

ここで導体層５０の凹部５１の構造について説明する。図６は、図５に示す導体層５０の凹部５１（図５に示すＶＩ部）を拡大した図である。図７は、図６に示す導体層５０の凹部５１をＶＩＩ−ＶＩＩ線で切断した場合の図である。

【0050】

図６に示すように、導体層５０の凹部５１は、被覆部５２と導体露出部５３とを有している。被覆部５２は、絶縁層１１３および有機層１１８で覆われている部分である。導体露出部５３は、絶縁層１１３および有機層１１８で覆われずに導体層５０が露出している部分である。なお、絶縁層１１３は、有機材料を含む層であり、有機層１１８とは異なるもう一つの有機層である。被覆部５２は、凹部５１の側面５１ａの一部を覆う有機層である絶縁層１１３および有機層１１８と、側面５１ａの一部に繋がる底面５１ｂを覆う有機層１１８とによって形成されている。

【0051】

凹部５１の形状は、光出射方向Ｚから見た場合に、矩形状であってもよいし、円形状、多角形状または長穴状であってもよい。本実施の形態では図７に示すように、凹部５１は、光出射方向Ｚから見た場合に矩形状であり、４つの側面５１ａを有している。

【0052】

導体露出部５３は、４つの側面５１ａのうち１以上３以下の側面５１ａに設けられている。被覆部５２は、４つの側面５１ａのうち、導体露出部５３である領域を除く１以上の側面５１ａに設けられている。図６では、導体露出部５３は、凹部５１の２つの側面５１ａのうち一方の側面５１ａに設けられ、被覆部５２は、上記一方の側面５１ａとは異なる他方の側面５１ａ側、および、底面５１ｂに設けられている。

【0053】

カソード電極層１１９は、被覆部５２を形成する絶縁層（有機層）１１３および有機層１１８上に設けられている。カソード電極層１１９の一方端１１９ａは、導体露出部５３に接続されている。なお、カソード電極層１１９は、導体露出部５３の少なくとも一部に接触していればよい。

【0054】

凹部５１は、例えば、あらかじめエッチングされたゲート絶縁層１０３および保護層１０６上に導体層５０を成膜して形成される。導体層５０の材料は金属であり、エッチング後の凹部５１の一方の側面５１ａおよび他方の側面５１ａは、光出射方向Ｚに平行に形成される。被覆部５２は、例えばフォトリソグラフィー法で形成される。具体的に被覆部５２は、凹部５１の上側に一旦形成された絶縁層１１３に、所定形状のマスクを用いて露光した後、絶縁層１１３の一部を残すようにエッチングすることで形成される。この製法により、凹部５１の他方の側面５１ａに、スロープ状の絶縁層１１３が形成される。そして、凹部５１内に設けられたスロープ状の絶縁層１１３上および底面５１ｂ上に、前述した有機層１１８が形成される。

【0055】

図６に示すように、凹部５１を、光出射方向Ｚに平行な断面で断面視した場合に、被覆部５２における有機層１１８の表面１１８ａの傾斜は、導体露出部５３における凹部５１の側面５１ａ（導体層５０の表面５０ａ）の傾斜よりも緩やかである。例えば、上記側面５１ａの傾斜は９０°であるのに対し、有機層の表面１１８ａの傾斜は７５°以上８５°以下である。

【0056】

カソード電極層１１９は、スロープ状の有機層１１８上に形成される。有機層１１８がスロープ状であるため、カソード電極層１１９をスパッタリング法または真空蒸着法で形成する場合に、カソード電極層１１９は有機層１１８上にて途切れることなく、連続性を有するように形成される。

【0057】

このように、表示パネル１０では、カソード電極層１１９が、スロープ状の有機層１１８上に設けられ、カソード電極層１１９の一方端１１９ａが導体露出部５３に接続されている。カソード電極層１１９が、導体露出部５３を介して低抵抗である導体層５０に接続されることで、カソード電極層１１９を低抵抗化することができる。これにより、表示パネル１０における各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0058】

なお、凹部５１の深さ寸法は、有機層１１８とカソード電極層１１９とを合計した厚み寸法よりも大きい。例えば、凹部５１の深さは５００ｎｍであり、有機層１１８の厚みは１００ｎｍであり、カソード電極層１１９の厚みは１００ｎｍである。この寸法関係により、カソード電極層１１９の一方端１１９ａは、導体露出部５３に確実に接続できる構造となっている。

【0059】

また、図６および図７に示すように、導体層５０は、導体層本体５５と、導体層本体５５の表面を覆う導体層表面部５６とによって構成されている。導体層表面部５６は、被覆膜であり、凹部５１を有する導体層本体５５の表面に沿って形成されている。例えば、導体層本体５５はアルミニウムから形成され、導体層表面部５６はチタンから形成されている。すなわち導体層表面部５６は、導体層本体５５よりも酸化しにくい材料によって形成されている。カソード電極層１１９の一方端１１９ａは、導体層表面部５６を介して導体層本体５５に導通される。本実施の形態では、カソード電極層１１９を、酸化しにくい導体層表面部５６に接続しているため、酸化しやすい導体層本体５５に直接接続する場合に比べて、接触抵抗が大きくなることを抑制することができる。

【0060】

［１−４．効果等］
上記構成を有する表示パネル１０の効果を示すため、比較例における有機ＥＬ表示パネル５１０の構成を説明する。図８は、比較例における表示パネル５１０の断面図である。

【0061】

比較例における表示パネル５１０は、アノード電極層１１６と同じ層に、カソード電極層１１９を低抵抗化するための補助電極５１６が設けられている。この表示パネル５１０では、カソード電極層１１９を補助電極５１６に接続するため、有機層１１８が２つの段に分かれ、途中で分断された構造となっている（図８のＶＩＩＩ部参照）。そのためカソード電極層１１９は、補助電極５１６の側面の一部にしか接触せず、カソード電極層１１９と補助電極５１６との接続が不十分となっている。

【0062】

それに対し本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０は、複数の画素を有する有機ＥＬ表示パネル１０であって、複数の画素１０ａのそれぞれは、アノード電極層１１６と、アノード電極層１１６よりも面積が大きく、少なくとも一部がアノード電極層１１６を覆うように配置されている有機層１１８と、少なくとも一部が有機層１１８を覆うように配置されているカソード電極層１１９とを備えている。有機層１１８およびカソード電極層１１９のそれぞれは、複数の画素１０ａ間において繋がるように共通化されている。複数の画素１０ａのそれぞれには、１以上の有機ＥＬ素子９０が含まれている。有機ＥＬ素子９０は、アノード電極層１１６の一部であるアノード部ＡＮと、カソード電極層１１９の一部であるカソード部ＣＡと、有機層１１８の一部であり、アノード部ＡＮおよびカソード部ＣＡの間に設けられた発光部ＥＭとを有している。有機ＥＬ素子９０の光出射方向Ｚから見た場合に、有機ＥＬ素子９０が形成されている領域の外側の領域に、凹部５１を有する導体層５０が設けられている。導体層５０の凹部５１は、有機層１１８で覆われている被覆部５２と、有機層１１８で覆われずに導体層５０が露出している導体露出部５３とを有している。カソード電極層１１９は、導体露出部５３の少なくとも一部に接続されている。

【0063】

このように、カソード電極層１１９を凹部５１の導体露出部５３に接続することで、カソード電極層１１９を導体層５０に確実に接続することができる。これにより、カソード電極層１１９を低抵抗化することができ、表示パネル１０における各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0064】

また、被覆部５２は、凹部５１の側面５１ａの一部、および、側面５１ａの一部に繋がる底面５１ｂを覆う有機層１１８によって形成され、カソード電極層１１９は、被覆部５２を形成する有機層１１８上に設けられ、導体露出部５３に接続されていてもよい。

【0065】

このようにカソード電極層１１９を凹部５１内の有機層１１８上に設けることで、カソード電極層１１９を導体層５０の導体露出部５３に確実に接続することができる。これにより、カソード電極層１１９を低抵抗化することができ、表示パネル１０における各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0066】

また、凹部５１は、光出射方向Ｚから見た場合に矩形状であり、４つの側面５１ａを有し、導体露出部５３は、４つの側面５１ａのうち１以上３以下の側面５１ａに設けられ、被覆部５２は、４つの側面５１ａのうち、導体露出部５３である領域を除く１以上の側面５１ａに設けられていてもよい。

【0067】

これによれば、カソード電極層１１９を凹部５１の側面５１ａの導体露出部５３に確実に接続することができる。これにより、カソード電極層１１９を低抵抗化することができ、表示パネル１０における各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0068】

また、凹部５１を、光出射方向Ｚに平行な断面で断面視した場合に、被覆部５２における有機層１１８の表面１１８ａの傾斜は、導体露出部５３における凹部５１の側面５１ａの傾斜よりも緩やかであってもよい。

【0069】

これによれば、有機層１１８上に設けられるカソード電極層１１９を連続性を有する形状に形成することができ、カソード電極層１１９を導体層５０に確実に接続することができる。これにより、カソード電極層１１９を低抵抗化することができ、表示パネル１０における各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0070】

また、有機ＥＬ表示パネル１０は、ＴＦＴ基板１００上に設けられたＴＦＴ層ｔ１と、アノード電極層１１６、有機層１１８およびカソード電極層１１９を含むＥＬ層ｅ１と、ＴＦＴ層ｔ１とＥＬ層ｅ１との間に設けられた層間絶縁層ｉ１とを備え、導体層５０は、ＴＦＴ層ｔ１内に設けられた電源ラインＶａと同一の金属層であり、被覆部５２は、層間絶縁層ｉ１の一部および有機層１１８の一部によって形成されていてもよい。

【0071】

このように導体層５０を電源ラインＶａと同一の金属層とすることで、導体層５０を低抵抗化することができる。これにより、カソード電極層１１９をさらに低抵抗化することができ、表示パネル１０における各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0072】

また、導体層５０とＴＦＴ基板１００との間に、半導体材料層１０２、または、導体層５０とは異なる他の導体層が設けられていてもよい。

【0073】

これによれば、導体層５０を形成する前の工程で凹部５１を形成する際に、エッチング等によりＴＦＴ基板１００がエッチングされるのを防ぐことができる。

【0074】

また、導体層５０とＴＦＴ基板１００との間に、導体層５０と異なる他の導体層が設けられ、導体層５０は、他の導体層に接続されていてもよい。

【0075】

これによれば、導体層５０の抵抗値を小さくすることができる。これにより、カソード電極層１１９をさらに低抵抗化することができ、表示パネル１０における各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0076】

（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａについて、図９および図１０を参照しながら説明する。実施の形態２の有機ＥＬ表示パネル１０Ａ（以下、表示パネル１０Ａと呼ぶ）は、導体層５０がアノード電極層１１６と同じ材料を含む層によって形成されている点で、実施の形態１と異なる。

【0077】

図９は、表示パネル１０Ａの断面図である。

【0078】

実施の形態２の導体層５０は、アノード電極層１１６が形成される工程と同時に形成される。導体層５０は、カソード電極層１１９を低抵抗化するための補助電極であり、アノード電極層１１６と電気的に接続されていない。導体層５０は、絶縁層１１５、１１３、を貫通するように形成されている。導体層５０は、低抵抗材料を含み、例えば、タングステンと、アルミニウムまたはアルミニウム合金との積層体である。なお、導体層５０は、図示していない電源ラインＶａと同一の層に接続される。

【0079】

導体層５０は、断面がＶ字状またはＵ字状の凹部５１を有するように形成される。凹部５１内には、有機層１１８、カソード電極層１１９および保護膜１２２が形成されている。カソード電極層１１９の一方端１１９ａは、凹部５１内において導体層５０に接続されている。

【0080】

ここで導体層５０の凹部５１の構造について説明する。図１０は、表示パネル１０Ａの導体層５０の凹部５１（図９に示すＸ部）を拡大した図である。

【0081】

図１０に示すように、導体層５０の凹部５１は、被覆部５２と導体露出部５３とを有している。被覆部５２は、有機層１１８で覆われている部分である。導体露出部５３は、有機層１１８で覆われずに導体層５０が露出している部分である。すなわち被覆部５２は、凹部５１の側面５１ａの一部、および、側面５１ａの一部に繋がる底面５１ｂを覆う有機層によって形成されている。

【0082】

凹部５１の形状は、光出射方向Ｚから見た場合に、矩形状であってもよいし、円形状、多角形状または長穴状であってもよい。

【0083】

カソード電極層１１９は、被覆部５２を形成する絶縁層（有機層）１１３および有機層１１８上に設けられている。カソード電極層１１９の一方端１１９ａは、導体露出部５３に接続されている。なお、カソード電極層１１９は、導体露出部５３の少なくとも一部に接触していればよい。

【0084】

図１０に示すように、凹部５１を、光出射方向Ｚに平行な断面で断面視した場合に、被覆部５２における有機層１１８の表面１１８ａの傾斜は、導体露出部５３における凹部５１の側面５１ａの傾斜よりも緩やかである。

【0085】

カソード電極層１１９は、スロープ状の有機層１１８上に形成される。有機層１１８がスロープ状であるため、カソード電極層１１９をスパッタリング法または真空蒸着法で形成する場合に、カソード電極層１１９は有機層１１８上にて途切れることなく、連続性を有するように形成される。

【0086】

このように、実施の形態２の表示パネル１０Ａでは、カソード電極層１１９が、スロープ状の有機層１１８上に設けられ、導体露出部５３に接続されている。カソード電極層１１９が、導体露出部５３を介して低抵抗である導体層５０に接続されることで、カソード電極層１１９を低抵抗化することができる。これにより、表示パネル１０Ａにおける各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0087】

また、実施の形態２の導体層５０は、アノード電極層１１６と同じ材料を含む層であり、アノード電極層１１６に接続されていない。

【0088】

このように、アノード電極層１１６に接続されていない導体層５０を補助電極として用いることで、導体層５０に接続されるカソード電極層１１９を低抵抗化することができる。これにより、表示パネル１０Ａにおける各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0089】

（実施の形態３）
次に、実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂについて、図１１および図１２を参照しながら説明する。実施の形態３の有機ＥＬ表示パネル１０Ｂ（以下、表示パネル１０Ｂと呼ぶ）は、各画素１０ａが、複数の副画素によって構成されている。

【0090】

図１１は、表示パネル１０Ｂの画素１０ａを光出射方向から見た場合の模式図である。図１２は、表示パネル１０Ｂを図１１に示すＸＩＩ−ＸＩＩ線で切断した場合の断面図である。なお、図１２では、有機層１１８および有機共通層１３０のみにハッチングを施している。

【0091】

複数の画素１０ａは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配置されている。各画素１０ａのそれぞれは、第１方向Ｘに沿って配置され互いに異なる色の光を出射する複数の副画素１０ａａ、１０ａｂ、１０ａｃを有している。例えば、副画素１０ａａはＲ（赤）であり、副画素１０ａｂはＧ（緑）であり、副画素１０ａｃはＢ（青）である。また、複数の画素１０ａは、同色の光を出射する複数の同色の副画素１０ａａ〜１０ａｃが第２方向Ｙに沿って並ぶように配置されている。

【0092】

複数の副画素１０ａａ〜１０ａｃのそれぞれは、アノード電極層１１６と、少なくとも一部がアノード電極層１１６を覆うように配置されている有機層１１８と、アノード電極層１１６および有機層１１８よりも面積が大きく少なくとも一部が有機層１１８を覆うように配置されている有機共通層１３０と、アノード電極層１１６および有機層１１８よりも面積が大きく、有機共通層１３０を覆うように配置されているカソード電極層１１９とを備えている。

【0093】

有機共通層１３０は、有機材料を含む層であり、例えば、電子輸送層および電子注入層である。なお、アノード電極層１１６と有機層１１８との間には、正孔注入層および正孔輸送層が設けられている（図示省略）。

【0094】

有機共通層１３０およびカソード電極層１１９は、第１方向Ｘに隣り合う複数の副画素１０ａａ〜１０ａｃ間において繋がるように共通化されている。有機層１１８は、第２方向Ｙに並ぶ同色の副画素１０ａａ〜１０ａｃ間において繋がっている。

【0095】

複数の副画素１０ａａ〜１０ａｃのそれぞれには、有機ＥＬ素子９０が含まれている。有機ＥＬ素子９０は、アノード電極層１１６の一部であるアノード部ＡＮと、カソード電極層１１９の一部であるカソード部ＣＡと、有機層１１８の一部であり、アノード部ＡＮおよびカソード部ＣＡの間に設けられた発光部ＥＭと、有機共通層１３０の一部（電子輸送層の一部および電子注入層の一部）であり、発光部ＥＭおよびカソード部ＣＡの間に設けられた層間有機部ＳＯとを有している。なお、アノード部ＡＮと発光部ＥＭとの間には、正孔注入層の一部である正孔注入部、および、正孔輸送層の一部である正孔輸送部が設けられている（図示省略）。

【0096】

第１方向Ｘに配置された複数の画素１０ａのうちの所定の画素１０ａの領域内には、凹部５１を有する導体層５０が設けられている。導体層５０の凹部５１は、有機共通層１３０で覆われている被覆部５２と、有機共通層１３０で覆われずに導体層５０が露出している導体露出部５３とを有している。カソード電極層１１９は、導体露出部５３の少なくとも一部に接続されている。また、被覆部５２は、凹部５１の側面の一部、および、側面の一部に繋がる底面を覆う有機共通層１３０によって形成され、カソード電極層１１９は、被覆部５２を形成する有機共通層１３０上に設けられ、導体露出部５３に接続されている。

【0097】

実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂは、第１方向Ｘおよび第１方向Ｘと交差する第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配置された複数の画素１０ａを有する有機ＥＬ表示パネル１０Ｂであって、複数の画素１０ａのそれぞれは、第１方向Ｘに沿って配置され互いに異なる色の光を出射する複数の副画素１０ａａ〜１０ａｃを有している。複数の副画素１０ａａ〜１０ａｃのそれぞれは、アノード電極層１１６と、少なくとも一部がアノード電極層１１６を覆うように配置されてる有機層１１８と、アノード電極層１１６および有機層１１８よりも面積が大きく少なくとも一部が有機層１１８を覆うように配置されている有機共通層１３０と、アノード電極層１１６および有機層１１８よりも面積が大きく有機共通層１３０を覆うように配置されているカソード電極層１１９とを備えている。有機共通層１３０およびカソード電極層１１９は、第１方向Ｘに隣り合う複数の副画素１０ａａ〜１０ａｃ間において繋がるように共通化されている。複数の副画素１０ａａ〜１０ａｃのそれぞれには、有機ＥＬ素子９０が含まれている。有機ＥＬ素子９０は、アノード電極層１１６の一部であるアノード部ＡＮと、カソード電極層１１９の一部であるカソード部ＣＡと、有機層１１８の一部であり、アノード部ＡＮおよびカソード部ＣＡの間に設けられた発光部ＥＭと、有機共通層１３０の一部であり、発光部ＥＭおよびカソード部ＣＡの間に設けられた層間有機部ＳＯと、を有している。第１方向Ｘに配置された複数の画素１０ａの間に、凹部５１を有する導体層５０が設けられ、導体層５０の凹部５１は、有機共通層１３０で覆われている被覆部５２と、有機共通層１３０で覆われずに導体層５０が露出している導体露出部５３とを有している。カソード電極層１１９は、導体露出部５３の少なくとも一部に接続されている。

【0098】

このように表示パネル１０Ｂにおいても、カソード電極層１１９を凹部５１の導体露出部５３に接続することで、カソード電極層１１９を導体層５０に確実に接続することができる。これにより、カソード電極層１１９を低抵抗化することができ、表示パネル１０Ｂにおける各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0099】

また、表示パネル１０Ｂは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの両方に垂直な方向から見た場合、第２方向Ｙに平行で凹部５１を通る軸線Ｌ１上には、有機ＥＬ素子９０が存在していない。

【0100】

例えば図８に示す比較例では、カソード電極層１１９を補助電極５１６に接続するために、有機層１１８を２つの段に分断して形成する必要がある。それに対し、本実施の形態の表示パネル１０Ｂのように、有機ＥＬ素子９０が存在しない領域に凹部５１を設けることで、導体層５０とカソード電極層１１９との接続を容易に行うことができる。なお、有機共通層１３０は、有機共通層１３０の一部が、軸線Ｌ１上に設けられていても構わない。

【0101】

また、表示パネル１０Ｂにおける複数の画素１０ａは、同色の光を出射する複数の同色の副画素１０ａａ〜１０ａｃが第２方向Ｙに沿って並ぶように配置され、有機共通層１３０は、第２方向Ｙに並ぶ同色の副画素（例えば１０ａａ、１０ａａ）間において繋がっていてもよい。

【0102】

このように第２方向Ｙに並ぶ同色の副画素１０ａａ〜１０ａｃのそれぞれが、共通化されている場合であっても、カソード電極層１１９を凹部５１の導体露出部５３に接続することで、カソード電極層１１９を導体層５０に確実に接続することができる。これにより、カソード電極層１１９を低抵抗化することができ、表示パネル１０Ｂにおける各有機ＥＬ素子９０のカソード部ＣＡの電位変動に起因する画質不良を抑制することができる。

【0103】

（その他の形態）
以上、本発明に係る表示パネル１０、１０Ａ、１０Ｂについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。上述した実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示パネル１０〜１０Ｂを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

【0104】

例えば、有機ＥＬ素子９０は、アノード電極層、正孔注入層、有機層、電子注入層およびカソード電極層が順に積層されることで形成されていてもよい。また、正孔注入層と有機層との間に正孔輸送層が形成されていてもよい。有機層と電子注入層の間に電子輸送層が形成されていてもよい。正孔輸送層への電子の到達を抑制するため、正孔輸送層と有機層との間に電子ブロック層が形成されていてもよい。

【0105】

例えば、上記実施の形態では、各画素１０ａが２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と１つのキャパシタＣとを有する構成について説明したが、それに限らず、例えば、３つのトランジスタと１つのキャパシタとを有する構成であってもよい。また、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は、ｎチャネル型の電界効果トランジスタであってもよいし、ｐチャネル型の電界効果トランジスタであってもよい。

【0106】

例えば、実施の形態３では、各画素１０ａが複数の副画素１０ａａ〜１０ａｃによって構成されている例を示したが、実施の形態１においても、各画素１０ａが複数の副画素（例えば副画素１０ａａ〜１０ａｃ）によって構成されていてもよい。

【産業上の利用可能性】

【0107】

本発明に係る有機ＥＬ表示パネルは、高い表示品位が要求されるディスプレイ装置等に有用である。

【符号の説明】

【0108】

１ 表示装置
１０、１０Ａ、１０Ｂ 有機ＥＬ表示パネル
１０ａ 画素
１０ａａ、１０ａｂ、１０ａｃ 副画素
１０ｂ 接続部
１０ｃ 表示部
２０ 駆動制御回路部
２１、２２、２３、２４ 駆動回路
２５ 制御回路
５０ 導体層
５０ａ 表面
５１ 凹部
５１ａ 側面
５１ｂ 底面
５２ 被覆部
５３ 導体露出部
５５ 導体層本体
５６ 導体層表面部
９０ 有機ＥＬ素子
１００ ＴＦＴ基板
１０１ チャネル
１０２ 半導体材料層
１０３ ゲート絶縁層
１０４ ゲート電極
１０６ 保護層
１０７ ソース電極
１０８ ドレイン電極
１１２ パッシベーション層
１１３、１１５ 絶縁層
１１６ アノード電極層
１１７ バンク
１１８ 有機層
１１８ａ 表面
１１９ カソード電極層
１１９ａ 一方端
１１９ｂ 他方端
１２０ 封止基板
１２１ 封止樹脂
１２２ 保護膜
１３０ 有機共通層
ＡＮ アノード部
ＣＡ カソード部
ＥＭ 発光部
ＳＯ 層間有機部
ｅ１ ＥＬ層
ｉ１ 層間絶縁層
Ｌ１ 軸線
ｔ１ ＴＦＴ層
Ｔｒ１ 駆動トランジスタ
Ｔｒ２ スイッチングトランジスタ
Ｖａ、Ｖｃａｔ 電源ライン
Ｖｄａｔ データライン
Ｖｓｃｎ 走査ライン
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向
Ｚ 光出射方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図5A】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】