【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明の第1の目的は以下の一連の工程を含む、全固体薄層電池を製造する方法に関する。
【0013】
a)少なくとも1つのアノード材料を含む層(ここでは「アノード材料層」とよぶ)をその導電性基板上に堆積させる。導電性基板は、好ましくは、金属シート、金属片(a metal strip)、金属化絶縁シート(a metallized insulating sheet)、金属化絶縁片(a metallized insulating strip)、金属化絶縁フィルム(a metallized insulating film)、によって形成される群から選択され、前記導電性基板又はその導電性の構成要素は、アノード集電体として機能させることができる。
【0014】
b)工程a)と工程b)とは順序を逆にすることができるという理解の下、少なくとも1つのカソード材料を含む層(ここでは「カソード材料層」とよばれる)をその導電性基板上に堆積させる。導電性基板は、好ましくは、金属シート、金属片、金属化絶縁シート、金属化絶縁片、金属化絶縁フィルムによって形成される群から選択され、前記導電性基板又はその導電性の構成要素は、カソード集電体として機能させることができる。
【0015】
c)工程a)及び/又は工程b)で得られた少なくとも1つの層において、少なくとも1つの固体電解質層(ここでは「電解質材料層と呼ぶ」)を含む層を堆積させる。
【0016】
d)10μm未満、好ましくは5μm未満、更により好ましくは2μm未満の厚さを有するイオン性原子団を有する架橋ポリマー材料の層を、以下の層上に堆積させる:
− 固体電解質材料層で被覆されたアノード材料層及び/又は固体電解質材料層で被覆された若しくは被覆されていないカソード材料層;
− 又は、固体電解質材料層で被覆されたカソード材料層及び/又は固体電解質材料層で被覆された若しくは被覆されていないアノード材料層。
【0017】
e)工程a)、工程c)又は工程d)で得られたアノード材料層と、工程b)、工程c)又は工程d)で得られたカソード材料層とを、表面同士を合わせて連続して積み重ねる。ここで、そのスタックは、工程c)で得られた少なくとも1つの固体電解質及び工程d)で得られた少なくとも1つの架橋ポリマー材料層を有すると理解されているものとする。
【0018】
f)全固体薄層電池を得るために、工程e)で得られたスタックの熱処理及び/又は機械的圧縮を行う。
【0019】
上記の架橋ポリマーは、好ましくは、ポリメチルメタクリレート、ポリアミン、ポリイミド又はポリシロキサンから選択する。
【0020】
好ましくは、ポリマー材料のイオン性の原子団は、以下より選択するカチオン:イミダゾリウム、ピラゾリウム、テトラゾリウム、ピリジニウム、n−プロピル−n−メチルピロリジニウム(PYR
13とも呼ばれる)又はn−ブチル−n−メチルピロリジニウム(PYR
14とも呼ばれる)などのピロリジニウム、アンモニウム、ホスホニウム又はスルホニウム;及び/又は以下より選択するアニオンである:ビス(トリフルオロメタン)スルホンイミド、ビス(フルオロスルホニル)イミド、若しくはn−(ノナフルオロブタンスルホニル)−n−(トリフルオロメタンスルホニル)イミド。
【0021】
特定の実施形態では、上記の架橋ポリマー材料は、1つ以上の熱的又は光化学的に重合することが可能な原子団を有するモノマー及び/又はオリゴマー及び/又はプレポリマー(pre−polymers)の混合物の重合工程によって得る。前記モノマー及び/又はオリゴマー及び/又はプレポリマーの混合物は、前記イオン性の原子団をグラフトすることが可能な1つ以上の反応性原子団を有する。
【0022】
好ましくは、熱的及び/又は光化学的重合は、アノード、カソード及び/又は電解質層上で直接行う。
【0023】
イオン性原子団を有する架橋ポリマー材料の堆積は、ディップコーティング、スピンコーティング、ロールコーティング、ドクターブレード、エレクトロスプレー又は電気泳動法の少なくとも1つを用いて行うことが好ましい。
【0024】
ポリマー材料層の厚さは、10μm未満、好ましくは5μm未満、更により好ましくは2μm未満であり、0.5μm〜1μmであることが好ましい。
【0025】
前記固体アノード、カソード及び電解質層は、以下の技術の少なくとも1つを使用して堆積させる。
【0026】
(i)物理蒸着(PVD)、より具体的には、真空蒸着、レーザーアブレーション、イオンビーム、又はカソードスパッタリング(cathode sputtering)、
(ii)化学蒸着(CVD)、より具体的には、プラズマCVD(PECVD)、レーザーアシストCVD(LACVD)又はエアロゾルアシストCVD(AA−CVD)、
(iii)エレクトロスプレー、
(iv)電気泳動法、
(v)エアロゾル沈着、
(vi)ゾルゲル法、
(vii)ディッピング、より具体的にはディップコーティング、スピンコーティング、又はラングミュア−ブロジェット法。
【0027】
好ましくは、アノード、カソード及び電解質層は、エレクトロスプレー、電気泳動法、エアロゾルの使用、又はディッピングによって堆積させ、好ましくはすべて電気泳動法によって堆積させる。
【0028】
特定の実施形態では、アノード及び/又はカソード材料の層は、導電性材料、及び特に電解質フィルムを製造するのに使用するタイプのグラファイト、及び/又はリチウムイオン伝導性材料のナノ粒子、又はイオン性原子団を有する架橋固体ポリマー材料を含む。
【0029】
好ましくは、アノード及び/又はカソード及び/又は電解質層は、以下の技術のうちの少なくとも1つを使用して、それぞれアノード、カソード又は電解質材料のナノ粒子の堆積によって製造する:エレクトロスプレー、電気泳動法、エアロゾル沈着及びディッピング。より具体的には、アノード、カソード及び電解質材料のナノ粒子の層はすべて、電気泳動法によって堆積させる。
【0030】
本発明によれば、熱処理は、50℃〜300℃、好ましくは100℃〜200℃の温度で実施し、及び/又は組み立てられる層の機械的圧縮は、10MPa〜100MPa、好ましくは20MPa〜50MPaで実施する。
【0031】
アノード材料層a)は以下より選択される材料から製造する:
(i)酸窒化スズ(典型的な化学式はSnO
xN
y)、
(ii)リン酸鉄リチウム(典型的な化学式はLiFePO
4)、
(iii)ケイ素とスズとの混合の酸窒化物(典型的な化学式はSi
aSn
bO
yN
z、ここでa>0、b>0、a+b≦2、0<y≦4、及び0<z≦3)(SiTONとも呼ばれる)、及び、特にSiSn
0.87O
1.2N
1.72;及び、典型的な化学式がSi
aSn
bC
cO
yN
zである酸窒化物、ここでa>0、b>0、a+b≦2、0<c<10、0<y<24、0<z<17;及び、Si
aSn
bC
cO
yN
zX
n、ここでX
nはF,Cl,Br,I,S,Se,Te,P,As,Sb,Bi,Ge,Pbの元素のうち少なくとも1つ、及びa>0、b>0、a+b>0、a+b≦2、0<c<10、0<y<24及び0<z<17;及びSi
aSn
bO
yN
zX
n、ここでX
nはF,Cl,Br,I,S,Se,Te,P,As,Sb,Bi,Ge,Pbの元素のうち少なくとも1つ、及びa>0、b>0、a+b≦2、0<y≦4及び0<z≦3、
(iv)Si
xN
y(特にx=3及びy=4のもの),Sn
xN
y(特にx=3及びy=4のもの),Zn
xN
y(特にx=3及びy=4のもの),Li
3−xM
xN(M=Co,Ni,Cuのもの)、のタイプの窒化物、
(v)酸化物SnO
2,Li
4Ti
5O
12,SnB
0.6P
0.4O
2.9及びTiO
2。
【0032】
カソード材料層b)は以下から選択されるカソード材料から製造する。
【0033】
(i)酸化物LiMn
2O
4,LiCoO
2,LiNiO
2,LiMn
1.5Ni
0.5O
4,LiMn
1.5Ni
0.5−xX
xO
4(ここでXはAl,Fe,Cr,Co,Rh,Nd、及び他の希土類元素から選択され、及び0<x<0.1),LiFeO
2,LiMn
1/3Ni
1/3Co
1/3O
4。
【0034】
(ii)リン酸塩LiFePO
4,LiMnPO
4,LiCoPO
4,LiNiPO
4,Li
3V
2(PO
4)
3,及びLiMM’PO
4の化学式のリン酸塩であってM及びM’(M≠M’)はFe,Mn,Ni,Co,Vから選択する。
【0035】
(iii)以下のカルコゲン化物を全リチウム化したもの:V
2O
5,V
3O
8,TiS
2,酸硫化チタン(TiO
yS
z),酸硫化タングステン(WO
yS
z),CuS,CuS
2。
【0036】
電解質材料層c)は、以下より選択される電解質材料から製造する:
− 以下の化学式のガーネット
Li
d A
1x A
2y(TO
4)
z、ここで、
− A
1は、酸化数+IIのカチオンを表し、好ましくはCa,Mg,Sr,Ba,Fe,Mn,Zn,Y,Gd;また、
− A
2は、酸化数+IIIのカチオンを表し、好ましくはAl,Fe,Cr,Ga,Ti,La;また、
− (TO
4)は、Tが酸化数+IVの原子であり、酸素原子によって形成される四面体の中心に位置するアニオンを表し、TO
4はシリケート又はジルコネートアニオンであることが好ましい。ここで、酸化数+IVの元素Tのすべて又は一部は、Al,Fe,As,V,Nb,In,Taなどの酸化数+III又は+Vの原子で置換することができるということが理解されているものとする;
− 以下が理解されているものとする:dは2〜10、好ましくは3〜9、更により好ましくは4〜8であり、xは3であるが、2.6〜3.4(好ましくは2.8〜3.2)であってもよい。yは2であるが、1.7〜2.3(好ましくは1.9〜2.1)であってもよい。zは3であるが、2.9〜3.1であってもよい;
− 好ましくは以下より選択するガーネット:Li
7La
3Zr
2O
12;Li
6La
2BaTa
20
12;Li
5.5La
3Nb
1.75In
0.25O
12;Li
5La
3M
2O
12、ここでM=Nb又はTa又はその2つの化合物の混合物;Li
7−xBa
xLa
3−xM
2O
12、ここで0≦x≦1及びM=Nb又はTa又はその2つの化合物の混合物;Li
7−xLa
3Zr
2−xM
xO
12、ここで0≦x≦2及びM=Al,Ga,Ta又はその2つ若しくは3つの化合物の混合物;
− 好ましくは以下より選択するリン酸リチウム:Li
3PO
4;Li
3(Sc
2−xM
x)(PO
4)
3、ここでM=Al又はY及び0≦x≦1;Li
1+xM
x(Sc)
2−x(PO
4)
3、ここでM=Al,Y,Ga又はその3つの化合物の混合物、及び0≦x≦0.8;Li
1+xM
x(Ga
1−ySc
y)
2−x(PO
4)
3、ここで0≦x≦0.8;0≦y≦1及びM=Al又はY又はその2つの化合物の混合物;Li
1+xM
x(Ga)
2−x(PO
4)
3、ここでM=Al,Y又はその2つの化合物の混合物及び0≦x≦0.8;Li
1+xAl
xTi
2−x(PO
4)
3、ここで0≦x≦1,又はLi
1+xAl
xGe
2−x(PO
4)
3、ここで0≦x≦1;又はLi
1+x+zM
x(Ge
1−yTi
y)
2−xSi
zP
3−zO
12、ここで0≦x≦0.8及び0≦y≦1.0及び0≦z≦0.6及びM=Al,Ga又はY又はその2つ若しくは3つの化合物の混合物;Li
3+y(Sc
2−xM
x)Q
yP
3−yO
12、ここでM=Al及び/又はY並びにQ=Si及び/又はSe、0≦x≦0.8及び0≦y≦1;又はLi
1+x+yM
xSc
2−xQ
yP
3−yO
12、ここでM=Al,Y,Ga又はその3つの化合物の混合物並びにQ=Si及び/又はSe、0≦x≦0.8及び0≦y≦1;又はLi
1+x+y+zM
x(Ga
1−ySc
y)
2−xQ
zP
3−zO
12、ここで0≦x≦0.8;0≦y≦1;0≦z≦0.6、ここでM=Al又はY又はその2つの化合物の混合物並びにQ=Si及び/又はSe;又はLi
1+xN
xM
2−xP
3O
12、ここで0≦x≦1並びにN=Cr及び/又はV、M=Se,Sn,Zr,Hf,Se若しくはSi、又はこれらの化合物の混合物;
− 好ましくは以下より選択するホウ酸リチウム:Li
3(Sc
2−xM
x)(BO
3)
3、ここでM=Al又はY及び0≦x≦1;Li
1+xM
x(Sc)
2−x(BO
3)
3、ここでM=Al,Y,Ga又はその3つの化合物の混合物及び0≦x≦0.8;0≦y≦1;Li
1+xM
x(Ga
1−ySc
y)
2−X(BO
3)
3、ここで0≦x≦0.8;0≦y≦1及びM=Al又はY;Li
1+xM
x(Ga)
2−x(BO
3)
3、ここでM=Al,Y又はその2つの化合物の混合物及び0≦x≦0.8;0≦y≦1;Li
3BO
3,Li
3BO
3−Li
2SO
4,Li
3BO
3−Li
2SiO
4,Li
3BO
3−Li
2SiO
4−Li
2SO
4;
− 好ましくは以下より選択する酸窒化物:Li
3PO
4−xN
2x/3,Li
4SiO
4−xN
2x/3,Li
4GeO
4−xN
2x/3、ここで0<x<4又はLi
3BO
3−xN
2x/3、ここで0<x<3;リチウム、リン又は酸窒化ホウ素(LiPON及びLIBONと呼ばれる)をベースにした材料はまたリン酸リチウムにケイ素、硫黄、ジルコニウム、アルミニウム、又はアルミニウム、ホウ素、硫黄、及び/若しくはケイ素の組み合わせ、並びにホウ素を含むことができる;
− 好ましくは以下より選択する酸化リチウム:Li
7La
3Zr
2O
12又はLi
5+xLa
3(Zr
X,A
2−x)O
12、ここでA=Sc,Y,Al,Ga及び1.4≦x≦2若しくはLi
0.35La
0.55TiO
3;
− 好ましくは以下より選択するケイ酸塩:Li
2Si
2O
5,Li
2SiO
3,Li
2Si
2O
6,LiAlSiO
4,Li
4SiO
4,LiAlSi
2O
6。
【0037】
著しい還元電位(significantly reducing potentials)で機能するアノードと接触して安定な電解質材料層c)は、以下から選択する電解質材料から製造する。
【0038】
− 以下のガーネット:
Li
dA
1xA
2y(TO
4)
z、ここで、
− A
1は、酸化数+IIのカチオン、好ましくはCa,Mg,Sr,Ba,Fe,Mn,Zn,Y,Gdを表し、
− A
2は、酸化数+IIIのカチオン、好ましくはAl,Fe,Cr,Ga,Ti,Laを表し、
− (TO
4)は、Tが酸化数+IVであり、酸素原子によって形成される四面体の中心に位置する原子を表し、またTO
4はケイ酸アニオン又はジルコン酸アニオンであることが好ましい。ここで酸化数+IVの元素Tのすべて又はいくつかは、Al,Fe,As,V,Nb,In,Taなどの酸化数+III又は+Vの原子で置換することができることが理解されているものとする;
− 以下のことが理解されているものとする。dは2〜10であり、好ましくは3〜9、更により好ましくは4〜8;xは3であるが2.6〜3.4(好ましくは2.8〜3.2)であってもよい;yは2であるが1.7〜2.3(好ましくは1.9〜2.1)であってもよい;またzは3であるが2.9〜3.1であってもよい;
− 好ましくは以下より選択するガーネット:Li
7La
3Zr
2O
12;Li
6La
2BaTa
20
12;Li
5.5La
3Nb
1.75In
0.25O
12;Li
5La
3M
2O
12、ここでM=Nb又はTa又はその2つの化合物の混合物;Li
7−xBa
xLa
3−xM
2O
12、ここで0≦x≦1及びM=Nb又はTa又はその2つの化合物の混合物;Li
7−xLa
3Zr
2−xM
xO
12、ここで0≦x≦2及びM=Al,Ga又はTa又はその2つ若しくは3つの化合物の混合物;
− 好ましくは以下より選択するリン酸リチウム:Li
3PO
4;Li
3(Sc
2−xM
x)(PO
4)
3、ここでM=Al又はY及び0≦x≦1;Li
1+xM
x(Sc)
2−x(PO
4)
3、ここでM=Al,Y,Ga又はその3つの化合物の混合物、及び0≦x≦0.8;Li
1+xM
x(Ga
1−ySc
y)
2−x(PO
4)
3、ここで0≦x≦0.8;0≦y≦1及びM=Al又はY又はその2つの化合物の混合物;Li
1+xM
x(Ga)
2−x(PO
4)
3、ここでM=Al,Y又はその2つの化合物の混合物及び0≦x≦0.8;Li
1+xAl
xTi
2−x(PO
4)
3、ここで0≦x≦1,又はLi
1+xAl
xGe
2−x(PO
4)
3、ここで0≦x≦1;又はLi
1+x+zM
x(Ge
1−yTi
y)
2−xSi
zP
3−zO
12、ここで0≦x≦0.8及び0≦y≦1.0及び0≦z≦0.6及びM=Al,Ga又はY又はその2つ若しくは3つの化合物の混合物;Li
3+y(Sc
2−xM
x)Q
yP
3−yO
12、ここでM=Al及び/又はY並びにQ=Si及び/又はSe、0≦x≦0.8及び0≦y≦1;又はLi
1+x+yM
xSc
2−xQ
yP
3−yO
12、ここでM=Al,Y,Ga又はその3つの化合物の混合物並びにQ=Si及び/又はSe,0≦x≦0.8及び0≦y≦1;又はLi
1+x+y+zM
x(Ga
1−ySc
y)
2−xQ
zP
3−zO
12、ここで0≦x≦0.8;0≦y≦1;0≦z≦0.6、ここでM=Al又はY又はその2つの化合物の混合物並びにQ=Si及び/又はSe;又はLi
1+xN
xM
2−xP
3O
12、ここで0≦x≦1並びにN=Cr及び/又はV、M=Se,Sn,Zr,Hf,Se又はSi、又はこれらの化合物の混合物;
− 好ましくは以下より選択するホウ酸リチウム:Li
3(Sc
2−xM
x)(BO
3)
3、ここでM=Al又はY及び0≦x≦1;Li
1+xM
x(Sc)
2−x(BO
3)
3、ここでM=Al,Y,Ga又はその3つの化合物の混合物及び0≦x≦0.8;0≦y≦1;Li
1+xM
x(Ga
1−ySc
y)
2−X(BO
3)
3、ここで0≦x≦0.8;0≦y≦1及びM=Al又はY;Li
1+xM
x(Ga)
2−x(BO
3)
3、ここでM=Al,Y又はその2つの化合物の混合物及び0≦x≦0.8;0≦y≦1;Li
3BO
3,Li
3BO
3−Li
2SO
4,Li
3BO
3−Li
2SiO
4,Li
3BO
3−Li
2SiO
4−Li
2SO
4;
− 好ましくは以下より選択する酸窒化物:Li
3PO
4−xN
2x/3,Li
4SiO
4−xN
2x/3,Li
4GeO
4−xN
2x/3、ここで0<x<4又はLi
3BO
3−xN
2x/3、ここで0<x<3;リチウム、リン若しくは酸窒化ホウ素(LiPON及びLIBONと呼ばれる)をベースにした材料はまたリン酸リチウムにケイ素、硫黄、ジルコニウム、アルミニウム、又はアルミニウム、ホウ素、硫黄、及び/若しくはケイ素の組み合わせ、並びにホウ素含むことができる;
− 好ましくは以下より選択する酸化リチウム:Li
7La
3Zr
2O
12又はLi
5+xLa
3(Zr
X,A
2−x)O
12、ここでA=Sc,Y,Al,Ga及び1.4≦x≦2又はLi
0.35La
0.55TiO
3;
− 好ましくは以下より選択するケイ酸塩:Li
2Si
2O
5,Li
2SiO
3,Li
2Si
2O
6,LiAlSiO
4,Li
4SiO
4,LiAlSi
2O
6。
【0039】
これらの電解質は、全てのアノードの化学組成物と共に使用することができる。
【0040】
イオン性原子団を有する架橋ポリマー材料の層を、固体電解質材料層で被覆されたアノード(カソード)材料層及び/又は固体電解質で被覆された若しくは被覆されていないカソード(アノード)材料層に添加することによって、アノードと接触して安定な前記電解質材料層c)を、カソードと専ら接触するであろう他の固体電解質配合物と結合させることが可能である。カソードと接触するときのみにおいて安定なこれらの電解質は、Li
3xLa
2/3−x□
1/3−xTiO
3,La
2/3−xSr
x□
1/3−xLi
xTiO
3及びLa
2/3Li
x□
1/3−xTi
1−xAl
xO
3の組成式のペロブスカイトであり、ここで□はその構造中に存在する空孔を表す。従って、Li
3xLa
2/3−x□
1/3−xTiO
3の場合、その組成物は、2/3−x〜1/3−x、0<x<0.20、好ましくは0<x<0.16で変化することができるランタン空孔を含む;La
2/3−xSr
x□
1/3−xLi
xTiO
3の場合、その組成物はストロンチウム空孔を含み、該組成物中のストロンチウムの割合はx〜1/3−xで変化することができ、0<x<0.20、好ましくは0<x<0.16である;La
2/3Li
x□
1/3−xTi
1−xAl
xO
3の場合、その組成物はリチウム空孔を含み、その組成物中のリチウムの割合はx〜1/3−xの間で変化することができ、0<x<0.20、好ましくは0<x<0.16である。特定の実施形態では、本方法はまた、少なくとも1つのセラミック、ガラス、又はガラスセラミック材料の封入層の堆積によって、工程f)で得られる電池を封入する工程g)を含む。
【0041】
アノード及びカソード端子は、ニッケルの副層上及び/又は金属粒子で満たされたエポキシ樹脂の副層上に任意で堆積させた、好ましくはスズ層の堆積による、切断面の金属化により製造することが好ましい。
【0042】
好ましくは、電解質材料のナノ粒子のサイズは、100nm未満、好ましくは30nm未満である。
【0043】
導電性基板は、アルミニウム、銅、ステンレス鋼、チタン又はニッケル、好ましくはニッケルでできており、任意で以下の金属から選択される貴金属で被覆される:金、白金、パラジウム、バナジウム、コバルト、ニッケル、マンガン、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、チタン、パラジウム、ジルコニウム、タングステン又はこれらの金属の少なくとも1つを含む任意の合金。
【0044】
本発明の他の目的は、本発明の方法によって得ることができる電池に関する。
【0045】
カソードの表面容量はアノードの表面容量以上であることが好ましい。
【0046】
好ましい実施形態では、カソード層及びアノード層のスタックは、横方向にオフセット(補正)(offset)されている。
【0047】
電池は、少なくとも1つの封入層、好ましくはセラミック、ガラス又はガラスセラミック層を含むことが好ましい。更に好ましくは、電池は、前記第1封入層上に堆積させた第2封入層を含み、前記第2封入層は好ましくはシリコーンである。
【0048】
好ましくは、前記少なくとも1つの封入層は、前記電池の6つの面のうちの4つの面を完全に覆い、電池の接続部を意図した金属化された部分の下に位置する残りの2つの面を部分的に覆う。
【0049】
好ましい実施形態においては、電池はカソード及びアノード集電体がそれぞれ露出した端子を含む。
【0050】
好ましくは、上記のアノード接続部及びカソード接続部は、スタックにおいて反対側に配置する。