(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上記ウェハレベルパッケージによって形成される水晶振動子は、一枚の水晶ウェハから一括して大量の水晶振動子を製造できるので、製造工数及び製造コストの低廉化や水晶振動子自体の小型化及び薄型化が図られるといった利点を有したものとなっている。
【0007】
このようなウェハレベルパッケージにあっては、振動体の支持枠に水晶振動片との電気的接続を図る内部電極が形成されるが、前記振動体を一対の封止体で挟み込んで形成されるため、前記内部電極の厚み分しか外部に露出しないこととなる。このため、外部に設けられる外部電極を介して前記内部電極との電気的接続を図る場合、従来の水晶振動子の構造では振動体の内部電極とスパッタリング等で形成された外部電極との接触部分が前記内部電極の厚みと略同じ1000Å〜2000Åほどしかないため、導通不良が発生したり、接続部分の電気抵抗値が高くなったりするなどの電気的特性に問題が生じる場合があった。
【0008】
前記内部電極の引き回しに関しては、従来であれば、基板にスルーホール配線を形成し、励振電極から延びた引出電極と外部端子を接続する方法がとられる。しかしながら、パッケージサイズが小さくなるにしたがって、スルーホールの形成が困難となる。このように、スルーホール形成の工程に時間とコストがかかると共に強度面において問題があった。
【0009】
振動体の封止に関しては、水晶振動片を真空に近い状態にする必要がある。このため、上記特許文献1では、封止体の一部に通気孔を予め設けておき、減圧環境下で振動体を一対の封止体で接合した後に、前記通気孔を外側から閉塞することで前記水晶振動片を気密封止している。一方、上記特許文献2では、振動体や封止体の一部に通気孔を設け、前記封止体で振動体を接合した後に、前記通気孔を半田やスズ等で閉塞している。しかしながら、ウェハ状の振動体や封止体に対して直接通気孔を開設しようとすると、変形やクラック等が生じるといった問題があった。また、前記通気孔を後から閉塞させるための部材が必要となるなど、別途材料費や工数がかかるといった問題があった。
【0010】
また、従来のウェハレベルパッケージの製造工程にあっては、振動体及び一対の封止体をダイシングで小片に分割した後に端子形成を行い、外部電極によって振動体と封止体との導通を確保する際、ダイシングによるクラックや汚れあるいはダイシングカスによって、真空引き用の通気路や振動体と外部端子との導通部分が目詰まりするなど端子形成の際の真空度の確保が難しく、導通不良が起こりやすいといった問題がある。また、パッケージが小片に分割されてしまうため、後工程(スパッタリング、周波数調整)を小片で行う必要があり、製造工数が増加するといった問題もあった。
【0011】
そこで、本発明の目的は、各種の振動モードからなる水晶振動片を有する振動部を一対の封止体によって容易且つ確実に気密封止することができると共に、前記水晶振動片と外部との電気的接続の向上化を図ることのできる水晶振動子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
上記課題を解決するために、本発明の水晶振動子は、水晶振動片とこの水晶振動片の少なくとも一端を支持する支持枠とからなる振動体と、前記支持枠の上下面にそれぞれ接合される当接面及び内側に凹部を有する一対の封止体とを有し、前記支持枠の上下面にそれぞれに形成される導電層を介して前記一対の封止体の当接面が接合され、接合された前記振動体及び一対の封止体の側面に露出する前記導電層の側面を覆うようにして外部電極が被覆形成される水晶振動子であって、前記支持枠の上下面に前記一対の封止体の各当接面を接合した際には、支持枠の上面に形成された導電層の上面の一端及び支持枠の下面に形成された導電層の下面の一端が前記各当接面からそれぞれ露出し、各当接面から露出した支持枠の上面に形成された導電層の上面の一端及び支持枠の下面に形成された導電層の下面の一端が前記外部電極によって被覆されると共に、前記導電層に設けられた前記封止体の凹部と外部とを連通する通気
路が前記外部電極によって閉塞される。
【発明の効果】
【0013】
本発明の水晶振動子によれば、振動体と一対の封止体とを導電層を介して接合させる際、前記導電層の側面及び上下面の一端が露出することで、この露出した部分を外部電極の電気的な接続面とすることができる。これによって、小型化及び薄型化が進む水晶振動子の外部電極形成が容易になると共に、前記振動体に対して良好な導電性を得ることができる。
【0014】
また、前記振動体と一対の封止体とを接合する導電層に通気路を設けた場合にあっては、振動体や一対の封止体に孔部を設けるような加工を要することなく、一対の封止体によって接合された凹部内の空気を外部に抜くことができる。また、前記振動体及び封止体の一側面において前記通気路の一端部を閉塞することで、前記振動体や封止体に変形やクラック等を生じさせることなく、容易且つ確実に振動体を気密封止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【
図1】本発明の第1実施形態の水晶振動子の分解斜視図である。
【
図2】上記水晶振動子を構成する振動体及び一対の封止体の積層構造を示す断面図である。
【
図3】外部電極を設けた水晶振動子の斜視図である。
【
図4】外部電極を設けた水晶振動子の断面図である。
【
図5】振動体及び一対の封止体に形成される内部(接続)電極の形成例を示す平面図である。
【
図6】上記内部電極及び外部電極が形成された水晶振動子の断面図である。
【
図7】段差を有して接合される振動体及び一対の封止体の断面図である。
【
図8】集合振動基板及び一対の集合封止基板の形成工程を示す平面図である。
【
図9】集合振動基板及び一対の集合封止基板の積層工程及び外部電極形成工程を示す斜視図である。
【
図10】本発明の第2実施形態の水晶振動子の分解斜視図である。
【
図11】上記水晶振動子を構成する振動体及び一対の封止体の積層構造を示す断面図である。
【
図12】外部電極を設けた水晶振動子の斜視図である。
【
図13】外部電極を設けた水晶振動子の断面図である。
【
図14】振動体及び一対の封止体に形成される内部(接続)電極の形成例を示す平面図である。
【
図15】上記外部電極とは別の封止部材によって通気路を閉塞した水晶振動子の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明の水晶振動子の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1乃至
図6は、第1実施形態の水晶振動子11を示したものである。この水晶振動子11は、ウェハ状の振動体12と、この振動体12を表裏両面から挟み込んで封止する一対のウェハ状の封止体13,14との三層構造によって構成されている。この水晶振動子11は、後述するように所定のカット角で形成された水晶ウェハをエッチング及びダイシングすることによって、前記振動体12及び一対の封止体13,14を形成し、減圧環境下においてそれぞれが所定厚みの導電性の金属膜からなる導電層30を介して溶接接合されている。
【0017】
前記水晶ウェハは、電気軸をX軸、機械軸をY軸、光軸をZ軸とした水晶原石の直交座標系において、Z軸平面から約1°X軸回転させたカット角で板状に薄くスライスすることによって形成される。そして、この水晶ウェハに対してフォトリソ工程によってマスクパターンを形成し、水晶エッチングを施すことによって、基部18と、この基部18から平行に延びる一対の振動腕部19とからなる音叉型の水晶振動片15と、この水晶振動片15の外周を取り囲む四角形状の支持枠16と、この支持枠16の一端と前記基部18の一端とを連結する連結部17とからなる振動体12が形成される。前記振動腕部19は、厚みが50〜200μmで、振動周波数に応じて長さ及び幅が設定される。また、一対の封止体13,14も同様に、エッチングによって、四角形状の当接面21と、前記水晶振動片15を収容するための凹部23が形成される。なお、前記振動体12及び一対の封止体13,14の形状は、微細加工に適したレーザやパウダービームを用いた切断や打ち抜きによって形成することもできる。
【0018】
前記振動体12及び一対の封止体13,14の接合は、支持枠16の両面及び一対の当接面21の各全周面に形成された導電層30同士を当接した後、溶着することによって行われる。
【0019】
本実施形態では、
図1乃至
図6に示したように、前記一対の封止体13,14の少なくとも一の側面13a,14aを振動体12に向かうように内側に向けて傾斜させた。これによって、前記側面13a,14a以外の他の側面を前記振動体12の支持枠16の側面に合わせて接合した際、前記封止体13の側面13a側には、導電層30の側面30aと、上面30bの一端を露出させることができる。また、前記封止体14の側面14a側には、導電層30の側面30aと、下面30cの一端を露出させることができる。その結果、
図3及び
図4に示したように、水晶振動子11の外周面に沿って一対の外部電極25a,25bをスパッタリング等によって形成する際、前記導電層30の側面30aから上面30b又は下面30cの一端に沿って被覆させることができる。
【0020】
前記導電層30の側面30aは、導電層30を形成する金属材料の厚みに依存するため、この厚み分だけでは外部電極25a,25bとの電気的接続が十分ではないが、前記封止体13,14の一部の側面13a,14aを傾斜させることによって、導電層30の上面30b及び下面30cの一端についても電気的接続面とすることが可能となった。これによって、外部電極25a,25bと導電層30との接触面積が増し、電気的な接触不良を防止することができると共に、この導電層30と電気的に接続される水晶振動片15に安定した電力を供給することができる。また、前記外部電極25a,25bと電気的な接合部分が導電層30の側面30aから上面30b及び下面30cの一端に広がるので、接合部分の電気抵抗が低減し、水晶振動片15における等価直列抵抗の低減効果も得られる。
【0021】
前記一対の封止体13,14は、
図8に示すように、一対の集合封止基板43,44からウェットエッチングによって抜き加工をする際に、エッチング速度の異方性を利用することができる。このエッチング速度の異方性によって、エッチングの深さ方向に対して傾斜した側面13a,14aを形成することができる。このウェットエッチングは、前記封止体13,14の傾斜したい側面に対して行えばよく、他の側面については、ダイシングによって切断することができる。
【0022】
前記ウェットエッチングによって傾斜加工した側面13a,14aに沿うようにスパッタリング、メッキあるいはハンダ等を施すことによって外部電極25a,25bを形成することができる。
【0023】
前記導電層30は、一対の外部電極25a,25bと振動体12内の水晶振動片15に形成される一対の励振電極との電気的接続を図るための内部電極として形成されている。
図5は前記内部電極の構成例を示したものであり、
図6は前記内部電極の断面構成を示したものである。ここで、
図5(a)は振動体12の支持枠16の上面と、この上面に対向する封止体13の当接面21とを見開きで示したものであり、
図5(b)は振動体12の支持枠16の下面と、この下面に対向する封止体14の当接面21とを見開きで示したものである。前記振動体12における水晶振動片15の表面には、基部18から一対の振動腕部19にかけて一対の励振電極31a,31bがパターン形成されている。なお、この実施形態では支持枠16の上下面及びこの上下面に接合される一対の封止体13,14の各当接面21の両方に、それぞれ導電層30を設けているが、一対の封止体13,14のそれぞれの当接面21に形成される導電層30は支持枠16及び外部電極25a,25bとの接合に寄与するものであるので、前記導電層30は少なくとも支持枠16の上下面に形成されていればよい。
【0024】
前記水晶振動片15を囲う支持枠16の上面には、前記それぞれの励振電極31a,31bと対応する第1の内部電極32a,第2の内部電極32bが支持枠16の一対の対向する側面に沿って設けられる絶縁部34を隔てて形成されている(
図5(a))。なお、前記第2の内部電極32bは、支持枠16の一方の側面16bに露出させるためだけに設けられる。
【0025】
一方、前記支持枠16の裏面には、前記励振電極31a,31bと対応する第1の内部電極32a,第2の内部電極32bが支持枠16の一対の対向する側面に沿って設けられる絶縁部34を隔てて形成されている(
図5(b))。なお、前記第1の内部電極32aは、支持枠16の他方の側面16aに露出させるためだけに設けられる。
【0026】
図5(a)に示したように、前記支持枠16の表面に対応する封止体13の当接面21には、この支持枠16の表面に形成されている第1の内部電極32a,第2の内部電極32bと面対称となるような第1の内部電極33a,第2の内部電極33bがパターン形成される。また、
図5(b)に示したように、前記支持枠16の裏面に対応する封止体14の当接面21には、支持枠16の裏面に形成されている第1の内部電極32a,第2の内部電極32bと面対称となるような第1の内部電極33a,第2の内部電極33bがパターン形成される。
【0027】
図7は、上記封止体13,14の他の実施形態を示したものである。この実施形態の水晶振動子は、封止体13,14の外形サイズを支持枠16よりも小さく形成することによって、側面13a,14a側に段差を有した状態で積層したものである。このような段差を設けたことで、前記導電層30の側面30aから上面30b及び下面30cの一端に接するようにして一対の外部電極25a,25bを被覆形成することができる。
【0028】
振動体12と一対の封止体13,14との積層構造において、外周面に露出する導電層30の側面30aだけで外部電極25a,25bとの電気的接続を図ろうとすると、十分な導電性が得られないが、上記
図1乃至
図7に示したような構成にすることによって、外部電極25a,25bから導電層30を経て水晶振動片15の励振電極に至る間の導電性を向上させることが可能となる。また、前記一対の外部電極25a,25bと導電層30との機械的な接合強度が高まるので、外部からの衝撃や外部環境等による導電不良や導通不良なども起こり難くなる。
【0029】
図8及び
図9は、上記実施形態の水晶振動子11の製造方法を示したものである。この水晶振動子11は、複数の振動体12が形成される集合振動基板42と、複数の封止体13,14が形成される一対の集合封止基板43,44とによって形成される。
【0030】
前記集合振動基板42には、四角形状の支持枠16と、この支持枠16の内側に連結部17を介して延びる音叉型の水晶振動片15とからなる振動体12が複数配列される。前記それぞれの振動体形成領域は、フォトリソ工程によって形成されたマスクパターンを介して水晶エッチングを施すことによって打ち抜き形成されると共に、前記水晶振動片15の表面に一対の励振電極が形成され、前記支持枠16の表裏面には前記一対の励振電極と電気的に接続される内部電極がパターン形成される。
【0031】
一方、一対の集合封止基板43,44には、前記支持枠16に対応する当接面21と、この当接面21の内部を所定の深さにエッチングして形成した凹部23とからなる封止体13,14が複数配列される。前記それぞれの封止体形成領域は、フォトリソ工程によって形成されたマスクパターンを介して水晶エッチングを施すことによって打ち抜き形成されている。
【0032】
また、前記集合振動基板42に形成される各支持枠16及び一対の集合封止基板43,44に形成される各当接面21の対向する辺の外側に沿って所定幅の貫通孔45がそれぞれ形成される。この貫通孔45は、積層された振動体12及び一対の封止体13,14の外周面に沿って外部電極25a,25bを形成するために設けられるものである。前記外部電極25a,25bは、スパッタリングによって形成される。
【0033】
図9は、真空度が1.0×10Pa以下の減圧環境下での製造工程を示したものである。このような減圧環境の下で
図9(a)に示すように、前記支持枠16の両面と一対の当接面21とが重なるように位置合わせし、集合振動基板42を一対の集合封止基板43,44で挟み込むようにして積層し、導電層30を介して溶接接合する。なお、前記導電層30は、
図5及び
図6に示したように、一対の内部電極によってパターン形成されるが、ここではそれぞれの内部電極の形状を省略して示す。
【0034】
次に、
図9(b)に示すように、前記積層された前記集合振動基板42及び一対の集合封止基板43,44の共通する貫通孔45に対してスパッタリングを施すことによって、支持枠16及び当接面21に沿って形成されている導電層30の側面及び上面あるいは下面の一端と電気的に接続される一対の外部電極25a,25bを形成する。この外部電極25a,25bを形成することによって、水晶振動片15を気密状態で封止することができる。
【0035】
最後に、前記集合振動基板42及び一対の集合封止基板43,44の積層体をダイシングライン46に沿ってダイシングすることで、
図3に示した三層構造の水晶振動子11を一括して複数製造することができる。
【0036】
次に、第2実施形態の水晶振動子51の実施形態を
図10乃至
図14に基づいて説明する。この実施形態は、振動体12に形成されている導電層30の少なくとも一箇所に、水晶振動片15が収容される凹部23を開放するスリット状の通気路22を形成したものである。
図12及び
図13に示したように、前記通気路22は、前記振動体12及び一対の封止体13,14の一対の対向する側面に設けられる外部電極25a,25bのうち一方の外部電極25aによって閉塞される。
【0037】
次に、前記水晶振動子51における導電層30の構成例を
図14に示す。この実施形態では、振動体12の表面側の支持枠16に形成される第1の内部電極32aの一部を貫くようにスリット状の通気路22が設けられる。この通気路22は、支持枠16の水晶面の一部に筋状パターンが形成されたマスクを施して第1の内部電極32aをスパッタリングすることによって形成することができる。また、前記支持枠16の表面に第1の内部電極32aを形成するための薄膜状の金属材料を一様に形成しておいて、後からその金属材料の一部をスリット状に除去することによって形成することもできる。なお、前記通気路22は、前記振動体12を一対の封止体13,14によって封止した際にその一部が解放可能な位置であれば、前記支持枠16に形成される第1の内部電極32a,第2の内部電極32bあるいは当接面21に形成される内部電極33a,33bのどの位置に設けてもよく、また、複数設けてもよい。
【0038】
前記通気路22を設けることで、振動体12と一対の封止体13,14とを接合した際に、水晶振動片15が封止されている凹部23から外部に通じる空気の通り道を確保することができ、これによって、前記凹部23内を減圧させることができる。この減圧の下、
図12に示したように、前記通気路22を外側から塞ぐようにして、一対の外部電極25a,25bを形成することで、前記水晶振動片15を高減圧環境の下で封止することが可能となる。
【0039】
前記通気路22を塞ぐ外部電極25a,25bは、前述したようにスパッタリングによって形成されるため、その金属成分の一部が通気路22内に入り込んで電気的及び機械的な接合をより一層高めることができる。
【0040】
本実施形態では、前記通気路22を支持枠16の表面及び裏面のいずれか一方に設けたが、両方に対向させるなどして複数形成することができる。また、
図15に示すように、前記通気路22を外部電極25a,25bが形成されていない長辺側の接合面に設けてもよい。この場合は、減圧を行う際に、別の金属膜や樹脂膜等の封止体材26によって、通気路22を塞ぐようにする必要がある。
【0041】
この第2実施形態の水晶振動子51によれば、通気路22を振動体12と一対の封止体13,14との電気的接続を図る導電層30に形成するため、外部電極25a,25bの形成工程と同時に前記通気路22を封止することができる。これによって、気密封止をより確実に行うことができると共に、水晶振動片15に形成されている一対の励振電極との電気的特性を良好に維持することができる。
【0042】
また、前記導電層30の一部に通気路22を設けたことで、前記振動体12及び一対の封止体13,14に孔開け等の加工を加えることなく、減圧環境の下で容易且つ確実に気密封止を行うことができる。これによって、水晶振動片15を気密封止する際に、前記振動体12及び一対の封止体13,14に亀裂やクラック等が生じることがないので、所定の振動特性を備えた薄型の水晶振動子を安定的に量産することができる。
【0043】
図16は様々な形状の支持枠62,72を有する振動体61,71の形成例を示したものである。この振動体61,71は、支持枠62,72がそれぞれ四角形状の外周部63,73と、水晶振動片15を囲う内周部64,74とを有し、前記内周部64,74を曲面形成することによって、前記水晶振動片15を封入するスペース65,75を規制するものである。
図16(a)は水晶振動片15の上端側及び下端側のスペースに余裕を持たせる一方、水晶振動片15の中央側のスペース65をすぼめたひょうたん形に形成したものであり、
図16(b)は水晶振動片15の中央部との間隔に余裕を持たせ、水晶振動片15の上端側及び下端側に向けて間隔を狭くした卵形に形成したものである。なお、前記振動体61,71を挟持する一対の封止体の封止枠に対しても、同様な対応する曲面形状に形成される。
【0044】
上記
図16(a),(b)に示した実施形態では、いずれも支持枠62,72の内周部64,74によって、水晶振動片15を囲うスペース65,75を
図1乃至
図15に示した振動体12に比べて狭くすることができる。これによって、特に、支持枠62,72の四隅の面積が広く確保することができるので、水晶振動子が受ける外部からの衝撃に対する変形や破壊を有効に防止することができ、安定した振動モードを維持することができる。また、前記支持枠と重なる一対の封止枠との密接面が広がることで、接合強度が増し、気密封止をより確実に行うことができる。