(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0010】
〔本発明の一実施形態に係る電子機器の構造の概要〕
まず、本発明の一実施形態に係る電子機器1000の全体構成の概要について説明する。
図1は、電子機器1000の全体構造を示すブロック図である。電子機器1000の例としては、スマートフォン、携帯電話、タブレットPC(Personal Computer)、PDA(Personal Digital Assistance)およびPC等を例示することができるがこれらに限定されない。
【0011】
図1に示すように、電子機器1000は、コネクタ部(コネクタ構造)100および無線通信部に接続されるアンテナを備える。また、コネクタ部100は、レセプタクルシェル(受け部)110、端末基板GND(グランド電極)120、および素子切替回路(切替部)130を備えている。レセプタクルシェル110は、コネクタの外殻を形成する導電性の外殻部である。レセプタクルシェル110の奥側には、複数の電極が配置されており、その一部が、有線通信部および充電回路と接続されている。なお、電子機器1000は、コネクタ部100およびアンテナ以外に、ディスプレイなどの他の構成要素を備えているが、これらの構成は本発明の本質とはあまり関係がないので、ここでは説明を省略する。
【0012】
端末基板GND120は、電子機器1000の端末側の基板上に形成されているグランド電極である。素子切替回路130は、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間に複数の経路A〜Dなどを備えており、スイッチにてこれらの経路を切り替えることができるようになっている。経路Aは、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間を短絡(導通)させるための経路である。経路Bは、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間をチョークコイルなどの高周波遮断素子で繋ぐための経路(第1の経路)である。経路Cは、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間を直流(DC)成分カット素子で繋ぐための経路(第2の経路)である。経路Dは、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間を非短絡(非導通)とするための経路である。
【0013】
上記のコネクタ部100の構造によれば、データ通信または充電などの有線通信時に、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間の短絡により電気的なシールドが強化されるため、有線通信品質へ与える外部ノイズの影響を低減し、プラグ200から放射されるノイズを低減させることができる。また、有線通信を使用しない時には、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間を非短絡とするか、または高周波遮断素子が挿入された経路を選択することで、無線通信端末としてのアンテナ利得を向上させることができる。従来、有線端子のレセプタクルシェル110の存在は、有線通信品質とアンテナ利得の向上においてトレードオフの関係であったが、上記のコネクタ部100の構造によれば、端末の使用状況に合わせて、互いに最適な通信品質を保つことができる。
【0014】
〔実施形態1〕
次に、
図2に基づき、本発明の実施形態1に係るコネクタ部100の動作および構造の変化について説明する。
図2の(a)は、実施形態1に係るコネクタ部100の動作を示すフローチャートである。また、
図2の(b)〜(d)は、実施形態1に係るコネクタ部100の構造の変化を示す図である。
【0015】
まず、動作の開始時は
図2(b)に示すようにコネクタ部100にプラグ200が挿入される前の状態(初期状態)にある。ここで、プラグ200はケーブル210、有線端子220、および、有線のケーブルのシールド層230から構成されている。一方、コネクタ部100はレセプタクルシェル110と端末基板GND120とから構成され、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間は非短絡(非導通)状態となっている。また、レセプタクルシェル110の第1開口110Aに対向する面(レセプタクルシェル110の底面)の一部も開口状態となっており(第2開口110B)、第2開口110Bの一端からはバネ部(切替部)111が延在している。バネ部111は、
図2の(d)に示すように、第1開口110A側に向かって突出する突出部112と、第1開口110A側とは反対側に突出する突出部113(先端部)と、を備えたばね形状となっている。さらに突出部113は初期状態では端末基板GND120のいかなる箇所とも接触していない。このように、レセプタクルシェル110と端末基板GND120とが短絡(導通)されていないため、レセプタクルシェル110を介して不要な電波が端末基板GND120に侵入することによってグランドにアンテナとは逆相の電流が流れ、アンテナ通信を弱めるような電界が発生することを防ぐことができる。その結果、アンテナ利得を向上させることができ、無線通信部による無線通信品質の向上を図ることができる。
【0016】
次に、
図2の(a)のフローチャートに示すステップS(以下、「ステップ」は省略する)200では、プラグ200がレセプタクルシェル110に挿入された場合は、YESとなり、S201に進む。一方、プラグ200がレセプタクルシェル110に挿入されていない場合は、元に戻る。S201では、プラグ200がレセプタクルシェル110に挿入された状態となる〔
図2の(c)〕。プラグ200が挿入されることによってレセプタクルシェル110のバネ部111の突出部113は端末基板GND120側にばね変形することによって押し出され、端末基板GND120と接触し、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間が短絡状態(導通状態)となる。そのため、結果としてシールド効果が高まり、有線通信時のノイズを効果的に低減することができ、有線通信品質を向上させることができる。
【0017】
次に、S202では、プラグ200がレセプタクルシェル110から抜き出された場合は、YESとなりS203に進む。一方、プラグ200がレセプタクルシェル110から抜き出されていない場合、NOとなりS201に戻る。
【0018】
S203では、レセプタクルシェル110の突出部113に加わる応力がなくなるため、S201のときとは逆方向にばね変形し、S200の前の初期状態と同じ状態に戻る。このとき、プラグ200とレセプタクルシェル110との位置関係は
図2の(b)と同一となる。
【0019】
なお、本実施形態では、単一のバネ部111をレセプタクルシェル110の1箇所に設けた形態について説明したが、複数のバネ部をレセプタクルシェル110の複数個所に設けても良い。この場合、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との接地点が増えることにより接地面積が増え、全体のインピーダンスが下がり、シールド強度がより高くなる。
【0020】
上記構成によれば、レセプタクルシェル110にプラグ200が挿入されているか否かに応じて、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間の短絡および非短絡を切り替える。レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間を短絡した場合、シールド効果が強化され、有線通信時の有線通信品質に対するノイズの影響を低減させることができる。これは、グランド電極と短絡された導電性のレセプタクルシェル110が、プラグ200から放射されるノイズおよび外部からのノイズに対するシールドとなるためである。以上により、上記構成によれば、プラグから放射されるノイズや外部からのノイズを低減させることができる。
【0021】
〔変形例〕
次に、
図2の(e)〜(g)に基づき、実施形態1に係るコネクタ部100の変形例について説明する。これらの図に示すように、本変形例のコネクタ部100では、レセプタクルシェル110の側面に第3開口110Cが形成されており、この第3開口110Cの一端からバネ部(切替部)111が延在している点で、上述した実施形態1のコネクタ部100と異なっている。このように、バネ部111は、レセプタクルシェル110の底面に限定されず、レセプタクルシェル110の側面に設けることもできる。
【0022】
〔実施形態2〕
次に、
図3に基づき、本発明の実施形態2に係るコネクタ部100の動作および構造の変化について説明する。
図3の(a)は、実施形態2に係るコネクタ部100の動作を示すフローチャートである。また、
図3の(b)および(c)は、実施形態2に係るコネクタ部100の構造の変化を示す図である。
【0023】
プラグ200の構成については、上述したとおりである。コネクタ部100については、レセプタクルシェル110の底面側に素子切替回路(切替部)130が形成されており、素子切替回路130は、短絡用導線(導体)131、SPST(Single Pole Single Throw)132sを備えており、レセプタクルシェル110、短絡用導線131、SPST132s、端末基板GND120のそれぞれがこの順で直列に接続されている。
【0024】
図3の(a)に示すフローチャートにおける動作の開始時、SPST132sはノーマリーオープンの状態で、コネクタ部100とプラグ200との関係は
図3(b)に示す状態にある。この状態では、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間は非短絡状態であり、実施形態1と同様にグランドにアンテナと逆相の電流が流れず、アンテナ利得を向上させることができ、無線通信品質の向上を図ることができる。
【0025】
S300では、レセプタクルシェル110にプラグ200が挿入された場合は、YESとなり、S310に進む。一方、レセプタクルシェル110にプラグ200が挿入されていない場合は、NOとなり、S301に進む。なお、プラグ200の挿入有無の判断は、例えばUSBにおいて仕様上、プラグ挿入時にデータライン(D+/D-)に実装されるプルダウン抵抗値が変化することを利用することにより、プラグ200の挿入有無の判断を行っている。この様に、本実施形態では、有線通信仕様におけるプラグの挿入有無の判断方法を利用している。
【0026】
S310では、SPST132sをONとすることでレセプタクルシェル110と端末基板GND120とを電気的に導通させ(短絡させ)、コネクタ部100とプラグ200との関係は
図3の(c)に示す状態となる。結果として実施形態1でのプラグ200の挿入時と同様にシールドのGND強度を高めることができ、有線通信時の品質を向上させることができる。また、S301ではSPST132sをOFFとすることで
図3の(b)に示す状態が維持される。
【0027】
実施形態2のコネクタ部100によれば、実施形態1と同様の効果が得られる。また、レセプタクルシェル110の底面を一部加工してバネ部111を形成する必要がなく、加工の手間を省くことができるため、実施形態1より簡易的に同様の効果を得ることができる。
【0028】
上記構成によれば、レセプタクルシェル110にプラグ200が挿入されているか否かに応じて、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間の短絡および非短絡を切り替える。レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間を短絡した場合、シールド効果が強化され、有線通信時の有線通信品質に対するノイズの影響を低減させることができる。これは、グランド電極と短絡された導電性のレセプタクルシェル110が、プラグ200から放射されるノイズおよび外部からのノイズに対するシールドとなるためである。以上により、上記構成によれば、プラグから放射されるノイズや外部からのノイズを低減させることができる。
【0029】
〔変形例〕
次に、
図4に基づき、実施形態2に係るコネクタ部100の変形例について説明する。コネクタ部100については、レセプタクルシェル110の底面側に素子切替回路(切替部)130が形成されている。素子切替回路130中にはSPDT(Single Pole Double Throw)132が設けられており、短絡用導線131と、高周波遮断素子134を備える経路との2つの経路の何れかを選択できるようになっている。
【0030】
なお、ここでは高周波遮断素子134がチョークコイルであるものとして説明するが、高周波遮断素子134は、チョークコイルに限らず、インダクタ(コイルまたはビーズも含む)、キャパシタ、インダクタとキャパシタとの直列回路、ノッチフィルタ(インダクタとキャパシタとの並列回路)、およびノッチフィルタ(インダクタおよびキャパシタの並列回路とインダクタとの直列回路)であってもよく、所望の高周波を遮断できる素子であれば、どのような素子を用いても良い。
【0031】
次に、
図4の(a)は、実施形態2に係るコネクタ部100の変形例の動作を示すフローチャートである。また、
図4の(b)および(c)は、実施形態2に係るコネクタ部100の変形例の構造の変化を示す図である。
【0032】
図4の(a)に示すフローチャートにおける開始時には、コネクタ部100とプラグ200との関係は、
図4の(b)に示す状態にあり、SPDT132は高周波遮断素子134(チョークコイル)が配置された経路を選択している。ノイズ成分である周波数の高い電波信号がレセプタクルシェル110に流れることになったとしても、高周波遮断素子134により周波数の高い信号の電流ほど減衰されやすくなるため、端末基板GND120に周波数の高いノイズ信号が流入するのを防ぐことができる。
【0033】
S400では、レセプタクルシェル110にプラグ200が挿入された場合は、YESとなり、S410に進む。一方、レセプタクルシェル110にプラグ200が挿入されていない場合は、NOとなり、S401に進む。
【0034】
S410では、SPDT132にて短絡用導線131の経路を選択することでレセプタクルシェル110と端末基板GND120とを電気的に導通させ(短絡させ)、コネクタ部100とプラグ200との関係は
図4の(c)に示す状態となる。結果としてシールドのGND強度を高めることができ、有線通信時の品質を向上させることができる。なお、ここで、「0Ω導通経路選択」とは、上記のように、短絡用導線131の経路を選択することである。また、S401ではSPDT132にて高周波遮断素子134を備える経路を選択することで
図4の(b)に示す状態が維持される。
【0035】
〔実施形態3〕
次に、
図5に基づき、本発明の実施形態3に係るコネクタ部100の動作について説明する。
図5の(a)は、実施形態3に係るコネクタ部100の動作を示すフローチャートである。また、
図5の(b)は、実施形態3に係るコネクタ部100の構造を示す図である。
【0036】
コネクタ部100については、レセプタクルシェル110の底面側は素子切替回路(切替部)130が形成されている。素子切替回路130中にはSPnT(Single Pole n Throw)133が設けられており、短絡用導線131の経路と、高周波遮断素子134、135、136のそれぞれが設けられた経路との何れかを選択できるようになっている。
【0037】
本実施形態では、高周波遮断素子134、135、136の3つの高周波遮断素子が並列に配置された形態を示しているが、高周波遮断素子の数は、3つに限定されず、2以上であればよく、遮断させたい信号周波数の種類にあわせてそれに対応する素子を複数配置させれば良い。
【0038】
図5の(a)に示すフローチャートにおける開始時は、プラグ200がレセプタクルシェル110に挿入されていない状態にある。このとき、電子機器1000は無線通信を行っている状態にある場合、S500で、無線通信部が、無線通信周波数帯の確認を行い、S501に進む。S501で、無線通信周波数帯(以下、「無線通信周波数帯」は省略する)BandAにて通信している場合は、YESとなり、S502に進む。BandAにて通信していない場合は、NOとなりS511に進む。
【0039】
S502では、BandAに係る信号がレセプタクルシェル110から端末基板GND120に流れることを低減させるため、BandAの周波数帯を遮断する素子、またはBandAでの無線通信を劣化させない最適な素子を通る経路(1)を選択し、S503に進む。
【0040】
S511で、BandBにて通信している場合は、YESとなり、S512に進む。BandBにて通信していない場合は、NOとなりS521に進む。
【0041】
S512では、BandBに係る信号がレセプタクルシェル110から端末基板GND120に流れることを低減させるため、BandBの周波数帯を遮断する素子、またはBandBでの無線通信を劣化させない最適な素子を通る経路(2)を選択し、S503に進む。
【0042】
S521で、BandNにて通信している場合は、S522に進む。S522では、BandNに係る信号がレセプタクルシェル110から端末基板GND120に流れることを低減させるため、BandNの周波数帯を遮断する素子、またはBandBでの無線通信を劣化させない最適な素子を通る経路(N)を選択し、S503に進む。
【0043】
次に、S503で、プラグ200がレセプタクルシェル110に挿入された場合は、YESとなり、S504に進む。一方、プラグ200がレセプタクルシェル110に挿入されていない場合は、S500に戻る。
【0044】
次に、S504では、無線通信部が、無線通信周波数帯の確認を行い、S505に進む。S505で、BandAにて通信している場合は、YESとなり、S506に進む。BandAにて通信していない場合は、NOとなりS515に進む。
【0045】
S506では、BandAに係る信号がレセプタクルシェル110から端末基板GND120に流れることを低減させるため、BandAの周波数帯を遮断する素子、またはBandAでの無線通信を劣化させない最適な素子を通る経路(1)を選択する。但し、選択する経路は、プラグ200の未挿入時と挿入時で同じになるとは限らない。例えば、有線通信によるノイズの影響など考慮すると、BandAの周波数帯を遮断してシールド効果が大きく損なわれる場合、無線通信および有線通信の両方の品質を最低限保てる様な経路を選択することが好ましい。S515、S516、S525、S526のそれぞれの動作は、上述したS511、S512、S521、S522の動作とほぼ同じとなるが、選択する経路が、プラグ200の未挿入時と挿入時で同じになるとは限らない点は、S506で説明したことと同様である。
【0046】
次に、
図5の(c)は、BandA〜Dのそれぞれの通信時において、プラグ200の未挿入時および挿入時のそれぞれにおいて選択する経路の例を示している。なお、同図において、BandCの通信時、プラグ200の未挿入時および挿入時のそれぞれにおいて選択する経路は同じになっていない。これは、プラグ200の未挿入時は、無線通信品質のみを考慮して経路(3)を選択しているが、プラグ200の挿入時は、経路(3)ではシールド効果が小さく、有線通信品質を保てないため、有線および無線通信の両方の品質を最低限保てる経路(4)を選択しているためである。一方で、高周波遮断素子を用いなくとも無線通信品質を保持できる場合は、より有線通信品質に有利な短絡経路の選択を選択肢に含める。
【0047】
〔実施形態4〕
次に、
図6に基づき、本発明の実施形態4に係るコネクタ部100の動作について説明する。
図6の(a)は、実施形態4に係るコネクタ部100の動作を示すフローチャートである。また、
図6の(b)〜(d)は、実施形態4に係るコネクタ部100の構造の変化を示す図である。
【0048】
コネクタ部100については、レセプタクルシェル110の底面側には素子切替回路(切替部)130が形成されている。素子切替回路130中には、SPDT(Single Pole n Throw)132a、電流計(計測部)137、SPDT132b、高周波遮断素子134、短絡用導線131、DCカット素子(直流成分カット素子)138が設けられている。
【0049】
SPDT132aは、高周波遮断素子134を備える経路と、電流計137を備える経路との何れかを選択できるようになっている。SPDT132bは、電流計137を介して短絡用導線131と、DCカット素子138を備える経路との何れかを選択できるようになっている。本実施形態では、DCカット素子138としてコンデンサを用いているものとして説明するが、DCカット素子138はこれに限定されず、バリスタ(非直線性抵抗素子)などを用いても良い。
【0050】
図6の(a)に示すフローチャートにおいて、開始時はプラグ200がレセプタクルシェル110に挿入されていない状態にある〔
図6の(b)〕。この状態では無線通信時であり、この場合無線通信のノイズとなる特定の高周波数の電波を遮断するため、SPDT132aにて高周波遮断素子134を備える経路を選択している。
【0051】
S600で、プラグ200がレセプタクルシェル110に挿入された場合は、YESとなり、S610に進む。一方、プラグ200がレセプタクルシェル110に挿入されていない場合は、NOとなり、S601に進む。
【0052】
S610では、SPDT132aは電流計137を備える経路を選択し、電流計137にて電流を計測する。このとき、電流計137で計測された電流値が所定の閾値未満で正常な値であれば、S611に進む。一方、電流計137で計測された電流値が所定の閾値以上、つまり過電流がながれた際には、異常と検知し、S620に進む。
【0053】
S611では、SPDT132bにて、短絡用導線131の経路を選択し、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間を短絡する〔
図6の(c)〕。これにより、シールドのグランド強度が向上し、有線通信時の品質が保証される。
【0054】
一方、S620では、SPDT132bにてDCカット素子138を備える経路を選択する〔
図6の(d)〕。これにより、プラグ200を介して侵入した過電流をDCカット素子138によりカットすることができる。
【0055】
〔変形例〕
次に、
図6の(e)に基づき、実施形態4に係るコネクタ部100の変形例について説明する。上述した形態では、SPDT132a、132bの2つのSPDTを用いる形態について説明したが、以下で説明するように、単一のSPnT133を用いる形態を採用することもできる。
【0056】
同図に示す素子切替回路(切替部)130では、電流計137とSPnT133とを直列に接続し、SPnT133によって、短絡用導線131の経路、高周波遮断素子134を備える経路、DCカット素子138を備える経路の何れかを選択できるようにしている。
【0057】
〔実施形態5〕
次に、
図7に基づき、本発明の実施形態5に係るコネクタ部100の動作について説明する。
図7の(a)は、実施形態5に係るコネクタ部100の動作を示すフローチャートである。また、
図7の(b)〜(d)は、実施形態5に係るコネクタ部100の構造の変化を示す図である。
【0058】
なお、プラグ201、202については実施形態1〜4で説明したものとは異なり、プラグ201はUSB3.1仕様のプラグであり、プラグ202はUSB2.0仕様のプラグである。
【0059】
コネクタ部100については、レセプタクルシェル110の底面側には、素子切替回路(切替部)130が形成されている。素子切替回路130は、ケーブル挿入検知機構(検知部)139を備えており、レセプタクルシェル110の底面に設けられた検知電極110DおよびSPnT133に接続されている。また、SPnT133は、短絡用導線131の経路、高周波遮断素子134を備える経路、高周波遮断素子135を備える経路の何れかを選択できるようになっている。ケーブル挿入検知機構139は、プラグの挿入の有無およびプラグの仕様の別(例えば、USB2.0かUSB3.1かの別)を検知する機能を有する。
【0060】
図7の(a)に示すフローチャートにおいて、開始時は、
図7の(b)に示す状態となっており、プラグ200が未挿入の状態であるため、ケーブル挿入検知機構139によって未検知の状態が検知され、遮断したい周波数特性に合わせて高周波遮断素子134(高周波遮断素子1)が選択されている。
【0061】
S700でプラグ200がレセプタクルシェル110に挿入された場合は、YESとなり、S710に進む。一方、プラグ200がレセプタクルシェル110に挿入されていない場合は、NOとなり、S701に進む。
【0062】
S710では、ケーブル挿入検知機構139によって、USB3.1仕様のプラグであるプラグ201がレセプタクルシェル110に挿入されたことが検知された場合、S711に進む。一方、ケーブル挿入検知機構139によって、USB2.0仕様のプラグであるプラグ202がレセプタクルシェル110に挿入されたことが検知された場合、S720に進む。
【0063】
S711では、SPnT133にて短絡用導線131を選択し、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間を短絡する〔
図7の(c)〕。ここでは、プラグ201での通信では、強大なノイズが予想されるため、シールド強度を優先させて短絡用導線131を選択している。
【0064】
S720では、SPnT133にて高周波遮断素子135(高周波遮断素子2)を備える経路を選択する〔
図7の(d)〕。プラグ202は、プラグ201と比べて通信時にノイズによる影響を受けにくいため、有線通信時においても、高周波遮断素子135を選択し、アンテナ利得の向上を図っている。なお、ここで無線通信時での高周波遮断素子134を介した経路ではなく高周波遮断素子135の経路を選択しているのは、有線および無線通信の両方の品質を最低限保てる経路を選択しているためである。
【0065】
〔変形例〕
次に、
図8に基づき、実施形態5に係るコネクタ部100の変形例について説明する。
図8の(a)は、実施形態5に係るコネクタ部100の変形例の動作を示すフローチャートである。また、
図8の(b)〜(d)は、実施形態5に係るコネクタ部100の変形例の構造の変化を示す図である。なお、上述したように、プラグ201はUSB3.1仕様のプラグであり、プラグ202はUSB2.0仕様のプラグである。
【0066】
コネクタ部100については、レセプタクルシェル110の底面側には、素子切替回路(切替部)130が形成されている。素子切替回路130は、ケーブル挿入検知機構139を備えており、レセプタクルシェル110の底面に設けられた検知電極110DおよびSPDT132に接続されている。また、SPDT132は、短絡用導線131の経路、高周波遮断素子135を備える経路の何れかを選択できるようになっている。ケーブル挿入検知機構139の機能は上述したとおりである。
【0067】
図8の(a)に示すフローチャートにおいて、開始時は、
図8の(b)に示す状態となっており、プラグ200が未挿入の状態であるため、ケーブル挿入検知機構139によって未検知の状態が検知され、遮断したい周波数特性に合わせて高周波遮断素子135が選択されている。
【0068】
S800でプラグ200がレセプタクルシェル110に挿入された場合は、YESとなり、S810に進む。一方、プラグ200がレセプタクルシェル110に挿入されていない場合は、NOとなり、S801に進む。
【0069】
S810では、ケーブル挿入検知機構139によって、USB3.1仕様のプラグであるプラグ201がレセプタクルシェル110に挿入されたことが検知された場合、S811に進む。一方、ケーブル挿入検知機構139によって、USB2.0仕様のプラグであるプラグ202がレセプタクルシェル110に挿入されたことが検知された場合、S801に進む。
【0070】
S811では、SPDT132にて短絡用導線131を選択し、レセプタクルシェル110と端末基板GND120との間を短絡する〔
図8の(d)〕。ここでは、プラグ201での通信では、強大なノイズが予想されるため、シールド強度を優先させて短絡用導線131を選択している。
【0071】
S801では、SPDT132にて高周波遮断素子135を備える経路を選択する〔
図8の(c)〕。なお、高周波遮断素子が同一のものでもアンテナ利得として問題ない場合は、本変形例のように、プラグの未挿入および挿入状態のいずれにおいても同一の高周波遮断素子135を備える経路を選択するようにしても良い。
【0072】
〔まとめ〕
本発明の態様1に係るコネクタ構造は、プラグが挿入される導電性の受け部を備えたコネクタ構造であって、上記受け部に上記プラグが挿入されている場合に、上記受け部と端末基板のグランド電極との間を短絡するか、または、上記受け部と上記グランド電極との間を直流成分カット素子で繋ぐ経路、もしくは、上記受け部と上記グランド電極との間を高周波遮断素子で繋ぐ経路を選択し、上記受け部に上記プラグが挿入されていない場合に、上記受け部と上記グランド電極との間を非短絡とするか、または、上記受け部と上記グランド電極との間を上記高周波遮断素子と同一または別の高周波遮断素子で繋ぐ経路を選択する、切替部を備えている構成である。
【0073】
上記構成によれば、受け部にプラグが挿入されている場合に受け部と端末基板のグランド電極との間を短絡した場合、シールド効果が強化され、有線通信時の有線通信品質に対するノイズの影響を低減させることができる。これにより、有線通信品質を向上させることができる。また、上記構成によれば、受け部にプラグが挿入されていない場合に、受け部とグランド電極との間を非短絡とするか、または、受け部とグランド電極との間を特定の高周波遮断素子で繋ぐ経路を選択することにより、アンテナ利得を向上させることができる。よって、有線通信品質やアンテナ利得の向上を図ることができる。
【0074】
本発明の態様2に係るコネクタ構造は、上記態様1において、上記受け部と上記グランド電極との間に流れる電流を計測する計測部を備え、上記切替部は、上記プラグが上記受け部に挿入されている場合であり、かつ上記計測部によって計測された電流が所定の閾値以上である場合に、上記受け部と上記グランド電極との間を直流成分カット素子で繋ぐ経路を選択しても良い。上記構成によれば、直流成分カット素子で直流成分をカットすることにより、基板側に過電流が流れることを阻止することができる。
【0075】
本発明の態様3に係るコネクタ構造は、上記態様1または2において、上記受け部に挿入される上記プラグの種類を検知する検知部を備え、上記切替部は、上記受け部に上記プラグが挿入されている場合に、上記検知部が検知した上記プラグの種類に応じて、上記受け部と端末基板のグランド電極との間を短絡する経路、および、上記受け部と上記グランド電極との間を高周波遮断素子で繋ぐ経路、の何れかを選択しても良い。上記構成によれば、プラグの種類に応じて有線通信品質やアンテナ利得の向上を図ることができる。
【0076】
本発明の態様4に係る電子機器は、上記態様1〜3の何れかのコネクタ構造を備えていることが好ましい。上記構成によれば、有線通信品質やアンテナ利得の向上を図ることができる電子機器を実現できる。
【0077】
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。