特許 6768616 表示装置及び表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6768616

(24)【登録日】2020年9月25日

(45)【発行日】2020年10月14日

(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 51/50 20060101AFI20201005BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20201005BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20201005BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20201005BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20201005BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20201005BHJP

   G09G 3/30 20060101ALI20201005BHJP

   G09G 3/3233 20160101ALI20201005BHJP

   G09G 3/20 20060101ALI20201005BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20201005BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/14 A

   H01L27/32

   H05B33/10

   H05B33/12 B

   H05B33/22 Z

   H05B33/22 A

   H05B33/22 D

   G09F9/30 365

   G09F9/30 348Z

   G09G3/30 J

   G09G3/3233

   G09G3/20 624B

   G09G3/20 670J

   G09G3/20 642A

   G09F9/00 338

【請求項の数】10

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2017-179101(P2017-179101)

(22)【出願日】2017年9月19日

(65)【公開番号】特開2019-54219(P2019-54219A)

(43)【公開日】2019年4月4日

【審査請求日】2019年7月26日

(73)【特許権者】

【識別番号】514188173

【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】100189430

【弁理士】

【氏名又は名称】吉川 修一

(74)【代理人】

【識別番号】100190805

【弁理士】

【氏名又は名称】傍島 正朗

(72)【発明者】

【氏名】山本 浩幹

【審査官】 井亀 諭

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１６−１８１４９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−１９２９３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１３／１９０８４７（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｇ０９Ｆ ９／００

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｇ０９Ｇ ３／２０

Ｇ０９Ｇ ３／３０

Ｇ０９Ｇ ３／３２３３

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

Ｈ０５Ｂ ３３／２２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の画素の各々に設けられ、電流により発光する発光素子と、
前記複数の画素の各々において、前記発光素子と並列に接続された抵抗要素と、
開口部を有するバンクとを備え、
前記発光素子及び前記抵抗要素は、通電によって経時的に抵抗値が高くなり、
前記抵抗値の変化の割合は、前記発光素子よりも前記抵抗要素の方が大きく、
前記発光素子は、第１電荷機能層と、前記第１電荷機能層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２電荷機能層とを有し、
前記第１電荷機能層及び前記発光層は、前記開口部の底部から前記バンクの側壁面に沿って当該バンクに乗り上げるように形成され、
前記第２電荷機能層は、前記開口部を覆うように形成され、
前記抵抗要素は、前記バンクの側壁面に形成された前記第１電荷機能層の一部と前記第２電荷機能層とが近接又は接触することで生成され、
前記開口部の底面と前記バンクの側壁面とのなす角は、９０度よりも大きく、
前記バンクの側壁面の根元部分は、前記バンクの側壁面の上部分よりも後退している
表示装置。

【請求項2】

前記第１電荷機能層は、前記発光層よりも抵抗値が低い、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記発光層の撥液性は、前記第１電荷機能層の撥液性よりも高い、
請求項２又は３に記載の表示装置。

【請求項4】

前記バンクの表面は、撥液面である
請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第２電荷機能層は、バリウムを含む、
請求項２〜４のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１電荷機能層は、正孔注入層であり、
前記第２電荷機能層は、電子輸送層である、
請求項２〜５のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項7】

さらに、前記複数の画素の各々において、前記発光素子に電流を供給する定電流回路を備える、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項8】

前記定電流回路は、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御端子に接続され、前記駆動トランジスタの導通及び非導通を制御するスイッチングトランジスタとを有する、
請求項７に記載の表示装置。

【請求項9】

前記発光素子は、有機ＥＬ素子である、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項10】

開口部を有するバンクを形成する工程と、
前記開口部内に第１材料を塗布して乾燥することで第１電荷機能層を形成する工程と、
前記開口部内に第２材料を塗布して乾燥することで前記第１電荷機能層の上に発光層を形成する工程と、
前記開口部を覆うように前記発光層の上に第２電荷機能層を形成する工程とを含み、
前記バンクの側壁面において、前記第１電荷機能層と前記第２電荷機能層とが近接又は接触しており、
前記第１電荷機能層及び前記発光層は、前記開口部の底部から前記バンクの側壁面に沿って当該バンクに乗り上げるように形成され、
前記開口部の底面と前記バンクの側壁面とのなす角は、９０度よりも大きく、
前記バンクの側壁面の根元部分は、前記バンクの側壁面の上部分よりも後退している
表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示装置及び表示装置の製造方法に関し、特に、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を有する有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、高コントラスト及び広視野角で応答性に優れた自発光型の表示装置として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置が注目されている。特に、高精細及び大画面化に有利なアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の開発が活発に行われている。

【0003】

アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置は、例えば、マトリクス状に配列された複数の画素の各々において、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子に駆動電流を供給する画素回路とを備える（例えば特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９−１８６９８２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

有機ＥＬ素子等の発光素子は、劣化によって輝度が低下する。このため、自発光型の表示装置では、発光素子の劣化による表示焼き付きが課題となっている。

【0006】

本開示の技術は、発光素子が劣化しても輝度が低下することを抑制できる表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するために、本開示に係る表示装置の一態様は、複数の画素の各々に設けられ、電流により発光する発光素子と、前記複数の画素の各々において、前記発光素子と並列に接続された抵抗要素とを備え、前記発光素子及び前記抵抗要素は、通電によって経時的に抵抗値が高くなり、前記抵抗値の変化の割合は、前記発光素子よりも前記抵抗要素の方が大きい。

【0008】

また、本開示に係る表示装置の製造方法の一態様は、開口部を有するバンクを形成する工程と、前記開口部内に第１材料を塗布して乾燥することで第１電荷機能層を形成する工程と、前記開口部内に第２材料を塗布して乾燥することで前記第１電荷機能層の上に発光層を形成する工程と、前記開口部を覆うように前記発光層の上に第２電荷機能層を形成する工程とを含み、前記バンクの側壁面において、前記第１電荷機能層と前記第２電荷機能層とが近接又は接触している。

【発明の効果】

【0009】

発光素子が劣化しても輝度が低下することを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す分解斜視図である。

【図2】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の各画素における画素回路とＥＬ部との電気回路図である。

【図3】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の一部の構成を模式的に示す断面斜視図である。

【図4】図３の破線で囲まれる領域IVの拡大図である。

【図5】従来の有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子が劣化したときの電流量の変化を示す図である。

【図6】図６は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子及び抵抗要素が劣化したときの電流量の変化を示す図である。

【図7】通電時間に対する有機ＥＬ素子の輝度の変化を示す図である。

【図8A】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、ＴＦＴ基板を準備する工程を示す断面図である。

【図8B】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の陽極を形成する工程を示す断面図である。

【図8C】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、バンク用のレジスト膜を塗布する工程を示す断面図である。

【図8D】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、バンク用のレジスト膜を露光する工程を示す断面図である。

【図8E】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、バンク用のレジスト膜を現像する工程を示す断面図である。

【図8F】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、バンク用のレジスト膜を露光するときのマスクを除去する工程を示す断面図である。

【図8G】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の正孔注入層用の第１有機溶剤を塗布する工程を示す断面図である。

【図8H】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の正孔注入層用の第１有機溶剤を乾燥する工程を示す断面図である。

【図8I】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の発光層用の第２有機溶剤を塗布する工程を示す断面図である。

【図8J】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の発光層用の第２有機溶剤を乾燥する工程を示す断面図である。

【図8K】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の電子輸送層を形成する工程を示す断面図である。

【図8L】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の陰極を形成する工程を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本開示の一実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程（ステップ）、工程の順序等は、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

【0012】

なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺等は必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

【0013】

（実施の形態）
以下、表示装置の一例として、有機ＥＬ素子２１０を有する有機ＥＬ表示装置１について説明する。図１は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１を模式的に示す分解斜視図である。

【0014】

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ基板１００と、ＥＬ部２００と、カラーフィルタ基板３００とを備える。ＴＦＴ基板１００、ＥＬ部２００及びカラーフィルタ基板３００は、この順で下から上に積層されている。つまり、ＥＬ部２００は、ＴＦＴ基板１００の上に配置され、カラーフィルタ基板３００は、ＥＬ部２００の上に配置される。具体的には、ＥＬ部２００は、ＴＦＴ基板１００の平坦化層の上に形成される。また、ＥＬ部２００とカラーフィルタ基板３００とは、貼り合わせ層（不図示）によって貼り合わされる。

【0015】

ＴＦＴ基板１００は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有するＴＦＴアレイ基板である。ＴＦＴ基板１００は、マトリクス状に配列された複数の画素１１０の各々において、ＴＦＴ及び容量素子等の回路素子によって構成された画素回路１２０を有する。ＴＦＴ基板１００は、例えば、ガラス基板又は透明樹脂基板等の基板と、ＴＦＴの電極及び配線が形成された複数の配線層と、配線層間に形成された層間絶縁層とを有する。

【0016】

具体的には、ＴＦＴ基板１００は、複数の配線として、画素１１０の行方向に沿って配置された複数のゲート配線（走査線）１３０と、ゲート配線１３０と交差するように画素１１０の列方向に沿って配置された複数のソース配線（信号線）１４０と、ソース配線１４０と平行に配置された複数の電源配線１５０とを有する。各画素１１０は、例えば互いに直交するゲート配線１３０とソース配線１４０とによって区画されている。

【0017】

ゲート配線１３０は、各画素回路１２０に含まれるスイッチングトランジスタのゲート電極と行毎に接続されている。ソース配線１４０は、各画素回路１２０に含まれるスイッチングトランジスタのソース電極と列毎に接続されている。電源配線１５０は、各画素回路１２０に含まれる駆動トランジスタのドレイン電極と列毎に接続されている。

【0018】

ＥＬ部２００は、複数の画素１１０の各々に設けられた有機ＥＬ素子２１０を含む。各画素１１０における有機ＥＬ素子２１０は、発光素子の一例であり、各画素１１０の画素回路１２０によって駆動制御される。つまり、画素回路１２０によって各有機ＥＬ素子２１０の発光の制御が行われる。具体的には、有機ＥＬ素子２１０は電流が流れることで発光するので、画素回路１２０によって有機ＥＬ素子２１０に電流を供給することで、有機ＥＬ素子２１０を発光させることができる。

【0019】

有機ＥＬ素子２１０は、ＴＦＴ基板１００の上に形成される。具体的には、ＴＦＴ基板１００の上層には平坦化層が形成されており、有機ＥＬ素子２１０は、その平坦化層の上に形成される。詳細は後述するが、有機ＥＬ素子２１０は、陽極と発光層と陰極との積層構造である。

【0020】

カラーフィルタ基板３００は、ガラス基板又は透明樹脂基板の透明基板に形成されたカラーフィルタ３１０を有する。本実施の形態において、カラーフィルタ３１０は、赤色フィルタ３１１、緑色フィルタ３１２及び青色フィルタ３１３を含む。赤色フィルタ３１１は、ＥＬ部２００から発光された赤色の光を透過する。緑色フィルタ３１２は、ＥＬ部２００から発光された緑色の光を透過する。青色フィルタ３１３は、ＥＬ部２００から発光された青色の光を透過する。

【0021】

このように構成される有機ＥＬ表示装置１は、トップエミッション型であり、有機ＥＬ素子２１０の光をカラーフィルタ基板３００側（ＴＦＴ基板１００側とは反対側）から出射させる。なお、有機ＥＬ表示装置１は、トップエミッション型に限るものではなく、有機ＥＬ素子２１０の光をＴＦＴ基板１００側から出射させるボトムエミッション型であってもよい。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置と比較して、開口率を大きくすることができる。したがって、トップエミッション型の方がボトムエミッション型よりも発光効率が向上する。

【0022】

次に、有機ＥＬ表示装置１の各画素１１０におけるＴＦＴ基板１００の画素回路１２０とＥＬ部２００との構成について、図２を用いて説明する。図２は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の各画素１１０における画素回路１２０とＥＬ部２００との電気回路図である。

【0023】

各画素１１０の画素回路１２０は、有機ＥＬ素子２１０を発光させるための駆動電流を有機ＥＬ素子２１０に供給する定電流回路であり、ＴＦＴ等の回路素子を有する。本実施の形態において、各画素回路１２０は、回路素子として２つのＴＦＴと１つの容量素子とを有する２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。

【0024】

具体的には、図２に示すように、各画素回路１２０は、駆動トランジスタＤｒＴｒとして形成されたＴＦＴと、スイッチングトランジスタＳｗＴｒとして形成されたＴＦＴと、データ電圧（信号電圧）を記憶する蓄積容量として形成された容量素子Ｃｓとによって構成される。

【0025】

駆動トランジスタＤｒＴｒは、有機ＥＬ素子２１０を駆動するためのＴＦＴであり、有機ＥＬ素子２１０に流れる電流を制御する。また、スイッチングトランジスタＳｗＴｒは、複数の画素１１０のうち発光させる画素１１０（つまり発光させる有機ＥＬ素子２１０）を選択するためのＴＦＴである。スイッチングトランジスタＳｗＴｒは、駆動トランジスタＤｒＴｒの制御端子であるゲート電極Ｇ２に接続されており、駆動トランジスタＤｒＴｒの導通及び非導通を制御する。

【0026】

スイッチングトランジスタＳｗＴｒは、ゲート配線１３０に接続されるゲート電極Ｇ１と、ソース配線１４０に接続されるソース電極Ｓ１と、容量素子Ｃｓの一方の電極及び駆動トランジスタＤｒＴｒのゲート電極Ｇ２に接続されるドレイン電極Ｄ１と、チャネル層として機能する半導体層（図示せず）とを備える。スイッチングトランジスタＳｗＴｒは、接続されるゲート配線１３０及びソース配線１４０に所定の電圧が印加されると、ソース配線１４０に印加された電圧がデータ電圧として容量素子Ｃｓに保持される。

【0027】

駆動トランジスタＤｒＴｒは、スイッチングトランジスタＳｗＴｒのドレイン電極Ｄ１及び容量素子Ｃｓの他方の電極に接続されるゲート電極Ｇ２と、電源配線１５０に接続されるドレイン電極Ｄ２と、有機ＥＬ素子２１０の陽極及び容量素子Ｃｓの他方の電極に接続されるソース電極Ｓ２と、チャネル層として機能する半導体層（図示せず）とを備える。駆動トランジスタＤｒＴｒは、容量素子Ｃｓが保持しているデータ電圧に対応する電流を電源配線１５０からソース電極Ｓ２を通じて有機ＥＬ素子２１０の陽極に供給する。これにより、有機ＥＬ素子２１０では、陽極から陰極へと駆動電流が流れて、有機ＥＬ素子２１０の発光層が発光する。そして、有機ＥＬ素子２１０に通電する電流量（通電量）を制御することによって、有機ＥＬ素子２１０の発光輝度を制御することができる。

【0028】

このように構成される有機ＥＬ表示装置１では、画素１１０毎に発光制御を行うアクティブマトリクス方式が採用されている。つまり、各画素１１０におけるスイッチングトランジスタＳｗＴｒ及び駆動トランジスタＤｒＴｒによって、マトリクス状に配列された複数の有機ＥＬ素子２１０を選択的に発光させることで、有機ＥＬ表示装置１に所望の画像を表示させることができる。

【0029】

また、図２に示すように、ＥＬ部２００は、複数の画素１１０の各々において、有機ＥＬ素子２１０と並列に接続された抵抗要素１０を有する。有機ＥＬ素子２１０及び抵抗要素１０は、いずれも通電によって経時的に抵抗値が高くなる特性を有する。本実施の形態において、有機ＥＬ素子２１０及び抵抗要素１０は、通常動作の通電による経時的な劣化によって抵抗値が漸次高くなる。また、本実施の形態において、抵抗要素１０の抵抗値の変化の割合は、有機ＥＬ素子２１０の抵抗値の変化の割合よりも大きくなっている。つまり、抵抗値が増大する変化の割合は、有機ＥＬ素子２１０よりも抵抗要素１０の方が大きい。

【0030】

次に、有機ＥＬ表示装置１における有機ＥＬ素子２１０及び抵抗要素１０の詳細な構成について、図３及び図４を用いて説明する。図３は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の一部の構成を模式的に示す断面斜視図である。図４は、図３の破線で囲まれる領域IVの拡大図である。

【0031】

図３に示すように、有機ＥＬ表示装置１の複数の画素１１０には、赤色画素、緑色画素及び青色画素が含まれている。複数の有機ＥＬ素子２１０は、図３に示すように、赤色画素に対応する赤色用有機ＥＬ素子２１０Ｒ、緑色画素に対応する緑色用有機ＥＬ素子２１０Ｇ及び青色画素に対応する青色用有機ＥＬ素子２１０Ｂを含む。赤色用有機ＥＬ素子２１０Ｒは赤色光を発し、緑色用有機ＥＬ素子２１０Ｇは緑色光を発し、青色用有機ＥＬ素子２１０Ｂは青色光を発する。

【0032】

複数の有機ＥＬ素子２１０（赤色用有機ＥＬ素子２１０Ｒ、緑色用有機ＥＬ素子２１０Ｇ、青色用有機ＥＬ素子２１０Ｂ）は、バンク２２０によって互いに分離されている。本実施の形態において、バンク２２０は、ラインバンクであり、例えば、ソース配線１４０に平行に延びる複数の直線状の突条によって構成されている。なお、バンク２２０は、ラインバンクに限るものではなく、格子状のピクセルバンクであってもよい。

【0033】

複数の有機ＥＬ素子２１０（赤色用有機ＥＬ素子２１０Ｒ、緑色用有機ＥＬ素子２１０Ｇ、青色用有機ＥＬ素子２１０Ｂ）の各々は、第１電極である陽極２１１と、第１電荷機能層である正孔注入層２１２と、発光層２１３と、第２電荷機能層である電子輸送層２１４と、第２電極である陰極２１５とを有する。

【0034】

図４に示すように、陽極（アノード）２１１は、下部電極であり、ＴＦＴ基板１００上に所定形状で形成されている。陽極２１１は、バンク２２０の開口部２２０ａ内において画素１１０毎に形成されている。具体的には、陽極２１１は、バンク２２０の開口部２２０ａの底部に形成されている。

【0035】

本実施の形態において、陽極２１１は、光反射性を有する反射電極であり、発光層２１３で発生した光を反射させる機能を有する。陽極２１１は、例えば、光反射層として、アルミニウム等の金属材料によって構成された金属層を含む。

【0036】

また、陽極２１１は、アルミニウム合金からなる金属層と当該金属層の上に形成された酸化タングステンからなる透明層等との積層構造であってもよい。この場合、酸化タングステンからなる層は、陽極２１１としてではなく、正孔注入層２１２として機能していてもよい。陽極２１１の厚みは、一例として、５０ｎｍ〜７００ｎｍである。

【0037】

正孔注入層（ＨＩＬ）２１２は、陽極２１１と発光層２１３との間に位置する層であって、発光層２１３に正孔を注入する機能を有する。正孔注入層２１２は、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）等のポリチオフェン系、フタロシアニン系、オリゴアミン系、デンドリマーアミン系等からなる有機材料によって構成される。正孔注入層２１２は発光層２１３よりも抵抗値が低いとよいので、正孔注入層２１２の材料としては、発光層２１３の材料よりも抵抗値が低いものを選ぶとよい。

【0038】

正孔注入層２１２は、バンク２２０の開口部２２０ａ内において画素１１０毎に形成されている。本実施の形態において、正孔注入層２１２は、バンク２２０に囲まれるように陽極２１１の上に設けられている。

【0039】

具体的には、正孔注入層２１２は、薄膜状であり、バンク２２０の開口部２２０ａの底部からバンク２２０の側壁面に沿ってバンク２２０に乗り上げるように形成されている。また、正孔注入層２１２の厚さは、バンク２２０の開口部２２０ａの底部の中央部では略一定で薄くなっているが、バンク２２０の根元に向かって徐々に厚くなり、バンク２２０の側壁面では下から上に向かうにつれて徐々に薄くなっている。正孔注入層２１２の中央部での厚みは、一例として、５ｎｍ〜１００ｎｍである。このような形状の正孔注入層２１２は、正孔注入層２１２を構成する有機材料をバンク２２０の開口部２２０ａ内に塗布して乾燥させることで形成することができる。

【0040】

発光層２１３（ＥＭＬ）は、陽極２１１と陰極２１５との間に位置する層であって、陽極２１１と陰極２１５とに所定の電圧が印加されることにより注入された電子と正孔とが再結合して生じるエネルギーにより発光材料が励起されて発光する機能を有する。本実施の形態において、発光層２１３は、正孔注入層２１２と電子輸送層２１４とに挟まれている。

【0041】

また、発光層２１３は、材料を選択することによって所定の色（波長）の光に発光させることができる。例えば、発光層２１３は、赤色に発光する赤色発光層、緑色に発光する緑色発光層及び青色に発光する青色発光層のいずれかである。

【0042】

発光層２１３は、有機発光材料を用いた有機発光層である。発光層２１３を構成する有機発光材料としては、例えば、アルミキノリキノール錯体（Ａｌｑ３）等の低分子有機材料、又は、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンなどのポリマー発光材料等の高分子有機材料を用いることができる。発光層２１３の撥液性は正孔注入層２１２の撥液性よりも高いとよい（つまり、発光層２１３の接触角は正孔注入層２１２の接触角よりも大きいとよい）ので、発光層２１３の材料としては、正孔注入層２１２の材料よりも撥液性が高いものを選ぶとよい。

【0043】

発光層２１３は、バンク２２０の開口部２２０ａ内に画素１１０毎に形成されている。本実施の形態において、発光層２１３は、バンク２２０に囲まれるように正孔注入層２１２の上に設けられている。

【0044】

具体的には、発光層２１３は、薄膜状であり、正孔注入層２１２の表面形状にしたがって、バンク２２０の開口部２２０ａの底部からバンク２２０の側壁面に沿ってバンク２２０に乗り上げるように形成されている。発光層２１３は、バンク２２０の開口部２２０ａの底部の中央部では略一定の厚さであり、バンク２２０に近づくにつれて徐々に厚さが薄くなっている。発光層２１３の中央部での厚みは、一例として、３０ｎｍ〜２００ｎｍである。このような形状の発光層２１３は、発光層２１３を構成する有機材料をバンク２２０の開口部２２０ａ内に塗布して乾燥させることで形成することができる。

【0045】

電子輸送層（ＥＴＬ）２１４は、発光層２１３と陰極２１５との間に位置する層であって、発光層２１３に電子を輸送する機能を有する。電子輸送層２１４としては、例えば、金属キレート系、フェナントロリン系、オキサジアゾール系、トリアゾール系等の有機材料、又は、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物等の無機材料が用いられる。

【0046】

また、電子輸送層２１４には、還元性金属が含まれているとよい。還元性金属としては、例えば、バリウム、チタン、ナトリウム又はアルミニウムを用いることができる。本実施の形態において、電子輸送層２１４は、バリウムを含む有機材料によって構成されている。電子輸送層２１４にドープされているバリウムの濃度は、例えば、電子輸送層２１４の材料の重量に対して１ｗｔ％〜５０ｗｔ％である。

【0047】

電子輸送層２１４は、バンク２２０の開口部２２０ａを覆うように発光層２１３の上に形成される。本実施の形態において、電子輸送層２１４は、複数のバンク２２０にわたって複数の画素１１０の発光層２１３の上に連続して形成されている。具体的には、電子輸送層２１４は、薄膜状の単一層であり、発光層２１３及びバンク２２０の表面形状に沿って、全てのバンク２２０の開口部２２０ａを覆うように全ての画素１１０にわたって形成されている。電子輸送層２１４の厚さは、略一定であり、一例として、３０ｎｍ〜１００ｎｍである。なお、電子輸送層２１４は、単一層に限るものではなく、正孔注入層２１２と同様に、バンク２２０の開口部２２０ａ内に、複数の画素１１０毎に形成されていてもよい。

【0048】

陰極（カソード）２１５は、陽極２１１と対向するようにして電子輸送層２１４の上に形成される。本実施の形態において、陰極２１５は、電子輸送層２１４と同様に、複数のバンク２２０にわたって連続して形成されている。つまり、陰極２１５は、複数の画素１１０に共通する共通電極である。具体的には、陰極２１５は、薄膜状の単一層であり、電子輸送層２１４の表面形状に沿って、全てのバンク２２０の開口部２２０ａを覆うように全ての画素１１０にわたって形成されている。陰極２１５の厚さは、略一定であり、一例として、２０ｎｍ〜２００ｎｍである。なお、陰極２１５は、単一層に限るものではなく、バンク２２０の開口部２２０ａ内に、複数の画素１１０毎に形成されていてもよい。

【0049】

また、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１は、トップエミッション型であるので、陰極２１５は、光透過性を有する材料で構成されている。例えば、陰極２１５は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の透明金属酸化物によって構成された透明導電層（透明電極）である。なお、陰極２１５は、材料自体が透明でなくてもよく、例えば、Ａｇ（銀）又はＡｌ（アルミニウム）等の金属膜を薄膜化することによって光を透過させるように構成されていてもよい。

【0050】

このように構成される有機ＥＬ素子２１０では、陽極２１１と陰極２１５との間に電圧が印加されると、陽極２１１から正孔注入層２１２に正孔（ホール）が注入され、陰極２１５から電子輸送層２１４に電子が注入される。そして、電子と正孔とが発光層２１３に供給されて発光層２１３で再結合することによって発光層２１３が発光する。

【0051】

なお、本実施の形態における有機ＥＬ素子２１０は、電荷機能層として、正孔注入層２１２及び電子輸送層２１４を有しているが、電荷機能層は、これらに限るものではなく、有機ＥＬ素子２１０には、正孔輸送層、電子注入層、又は、電子ブロック層等のその他の電荷機能層が含まれていてもよい。

【0052】

バンク２２０は、有機ＥＬ素子２１０の各発光層２１３を区画するための隔壁であり、発光層２１３を囲む開口部２２０ａを有する。バンク２２０の開口部２２０ａ内には、正孔注入層２１２及び発光層２１３が形成されている。本実施の形態において、正孔注入層２１２及び発光層２１３は、バンク２２０の内面を構成する側壁面（側面）に乗り上げるように形成されている。

【0053】

バンク２２０の側壁面において、発光層２１３の両端部は、正孔注入層２１２の両端部近傍に位置しているが、正孔注入層２１２の両端部を超えてはいない。つまり、正孔注入層２１２の両端部の先端の高さの位置は、発光層２１３の両端部の先端の高さの位置と同じかそれよりも上である。

【0054】

したがって、正孔注入層２１２及び発光層２１３の両端部の先端近傍の位置（図４の破線で囲まれる領域Ａの位置）において、正孔注入層２１２と電子輸送層２１４とが近接又は接触している。つまり、正孔注入層２１２と電子輸送層２１４との介在する発光層２１３が、バンク２２０の側壁面に乗り上げた正孔注入層２１２の端部と電子輸送層２１４とが近接又は接触する部分を残して形成される。本実施の形態において、正孔注入層２１２の両端部は、発光層２１３を介さずに領域Ａにおいて電子輸送層２１４と接触している。正孔注入層２１２と電子輸送層２１４とが近接又は接触する部分は、電気抵抗特性を有する１つの抵抗素子と同様の挙動を示す。

【0055】

このように、バンク２２０の側壁面に形成された正孔注入層２１２の一部と電子輸送層２１４とが近接又は接触することによって、バンク２２０の中央部の有機ＥＬ素子２１０の主発光部に並列接続された抵抗回路として抵抗要素１０が生成される。つまり、抵抗要素１０は、正孔注入層２１２と電子輸送層２１４とが近接した部分又は正孔注入層２１２と電子輸送層２１４とが発光層２１３を介さずに直接接触した部分（正孔注入層２１２と電子輸送層２１４との界面）であり、有機ＥＬ素子２１０を構成する部材によって形成されている。正孔注入層２１２と電子輸送層２１４とが近接又は接触する部分は、本来無くてもよい部分であるが、本実施の形態では、正孔注入層２１２と電子輸送層２１４とが近接又は接触する部分をあえて形成することで、有機ＥＬ素子２１０と並列接続された抵抗要素１０を各バンク２２０内に生成させている。

【0056】

このように構成される抵抗要素１０は、有機ＥＬ素子２１０を構成する材料によって生成されているので、有機ＥＬ素子２１０と同様に、通電による劣化によって高抵抗化し、経時的に抵抗値が高くなっていく。

【0057】

この場合、正孔注入層２１２の材料を発光層２１３の材料よりも抵抗値が低いものを用いることで、通電劣化よる抵抗値の増加の割合（抵抗増加率）を、有機ＥＬ素子２１０よりも抵抗要素１０の方を容易に大きくすることができる。

【0058】

バンク２２０は、例えば、樹脂等の有機材料によって構成されていてもよいし、無機材料によって構成されていてもよい。有機材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、又は、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。また、無機材料としては、ＳｉＯ_２（酸化シリコン）、又は、Ｓｉ_３Ｎ_４（窒化シリコン）等があげられる。なお、バンク２２０は、有機溶剤耐性及び絶縁性を有する材料で形成されているとよく、さらに、エッチング処理やベーク処理等がされることがあるので、それらの処理に対する耐性の高い材料で形成されていることが好ましい。

【0059】

また、バンク２２０の表面は、撥液面であるとよい。例えば、バンク２２０に、フッ素プラズマ等の撥液処理を施すことで、バンク２２０に撥液性を持たせてバンク２２０の表面を撥液面にすることができる。なお、バンク２２０に撥液処理を施すのではなく、撥液性を有する有機材料を用いてバンク２２０を形成することによって、バンク２２０の表面を撥液面にしてもよい。撥液性を有する有機材料としては、例えば、フッ素化ポリオレフィン系樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化ポリアクリル樹脂等のフッ素樹脂を含む材料を用いることができる。

【0060】

また、図示しないが、陰極２１５を覆うように封止層が形成される。封止層としては、例えば、フッ素樹脂等の有機材料を用いてもよいし、ＳｉＯ₂（酸化シリコン）、ＧｅＯ（酸化ゲルマニウム）、Ａｌ₂Ｏ₃（酸化アルミニウム）等の酸化物材料、又は、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）等の窒化物材料等の無機材料を用いてもよい。なお、本実施の形態において、有機ＥＬ表示装置１は、トップエミッション型であるので、封止層としは透光性材料が用いられる。

【0061】

次に、図５及び図６を用いて、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の作用効果について、従来の有機ＥＬ表示装置と比較して説明する。図５は、従来の有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子２１０Ｘが劣化したときの電流量の変化を示す図である。図６は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１における有機ＥＬ素子２１０及び抵抗要素１０が劣化したときの電流量の変化を示す図である。

【0062】

図５（ａ）に示すように、従来の有機ＥＬ表示装置では、定電流回路である画素回路１２０によって有機ＥＬ素子２１０Ｘに通電すると、有機ＥＬ素子２１０Ｘに電流が流れて有機ＥＬ素子２１０Ｘが発光する。

【0063】

このとき、有機ＥＬ素子２１０Ｘの発光層又は電荷機能層が通電等によって経時的に劣化する。このため、有機ＥＬ素子２１０Ｘは、通電による劣化によって経時的に抵抗値が徐々に上昇していく。つまり、有機ＥＬ素子２１０Ｘは、通常動作による通電によって時間の経過とともに高抵抗化する。

【0064】

この結果、図５（ｂ）に示すように、定電流回路である画素回路１２０から発光素子２１０Ｘに流れる電流量そのものは変わらないが、有機ＥＬ素子２１０Ｘの経時的な高抵抗化によって、有機ＥＬ素子２１０Ｘの輝度が徐々に低下していく。これにより、メニュー画面の白表示画素等において表示焼き付きが発生する。

【0065】

これに対して、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１では、通電による抵抗値の増加の割合が有機ＥＬ素子２１０よりも大きい抵抗要素１０が有機ＥＬ素子２１０に並列接続されている。

【0066】

これにより、図６（ａ）に示すように、定電流回路である画素回路１２０によって有機ＥＬ素子２１０に通電すると、有機ＥＬ素子２１０及び抵抗要素１０の抵抗比率にしたがって画素回路１２０から供給される電流が分流して有機ＥＬ素子２１０及び抵抗要素１０の各々に所定の電流が流れる。これにより、有機ＥＬ素子２１０が発光する。

【0067】

このとき、有機ＥＬ素子２１０及び抵抗要素１０は、通常動作による通電劣化によって経時的に抵抗値が徐々に上昇して高抵抗化していくが、通電による抵抗値の増加の割合が有機ＥＬ素子２１０よりも抵抗要素１０の方が大きいので、有機ＥＬ素子２１０及び抵抗要素１０の抵抗比率は、抵抗要素１０の方が有機ＥＬ素子２１０よりも大きくなるように自動的に変化する。この結果、図６（ｂ）に示すように、抵抗要素１０に対する有機ＥＬ素子２１０の相対的な通電量を増加させることができる。これにより、有機ＥＬ素子２１０の劣化による輝度の低下を抑制することができる。したがって、有機ＥＬ素子２１０の劣化による表示焼き付きを抑制することができる。

【0068】

特に、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１では、抵抗器等の回路素子を別途実装するのではなく、有機ＥＬ素子２１０を構成する部材を利用して抵抗要素１０を形成している。具体的には、ＥＬ部２００のバンク２２０の側壁面において、正孔注入層２１２と電子輸送層２１４とを近接又は接触させることで抵抗要素１０を生成させている。

【0069】

これにより、各画素１１０の有機ＥＬ素子２１０に並列接続させる抵抗器等の回路素子を別途実装する場合と比べて、小型の有機ＥＬ表示装置を実現することができる。

【0070】

また、有機ＥＬ素子２１０に並列接続された抵抗要素１０に相対的に流れる電流量は、有機ＥＬ素子２１０の電子輸送層２１４にドープされるバリウムの濃度によって制御することができる。この点について、図７を用いて説明する。図７は、通電時間に対する有機ＥＬ素子２１０の輝度の変化を示す図である。また、図７では、有機ＥＬ素子２１０の電子輸送層２１４にドープされるバリウムの濃度が、５％、２０％、４０％としたときの輝度の変化を示している。なお、図７は、実験値である。

【0071】

図７に示すように、有機ＥＬ素子２１０の電子輸送層２１４にドープされるバリウムの濃度が高いほど、短い通電時間で有機ＥＬ素子２１０の輝度が低下することが分かる。つまり、有機ＥＬ素子２１０の電子輸送層２１４にドープされるバリウムの濃度が高くなればなるほど、有機ＥＬ素子２１０が劣化しやすくなる。つまり、高抵抗化しやすくなる。これは、電子輸送層２１４にドープするバリウムの濃度によって、通電劣化による電子輸送層２１４の抵抗変化率が変化するからである。このように、電子輸送層２１４にドープするバリウムの濃度によって、抵抗要素１０に相対的に流れる電流量を制御することができる。

【0072】

次に、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図８Ａ〜図８Ｌを用いて説明する。図８Ａ〜図８Ｌは、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法の工程断面図である。

【0073】

まず、図８Ａに示すように、ＴＦＴ基板１００を準備する。ＴＦＴ基板１００は、例えば、ガラス基板等の基板の上に画素回路１２０を構成するＴＦＴ等の回路素子及び配線等を形成し、平坦化層で覆うことによって作製することができる。なお、平坦化層の一部にはコンタクトホールが形成される。このコンタクトホールを介して、ＴＦＴ基板１００の画素回路１２０における駆動トランジスタＤｒＴｒのソース電極Ｓ２と有機ＥＬ素子２１０の陽極２１１とが電気的に接続される。

【0074】

次に、図８Ｂに示すように、ＴＦＴ基板１００の上に、有機ＥＬ素子２１０の陽極２１１を形成する。例えば、スパッタリングによってＴＦＴ基板１００の上にアルミニウム合金膜を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングを行うことで、アルミニウム合金からなる所定形状の陽極２１１を形成することができる。

【0075】

次に、図８Ｃ〜図８Ｆに示すように、開口部２２０ａを有するバンク２２０を形成する。具体的には、陽極２１１が形成された領域を取り囲むようにバンク２２０を形成する。

【0076】

この場合、まず、図８Ｃに示すように、陽極２１１を覆うようにＴＦＴ基板１００の全面に、バンク２２０の材料としてフォトレジスト材料を含むレジスト膜２２０Ｍ（例えば感光性樹脂）を塗布等により塗膜する。次いで、図８Ｄに示すように、レジスト膜２２０Ｍの上に開口を有するマスク２３０を形成し、その後、マスク２３０を介してレジスト膜２２０Ｍを露光し、その後、現像液により現像処理することによってレジスト膜２２０Ｍの所定の部位を除去して陽極２１１を露出させる。その後、１５０℃〜２５０℃程度の熱処理（例えばベーク処理）を施す。この熱処理によって、レジスト膜２２０Ｍに残留していた溶剤が揮発する。これにより、図８Ｅに示すように、陽極２１１を露出させる開口部２２０ａを有するバンク２２０を形成することができる。その後、図８Ｆに示すように、マスク２３０を除去する。なお、必要に応じて、バンク２２０の表面に撥液処理を施してもよい。

【0077】

また、現像液によりレジスト膜２２０Ｍの一部を除去して開口部２２０ａを形成する際、開口部２２０ａの底面（陽極２１１の表面）とバンク２２０の側壁面とのなす角θ（テーパ角）が９０度よりも大きくなるようにレジスト膜２２０Ｍの一部を除去するとよい。つまり、バンク２２０の根元部分付近の除去量を上部分よりも相対的に大きくすることで、バンク２２０の側壁面の根元部分が上部分よりも後退するようにバンク２２０の側壁面を傾斜させるとよい。バンク２２０の側壁面のテーパ角θ（傾斜角）は、例えばレジスト膜２２０Ｍの露光条件を調整することで制御することができる。

【0078】

次に、バンク２２０の開口部２２０ａ内に正孔注入層２１２を形成する。本実施の形態では、図８Ｇ及び図８Ｈに示すように、バンク２２０の開口部２２０ａ内に、正孔注入層２１２を構成する有機材料を含む第１有機溶剤２１２Ｍを塗布して乾燥することで、陽極２１１の上に正孔注入層２１２を形成する。

【0079】

この場合、まず、図８Ｇに示すように、陽極２１１が露出するバンク２２０の開口部２２０ａ内に、印刷用インクとして、正孔注入層２１２を構成する有機材料が分散された第１有機溶剤２１２Ｍをインクジェット法によって塗布する。このとき、表面張力によって、第１有機溶剤２１２Ｍの表面は、バンク２２０の開口部２２０ａから球面状に膨出した形状となる。

【0080】

なお、第１有機溶剤２１２Ｍの塗布方法は、インクジェット法に限るものではなく、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷法又は凸版印刷法等であってもよい。

【0081】

その後、第１有機溶剤２１２Ｍを乾燥させる。例えば、加熱処理を施すことによって第１有機溶剤２１２Ｍを乾燥させることができる。これにより、第１有機溶剤２１２Ｍの溶剤成分が揮発し、図８Ｈに示すように、バンク２２０の開口部２２０ａの内面に沿った薄膜状の正孔注入層２１２を形成することができる。具体的には、バンク２２０の開口部２２０ａの底部からバンク２２０の側壁面に沿ってバンク２２０に乗り上げるように正孔注入層２１２を形成することができる。なお、加熱処理を行う際の温度又は時間、また、チャンバーで加熱処理を行う場合はチャンバー内の圧力等を制御することで、膨出した第１有機溶剤２１２Ｍを所望の厚さ及び形状の正孔注入層２１２にすることができる。

【0082】

次に、バンク２２０の開口部２２０ａ内に発光層２１３を形成する。本実施の形態では、図８Ｉ及び図８Ｊに示すように、バンク２２０の開口部２２０ａ内に、発光層２１３を構成する有機材料（発光材料）を含む第２有機溶剤２１３Ｍを塗布して乾燥することで、正孔注入層２１２の上に発光層２１３を形成する。

【0083】

この場合、まず、図８Ｉに示すように、正孔注入層２１２が形成されたバンク２２０の開口部２２０ａ内に、印刷用インクとして、発光層２１３を構成する有機材料が分散された第２有機溶剤２１３Ｍをインクジェット法によって塗布する。このとき、表面張力によって、第２有機溶剤２１３Ｍの表面は、バンク２２０の開口部２２０ａから球面状に膨出した形状となる。

【0084】

このとき、発光層２１３を形成するための第２有機溶剤２１３Ｍの撥液性は、正孔注入層２１２を形成するための第１有機溶剤２１２Ｍの撥液性よりも大きいので、第２有機溶剤２１３Ｍの表面の曲率は、第１有機溶剤２１２Ｍの表面の曲率よりも大きくなっている。

【0085】

また、赤色用有機ＥＬ素子の発光層２１３（赤色発光層）を形成するための第２有機溶剤２１３Ｍ、緑色用有機ＥＬ素子の発光層２１３（緑色発光層）を形成するための第２有機溶剤２１３Ｍ、及び、青色用有機ＥＬ素子の発光層（青色発光層）を形成するための第２有機溶剤２１３Ｍは、それぞれ別々に塗布されるが、複数のヘッドを有するインクジェット装置を使用することで、これらの第２有機溶剤２１３Ｍを同時に塗布することもできる。

【0086】

なお、第２有機溶剤２１３Ｍの塗布方法は、インクジェット法に限るものではなく、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷法又は凸版印刷法等であってもよい。

【0087】

その後、第２有機溶剤２１３Ｍを乾燥させる。例えば、加熱処理を施すことで第２有機溶剤２１３Ｍを乾燥させることができる。これにより、第２有機溶剤２１３Ｍの溶剤成分が揮発し、図８Ｊに示すように、薄膜状の発光層２１３を形成することができる。具体的には、正孔注入層２１２と同様に、バンク２２０の開口部２２０ａの底部からバンク２２０の側壁面に沿ってバンク２２０に乗り上げるように発光層２１３を形成することができる。なお、加熱処理を行う際の温度又は時間、また、チャンバーで加熱処理を行う場合はチャンバー内の圧力等を制御することで、膨出した第２有機溶剤２１３Ｍを所望の厚さ及び形状の発光層２１３にすることができる。

【0088】

このとき、本実施の形態では、発光層２１３の両端部が正孔注入層２１２の両端部を超えないように発光層２１３が形成されている。具体的には、正孔注入層２１２の両端部の先端が、発光層２１３の両端部の先端と丁度重なっているか、発光層２１３の両端部の先端から露出している。このような構造は、図８Ｆに示すバンク２２０の側壁面のテーパ角θを９０°よりも大きくすることで容易に形成することができる。また、上記のように、発光層２１３を形成するための第２有機溶剤２１３Ｍの撥液性を、正孔注入層２１２を形成するための第１有機溶剤２１２Ｍの撥液性よりも大きくすることで、正孔注入層２１２の両端部の先端を容易に発光層２１３の両端部の先端に一致又は当該先端から露出させることができる。

【0089】

次に、図８Ｋに示すように、バンク２２０の開口部２２０ａを覆うように発光層２１３の上に電子輸送層２１４を形成する。電子輸送層２１４の材料としては、低分子材料にバリウムが添加された有機材料が用いられる。電子輸送層２１４は、例えば、蒸着法によって、発光層２１３及びバンク２２０上の全面に形成される。

【0090】

このとき、正孔注入層２１２の両端部の先端が発光層２１３の両端部の先端と丁度重なっているか、発光層２１３の両端部の先端から露出しているので、バンク２２０の側壁面において、正孔注入層２１２と電子輸送層２１４とが近接又は接触することになる。これにより、正孔注入層２１２と電子輸送層２１４との界面付近で抵抗要素１０が生成される。

【0091】

次に、図８Ｌに示すように、電子輸送層２１４の上に陰極２１５を形成する。例えば、スパッタリングによって電子輸送層２１４の上にＩＴＯを形成することで、ＩＴＯ膜からなる陰極２１５を形成することができる。

【0092】

このようにして、陽極２１１、正孔注入層２１２、発光層２１３、電子輸送層２１４及び陰極２１５を有する有機ＥＬ素子２１０を形成することができる。なお、その後、陰極２１５を覆うように全面に封止層を形成してもよい。これにより、ＴＦＴ基板１００の上にＥＬ部２００を形成することができる。

【0093】

なお、その後、別途作成したカラーフィルタ基板３００を貼り合わせ層によってＥＬ部２００に貼り合わせることで、有機ＥＬ表示装置１を得ることができる。

【0094】

以上、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１によれば、複数の画素１１０の各々に設けられた有機ＥＬ素子２１０と、各有機ＥＬ素子２１０と並列に接続された抵抗要素１０とを備えている。また、有機ＥＬ素子２１０及び抵抗要素１０は、通電によって経時的に抵抗値が高くなる特性を有している。そして、この抵抗値の変化の割合は、有機ＥＬ素子２１０よりも抵抗要素１０の方が大きい。

【0095】

この構成により、通電による通常動作によって有機ＥＬ素子２１０の劣化の進行と同時に、自動的に有機ＥＬ素子２１０への通電量を増加させることができる。これにより、有機ＥＬ素子２１０の劣化による輝度の低下を抑制することができる。この結果、有機ＥＬ素子２１０の劣化による表示焼き付きを抑制することができる。

【0096】

（変形例等）
以上、表示装置及び表示装置の製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本開示の技術は、上記実施の形態に限定されるものではない。

【0097】

例えば、上記実施の形態において、抵抗要素１０は、有機ＥＬ素子２１０を構成する部材によって構成したが、これに限るものではなく、経時的に抵抗値が高くなっていく可変抵抗であればよい。この場合、抵抗要素１０は、材料の劣化により抵抗値が高くなるものに限らない。

【0098】

その他、上記実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。

【産業上の利用可能性】

【0099】

本開示は、有機ＥＬ表示装置等の表示装置（表示パネル）を用いた、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ又は携帯電話等の様々な電気機器に広く利用することができる。

【符号の説明】

【0100】

１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 抵抗要素
１００ ＴＦＴ基板
１１０ 画素
１２０ 画素回路
１３０ ゲート配線
１４０ ソース配線
１５０ 電源配線
２００ ＥＬ部
２１０ 有機ＥＬ素子
２１１ 陽極
２１２ 正孔注入層
２１２Ｍ 第１有機溶剤
２１３ 発光層
２１３Ｍ 第２有機溶剤
２１４ 電子輸送層
２１５ 陰極
２２０ バンク
２２０ａ 開口部
２２０Ｍ レジスト膜
２３０ マスク
３００ カラーフィルタ基板
３１０ カラーフィルタ
３１１ 赤色フィルタ
３１２ 緑色フィルタ
３１３ 青色フィルタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図8D】

【図8E】

【図8F】

【図8G】

【図8H】

【図8I】

【図8J】

【図8K】

【図8L】