特許 6778069 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6778069

(24)【登録日】2020年10月13日

(45)【発行日】2020年10月28日

(54)【発明の名称】太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/0352 20060101AFI20201019BHJP

   H01L 31/0465 20140101ALI20201019BHJP

   H01L 31/075 20120101ALI20201019BHJP

   H01L 31/0256 20060101ALI20201019BHJP

【ＦＩ】

   H01L31/04 340

   H01L31/04 532B

   H01L31/06 500

   H01L31/04 320

【請求項の数】8

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2016-193250(P2016-193250)

(22)【出願日】2016年9月30日

(65)【公開番号】特開2018-56470(P2018-56470A)

(43)【公開日】2018年4月5日

【審査請求日】2019年5月10日

(73)【特許権者】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】宮道 祐介

(72)【発明者】

【氏名】荒浪 順次

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼橋 衛郷

【審査官】 吉岡 一也

(56)【参考文献】

【文献】 米国特許出願公開第２０１４／０２３８４７２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１０−０１０６０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６３−３０１５７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０８５２２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０７４１１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０９−０８３００１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ３１／０２−３１／０７８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板の上に位置する第１電極と、
前記第１電極に接続された第１導体と、
前記第１電極の上に位置しつつ、前記第１導体と接する第１光電変換層と、
前記第１光電変換層に接続される第２電極と
を備え、
前記第１光電変換層は、前記第１電極の上に位置する半導体層を備え、
前記第１導体は、
配線と、
前記配線と前記第１電極との間に介在し、前記半導体層と接する接続部材と
を有する、太陽電池モジュール。

【請求項2】

基板と、
前記基板の上に位置する第１電極と、
前記第１電極に接続された第１導体と、
前記第１電極の上に位置しつつ、前記第１導体と接する第１光電変換層と、
前記第１光電変換層に接続される第２電極と
を備え、
前記第１電極と前記基板との間に位置する下地層をさらに備え、
前記第１導体は、
配線と、
前記配線と前記下地層との間に介在し、前記第１電極を貫通しつつ前記第１電極に接する接続部材と
を有する、太陽電池モジュール。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載の太陽電池モジュールであって、
前記第１光電変換層は前記第１導体の上方の領域にも位置している、太陽電池モジュール。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の太陽電池モジュールであって、
前記第１光電変換層は、前記第１導体の両側の領域にも位置している、太陽電池モジュール。

【請求項5】

請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の太陽電池モジュールであって、
前記第２電極は前記第１光電変換層の上に位置しつつ、前記第１導体の上方の領域を避けて設けられている、太陽電池モジュール。

【請求項6】

請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の太陽電池モジュールであって、
前記基板の上に位置し、所定方向において、相互に間隔を空けて並ぶ複数の光電変換セルを備え、
前記複数の光電変換セルのうち一方の端に位置する第１光電変換セルは、前記第１電極と、前記第２電極と、前記第１光電変換層とを有し、
前記複数の光電変換セルのうち他方の端に位置する第２光電変換セルは、
前記基板の上に位置する第３電極と、
前記第３電極に接続され、前記第３電極と共に第２段差部を形成する第２導体と、
前記第３電極の上に位置するとともに、前記第２段差部と接する第２光電変換層と、
前記第２光電変換層に接続される第４電極と
を備える、太陽電池モジュール。

【請求項7】

太陽電池モジュールを製造する方法であって、
基板の上に第１電極を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、配線および接続部材を含む第１導体を、前記接続部材が前記配線と前記第１電極との間に介在するように、前記第１電極の上に形成する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記第１電極の上に、前記接続部材と接する半導体層を形成して光電変換層を形成する第３工程と
を備える、太陽電池モジュールの製造方法。

【請求項8】

太陽電池モジュールを製造する方法であって、
基板の上に下地層を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記下地層の上に第１電極を形成する第２工程と、
前記第２工程の後に、配線および接続部材を含む第１導体を、前記接続部材が前記配線と前記下地層との間に介在しつつ前記第１電極と接触するように、前記第１電極の一部を除去しつつ前記下地層の上に形成する第３工程と、
前記第３工程の後に、前記第１電極の上に、前記第１導体と接するように、光電変換層を形成する第４工程と
を備える、太陽電池モジュールの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、太陽電池モジュールが記載されている。太陽電池モジュールは、複数の光起電力素子（光電変換層）を有している。複数の光起電力素子は、相互に間隔を空けて並んで配置されている。また、光起電力素子には、正極の電極および負極の電極が設けられている。例えば正極の電極が光起電力素子の表面に設けられ、負極の電極が光起電力素子の裏面に設けられる。各光起電力素子の正極の電極は、隣り合う光起電力素子の負極の電極と電気的に接続される。つまり、複数の光起電力素子は互いに直列に接続されている。

【0003】

複数の光起電力素子のうち、一方の端に位置する光起電力素子からは、例えば負極の電極が外側に延在しており、この延在部に、取り出し電極が電気的に接続されている。同様に、複数の光起電力素子のうち、他方に位置する光起電力素子からは、例えば正極の電極が外側に延在しており、この延在部に、取り出し電極が電気的に接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００６−１６５１６９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

平面視において、光電変換層が広いほど、太陽電池モジュールの発電量を向上することができる。

【0006】

そこで本開示は、発電量を向上できる太陽電池モジュールを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法が開示される。一実施の形態において、太陽電池モジュールは、基板と、第１電極と、第１導体と、第１光電変換層と、第２電極とを備える。第１電極は、基板の上に位置する。第１導体は、第１電極に接続される。第１光電変換層は、第１電極の上に位置しつつ、第１導体と接する。第２電極は、第１光電変換層に接続される。第１光電変換層は、第１電極の上に位置する半導体層を備える。第１導体は、配線と、当該配線と第１電極との間に介在し、半導体層と接する接続部材とを有する。
一実施の形態において、太陽電池モジュールは、基板と、第１電極と、第１導体と、第１光電変換層と、第２電極とを備え、下地層をさらに備える。第１電極は、基板の上に位置する。第１導体は、第１電極に接続される。第１光電変換層は、第１電極の上に位置しつつ、第１導体と接する。第２電極は、第１光電変換層に接続される。下地層は第１電極と基板との間に位置する。導体は、配線と、接続部材とを有する。接続部材は、配線と下地層との間に介在し、第１電極を貫通しつつ第１電極に接する。

【0008】

一実施の形態において、太陽電池モジュールの製造方法は、第１工程から第３工程を備える。第１工程においては、基板の上に第１電極を形成する。第２工程においては、第１工程の後に、配線および接続部材を含む第１導体を、接続部材が配線と第１電極との間に介在するように、第１電極の上に形成する。第３工程においては、第２工程の後に、第１電極の上に、接続部材と接する半導体層を形成して光電変換層を形成する。
一実施の形態において、太陽電池モジュールを製造する方法は第１工程から第４工程を備える。第１工程においては、基板の上に下地層を形成する。第２工程においては、第１工程の後に、下地層の上に第１電極を形成する。第３工程においては、第２工程の後に、配線および接続部材を含む第１導体を、接続部材が配線と下地層との間に介在しつつ第１電極と接触するように、第１電極の一部を除去しつつ下地層の上に形成する。第４工程においては、第３工程の後に、第１電極の上に、第１導体と接するように、光電変換層を形成する。

【発明の効果】

【0009】

太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法によれば、発電量を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図2】太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す断面図である。

【図3】太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。

【図4】太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。

【図5】太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。

【図6】太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。

【図7】太陽電池モジュールの製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図8】太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。

【図9】太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す断面図である。

【図10】太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。

【図11】太陽電池モジュールの端部の構成の一例を概略的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

実施の形態．
以下、実施形態の各例ならびに各種変形例を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成及び機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズ及び位置関係などは適宜変更され得る。

【0012】

＜太陽電池モジュール＞
図１から図４は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す図である。図１は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す平面図であり、図２から図４は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す断面図である。図２では、太陽電池モジュール１００の中央付近の断面が示されている。図３では、太陽電池モジュール１００の一方の端付近の断面が示されており、図４では、太陽電池モジュール１００の他方の端付近の断面が示されている。

【0013】

図１から図４に示すように、太陽電池モジュール１００は、基板１と、複数の光電変換セル１０と、導体３１，３２とを備えている。

【0014】

＜太陽電池モジュールの概要＞
基板１は、複数の光電変換セル１０を支持するものである。基板１に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が採用され得る。例えば、金属製の基板上に絶縁性の被膜が被覆されたものが、基板１として採用されても良い。

【0015】

図１から図４には、ＸＹＺ座標が付記されている。このＸＹＺ座標において、Ｘ軸およびＹ軸は基板１の上面に平行に配置され、Ｚ軸は基板１の上面に垂直に配置されている。以下では、＋Ｚ側を上とも呼び、−Ｚ側を下とも呼ぶ。

【0016】

基板１の形状は、例えば平板状であれば良く、基板１の＋Ｚ側の一主面（上面）は略平坦であれば良い。基板１の厚さは、例えば、１ｍｍ以上で且つ３ｍｍ以下程度であってよい。

【0017】

複数の光電変換セル１０は、例えば、Ｙ軸方向において並んで配されている。光電変換セル１０の数は特に制限されず、適宜に設定され得る。光電変換セル１０の各々は、外部から入射された光（例えば太陽光、以下、外光とも呼ぶ）を電力に変換し、当該電力を出力する。光電変換セル１０の各々は、後述の積層半導体４を備えており、この積層半導体４が実質的な光電変換の機能を実現する。

【0018】

複数の積層半導体４の各々には、電極２１，２２が接続されている。積層半導体４において生成された電力は、電極２１，２２から出力される。図２に例示するように、電極２１，２２は積層半導体４を、Ｚ軸方向において挟んでいてもよい。例えば、電極２１は積層半導体４の−Ｚ側の一主面（下面）と接し、電極２２は積層半導体４の＋Ｚ側の一主面（上面）に接していてもよい。つまり、積層半導体４は電極２１の上に位置し、電極２２は積層半導体４の上に位置していてもよい。

【0019】

なお、積層半導体４において生成された電力が、電極２１，２２から出力されることから、光電変換セル１０は、積層半導体４のみならず、電極２１，２２を備えている、と考えることができる。以下では、電極２１，２２を光電変換セル１０に含めて説明する。

【0020】

図２の例においては、ある光電変換セル１０の電極２１は、当該光電変換セル１０と隣り合う光電変換セル１０の電極２２と、電気的に接続されている。つまり、複数の光電変換セル１０は電極２１，２２によって、相互に直列に接続される。

【0021】

図３に示すように、−Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０の電極２２は、導体３１に電気的に接続されており、図４に示すように、＋Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０の電極２１は、導体３２に接続されている。

【0022】

このように、光電変換セル１０は、導体３１，３２の間において、相互に直列に接続される。導体３１，３２は、複数の光電変換セル１０の一組から電力を取りだすための出力用の配線として機能する。つまり、導体３１，３２は太陽電池モジュール１００の電力取り出し用の配線（出力用の配線）として機能する。

【0023】

なお、本開示の太陽電池モジュール１００では、導体３１，３２が太陽電池モジュール１００の端部に位置している例を示しているが、太陽電池モジュール１００から取り出すべき電圧に応じて、導体３１，３２は、複数の光電変換セル１０同士の間に位置していてもよい。

【0024】

＜光電変換セル１０の各構成＞
＜電極２１＞
図２の例においては、基板１の上には、複数の電極２１が位置している。複数の電極２１はＹ軸方向において相互に間隔を空けて、並んで配されている。つまり、複数の電極２１の相互間には、これらを分離するための溝Ｐ１が形成されている。よって、隣り合う２つの電極２１は溝Ｐ１を介して離間している。具体的には、溝Ｐ１は電極２１の＋Ｚ側の一主面（上面）から−Ｚ側の一主面（下面）までの領域に配されている。電極２１の各々は、平面視において、例えばＸ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形）を有していてもよい。言い換えれば、電極２１の各々は、Ｘ軸方向に延在してもよい。この場合、溝Ｐ１もＸ軸方向に延在する。

【0025】

電極２１は、例えば、透光性を有する電極（例えば透明電極（TCO: Transparent Conductive Oxide））であってよい。具体的な一例として、電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、酸化亜鉛または酸化スズなどの透明導電材料で形成され得る。このような電極２１は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法などの成膜方法を用いて形成され得る。

【0026】

あるいは、電極２１は、例えば、塗布液としての金属ペーストがスクリーン印刷等によって塗布された後に乾燥されて該金属ペーストが固化されることで形成されてもよい。金属ペーストは、例えば、透光性を有する樹脂等のバインダーに、光反射率が高く且つ導電性を有する粒子が添加されることで作製され得る。ここで、透光性を有する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂等が採用され得る。また、金属ペーストに含まれる粒子としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉならびにＺｎとＡｇとの合金等の金属粒子が採用され得る。この場合、電極２１には、導電性を有する多数の粒子が含まれており、該多数の粒子によって、電極２１における導電性が確保され得る。電極２１は、例えば層状である。

【0027】

＜積層半導体４＞
複数の電極２１の上には、それぞれ、複数の積層半導体４が位置している。積層半導体４は光電変換層として機能し、実質的な光電変換セル１０の機能を実現する。複数の積層半導体４も、Ｙ軸方向において、相互に間隔を空けて並んで配されている。つまり、複数の積層半導体４の相互間には、これらを分離するための溝Ｐ２が形成されている。隣り合う２つの積層半導体４は溝Ｐ２を介して離間している。具体的には、溝Ｐ２は積層半導体４の＋Ｚ側の一主面（上面）から−Ｚ側の一主面（下面）までの領域に配されている。

【0028】

図２に例示するように、溝Ｐ２は電極２１の上に位置していてもよい。この場合、積層半導体４は、互いに隣り合う２つの電極２１に跨って配される。ここで、積層半導体４と電極２１との位置関係を、代表的に、積層半導体４Ａ，４Ｂおよび電極２１Ａ，２１Ｂを用いて説明する。積層半導体４Ａ，４Ｂは、隣り合う２つの積層半導体４であり、電極２１Ａ，２１Ｂは、隣り合う２つの電極２１である。電極２１Ａ，２１Ｂは例えば−Ｙ側から＋Ｙ側に向かってこの順で配されており、積層半導体４Ａ，４Ｂも例えば−Ｙ側から＋Ｙ側に向かってこの順で配されている。

【0029】

積層半導体４Ｂは主として電極２１Ｂの上に位置しているものの、電極２１Ａの端部の上にも位置している。具体的には、積層半導体４Ｂは、電極２１Ａのうち電極２１Ｂ側の端部２１ａの上の領域、電極２１Ａ，２１Ｂの間に相当する領域、および、電極２１Ｂのうち電極２１Ａ側の部分の上の領域に位置している。

【0030】

積層半導体４Ａは、積層半導体４Ｂと同様である。つまり、積層半導体４Ａは、主として電極２１Ａの上に位置するものの、その電極２１Ａと隣り合う電極２１（電極２１Ｂとは反対側の電極２１）の端部の上にも位置している。積層半導体４Ａは、電極２１Ａの上に位置する溝Ｐ２を介して、積層半導体４Ｂと離間している。

【0031】

図２の例においては、積層半導体４の各々は、断面視において、例えば、電極２１に対して＋Ｚ側に位置する矩形状の本体部と、当該本体部から−Ｚ側に突出して溝Ｐ１を埋める突起部とを有している。また積層半導体４は、平面視において、Ｘ軸方向に延びる長尺状の形状（例えば長方形）を有していてもよい。積層半導体４の具体的な内部構造の一例については後に述べる。

【0032】

＜電極２２＞
複数の電極２２もＹ軸方向に沿って相互に間隔を空けて並んで配置されており、それぞれ、積層半導体４の上に位置している。さらに、電極２２の各々は、積層半導体４の一方側（例えば−Ｙ側）の側面に沿って延在しており、電極２１に接している。なお、本開示の電極２２は、積層半導体４の側面に沿って延在しているが、例えば、積層半導体４が、隣り合う光電変換セル１０の電極２１へ繋がる貫通孔を有している場合には、電極２２は、積層半導体４の当該貫通孔に沿って延在して、当該電極２１に接していてもよい。また、電極２２の積層半導体４の＋Ｚ側の一主面（上面）に配された部分は、例えば層状である。

【0033】

ここで、代表的に、電極２２Ａ，２２Ｂを導入して説明する。電極２２Ａ，２２Ｂは、隣り合う２つの電極２２である。電極２２Ａ，２２Ｂは例えば−Ｙ側から＋Ｙ側へ向かってこの順で配されている。

【0034】

電極２２Ｂは積層半導体４Ｂの上に位置しつつ、その−Ｙ軸側の端部から積層半導体４Ｂの側面に沿って−Ｚ側に延在している。この側面とは、積層半導体４Ａと向かい合う側面、つまり積層半導体４の−Ｙ側の側面である。電極２２Ｂは、−Ｚ側の端（先端）において、電極２１Ａに接している。また、この電極２２Ｂは積層半導体４Ａおよび電極２２Ａと離間している。つまり、ある光電変換セル１０Ｂに属する電極２２Ｂは、隣り合う光電変換セル１０Ａに属する第１電極２２Ａには接しているものの、その積層半導体４Ａおよび電極２２Ａとは離間する。

【0035】

図２に例示するように、電極２２Ｂは、断面視において、積層半導体４の上面および側面に沿う略Ｌ字状の形状を有していてもよい。また電極２２Ｂは、平面視において、Ｘ軸方向に延びる長尺状の形状（例えば長方形）を有していてもよい。

【0036】

以上のように、光電変換セル１０Ｂの電極２２Ｂは、光電変換セル１０Ａの電極２１Ａに接続される。これにより、光電変換セル１０Ａ，１０Ｂが相互に直列に接続される。

【0037】

電極２２は、例えば、透光性を有する電極（例えば透明電極）であってよい。具体的な一例として、電極２２は、電極２１の説明で列挙した材料で形成され得る。またその形成方法も第１電極２２と同様である。

【0038】

なお、外光が＋Ｚ側から積層半導体４へ入射するように、太陽電池モジュール１００が設置される場合、電極２２は透光性を有する一方で、電極２１および基板１は透光性を有していなくても構わない。なお、ここでいう「透光性」とは、積層半導体４によって吸収される波長帯域の光についての透光性である。例えば、積層半導体４が可視光を吸収して正孔と電子とを生成する場合、電極２２は透明である。

【0039】

逆に、外光が−Ｚ側から積層半導体４へ入射するように、太陽電池モジュール１００が設置される場合、基板１および電極２１は透光性を有する一方で、電極２２は透光性を有さなくても構わない。

【0040】

積層半導体４の幅（Ｙ軸方向に沿う幅）は、例えば、１［μｍ］以上且つ１０００［μｍ］以下程度に設定され得る。電極２１および電極２２の幅（Ｙ軸方向に沿う幅）も、例えば、１［μｍ］以上且つ１０００［μｍ］以下程度に設定され得る。また、溝Ｐ２のＹ軸方向に沿う幅、および、溝Ｐ１のＹ軸方向に沿う幅は、いずれも、例えば１［μ］以上且つ１００［μｍ］以下程度に設定され得る。積層半導体４の厚みは、例えば、０．３［μｍ］以上且つ１［μｍ］以下程度に設定され得る。

【0041】

＜積層半導体４の具体例＞
積層半導体４は、光電変換を行うことができる限りにおいて、任意の構成を有していればよい。例えば、積層半導体４は、少なくとも、第１導電型（例えばｐ型）の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型（例えばｎ型）の第２半導体層とを備えている。

【0042】

より具体的な一例として、例えば積層半導体４は、ペロブスカイト太陽電池で用いる光電変換層であってもよい。この場合、積層半導体４は、例えば半導体層４１〜４３を備えている。

【0043】

半導体層４１は、例えば電極２１の上に位置している。半導体層４１は、例えば、[6,6]-フェニル-Ｃ_６１-酪酸メチル(ＰＣＢＭ)、Ｃ_６０または酸化物半導体層であってよい。酸化物半導体層としては、例えば、酸化チタン(IV)（ＴｉＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム(III)（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化スズ(IV)（ＳｎＯ_２）、または、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を採用し得る。このような半導体層４１は例えば塗布法またはスパッタリング法等によって形成され得る。この半導体層４１は、いわゆるブロッキング層あるいは電子輸送層としても機能する。また、半導体層４１はいわゆるｎ型の半導体層とみなすこともできる。

【0044】

半導体層４２は、例えば、半導体層４１の上に位置している。半導体層４２は、いわゆるペロブスカイト層であり、ペロブスカイト構造を有する化合物を含んでいる。ここでいうペロブスカイト構造とは、ペロブスカイト（灰チタン石：ＣａＴｉＯ_３）の結晶構造である。

【0045】

半導体層４２は、例えば、Ａ_２ＭＸ_４（Ｉ）、ＡＭＸ_３（ＩＩ）、ＡＮＸ_４（ＩＩＩ）またはＢＭＸ_４（ＩＶ）の式で示されるペロブスカイト構造、あるいはこれらの式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）の２種以上のペロブスカイト構造を含む混合物であればよい。なお式中、Ａは、有機または無機の一価のカチオン（例えば、ＣＨ（ＮＨ_２）、ＣＨ_３ＮＨ_３またはＣｓ等）である。また、Ｂは、有機または無機の二価のカチオン（例えば、ＮＨ_３（ＣＨ_３）_２ＮＨ_３またはＮＨ_３（ＣＨ_３）_３ＮＨ_３等）である。また、Ｍは、Ｃｕ^２＋、Ｎｉ^２＋、Ｃｏ^２＋、Ｆｅ^２＋、Ｍｎ^２＋、Ｃｒ^２＋、Ｐｄ^２＋、Ｃｄ^２＋、Ｇｅ^２＋、Ｓｎ^２＋、Ｐｂ^２＋、Ｅｕ^２＋、またはＹｂ^２＋からなる群から選択される二価の金属カチオンである。また、Ｎは、Ｂｉ^３＋およびＳｂ^３＋の群から選択される元素である。また、Ｘは、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＮＣＳ⁻、ＣＮ⁻、およびＮＣＯ⁻から選択される元素である。半導体層４２はいわゆるｉ型の半導体層（真性半導体）とみなすことができる。

【0046】

半導体層４３は、例えば、半導体層４２の上に位置している。半導体層４３は、例えば、酸化ニッケル(II)（ＮｉＯ）、チオシアン酸銅(I)（ＣｕＳＣＮ）または酸化銅(I)（Ｃｕ_２Ｏ）または有機半導体層であってよい。有機半導体層としては、例えば、[2,2',7,7'-テトラキス(N,N-ジ-p-メトキシフェニルアミノ)-9,9'-スピロビフルオレン]（Ｓｐｉｒｏ-ＯＭｅＴＡＤ）、ポリ[ビス(4-フェニル)(2,4,6-トリフェニルメチル)アミン]（ＰＴＡＡ）、ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)(Ｐ３ＨＴ)、ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（4-スチレンスルホン酸塩）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を採用することができる。このような半導体層４３は例えば塗布法または蒸着法等によって形成され得る。この半導体層４３はいわゆる正孔輸送層としても機能する。また、半導体層４３はいわゆるｐ型の半導体層とみなすことができる。電極２２は半導体層４３の上に位置している。

【0047】

外光が積層半導体４に入射されると、半導体層４２は当該外光を吸収して、電子および正孔を生成する。つまり半導体層４２は光吸収層として機能する。正孔は半導体層４３を経由して電極２２へと移動し、電子は半導体層４１を経由して電極２１へと移動する。これにより、積層半導体４は光を吸収して発電することができる。つまり、積層半導体４は光電変換を行う。なお、この積層半導体４において、電極２１および電極２２を繋ぐ電流経路（図２の例においてはＺ軸方向に沿う経路）上に、半導体層４１〜４３が介在することになる。

【0048】

＜太陽電池モジュールの端部の構造＞
＜導体３１＞
図３に示すように、導体３１は、−Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０の電極２２と電気的に接続している。具体的には、導体３１は接続用電極２２１を介して当該電極２２と電気的に接続する。なお以下では、−Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０を光電変換セル１０Ｃと呼び、その光電変換セル１０Ｃに属する電極２１、積層半導体４および電極２２を、それぞれ、電極２１Ｃ、積層半導体４Ｃおよび電極２２Ｃと呼ぶ。

【0049】

例えば基板１の上に、接続用電極２２１が位置している。この接続用電極２２１はＹ軸方向において電極２１Ｃと離間している。つまり、接続用電極２２１と電極２１Ｃとの間にも、溝Ｐ１が配されている。また、接続用電極２２１および電極２１Ｃは−Ｙ側から＋Ｙ側に向かってこの順で配されている。接続用電極２２１は、例えば、電極２１と同じ材料で形成されてもよく、その厚みは、例えば電極２１Ｃと同程度に設定されてもよい。この場合、接続用電極２２１と電極２１Ｃを同じ工程で同時に形成できる。

【0050】

導体３１は接続用電極２２１の一部の上に位置しており、また、電極２２Ｃは接続用電極２２１と接している。具体的には、例えば、積層半導体４は接続用電極２２１の＋Ｙ側の端部の上にも位置しており、電極２２Ｃはその積層半導体４Ｃの−Ｙ側の側面に沿って延在して、接続用電極２２１に接している。

【0051】

導体３１は、太陽電池モジュール１００の出力用の配線としての導体である。この導体３１は、所定の電源ボックス内の端子等に電気的に接続されている。図３に例示するように、導体３１は配線３１１と接続部材３１２とを備えていてもよい。

【0052】

配線３１１は、いわゆるタブ線である。配線３１１は、断面視において、例えば矩形状を有しており、平面視において、例えばＸ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形）を有していてもよい。配線３１１の厚みは、例えば、１５０［μｍ］以上且つ４００［μｍ］以下程度に設定され得る。配線３１１の幅（Ｙ軸方向に沿う幅）は、例えば、１［ｍｍ］以上且つ数１０［ｍｍ］以下程度に設定され得る。導体３１の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、および、ＮｉとＣｒとの合金であるニクロム等の導電性に優れた材料が採用され得る。

【0053】

接続部材３１２は、配線３１１と接続用電極２２１との間に介在し、配線３１１を接続用電極２２１に固定しつつ、これらを電気的に接続する。接続部材３１２は、接続用電極２２１の上に配されている。接続部材３１２は、例えば半田材料を、超音波半田付けによって一旦は溶融し、その後、配線３１１および接続用電極２２１に固着する。接続部材３１２の厚みは、例えば、１００［μｍ］以上且つ２００［μｍ］以下程度に設定され得る。接続部材３１２は、例えば、半田であればよい。より具体的には、例えば、鉛およびスズを含む合金であってもよい。その他、接続部材３１２の材料として、亜鉛およびスズを含む半田等を採用できる。

【0054】

接続部材３１２の幅は、例えば、配線３１１より小さくてもよいし、大きくてもよい。接続部材３１２の幅が配線３１１よりも小さい場合、接続部材３１２と配線３１１との接着強度を向上させることができる。一方、接続部材３１２の幅が配線３１１よりも大きい場合、言い換えれば配線３１１の幅が接続部材３１２よりも小さい場合には、例えばより広い面積で積層半導体４が光を受けることができる。

【0055】

＜導体３２＞
図４に示すように、導体３２は、＋Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０の電極２１と電気的に接続している。なお以下では、＋Ｙ側の端に位置する光電変換セル１０を光電変換セル１０Ｄと呼び、その光電変換セル１０Ｄに属する電極２１、積層半導体４および電極２２を、それぞれ、電極２１Ｄ、積層半導体４Ｄおよび電極２２Ｄと呼ぶ。

【0056】

電極２１Ｄの上には、積層半導体４Ｄおよび導体３２が位置している。つまり、電極２１Ｄの第１部分の上には、積層半導体４Ｄが位置しており、電極２１Ｄの第２部分の上には、導体３２が位置している。第１部分および第２部分はＹ軸方向において互いに隣り合っている。

【0057】

導体３２は、例えば、導体３１と同様に、配線３２１および接続部材３２２を備えていてもよい。配線３２１は、いわゆるタブ線であり、配線３２１の形状、サイズおよび材料の一例は、配線３１１と同様であるので繰り返しの説明を避ける。接続部材３２２は配線３２１と電極２１Ｄとの間に介在しており、配線３２１を電極２１Ｄに固定しつつ、これらを電気的に接続する。接続部材３２２は、電極２１Ｄの上に配されている。接続部材３２２の形状、サイズおよび材料は、接続部材３１２と同様であるので繰り返しの説明を避ける。

【0058】

導体３２は電極２１Ｄとともに段差部を形成している。図４の例においては、導体３２は、薄膜状の電極２１Ｄの第２部分の上に位置しているので、導体３２自体が段差部を形成する。また図４の例示するように、導体３２の厚みは電極２１Ｄよりも厚くてもよい。上述のように導体３２が電極２１Ｄよりも十分に厚い場合、段差部の高さ（＝導体３２の厚み）は比較的大きくなる。

【0059】

積層半導体４Ｄは当該段差部と接する。具体的には、積層半導体４Ｄは、少なくとも、段差部（導体３２）の−Ｙ側の側面に接している。また積層半導体４Ｄは、図４に例示するように、導体３２の上方の領域にも位置していても構わない。つまり、積層半導体４Ｄは、電極２１Ｄおよび導体３２の両方の上に位置していてもよい。具体的な一例として、積層半導体４Ｄは導体３２を覆っている。また、図４に示すように、電極２１Ｄが導体３２から＋Ｙ側に延在している場合には、積層半導体４は、導体３２に対して＋Ｙ側においても、電極２１Ｄの上に位置していてもよい。つまり、積層半導体４Ｄは、導体３２の−Ｙ側の側面、＋Ｚ側の面（上面）、および、＋Ｙ側の側面に接していてもよい。

【0060】

電極２２Ｄは、図４に例示するように、積層半導体４Ｄの上面の全面に亘って配されていてもよい。つまり、電極２２Ｄが積層半導体４Ｄを覆っていてもよい。この場合、電極２２Ｄの一部はＺ軸方向において導体３２と対向することになる。

【0061】

この導体３２は、例えば所定の電源ボックス内の端子と電気的に接続されて、太陽電池モジュール１００の出力用の配線として機能する。導体３２と外部の端子との接続のために、例えば、不図示の貫通孔を設けてもよい。この貫通孔は、例えば電極２２Ｄおよび積層半導体４Ｄを貫通して、導体３２に至る。この貫通孔の内部には、導体３２に接する取り出し用の電極（不図示）などが形成され、この電極が外部の端子と接続される。あるいは、基板１および電極２１Ｄを貫通して導体３２に至る貫通孔が設けられてもよい。貫通孔は、例えば、導体３２のＸ軸方向における端または中央付近などに形成され得る。

【0062】

この太陽電池モジュール１００によれば、上述のように、光電変換セル１０Ｄの積層半導体４Ｄは、段差部（導体３２）と接している。比較例として、光電変換セル１０ＤがＹ軸方向において導体３２と離間する太陽電池モジュールを考える。この比較例にかかる太陽電池モジュールでは、光電変換セル１０Ｄが導体３２と離間しているので、その積層半導体４Ｄの幅は狭くなる。一方で、本実施の形態にかかる太陽電池モジュール１００によれば、積層半導体４Ｄは導体３２に接するので、比較例にかかる太陽電池モジュールに比して、積層半導体４Ｄの幅を広げることができる。

【0063】

しかも図４の例では、積層半導体４Ｄが導体３２の上方の領域にも位置している。これにより、積層半導体４Ｄの幅は更に向上する。また図４の例では、積層半導体４Ｄが導体３２に対して＋Ｙ側にも位置している。つまり、積層半導体４ＤがＹ軸方向における導体３２の両側にも位置している。これにより、積層半導体４Ｄの幅はさらに向上する。これにより、発電領域を増大することができ、太陽電池モジュール１００の発電量を更に向上できる。

【0064】

例えば太陽電池モジュール１００の幅（Ｙ軸方向に沿う幅）が１０００［ｍｍ］程度である場合、導体３２の幅は例えば１０［ｍｍ］程度に設定され得る。従来では、この導体３２に相当する幅１０［ｍｍ］の領域は発電領域としては機能していない。一方で太陽電池モジュール１００によれば、この導体３２に相当する幅１０［ｍｍ］の領域も発電領域として機能するので、太陽電池モジュール１００の発電量を、従来に比して、１％程度の分だけ向上することができる。

【0065】

なお、積層半導体４Ｄは必ずしも導体３２の両側に位置する必要はなく、また必ずしも導体３２の上方の領域に存在していなくてもよい。図５に例示するように、積層半導体４Ｄは段差部（導体３２）の−Ｙ側の側面の少なくとも一部に接していればよい。これによっても、積層半導体４Ｄと導体３２とが離間している場合に比べて、積層半導体４Ｄの幅を向上することができる。例えば図５において、もし仮に、領域Ａ１において積層半導体４Ｄが設けられておらず、導体３２と積層半導体４ＤとがＹ軸方向において離間する場合には、当然に領域Ａ１において発電が行われることはない。他方、図５の例では、領域Ａ１でも積層半導体４Ｄが存在しているので、領域Ａ１においても発電が行われるのである。つまり、図５の太陽電池モジュール１００によっても、発電量を向上することができる。

【0066】

なお図５の例においても、電極２２Ｄは導体３２と離間する必要がある。電極２２Ｄが導体３２と接していると、この導体３２を介して電極２２Ｄが電極２１Ｄと短絡するからである。そこで、電極２２ＤはＹ軸方向において導体３２と離間しているとよい。つまり、電極２２は、導体３２の上方の領域を避けて設けられているとよい。更に言い換えると、電極２２Ｄの＋Ｙ側の端面は、導体３２の−Ｙ側の端面よりも−Ｙ側に位置しているとよい。

【0067】

また、図６に例示するように、積層半導体４が導体３２の上方の領域にも位置する場合であっても、電極２２Ｄは、導体３２の上方の領域を避けて設けられても構わない。導体３２が厚い場合には、導体３２の側面に対して積層半導体４が十分な幅で設けられない可能性があるからである。つまり、この場合には、電極２２Ｄが導体３２とＹ軸方向において離間することにより、電極２２Ｄと導体３２との間の短絡を回避する。具体的には、電極２２Ｄの＋Ｙ側の端面を、導体３２の−Ｙ側の端に対して、−Ｙ側に位置させる。

【0068】

＜製造方法＞
図７は、太陽電池モジュール１００の製造方法の一例を示す図である。まずステップＳ１にて、基板１が準備される。この基板１には、例えば所定の前処理（例えば洗浄処理などの処理）が施されていてもよい。次にステップＳ２にて、この基板１の上に、電極２１および接続用電極２２１が形成される。電極２１および接続用電極２２１の形成方法は特に制限されないものの、その一例について概説する。ここでは、一例として、電極２１および接続用電極２２１を同一材料で形成する。例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって、電極層を基板１の上に形成する。そして、所定の位置において、この電極層に溝Ｐ１を形成して電極２１および接続用電極２２１を形成する。溝Ｐ１は例えば、フォトリソグラフィー法などによって形成され得る。

【0069】

次にステップＳ３にて、導体３２が電極２１Ｄの上に設置される。例えば、配線３２１の少なくとも一方の面に半田メッキが施され、当該面を電極２１Ｄに向けて、配線３２１を電極２１Ｄの端部の上に配置してもよい。その状態において、例えば、超音波半田付けによって、半田メッキを配線３２１および電極２１Ｄに固着させる。これにより、接続部材３２２が形成される。

【0070】

次に、ステップＳ４にて、積層半導体４を形成する。具体的には、まず、基板１、電極２１および接続用電極２２１の一組の上に所望の形状で半導体層４１を形成する。半導体層４１の形成方法も特に制限されないが、ペロブスカイト太陽電池で用いる光電変換層を、積層半導体４として採用する場合、例えば、塗布法、または、スパッタリング法により、半導体層４１を形成し得る。

【0071】

次に、半導体層４１の上に半導体層４２を形成する。半導体層４２の形成方法も特に制限されないが、ペロブスカイト太陽電池で用いる光電変換層を、積層半導体４として採用する場合、例えば、塗布法、または、蒸着法などにより、半導体層４２を形成し得る。

【0072】

次に、半導体層４２の上に半導体層４３を形成する。半導体層４３の形成方法も特に制限されないが、ペロブスカイト太陽電池で用いる光電変換層を、積層半導体４として採用する場合、例えば、塗布法、または、スパッタリング法などにより、半導体層４３を形成し得る。

【0073】

このようにして、積層半導体４が形成される。次に、ステップＳ５にて、積層半導体４の上に電極２２を形成する。電極２２の形成方法も特に制限されないものの、例えば、次のように形成できる。例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって、電極層を電極２１および積層半導体４の一組の上に形成する。そして、所定の位置において、この電極層に、電極２２を互いに区別するための溝を形成する。この溝は例えば、フォトリソグラフィー法などによって形成され得る。

【0074】

次に、ステップＳ６にて、導体３１を設置する。導体３１の設置方法は導体３２と同様であるので、繰り返しの説明を避ける。なおステップＳ６は、ステップＳ２の後であれば、どのタイミングで実行されても構わない。

【0075】

以上のように、本製造方法によれば、積層半導体４Ｄを形成するときに（ステップＳ４）は、既に導体３２が設置されている（ステップＳ３）。したがって、積層半導体４Ｄを段差部（例えば導体３２）に適切に接触させることができる。

【0076】

＜導体３２および半導体層４１，４２の位置関係＞
図４および図５においては、例えば、半導体層４１は導体３２に接しており、半導体層４２は半導体層４１を介して導体３２と対向している。この場合、半導体層４２は導体３２に接しない。もし半導体層４２が導体３２に接すると、その界面付近において、半導体層４２で生成されたキャリア（電子または正孔）が、導体３２において再結合し得る。つまり、図４および図５に例示するように、半導体層４２が半導体層４１を介して導体３２と対面する場合には、このようなキャリアの再結合を抑制、または、回避することができる。これによっても、太陽電池モジュール１００の発電量を向上することができる。

【0077】

＜導体３２の接合強度＞
＜接続部材３２２と半導体層４１との相性＞
接続部材３２２は、例えば半田（より具体的には、例えば鉛およびスズを含む合金）によって形成される。そして、電極２１Ｄが上述の透明電極であり、接続部材３２２が半田である場合、接続部材３２２と電極２１Ｄとの間の、材料的な観点での接合強度がさほど高くない場合がある。よってこの場合、導体３２が電極２１Ｄから剥がれ得る。そこで、接続部材３２２と接する半導体層４１の材料として、例えば、接続部材３として半田を使用して、半導体層４１として酸化チタン(IV)を採用してもよい。酸化チタンと接続部材３２２との相性は良く、これらの材料的な観点での接合強度は、接続部材３２２と透明電極との材料的な観点での接合強度よりも高い。これによれば、高い接合強度で接続部材３２２が半導体層４１に接合されるので、全体としての導体３２の接合強度を向上することができる。よって導体３２が剥がれる可能性を低減できる。

【0078】

また、材料的な接合強度が高い組み合わせの例として、接続部材３２２および半導体層４１はそれぞれ鉛およびスズを含む合金および、酸化チタンで形成されてもよい。

【0079】

＜接続部材３２２と下地層と、電極２１との位置関係＞
図８は、太陽電池モジュール１００Ａの＋Ｙ側の端部の断面の一例を概略的に示す図である。太陽電池モジュール１００Ａは、太陽電池モジュール１００と比べて、下地層５を更に備えている。下地層５は基板１と電極２１Ｄとの間に介在している。本開示の下地層５は、例えば酸化チタン(IV)によって形成される層であり、例えば塗布法またはスパッタリング法によって形成され得る。下地層５の厚みは、適宜に設定されればよく、例えば、１０［ｎｍ］以上且つ１［μｍ］以下程度に設定され得る。

【0080】

また接続部材３２２は、下地層５の上に位置しつつ、電極２１Ｄの側面（端面）と接している。例えば、電極２１Ｄには、接続部材３２２に相当する部分において孔が形成されており、その孔に接続部材３２２の一部が埋まっている。つまり接続部材３２２は電極２１ＤをＺ軸方向において貫通している。また、この接続部材３２２は、その−Ｚ側の一主面（下面）において下地層５に接しており、例えばその両側面（−Ｙ側の側面および＋Ｙ側の側面）において、電極２１Ｄに接している。接続部材３２２が電極２１Ｄと接することにより、配線３２１は接続部材３２２を介して電極２１Ｄと電気的に接続される。なお、接続部材３３２は、電極２１Ｄと接していればよく、接続部材３３２は電極２１Ｄの孔から電極２１Ｄの上面に延在していてもよい。

【0081】

この構造においても、導体３２は電極２１Ｄとともに段差部を形成している。例えば導体３２が電極２１Ｄよりも十分に厚く設定されることにより、段差部が形成される。積層半導体４Ｄは、この段差部に接している。より具体的には、積層半導体４Ｄは、導体３２の−Ｙ側の側面のみならず、導体３２の上方の領域、および、導体３２に対して＋Ｙ側の領域にも位置している。よって、太陽電池モジュール１００と同様に、太陽電池モジュール１００Ａの発電量を向上できる。

【0082】

しかも、この構造によれば、接続部材３２２は、より広い下面において、下地層５に接合される。接続部材３２２が半田（例えば鉛およびスズを含む合金）であり、下地層５が酸化チタン層である場合、材料という観点での接合強度が高い下地層５に対して、より広い面積で、接続部材３２２が接合している。これによれば、より効果的に接続部材３２２の接合強度を向上することができ、導体３２が剥がれる可能性を更に低減することができる。

【0083】

このような構造は、例えば、次の手順で実現され得る。まず、基板１の上に下地層５および電極２１Ｄをこの順で形成する。下地層５は、例えば、塗布法またはスパッタリング法などによって形成し得る。電極２１Ｄは、例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって、形成し得る。次に、接続部材３２２を用いて、配線３２１を電極２１Ｄに固定する。接続部材３２２が半田である場合、半田付けによって、配線３２１を電極２１Ｄに固定する。例えばこの半田付けに起因して、電極２１Ｄの一部（接続部材３２２に相当する部分）が除去され得、接続部材３２２がその下層の下地層５に接合するとともに、その側面において、電極２１Ｄと接合する。

【0084】

当該除去は、例えば、次のメカニズムによって実現され得る。例えば、電極２１Ｄが透明電極としての酸化物を含む場合、接続部材３２２（例えば半田）に含まれる酸化除去材（いわゆるフラックス）が当該酸化物を除去することができる。電極２１Ｄの膜厚および半田付けの条件などを調整することで、電極２１Ｄを除去しつつ、接続部材３２２を下地層５に接合することができる。あるいは、他のメカニズムによって電極２１Ｄが除去されてもよい。例えば熱または超音波振動に起因して、電極２１Ｄを除去し得る。あるいは、電極２１Ｄに対して、半田付けに起因した除去以外の除去を施してもよい。例えばフォトリソグラフィー法またはレーザ等を用いて電極２１Ｄの一部を除去し、当該一部において、接続部材３２２を用いて配線３２１を固定しても構わない。

【0085】

＜太陽電池モジュール１００Ｃ＞
図９から図１１は、太陽電池モジュール１００Ｃの構成の一例を、概略的に示す図である。図９では、太陽電池モジュール１００Ｃの中央付近の断面が示されており、図１０では、太陽電池モジュール１００Ｃの−Ｙ側の端付近の断面が示されており、図１１では、太陽電池モジュール１００Ｃの＋Ｙ側の端付近の断面が示されている。

【0086】

太陽電池モジュール１００Ｃにおいては、電極２１および電極２２の替わりに電極２が設けられている。複数の電極２は基板１の上に位置している。これら複数の電極２はＹ軸方向において相互に間隔を空けて並んで配されている。つまり、隣り合う電極２の間には、これらを分離する領域としての溝Ｐ１’が配されている。よって、隣り合う電極２は溝Ｐ１’を介して離間している。具体的には、溝Ｐ１’は電極２の＋Ｚ側の一主面（上面）から−Ｚ側の一主面（下面）までの領域に配されている。電極２の各々は、平面視において、例えばＸ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形の形状）を有していてもよい。言い換えれば、電極２の各々はＸ軸方向に沿って延在してもよい。この場合、この溝Ｐ１’もＸ軸方向に沿って延在する。

【0087】

太陽電池モジュール１００Ｃにおいては、各電極２が、互いに接続される一対の電極２１，２２として機能する。つまり、ある光電変換セル１０の電極２１、および、当該光電変換セル１０に隣り合う光電変換セル１０の電極２２が、電極２を構成する。例えば、電極２のうち−Ｙ側の部分は、電極２１として機能し、電極２のうち＋Ｙ側の部分は、電極２２として機能する。

【0088】

複数の積層半導体４の各々は、隣り合う２つの電極２の上に位置している。例えばある積層半導体４は、一方の電極２のうち電極２１に相当する部分、および、他方の電極２のうち電極２２に相当する部分に跨って配されている。ここで、代表的に電極２ａ〜２ｃを導入して説明する。電極２ａ〜２ｃは、隣り合う３つの電極２であり、−Ｙ側から＋Ｙ側に向かってこの順で配されている。図９の例においては、積層半導体４Ａは、電極２ａのうち電極２２Ａに相当する部分、および、電極２ｂのうち電極２１Ａに相当する部分に跨って配されている。積層半導体４Ｂは、電極２ｂのうち電極２２Ｂに相当する部分、および、電極２ｃのうち電極２１Ｂに相当する部分に跨って配されている。このような構造によれば、積層半導体４Ａ，４Ｂは電極２ｂによって相互に直列に接続される。

【0089】

隣り合う積層半導体４の間には、これらを分離する領域としての溝Ｐ２’が配されている。つまり、隣り合う積層半導体４は、溝Ｐ２’を介して離間している。具体的には、溝Ｐ２’は、積層半導体４の＋Ｚ側の一主面（上面）から−Ｚ側の一主面（下面）までの領域に配されている。この溝Ｐ２’は例えばＸ軸方向に沿って延在する。

【0090】

溝Ｐ２’は電極２の上に位置する。例えば積層半導体４Ａ，４Ｂについて説明すると、積層半導体４Ａ，４Ｂを分離する溝Ｐ２’は電極２ｂの上に位置している。言い換えると、積層半導体４Ａ，４Ｂは電極２ｂの上において互いに離間している。

【0091】

積層半導体４の各々は、太陽電池モジュール１００と同様に、半導体層４１〜４３を有しているものの、その位置関係は太陽電池モジュール１００におけるそれと相違する。半導体層４１，４３は、それぞれ電極２の上に位置しており、Ｙ軸方向において相互に離間している。具体的には、半導体層４１は、電極２のうち電極２１に相当する部分の上に位置しており、半導体層４３は、電極２のうち電極２２に相当する部分の上に位置している。例えば積層半導体４Ｂにおいて、半導体層４１は電極２ｃのうち電極２１Ｂに相当する部分の上に位置し、半導体層４３は電極２ｂのうち電極２２Ｂに相当する部分の上に位置している。

【0092】

半導体層４２は、半導体層４１，４３の上に位置している。具体的には、半導体層４２は、半導体層４１，４３の上の領域と、半導体層４１，４２の間に相当する領域とに位置している。

【0093】

このような太陽電池モジュール１００Ｃにおいても、半導体層４２は外光を吸収して正孔および電子を生成する。この正孔は半導体層４３を介して電極２２へと移動し、電子は半導体層４１を介して電極２１へと移動する。これにより、光電変換セル１０は光を吸収して発電を行うことができる。

【0094】

この太陽電池モジュール１００Ｃにおいても、図１１に示すように、積層半導体４Ｄは、段差部（ここでは導体３２）に接している。つまり、積層半導体４Ｄは、少なくとも、導体３２の−Ｙ側の側面に接している。図１１の例においては、積層半導体４Ｄの半導体層４１は、導体３２の−Ｙ側の側面、上面、および、＋Ｙ側の側面に接しており、また、導体３２に対して＋Ｙ側の領域において、電極２１Ｄの上に位置している。そして、半導体層４１の上に、積層半導体４Ｄの半導体層４２が位置している。

【0095】

この構造によれば、太陽電池モジュール１００と同様に、積層半導体４Ｄの幅を向上することができる。したがって、太陽電池モジュール１００Ｃの発電量を向上することができる。

【0096】

しかも、太陽電池モジュール１００Ｃによれば、導体３２の上方の領域には、電極２２が位置しない。したがって、導体３２と電極２２との間の短絡は発生しない。

【0097】

また、太陽電池モジュール１００Ｃにおいては、図１０に示すように、積層半導体４Ｃも、段差部（ここでは導体３１）に接していてもよい。つまり、積層半導体４Ｃは、少なくとも、導体３１の＋Ｙ側の側面に接していてもよい。図１０の例においては、積層半導体４Ｃの半導体層４３は、導体３２の＋Ｙ側の側面、上面、および−Ｙ側の側面に接しており、また、導体３２に対して−Ｙ側の領域において、電極２２Ｃの上に位置している。そして、この半導体層４３の上には、積層半導体４Ｃの半導体層４２が位置している。この構造によれば、積層半導体４Ｄと同様に、積層半導体４Ｃの幅（Ｙ軸方向に沿う幅）を向上することができる。

【0098】

以上のように、太陽電池モジュール１００Ｃによれば、そのＹ軸方向における片側の端のみならず、両側の端において、それぞれ積層半導体４Ｃ，４Ｄの幅を向上することができる。よって、太陽電池モジュール１００Ｃの発電領域を更に広げることができ、更に発電量を向上することができる。

【0099】

なお、積層半導体４は上述の構成に限らない。要するに、光を吸収して発電できる任意の構成を積層半導体４に採用すればよい。例えば、積層半導体４は、アモルファスシリコンなどの非晶質系の半導体を有していてもよく、あるいは、カルコパイライト系の化合物半導体であるＩ−III−VI族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、III-V族化合物半導体またはII-IV-V族化合物半導体などの化合物半導体を有していてもよい。

【0100】

以上のように、太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない多数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。例えば、図１１の光電変換セル１０Ｃを、太陽電池モジュール１００，１００Ａ，１００Ｂの光電変換セル１０Ｃに適用してもよい。これによっても、太陽電池モジュールのＹ軸方向における両端において、積層半導体４Ｃ，４Ｄの幅を向上することができ、発電量を向上することができる。

【符号の説明】

【0101】

１ 基板
２１，２１Ａ〜２１Ｄ，２２，２２Ａ〜２２Ｄ 電極
４ 積層半導体（光電変換層）
５ 下地層
１０ 光電変換セル
１００，１００Ａ〜１００Ｃ 太陽電池モジュール

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】