特許 6783286 表示装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6783286

(24)【登録日】2020年10月23日

(45)【発行日】2020年11月11日

(54)【発明の名称】表示装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20201102BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20201102BHJP

   G06F 3/041 20060101ALI20201102BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20201102BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20201102BHJP

【ＦＩ】

   G09F9/30 338

   G09F9/30 365

   G09F9/30 349Z

   G06F3/044 125

   G06F3/041 430

   H05B33/14 A

   H01L27/32

【請求項の数】17

【全頁数】28

(21)【出願番号】特願2018-205105(P2018-205105)

(22)【出願日】2018年10月31日

(65)【公開番号】特開2019-82687(P2019-82687A)

(43)【公開日】2019年5月30日

【審査請求日】2018年10月31日

(31)【優先権主張番号】10-2017-0143997

(32)【優先日】2017年10月31日

(33)【優先権主張国】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】グォン， ヒャンミョン

(72)【発明者】

【氏名】キム， ミンジュ

(72)【発明者】

【氏名】リー， ジェウォン

(72)【発明者】

【氏名】パク， サンフン

(72)【発明者】

【氏名】キム， ビョンフ

(72)【発明者】

【氏名】リー， サンフン

(72)【発明者】

【氏名】ウォン， サンヒョク

(72)【発明者】

【氏名】リー， ジョンフン

(72)【発明者】

【氏名】キム， ソンジン

(72)【発明者】

【氏名】チャン， ジェヒョン

(72)【発明者】

【氏名】リー， ユナ

【審査官】 西島 篤宏

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１４−１９９７９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１６／０２８５０３８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１７／０２８８００８（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｇ０６Ｆ ３／０４１

Ｇ０６Ｆ ３／０４４

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

画素が配置された表示領域、及びパッド領域、ルーティング領域及び前記パッド領域と前記ルーティング領域との間に配置されたベンディング領域を有する非表示領域を含む第１基板と、
前記ルーティング領域上に配置され、かつ前記表示領域の外縁を取り囲むように配置されたダムと、
前記表示領域を覆う第１無機膜、前記第１無機膜上に配置された第２無機膜、及び前記第１無機膜と前記第２無機膜との間に配置された有機膜を含む封止膜と、
前記パッド領域上かつ前記第２無機膜上に配置されたパッド電極と、
前記封止膜上に配置され、前記パッド電極と電気的に接続されている、タッチセンシング層と、
前記ベンディング領域上に配置された有機パターンと、
前記非表示領域に配置され、前記パッド電極及び前記ルーティング領域のルーティングラインと電気的に連結される接続ラインと
を含み、
前記パッド領域及び前記ベンディング領域は前記ダムの外側に配置されており、前記ルーティング領域は前記ベンディング領域と前記表示領域との間に配置されている、表示装置。

【請求項2】

前記タッチセンシング層は、第１タッチ電極、第２タッチ電極、及び絶縁膜を含み、前記パッド電極は前記タッチセンシング層の前記絶縁膜上に配置されている、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１無機膜の終端と前記第２無機膜の終端は互いに一致する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１基板の表示領域に備えられる薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に配置される平坦化膜とをさらに含み、前記封止膜が前記平坦化膜上に配置される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記有機パターンは前記平坦化膜と同一層に配置される、請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記接続ラインは第１及び第２接続ラインを含み、
前記第１及び第２接続ラインは互いに異なる層に配置される、請求項４に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第１接続ラインは前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一層に配置される、請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記第２接続ラインは前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一層に配置される、請求項６に記載の表示装置。

【請求項9】

前記有機パターンの上部が露出される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項10】

前記封止膜は前記有機パターンの前記上部を露出させるように、前記有機パターンの少なくとも一部の上には配置されていない、請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

前記第２接続ラインは前記第１接続ライン上に配置され、コンタクトホールを介して前記第１接続ラインの一側と電気的に連結され、
前記第２接続ラインと同一層で互いに離隔して配置され、コンタクトホールを介して前記第１接続ラインの他側と電気的に連結される第３接続ラインをさらに含み、
前記封止膜上に配置され、タッチコンタクトホールを介して前記第３接続ラインと電気的に連結される第１タッチラインをさらに含み、
前記パッド電極はパッドコンタクトホールを介して前記第２接続ラインと電気的に連結される、請求項６に記載の表示装置。

【請求項12】

前記第２接続ラインの終端を覆うライン保護膜をさらに含み、
前記ライン保護膜は前記平坦化膜と同一層に配置される、請求項６に記載の表示装置。

【請求項13】

前記タッチセンシング層は、前記封止膜上に配置され、前記パッド電極と電気的に連結される前記第１タッチ電極と前記第１タッチ電極と同一層に離隔して配置される前記第２タッチ電極をブリッジコンタクトホールを介して電気的に連結するブリッジ電極と、
前記封止膜を覆い、前記ブリッジ電極上に配置された絶縁膜とをさらに含む、
請求項２に記載の表示装置。

【請求項14】

前記第１タッチラインは前記ルーティング領域で前記封止膜の側面上に配置される、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項15】

第１基板の表示領域に画素を形成し、前記第１基板の非表示領域に第１〜第３接続ラインを有する接続ライン、有機パターン、及び前記表示領域を取り囲むように配置されたダムを形成する段階と、
前記第１基板を全体的に覆うように前記第１基板上に第１無機膜を形成する段階と、
前記第１無機膜上に有機膜を形成する段階と、
前記第１無機膜と前記有機膜を全体的に覆うように前記第１無機膜上に第２無機膜を形成する段階と、
前記第２無機膜上にブリッジ電極を形成する段階と、
前記第１基板を全体的に覆うように前記ブリッジ電極上に絶縁膜を形成する段階と、
前記ブリッジ電極を露出させるブリッジコンタクトホール、前記第３接続ラインを露出させるタッチコンタクトホール、前記有機パターンを露出させるオープンホール、及び前記第２接続ラインを露出させるパッドコンタクトホールを形成する段階と、
前記ブリッジ電極及び前記第２及び第３接続ラインと電気的に連結される第１タッチ電極及び第１タッチライン、並びに第２タッチ電極、並びに、前記パッドコンタクトホールを介して前記第２接続ラインに電気的に連結されるパッド電極を形成する段階とを含む、表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記ブリッジ電極を露出させる前記ブリッジコンタクトホール、前記第３接続ラインを露出させる前記タッチコンタクトホール、前記有機パターンを露出させる前記オープンホール、及び前記第２接続ラインを露出させる前記パッドコンタクトホールが同時に形成される、請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

前記ブリッジコンタクトホール、前記タッチコンタクトホール、前記オープンホール、及び前記パッドコンタクトホールを形成する前記段階は、
前記第２及び第３接続ラインと前記有機パターン上に備えられる前記第１無機膜の一部を残しておき、前記タッチコンタクトホール、前記オープンホール、及び前記パッドコンタクトホール上の前記第２無機膜及び前記絶縁膜を除去する段階と、
前記ブリッジ電極を露出させるブリッジコンタクトホール、前記第３接続ラインを露出させる前記タッチコンタクトホール、前記有機パターンを露出させる前記オープンホール、及び前記第２接続ラインを露出させる前記パッドコンタクトホールを同時に形成する段階とを含む、請求項１５に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

情報化社会が発展するに従って映像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態として増加している。これにより、最近では、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）のようなさまざまな表示装置が活用されている。

【0003】

表示装置のうち有機発光表示装置は自己発光型のもので、液晶表示装置（ＬＣＤ）に比べ、視野角、コントラスト比などに優れ、別途のバックライトが必要でなく軽薄短小化が可能であり、消費電力で有利な利点がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が早く、特に製造コストが低い利点がある。

【0004】

ただ、有機発光表示装置は画素のそれぞれに有機発光素子を含んでいるが、有機発光素子が外部の水分、酸素のような外的要因によって易しく劣化する欠点がある。これを防止するために、有機発光表示装置は、外部の水分や酸素が有機発光素子に浸透しないように封止膜を形成する。

【0005】

封止膜は少なくとも一つの無機膜及び少なくとも一つの有機膜を含むことにより、有機発光層と電極に酸素又は水分が浸透することを防止する。ここで、少なくとも一つの有機膜は一般的にポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）からなり、液状で基板上に塗布された後、硬化工程を経ることによって形成される。このような有機膜は硬化工程前まで流動性を有するため、封止膜を形成しようとする領域外に、例えば複数のパッドが備えられたパッド領域に溢れる場合が発生し得る。これを防止するために、最近では、有機発光素子の外縁に沿って有機膜の流れを遮断するダムが形成されている。

【0006】

また、少なくとも一つの無機膜は、有機発光素子を酸素又は水分から保護するために、パッド電極が配置されるパッド領域を除いた有機発光素子の上部に全体的に形成される。従来の製造方法においては、パッド電極を露出させるために、パッド電極をカバーするマスク（ｍａｓｋ）をパッド電極の上部に配置し、無機膜を形成した。無機膜がパッド領域には形成されないようにマスクをパッド電極に近く配置することになる。ここで、パッド領域をカバーするマスクの境界面とパッド電極の間にアーク放電（ａｒｃｉｎｇ）現象が発生し得る。マスクとパッド電極の間にアーク放電現象が発生する場合、マスクからパッド電極に流入した大電流がパッド電極に沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことがある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は前述した問題点を解決するために案出されたもので、アーク放電現象を防止することができる表示装置及びその製造方法を提供することを技術的課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上述した技術的課題を達成するための本発明は、画素が配置された表示領域、及び表示領域を取り囲む非表示領域を含む第１基板と、表示領域を取り囲み、非表示領域に配置されるダムと、ダムの外側に配置されるパッド電極と、表示領域を覆い、第１無機膜及び第１無機膜上に配置される第２無機膜を含む封止膜とを含み、第２無機膜はパッド電極と重畳する表示装置及びその製造方法を提供する。

【発明の効果】

【0009】

本発明の一実施例による表示装置は、第１無機膜がパッド領域まで延設されるから、パッド領域に第１無機膜を形成しないようにするために、パッド領域をカバーするマスクを配置する必要がない。

【0010】

したがって、本発明の一実施例による表示装置は、パッド領域にマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド領域に配置されるパッド電極又は金属ラインの間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流が金属ラインに沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。

【0011】

また、本発明の一実施例による表示装置は、ブリッジ電極の形成時に金属ラインが第１無機膜によって露出されないので、バッファー層を省略して製造コストを節減し、工程を減らすことができる。

【0012】

本発明で得られる効果は以上で言及した効果に制限されず、言及しなかった他の効果は下記の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明らかに理解可能であろう。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の一実施例による表示装置を示す斜視図である。

【図2】本発明の一実施例による表示装置を示すブロック図である。

【図3】図１の表示パネルの一側を概略的に示す断面図である。

【図4】本発明の一実施例による第１基板を概略的に示す平面図である。

【図5】第１基板に配置されるタッチセンシング層を示す平面図である。

【図6】図５のＩ−Ｉ’線についての一実施例を示す断面図である。

【図7】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。

【図8a】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図8b】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図8c】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図8d】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図8e】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図8f】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図9a】本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図9b】本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図9c】本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【図9d】本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本明細書で記述される用語の意味は次のように理解されなければならないであろう。

【0015】

単数の表現は、文脈上明白に他に定義しない限り、複数の表現を含むものと理解されなければならなく、“第１”、“第２”などの用語は一構成要素を他の構成要素と区別するためのもので、これらの用語によって権利範囲が限定されてはいけない。“含む”又は“有する”などの用語は一つ又はそれ以上の他の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せなどの存在又は付加の可能性を予め排除しないものと理解されなければならない。“少なくとも一つ”という用語は一つ以上の関連項目から提示可能な全ての組合せを含むものと理解されなければならない。例えば、“第１項目、第２項目及び第３項目の少なくとも一つ”の意味は、第１項目、第２項目又は第３項目のそれぞれだけでなく第１項目、第２項目及び第３項目の中で二つ以上から提示可能な全ての項目の組合せを意味する。“上に”という用語はある構成が他の構成のすぐ上面に形成される場合だけではなくこれらの構成の間に第３構成が挟まれる場合まで含むことを意味する。

【0016】

以下では、本発明による表示装置及びその製造方法の好適な例を添付図面に基づいて詳細に説明する。各図の構成要素に参照符号を付け加えるにあたり、同じ構成要素に対しては、たとえ相異なる図に表示されていても、できるだけ同じ符号を有することができる。また、本発明の説明において、関連の公知の構成又は機能についての具体的な説明が本発明の要旨をあいまいにすることができると判断される場合には、その詳細な説明は省略することができる。

【0017】

以下、添付図面に基づいて本発明の好適な実施例を詳細に説明する。

【0018】

図１は本発明の一実施例による表示装置を示す斜視図、図２は本発明の一実施例による表示装置を示すブロック図である。

【0019】

図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による表示装置は、表示パネル１１０、スキャン駆動部１２０、データ駆動部１３０、タイミングコントローラー１６０、ホストシステム１７０、タッチ駆動部１８０、及びタッチ座標算出部１９０を含む。

【0020】

本発明の実施例によるタッチスクリーン一体型表示装置は、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、プラズマ表示装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）、電気泳動表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｓｉｓ、ＥＰＤ）などの平板表示装置から具現されることができる。以下の実施例で、本発明の実施例によるタッチスクリーン一体型表示装置が有機発光表示装置から具現されたものを中心に説明するが、これに限定されないことに注意すべきである。

【0021】

前記表示パネル１１０は、画素Ｐを備えて画像を表示する領域である表示領域を含む。表示パネル１１０には、データラインＤ１〜Ｄｍ（ｍは２以上の正の整数）とスキャンラインＳ１〜Ｓｎ（ｎは２以上の正の整数）が備えられる。データラインＤ１〜ＤｍはスキャンラインＳ１〜Ｓｎと交差するように配置されることができる。画素Ｐはゲートラインとデータラインの交差構造によって定義される領域に備えられることができる。

【0022】

表示パネル１１０の画素ＰのそれぞれはデータラインＤ１〜Ｄｍのいずれか一つとスキャンラインＳ１〜Ｓｎのいずれか一つに接続されることができる。表示パネル１１０の画素Ｐのそれぞれは、ゲート電極に印加されたデータ電圧によってドレイン−ソース間の電流を調整する駆動トランジスタ（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、スキャンラインのスキャン信号によってターンオンされて、データラインのデータ電圧を駆動トランジスタのゲート電極に供給するスキャントランジスタ、駆動トランジスタのドレイン−ソース間の電流によって発光する有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、及び前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧を保存するためのキャパシター（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を含むことができる。これにより、画素Ｐのそれぞれは有機発光ダイオードに供給される電流によって発光することができる。

【0023】

前記スキャン駆動部１２０は前記タイミングコントローラー１６０からスキャン制御信号ＧＣＳを入力される。スキャン駆動部１２０はスキャン制御信号ＧＣＳによってスキャン信号をスキャンラインＳ１〜Ｓｎに供給する。

【0024】

スキャン駆動部１２０は表示パネル１１０の表示領域の一側又は両側の外側の非表示領域にＧＩＰ（ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｉｎ ｐａｎｅｌ）方式で形成されることができる。もしくは、スキャン駆動部１２０は駆動チップから製作されて軟性フィルムに実装され、ＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で表示パネル１１０の表示領域の一側又は両側の外側の非表示領域に付着されることもできる。

【0025】

前記データ駆動部１３０はタイミングコントローラー１６０からデジタルビデオデータＤＡＴＡとデータ制御信号ＤＣＳを入力される。データ駆動部１３０は、データ制御信号ＤＣＳによってデジタルビデオデータＤＡＴＡをアナログ正極性／負極性データ電圧に変換してデータラインに供給する。すなわち、スキャン駆動部１２０のスキャン信号によってデータ電圧が供給される画素Ｐが選択され、選択された画素Ｐにデータ電圧が供給される。

【0026】

データ駆動部１３０は複数のソースドライブＩＣを含むことができる。複数のソースドライブＩＣのそれぞれはＣＯＦ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｉｌｍ）又はＣＯＰ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｐｌａｓｔｉｃ）方式で軟性フィルム１４０に実装されることができる。軟性フィルム１４０は異方性導電フィルム（ａｎｔｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｆｉｌｍ）を用いて表示パネル１１０の非表示領域に備えられたパッド上に付着され、これによって複数のソースドライブＩＣはパッドに連結されることができる。

【0027】

前記回路ボード１５０は軟性フィルム１４０に付着されることができる。回路ボード１５０には駆動チップから具現された多数の回路が実装されることができる。例えば、回路ボード１５０にはタイミングコントローラー１６０が実装されることができる。回路ボード１５０はプリント基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）又はフレキシブルプリント基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）であり得る。

【0028】

前記タイミングコントローラー１６０はホストシステム１７０からデジタルビデオデータＤＡＴＡ及びタイミング信号を入力される。タイミング信号は、垂直同期信号（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｓｉｇｎａｌ）、水平同期信号（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｓｉｇｎａｌ）、データイネーブル信号（ｄａｔａ ｅｎａｂｌｅ ｓｉｇｎａｌ）、ドットクロック（ｄｏｔ ｃｌｏｃｋ）などを含むことができる。垂直同期信号は１フレーム期間を定義する信号である。水平同期信号は表示パネルＤＩＳの１水平ラインの画素にデータ電圧を供給するのに必要な１水平期間を定義する信号である。データイネーブル信号は有効なデータが入力される期間を定義する信号である。ドットクロックは所定の短い周期で繰り返される信号である。

【0029】

タイミングコントローラー１６０は、スキャン駆動部１２０とデータ駆動部１３０の動作タイミングを制御するために、タイミング信号に基づいてデータ駆動部１３０の動作タイミングを制御するためのデータ制御信号ＤＣＳとスキャン駆動部１２０の動作タイミングを制御するためのスキャン制御信号ＧＣＳを発生する。タイミングコントローラー１６０はスキャン駆動部１２０にスキャン制御信号ＧＣＳを出力し、データ駆動部１３０にデジタルビデオデータＤＡＴＡとデータ制御信号ＤＣＳを出力する。

【0030】

前記ホストシステム１７０は、ナビゲーションシステム、セットップボックス、ＤＶＤプレーヤー、ブルーレイプレーヤー、パソコン（ＰＣ）、ホームシアターシステム、放送受信機、フォンシステム（Ｐｈｏｎｅ ｓｙｓｔｅｍ）などに具現されることができる。ホストシステム１７０はスケーラー（ｓｃａｌｅｒ）を内蔵したＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍｏｎｃｈｉｐ）を含み、入力映像のデジタルビデオデータＤＡＴＡを表示パネル１１０に表示するのに適したフォーマットに変換する。ホストシステム１７０は、デジタルビデオデータＤＡＴＡとタイミング信号をタイミングコントローラー１６０に伝送する。

【0031】

表示パネル１１０には、データラインＤ１〜ＤｍとスキャンラインＳ１〜Ｓｎの他に、第１及び第２タッチ電極が形成されることができる。第１タッチ電極は第２タッチ電極と交差するように形成されることができる。第１タッチ電極は第１タッチラインＴ１〜Ｔｊ（ｊは２以上の正の整数を介して第１タッチ駆動部１８１に連結されることができる。第２タッチ電極は第２タッチラインＲ１〜Ｒｉ（ｉは２以上の正の整数）を介して第２タッチ駆動部１８２に連結されることができる。第１タッチ電極と第２タッチ電極の交差部のそれぞれにはタッチセンサーが形成されることができる。本発明の実施例においてはタッチセンサーが相互容量（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）から具現されたものを例示したが、これに限定されないことに注意すべきである。第１及び第２タッチ電極についての詳細な説明は図４に基づいて後述する。

【0032】

前記タッチ駆動部１８０は、第１タッチラインＴ１〜Ｔｊを介して第１タッチ電極に駆動パルスを供給し、第２タッチラインＲ１〜Ｒｉを介してタッチセンサーのそれぞれのチャージ変化量をセンシングする。すなわち、図２では、第１タッチラインＴ１〜Ｔｊが駆動パルスを供給するＴｘラインであり、第２タッチラインＲ１〜Ｒｉがタッチセンサーのそれぞれのチャージ変化量をセンシングするＲｘラインであるものを中心に説明した。

【0033】

タッチ駆動部１８０は、第１タッチ駆動部１８１、第２タッチ駆動部１８２、及びタッチコントローラー１８３を含む。第１タッチ駆動部１８１、第２タッチ駆動部１８２、及びタッチコントローラー１８３は一つのＲＯＩＣ（Ｒｅａｄ−ｏｕｔ ＩＣ）内に集積することができる。

【0034】

前記第１タッチ駆動部１８１はタッチコントローラー１８３の制御の下で駆動パルスを出力する第１タッチラインを選択し、選択された第１タッチラインに駆動パルスを供給する。例えば、第１タッチ駆動部１８１は第１タッチラインＴ１〜Ｔｊに順次駆動パルスを供給することができる。

【0035】

前記第２タッチ駆動部１８２は、タッチコントローラー１８３の制御の下でタッチセンサーのチャージ変化量を受信する第２タッチラインを選択し、選択された第２タッチラインを介してタッチセンサーのチャージ変化量を受信する。第２タッチ駆動部１８２は、第２タッチラインＲ１〜Ｒｉを介して受信されたタッチセンサーのチャージ変化量をサンプリングしてデジタルデータであるタッチローデータ（ｔｏｕｃｈ ｒａｗ ｄａｔａ、ＴＲＤ）に変換する。

【0036】

前記タッチコントローラー１８３は、第１タッチ駆動部１８１で駆動パルスが出力される第１タッチラインを設定するためのＴｘセットアップ信号と、第２タッチ駆動部１８２でタッチセンサー電圧を受信する第２タッチラインを設定するためのＲｘセットアップ信号とを発生させることができる。また、タッチコントローラー１８３は、第１タッチ駆動部１８１と第２タッチ駆動部１８２の動作タイミングを制御するためのタイミング制御信号を発生させる。

【0037】

前記タッチ座標算出部１９０はタッチ駆動部１８０からタッチローデータ（ＴＲＤ）を入力される。タッチ座標算出部１９０は、タッチ座標算出方法でタッチ座標（ら）を算出し、タッチ座標（ら）の情報を含むタッチ座標データＨＩＤｘｙをホストシステム１７０に出力する。

【0038】

タッチ座標算出部１９０はＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ｕｎｉｔ、ＭＣＵ）から具現されることができる。ホストシステム１７０は、タッチ座標算出部１９０から入力されるタッチ座標データＨＩＤｘｙを分析し、使用者によってタッチが発生した座標と連結された応用プログラム（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｇｒａｍ）を実行する。ホストシステム１７０は、実行された応用プログラムによってデジタルビデオデータＤＡＴＡとタイミング信号をタイミングコントローラー１６０に伝送する。

【0039】

タッチ駆動部１８０はソースドライブＩＣに含まれるとかあるいは別途の駆動チップから製作されて回路ボード１５０上に実装されることができる。また、タッチ座標算出部１９０は駆動チップに製作されて回路ボード１５０上に実装されることができる。

【0040】

図３は図１の表示パネルの一側を概略的に示す断面図である。

【0041】

図３を参照すると、表示パネル１１０は、第１基板１１１、第２基板１１２、第１及び第２基板１１１、１１２の間に配置された薄膜トランジスタ層１０、有機発光素子層２０、封止層３０、及びタッチセンシング層４０を含むことができる。

【0042】

前記第１基板１１１はプラスチックフィルム又はガラス基板であり得る。

【0043】

第１基板１１１上には前記薄膜トランジスタ層１０が配置される。薄膜トランジスタ層１０は、スキャンライン、データライン、及び薄膜トランジスタを含むことができる。薄膜トランジスタのそれぞれは、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む。スキャン駆動部がＧＩＰ（ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｉｎ ｐａｎｅｌ）方式で形成される場合、スキャン駆動部は薄膜トランジスタ層１０とともに形成されることができる。

【0044】

薄膜トランジスタ層１０上には前記有機発光素子層２０が配置される。有機発光素子層２０は、第１電極、有機発光層、第２電極、及びバンクを含む。有機発光層のそれぞれは正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、及び電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。この場合、第１電極と第２電極に電圧が印加されれば、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動され、発光層で互いに結合して発光することになる。有機発光素子層２０が配置された領域には画素Ｐが備えられるので、有機発光素子層２０が配置された領域は表示領域と定義されることができる。表示領域の周辺領域は非表示領域と定義されることができる。

【0045】

有機発光素子層２０上には前記封止層３０が配置される。封止層３０は有機発光素子層２０に酸素又は水分が浸透することを防止する役割をする。封止層３０は少なくとも一つの無機膜を含むことができる。

【0046】

封止層３０上には前記タッチセンシング層４０が形成される。タッチセンシング層４０は使用者のタッチをセンシングするための第１及び第２タッチ電極を含み、第１タッチ電極を電気的に連結するかまたは第２タッチ電極を電気的に連結する、ブリッジ電極を含むことができる。

【0047】

以下では、図４〜図９に基づいて本発明の一実施例による封止層３０及びタッチセンシング層４０についてより具体的に説明する。

【0048】

図４は本発明の一実施例による第１基板を概略的に示す平面図、図５は第１基板に配置されるタッチセンシング層を示す平面図である。図６は本発明の一実施例による表示装置の断面図で、図５のＩ−Ｉ’線についての一実施例を示す断面図である。

【0049】

図４〜図６を参照すると、第１基板１１１は表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡに区分され、表示領域ＤＡには画素Ｐが配置される。非表示領域ＮＤＡは表示領域ＤＡを取り囲み、ダムＤＡＭが形成され、ダムＤＡＭの外側にベンディング領域ＢＡ及びパッド電極ＰＡＤが形成されるパッド領域ＰＡが備えられる。

【0050】

前記第１基板１１１上には薄膜トランジスタ層１０及び有機発光素子層２０が形成される。
前記薄膜トランジスタ層１０は、薄膜トランジスタ２１０、ゲート絶縁膜２２０、層間絶縁膜２３０、及び平坦化膜２４１を含む。

【0051】

第１基板１１１の一面上にはバッファー膜が配置されることができる。前記バッファー膜は、透湿に弱い第１基板１１１を通じて侵透する水分から薄膜トランジスタ２１０と有機発光素子２５０を保護するために、第１基板１１１の一面上に配置されることができる。第１基板１１１の一面は第２基板１１２と向き合う面であり得る。バッファー膜は交互に積層された複数の無機膜からなることができる。例えば、バッファー膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、ＳｉＯＮの一つ以上の無機膜が交互に積層された多重膜から形成されることができる。このようなバッファー膜は省略することができる。

【0052】

バッファー膜上には前記薄膜トランジスタ２１０が配置される。薄膜トランジスタ２１０は、アクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３及びドレイン電極２１４を含む。図６では、薄膜トランジスタ２１０が、ゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部に位置する上部ゲート（トップゲート、ｔｏｐ ｇａｔｅ）方式で形成されたものを例示したが、これに限定されないことに注意すべきである。すなわち、薄膜トランジスタ２１０は、ゲート電極２１２がアクティブ層２１１の下部に位置する下部ゲート（ボトムゲート、ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）方式又はゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部及び下部の両方に位置するダブルゲート（ｄｏｕｂｌｅ ｇａｔｅ）方式で形成されることができる。

【0053】

第１基板１１１上には前記アクティブ層２１１が配置される。アクティブ層２１１はシリコン系半導体物質又は酸化物系半導体物質から形成されることができる。第１基板１１１とアクティブ層２１１の間には、アクティブ層２１１に入射する外部光を遮断するための遮光層が配置されることができる。

【0054】

アクティブ層２１１上には前記ゲート絶縁膜２２０が配置されることができる。ゲート絶縁膜２２０は無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ_ｘ）、又はこれらの多重膜から形成されることができる。

【0055】

ゲート絶縁膜２２０上には前記ゲート電極２１２と第１接続ライン２１５が配置されることができる。前記第１接続ライン２１５はゲート電極２１２から離隔して非表示領域ＮＤＡに配置される。ゲート電極２１２とゲートラインは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層から形成されることができる。

【0056】

ゲート電極２１２と第１接続ライン２１５上には前記層間絶縁膜２３０が配置されることができる。層間絶縁膜２３０は無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ_ｘ）、又はこれらの多重膜から形成されることができる。

【0057】

層間絶縁膜２３０上には、前記ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、第２接続ライン２１６、及び第３接続ライン２１７が配置されることができる。ソース電極２１３とドレイン電極２１４のそれぞれはゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを介してアクティブ層２１１に接続されることができる。また、第２接続ライン２１６及び第３接続ライン２１７は非表示領域ＮＤＡに配置され、層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを介して第１接続ライン２１５に接続されることができる。ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、第２接続ライン２１６、及び第３接続ライン２１７は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層から形成されることができる。

【0058】

ソース電極２１３及びドレイン電極２１４上には薄膜トランジスタ２１０を絶縁するための保護膜が配置されることができる。保護膜は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ_ｘ）、又はこれらの多重膜から形成されることができる。このような保護膜は省略することができる。

【0059】

ソース電極２１３及びドレイン電極２１４上には薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦にするための前記平坦化膜２４１が配置されることができる。また、第３接続ライン２１７上には有機パターン２４２及びライン保護膜２４３が配置される。

【0060】

前記有機パターン２４２はダムＤＡＭとパッド電極ＰＡＤの間に配置され、第３接続ライン２１７の上部の一部を覆うように配置されることができる。このような有機パターン２４２は、第１基板１１１が曲がるベンディング領域ＢＡで第３接続ライン２１７が外部に露出されることを防止し、保護する役割をする。また、有機パターン２４２には上部が露出されるオープンホールＯＨが備えられる。すなわち、有機パターン２４２の上部に配置され得る無機膜、一例として第１無機膜３１０、第２無機膜３３０、及び絶縁膜４１０を除去する。有機パターン２４２の上部に無機膜が配置される場合、ベンディング領域ＢＡが曲がるとき、無機膜にクラック（ｃｒａｃｋ）が発生することがあり、クラックが発生した無機膜に水分などが浸透することができるから、有機パターン２４２の上部に備えられる無機膜を除去する。

【0061】

前記ライン保護膜２４３は第３接続ライン２１７の終端を取り囲むように配置される。このようなライン保護膜２４３は非表示領域ＮＤＡの外端に配置される第３接続ライン２１７の終端を保護する。

【0062】

有機パターン２４２及びライン保護膜２４３は平坦化膜２４１と同じ層に配置され、同じ素材からなることができる。このような平坦化膜２４１、有機パターン２４２、及びライン保護膜２４３は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機膜から形成されることができる。

【0063】

薄膜トランジスタ層１０上には前記有機発光素子層２０が配置される。有機発光素子層２０は、有機発光素子２５０とバンク２６０を含む。

【0064】

前記有機発光素子２５０とバンク２６０は平坦化膜２４１上に配置される。有機発光素子２５０は、第１電極２５１、有機発光層２５２、及び第２電極２５３を含む。前記第１電極２５１はアノード電極であってもよく、第２電極２５３はカソード電極であってもよい。

【0065】

第１電極２５１は平坦化膜２４１上に配置されることができる。第１電極２５１は保護膜と平坦化膜２４１を貫通するコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３に接続される。第１電極２５１はアルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、及びＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属物質から形成されることができる。ＡＰＣ合金は銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）の合金である。

【0066】

バンク２６０は、画素Ｐを区画するために、平坦化膜２４１上で第１電極２５１の縁部を覆うように配置されることができる。すなわち、バンク２６０は画素Ｐを定義する画素定義膜として役割する。バンク２６０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機膜から形成されることができる。

【0067】

第１電極２５１とバンク２６０上には前記有機発光層２５２が配置される。有機発光層２５２は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、少なくとも一つの発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、及び電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。この場合、第１電極２５１と第２電極２５３に電圧が印加されれば、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動することになり、発光層で互いに結合して発光することになる。

【0068】

有機発光層２５２は白色光を発光する白色発光層からなることができる。この場合、第１電極２５１とバンク２６０を覆うように配置されることができる。また、第２基板１１２上にはカラーフィルター（図示せず）が配置されることができる。

【0069】

もしくは、有機発光層２５２は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、又は青色光を発光する青色発光層からなることができる。この場合、有機発光層２５２は第１電極２５１に対応する領域に配置されることができ、第２基板１１２上にはカラーフィルターが配置されなくてもよい。

【0070】

第２電極２５３は有機発光層２５２上に配置される。有機発光表示装置が上部発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）構造に形成される場合、第２電極２５３は光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ、Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過金属物質（Ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）から形成されることができる。第２電極２５３上にはキャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇ ｌａｙｅｒ）が配置されることができる。

【0071】

有機発光素子層２０上には封止層３０が第１基板１１１の表示領域ＤＡはもちろんのこと、非表示領域ＮＤＡまで配置される。封止層３０は、ダムＤＡＭ及び封止膜３００を含む。

【0072】

前記ダムＤＡＭは非表示領域ＮＤＡに配置され、封止膜３００を構成する有機膜３２０の流れを遮断する。より具体的に、ダムＤＡＭは表示領域ＤＡの外縁を取り囲むように配置され、封止膜３００を構成する有機膜３２０の流れを遮断することができる。また、ダムＤＡＭは非表示領域ＮＤＡに配置され、封止膜３００を構成する有機膜３２０がパッド電極ＰＡＤに侵犯することができないように有機膜３２０の流れを遮断することができる。これにより、ダムＤＡＭは有機膜３２０が表示装置の外部に露出されるとかパッド電極ＰＡＤに侵犯することを防止することができる。

【0073】

このようなダムＤＡＭは、第１ダムＤ１及び第２ダムＤ２を含むことができる。

【0074】

前記第１ダムＤ１は表示領域ＤＡの外縁を取り囲むように配置され、封止膜３００を構成する有機膜３２０の流れを１次的に遮断することができる。また、第１ダムＤ１は表示領域ＤＡとパッド領域ＰＡの間に配置され、パッド電極ＰＡに有機膜３２０が侵犯することができないように有機膜３２０の流れを１次的に遮断することができる。

【0075】

前記第２ダムＤ２は第１ダムＤ１の外縁を取り囲むように配置され、第１ダムＤ１から離隔して並んで配置される。第２ダムＤ２は第１ダムＤ１の外側に溢れる有機膜３２０を２次的に遮断することができる。これにより、第１ダムＤ１及び第２ダムＤ２は、有機膜３２０が表示装置の外部に露出されるかあるいはパッド領域ＰＡを侵犯することをより効果的に遮断することができる。

【0076】

このようなダムＤＡＭは平坦化膜２４１又はバンク２６０と同時に形成されることができ、平坦化膜２４１又はバンク２６０と同じ物質からなることができる。この場合、ダムＤＡＭは、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機物質から形成されることができる。

【0077】

前記封止膜３００は表示領域ＤＡを覆うように配置され、有機発光層２５２と第２電極２５３に酸素又は水分が浸透することを防止する役割をする。このために、封止膜３００は少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことができる。例えば、封止膜３００は、第１無機膜３１０、有機膜３２０、及び第２無機膜３３０を含むことができる。

【0078】

前記第１無機膜３１０は第２電極２５３上に配置される。第１無機膜３１０は第２電極２５３を覆うように配置される。本発明の一実施例による第１無機膜３１０は第２電極２５３を覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭを覆う。また、本発明の一実施例による第１無機膜３１０はダムＤＡＭの外側に配置されるパッド領域ＰＡまで伸びてパッド電極ＰＡＤと重畳する。

【0079】

このような本発明の一実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド領域ＰＡをカバーするマスクを配置する必要がない。よって、本発明の一実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡにマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド領域ＰＡに配置されるパッド電極ＰＡＤ又は第３接続ライン２１７のような金属ラインの間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流が金属ラインに沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。

【0080】

前記有機膜３２０は第１無機膜３１０上に配置される。有機膜３２０は、異物（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）が第１無機膜３１０を通過して有機発光層２５２と第２電極２５３に侵入することを防止するために、十分な厚さで形成されることができる。有機膜３２０は液状でインクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）工程によって塗布された後、硬化工程によって形成されることができる。

【0081】

前記第２無機膜３３０は有機膜３２０上に配置される。第２無機膜３３０は有機膜３２０を覆うように配置される。本発明の一実施例による第２無機膜３３０は有機膜３２０を覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭを覆う。また、本発明の一実施例による第１無機膜３１０はダムＤＡＭの外側に配置されるパッド領域ＰＡまで伸びてパッド電極ＰＡＤと重畳する。この時、本発明の一実施例による第１無機膜３１０及び第２無機膜３３０は終端の位置が同一であるように形成されることができる。

【0082】

このような本発明の一実施例による表示装置１００は、第２無機膜３３０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第２無機膜３３０を形成しないために、パッド領域ＰＡをカバーするマスク（ｍａｓｋ）を配置する必要がない。したがって、本発明の一実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡにマスク（ｍａｓｋ）を配置しないことにより、マスク（ｍａｓｋ）の境界面とパッド領域ＰＡに配置されるパッド電極ＰＡＤ又は第３接続ライン２１７のような金属ラインの間にアーク放電（ａｒｃｉｎｇ）現象が発生することを防止することができ、マスク（ｍａｓｋ）から流入する大電流が金属ラインに沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。

【0083】

また、本発明の一実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０が形成されているから、パッド領域ＰＡにマスクを配置しても、マスクの境界面とパッド領域ＰＡに配置されるパッド電極ＰＡＤ又は第３接続ライン２１７のような金属ラインの間にアーク放電現象が発生しない。すなわち、第１無機膜３１０が絶縁膜の役割をすることができる。このように、本発明の一実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡまで形成された第１無機膜３１０が絶縁膜の役割をすることにより、第２無機膜３３０の製造工程でパッド領域ＰＡにマスクを配置してもアーク放電現象が発生しない。

【0084】

このような第１及び第２無機膜３１０、３３０のそれぞれは、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、又はチタン酸化物から形成されることができる。有機膜３２０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）又はポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）から形成されることができる。

【0085】

前記封止層３０上にはタッチセンシング層４０が形成される。前記タッチセンシング層４０は、ブリッジ電極ＢＥ、絶縁膜４１０、第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、パッド電極ＰＡＤ及びパッシベーション膜４２０を含む。

【0086】

本発明の一実施例による表示装置１００は、封止膜３００の上面にブリッジ電極ＢＥが形成され、封止膜３００とブリッジ電極ＢＥの間に無機膜が形成されない。従来の表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時に露出されたパッド電極ＰＡＤ又は金属ラインを保護するために封止膜３００上にバッファー層を形成したが、本発明の一実施例による表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時に第３接続ライン２１７のような金属ラインが第１無機膜３１０及び第２無機膜３３０によって露出されないので、バッファー層を形成する必要がない。よって、本発明の一実施例による表示装置１００は、バッファー層を省略して製造コストを節減し、工程を減らすことができる。

【0087】

第２無機膜３３０上には前記ブリッジ電極ＢＥが配置される。ブリッジ電極ＢＥは、第１タッチ電極ＴＥ１と第２タッチ電極ＴＥ２がそれらの交差領域で互いに短絡することを防止するために、第１方向に隣り合った第１タッチ電極ＴＥ１を電気的に連結する。ブリッジ電極ＢＥは第１及び第２タッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２と違う層に配置され、ブリッジコンタクトホールＢＣＴを介して隣接した第１タッチ電極ＴＥ１に接続されることができる。ブリッジ電極ＢＥは第２タッチ電極ＴＥ２と交差することができる。

【0088】

ブリッジ電極ＢＥ上には絶縁膜４１０が配置される。絶縁膜４１０はブリッジ電極ＢＥを覆うように配置され、ブリッジ電極ＢＥと第１及び第２タッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２を絶縁させる。本発明の一実施例による絶縁膜４１０はブリッジ電極ＢＥを覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてパッド領域ＰＡまで形成されることができる。本発明の一実施例による絶縁膜４１０はダムＤＡＭの外側に配置されるパッド領域ＰＡまで伸びて配置されることができる。

【0089】

このような本発明の一実施例による表示装置１００は、絶縁膜４１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに絶縁膜４１０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する工程が必要ない。

【0090】

第３接続ライン２１７上に形成された第１無機膜３１０、第２無機膜３３０及び絶縁膜４１０はブリッジコンタクトホールＢＣＴの形成工程で同時に除去されることができる。すなわち、ブリッジコンタクトホールＢＣＴとパッドコンタクトホールＰＣＴは同時に形成されることができる。

【0091】

絶縁膜４１０上には前記第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２が配置される。第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、第１タッチラインＴＬ１及び第２タッチラインＴＬ２は同じ層に配置されることができる。第１タッチ電極ＴＥ１は第１方向（ｙ軸方向）に配置されて互いに連結され、第２タッチ電極ＴＥ２は第２方向（ｘ軸方向）に配置されて互いに連結される。第１方向（ｙ軸方向）はスキャンラインＳ１〜Ｓｎに平行な方向であり、第２方向（ｘ軸方向）はデータラインＤ１〜Ｄｍに平行な方向であり得る。もしくは、第１方向（ｙ軸方向）はデータラインＤ１〜Ｄｍに平行な方向であり、第２方向（ｘ軸方向）はスキャンラインＳ１〜Ｓｎに平行な方向であり得る。

【0092】

第１方向（ｙ軸方向）に連結された第１タッチ電極ＴＥ１のそれぞれは第２方向（ｘ軸方向）に隣接した第１タッチ電極ＴＥ１と電気的に絶縁される。第２方向（ｘ軸方向）に連結された第２タッチ電極ＴＥ２のそれぞれは第１方向（ｙ軸方向）に隣接した第２タッチ電極ＴＥ２と電気的に絶縁される。

【0093】

これにより、第１タッチ電極ＴＥ１と第２タッチ電極ＴＥ２の交差領域にはタッチセンサーに相当する相互容量（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が形成されることができる。

【0094】

第１方向（ｙ軸方向）に互いに連結された第１タッチ電極ＴＥ１の一側端に配置された第１タッチ電極ＴＥ１は非表示領域ＮＤＡで第１タッチラインＴＬ１と連結されることができる。第１タッチラインＴＬ１は第１タッチ電極ＴＥ１から伸びて非表示領域ＮＤＡまでパターンを形成することができる。より具体的に、本発明の一実施例による第１タッチラインＴＬ１は封止膜３００上でダムＤＡＭの上部まで延設され、タッチコンタクトホールＴＣＴによって下部に配置される第２接続ライン２１６と電気的に連結される。すなわち、本発明の一実施例による第１タッチラインＴＬ１はベンディング領域ＢＡに形成されない。このような第１タッチラインＴＬ１は第１接続ライン２１５、第２接続ライン２１６、及び第３接続ライン２１７からパッド電極ＰＡＤと電気的に接続され、パッド電極ＰＡＤを介して第１タッチ駆動部１８１に連結されることができる。よって、第１方向（ｙ軸方向）に互いに連結された第１タッチ電極ＴＥ１は第１タッチラインＴＬ１を介して第１タッチ駆動部１８１から駆動パルスを入力されることができる。

【0095】

第２方向（ｘ軸方向）に互いに連結された第２タッチ電極ＴＥ２の一側端に配置された第２タッチ電極ＴＥ２は非表示領域ＮＤＡで第２タッチラインＴＬ２と連結されることができる。第２タッチラインＴＬ２は第２タッチ電極ＴＥ２から伸びて非表示領域ＮＤＡまでパターンを形成することができる。より具体的に、本発明の一実施例による第２タッチラインＴＬ２は封止膜３００上でダムＤＡＭの上部まで延設され、タッチコンタクトホールＴＣＴによって下部に配置される第２接続ライン２１６と電気的に連結される。すなわち、本発明の一実施例による第２タッチラインＴＬ２はベンディング領域ＢＡに形成されない。このような第２タッチラインＴＬ２は第１接続ライン２１５、第２接続ライン２１６、及び第３接続ライン２１７からパッド電極ＰＡＤと電気的に接続され、パッド電極ＰＡＤを介して第２タッチ駆動部１８２に連結されることができる。よって、第２タッチ駆動部１８２は第２方向（ｘ軸方向）に互いに連結された第２タッチ電極ＴＥ２のタッチセンサーのチャージ変化量を入力されることができる。

【0096】

前記パッド電極ＰＡＤはダムＤＡＭとベンディング領域ＢＡの外側に配置されるパッド領域ＰＡに配置される。より具体的に、本発明の一実施例によるパッド電極ＰＡＤは第３接続ライン２１７、ライン保護膜２４３、第１無機膜３１０、第２無機膜３３０、及び絶縁膜４１０上に配置されることができ、第１無機膜３１０及び第２無機膜３３０と重畳する。このような本発明の一実施例による表示装置１００は、ベンディング領域ＢＡで金属ラインが外部に露出されることを防止するために、パッド電極ＰＡＤが第１無機膜３１０、第２無機膜３３０、及び絶縁膜４１０を貫通するパッドコンタクトホールＰＣＴを介して第３接続ライン２１７と電気的に連結される。

【0097】

前記パッシベーション膜４２０は第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２上に配置される。パッシベーション膜４２０は外部からの有害な環境を遮断して表示装置の特性安定化を維持する。また、パッシベーション膜４２０は第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２上に配置されるだけでなく、第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２の間に配置されることもできる。第１タッチ電極ＴＥ１のそれぞれはパッシベーション膜４２０によって第２タッチ電極ＴＥ２のそれぞれと絶縁されることができる。

【0098】

本発明の実施例は封止層３０上にタッチセンシング層４０を直接形成することにより、第１基板１１１と第２基板１１２の合着時、整列する必要がない。

【0099】

上述したように、本発明の一実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド領域ＰＡＤをカバーするマスクを配置する必要がない。

【0100】

したがって、本発明の一実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡにマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド領域ＰＡに配置されるパッド電極ＰＡＤ又は第３接続ライン２１７のような金属ラインの間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流が金属ラインに沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。

【0101】

また、本発明の一実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡまで形成された第１無機膜３１０が絶縁膜の役割をすることにより、第２無機膜３３０の製造工程でパッド領域ＰＡにマスクを配置してもアーク放電現象が発生しない。

【0102】

本発明の一実施例による表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時に第３接続ライン２１７のような金属ラインが第１無機膜３１０及び第２無機膜３２０によって露出されないから、バッファー層を形成する必要がない。したがって、本発明の一実施例による表示装置１００は、バッファー層を省略して製造コストを節減し、工程を減らすことができる。

【0103】

図７は本発明の一実施例による表示装置の製造方法を説明するためのフローチャート、図８ａ〜図８ｆは本発明の一実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【0104】

図８ａ〜図８ｆに示した平面図は前述した図６に示した本発明の一実施例による表示装置の製造方法に関するもので、同じ構成に対して同じ図面符号を付与した。以下では、図７及び図８ａ〜図８ｆに基づいて本発明の一実施例による表示装置の製造方法を説明する。

【0105】

一番目で、図８ａに示すように、第１基板１１１の表示領域ＤＡに画素Ｐを形成し、前記表示領域ＤＡを取り囲む非表示領域ＮＤＡに第２及び第３接続ライン２１６、２１７、有機パターン２４２及びダムＤＡＭを形成する。（Ｓ７０１）

【0106】

具体的に説明すると、まず、第１基板１１１上に薄膜トランジスタ２１０のアクティブ層２１１を形成する。より具体的に、スパッタリング法（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）又はＭＯＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などを用いて第１基板１１１上の全面にアクティブ金属層を形成する。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程でアクティブ金属層をパターニングしてアクティブ層２１１を形成する。アクティブ層２１１はシリコン系半導体物質又は酸化物系半導体物質から形成されることができる。

【0107】

その後、アクティブ層２１１上にゲート絶縁膜２２０を形成する。ゲート絶縁膜２２０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ_ｘ）、又はこれらの多重膜から形成されることができる。

【0108】

その後、ゲート絶縁膜２２０上に薄膜トランジスタ２１０のゲート電極２１２及び第１接続ライン２１５を形成する。具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いてゲート絶縁膜２２０上の全面に第１金属層を形成する。ついで、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第１金属層をパターニングしてゲート電極２１２及び第１接続ライン２１５を形成する。ゲート電極２１２及び第１接続ライン２１５は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層から形成されることができる。

【0109】

その後、ゲート電極２１２上に層間絶縁膜２３０を形成する。層間絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ_ｘ）、又はこれらの多重膜から形成されることができる。

【0110】

その後、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫いてアクティブ層２１１を露出させるコンタクトホールと層間絶縁膜２３０を貫いてゲートライン２１５を露出させるコンタクトホールを形成する。
その後、層間絶縁膜２３０上に薄膜トランジスタ２１０のソース電極及びドレイン電極２１３、２１４、及び第２及び第３接続ライン２１６、２１７を形成する。具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いて層間絶縁膜２３０上の全面に第２金属層を形成する。ついで、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第２金属層をパターニングしてソース電極及びドレイン電極２１３、２１４、及び第２及び第３接続ライン２１６、２１７を形成する。ソース電極及びドレイン電極２１３、２１４のそれぞれはゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを介してアクティブ層２１１に接続されることができる。また、第２及び第３接続ライン２１６、２１７は層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを介して第１接続ライン２１５に接続されることができる。ソース電極及びドレイン電極２１３、２１４、及び第２及び第３接続ライン２１６、２１７は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層から形成されることができる。

【0111】

その後、薄膜トランジスタ２１０のソース電極及びドレイン電極２１３、２１４上に、薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦化するための平坦化膜２４１を形成する。第２及び第３接続ライン２１６、２１７上には有機パターン２４２及びライン保護膜２４３を形成する。平坦化膜２４１、有機パターン２４２、及びライン保護膜２４３は同時に形成されることができ、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機膜から形成されることができる。一方、ライン保護膜２４３は平坦化膜２４１及び有機パターン２４２より低い高さで形成されることができる。

【0112】

その後、平坦化膜２４１上に有機発光素子２５０を形成する。具体的に、平坦化膜２４１上に有機発光素子２５０の第１電極２５１を形成する。より具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いて平坦化膜２４１上の全面に第３金属層を形成する。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第３金属層をパターニングして第１電極２５１を形成する。第１電極２５１は平坦化膜２４１を貫通するコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３に接続されることができる。第１電極２５１はアルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、及びＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属物質から形成されることができる。

【0113】

その後、画素Ｐを区画するために平坦化膜２４１上で第１電極２５１の縁部を覆うようにバンク２６０を形成するとともにダムＤＡＭを形成する。このとき、ダムＤＡＭは非表示領域ＮＤＡに形成される。ダムＤＡＭ及びバンク２６０のそれぞれは、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機膜から形成されることができる。

【0114】

一方、ダムＤＡＭがバンク２６０と同時に形成されるものとして説明しているが、これに限定されなく、ダムＤＡＭは平坦化膜２４１と同時に形成されることもできる。

【0115】

その後、第１電極２５１とバンク２６０上に有機発光層２５２を蒸着工程又は溶液工程で形成する。その後、有機発光層２５２上に第２電極２５３を形成する。第２電極２５３は画素Ｐに共通して形成される共通層であり得る。第２電極２５３は光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ、Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）から形成されることができる。第２電極２５３はスパッタリング法のような物理的気象蒸着法（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で形成されることができる。第２電極２５３上にはキャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇ ｌａｙｅｒ）が形成されることができる。

【0116】

二番目で、図８ｂに示すように、第１基板１１１上に第１無機膜３１０を全体的に形成する。（Ｓ７０２）

【0117】

本発明の一実施例による第１無機膜３１０は第２電極２５３を覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭ及び第３接続ライン２１７を覆うように形成される。このような本発明の一実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド領域ＰＡをカバーするマスクをパッド領域ＰＡに配置する必要がない。したがって、本発明の一実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡにマスクを配置しないことにより、マスクの境界面と金属ラインの間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流が表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。

【0118】

三番目で、図８ｃに示すように、第１無機膜３１０上に有機膜３２０を形成し、第１基板１１１上に第２無機膜３３０を全体的に形成し、第２無機膜３３０上にブリッジ電極ＢＥを形成する。（Ｓ７０３）

【0119】

有機膜３２０は第１無機膜３１０を覆うように形成される。有機膜３２０は異物（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）が第１無機膜３１０を通過して有機発光層２５２と第２電極２５３に侵入することを防止するために十分な厚さで形成されることが好ましい。第２無機膜３３０は有機膜を覆うように第１基板１１１上に全体的に形成される。

【0120】

第１及び第２無機膜３１０、３３０のそれぞれは、シリコン酸化物、シリコン窒化物、酸窒化珪素、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、又はチタン酸化物から形成されることができる。有機膜３２０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）又はポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）から形成されることができる。

【0121】

その後、第２無機膜３３０の表示領域ＤＡにブリッジ電極ＢＥを形成する。このとき、ブリッジ電極ＢＥはバンク２６０と重畳するように形成されることができるが、必ずしもそうではない。

【0122】

本発明の一実施例による表示装置１００は、封止膜３００上にバッファー層が形成されず、封止膜３００の上面にブリッジ電極ＢＥが形成される。従来の表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時に露出された金属ラインを保護するために封止膜３００上にバッファー層を形成したが、本発明の一実施例による表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時に金属ラインが第１無機膜３１０によって露出されないので、バッファー層を形成する必要がない。よって、本発明の一実施例による表示装置１００は、バッファー層を省略して製造コストを節減し、工程を減らすことができる。

【0123】

ブリッジ電極ＢＥを形成する工程は、具体的にスパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いて第２無機膜３３０上の全面に第４金属層を形成する。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第４金属層をパターニングしてブリッジ電極ＢＥを形成する。

【0124】

四番目で、図８ｄに示すように、第１基板１１１上に絶縁膜４１０を全体的に形成する。（Ｓ７０４）

【0125】

本発明の一実施例による絶縁膜４１０はブリッジ電極ＢＥを覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭ及び第３接続ライン２１７を覆うように形成される。このような本発明の一実施例による表示装置１００は、絶縁膜４１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに絶縁膜４１０を形成しないために、マスクをパッド領域ＰＡに配置する工程が必要でない。

【0126】

五番目で、図８ｅに示すように、ブリッジコンタクトホールＢＣＴ、タッチコンタクトホールＴＣＴ、オープンホールＯＨ、及びパッドコンタクトホールＰＣＴを形成する。（Ｓ７０５）

【0127】

ブリッジコンタクトホールＢＣＴは絶縁膜４１０を貫通してブリッジ電極ＢＥを露出させる。タッチコンタクトホールＴＣＴは第１及び第２無機膜３１０、３３０、及び絶縁膜４１０を貫通して第２接続ライン２１６を露出させる。オープンホールＯＨは第１及び第２無機膜３１０、３３０、及び絶縁膜４１０を貫通して有機パターン２４２を露出させる。パッドコンタクトホールＰＣＴは第１及び第２無機膜３１０、３３０、及び絶縁膜４１０を貫通して第３接続ライン２１７を露出させる。このようなブリッジコンタクトホールＢＣＴ、タッチコンタクトホールＴＣＴ、オープンホールＯＨ、及びパッドコンタクトホールＰＣＴは食刻（ｅｔｃｈｉｎｇ）工程によって同時に形成されることができる。

【0128】

ブリッジ電極ＢＥは絶縁膜４１０を貫通するブリッジコンタクトホールＢＣＴを介して第１タッチ電極ＴＥ１に接続されて電気的に連結されることができる。

【0129】

第１及び第２タッチラインＴＬ１、ＴＬ２は第１及び第２無機膜３１０、３３０、及び絶縁膜４１０を貫通するタッチコンタクトホールＴＣＴを介して第２接続ライン２１６に接続されて電気的に連結されることができる。

【0130】

パッド電極ＰＡＤは第１及び第２無機膜３１０、３３０、及び絶縁膜４１０を貫通するパッドコンタクトホールＰＣＴを介して第３接続ライン２１７に接続されて電気的に連結されることができる。

【0131】

六番目で、図８ｆに示すように、第１及び第２タッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２、第１及び第２タッチラインＴＬ１、ＴＬ２、及びパッド電極ＰＡＤを形成し、パッシベーション膜４２０を形成する。（Ｓ７０６）

【0132】

具体的に、絶縁膜４１０上に第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、第１及び第２タッチラインＴＬ１、ＴＬ２及びパッド電極ＰＡＤを形成する。第１タッチ電極ＴＥ１は第１方向に一定の間隔で離隔して配置され、第２タッチ電極ＴＥ２は第２方向に互いに連結されるように形成される。このとき、第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２のそれぞれは長方形、八角形、円形又は菱形を有することができる。

【0133】

第１方向に互いに連結された第１タッチ電極ＴＥ１の一側端に配置された第１タッチ電極ＴＥ１は非表示領域ＮＤＡで第１タッチラインＴＬ１と連結されることができる。第１タッチラインＴＬ１は第１タッチ電極ＴＥ１から伸びてダムＤＡＭの上部までパターンを形成することができる。第１タッチ電極ＴＥ１、第１タッチラインＴＬ１及びパッド電極ＰＡＤは同じ層に形成されることができ、同じ物質から形成されることができる。

【0134】

第２方向に互いに連結された第２タッチ電極ＴＥ２の一側端に配置された第２タッチ電極ＴＥ２は非表示領域ＮＤＡで第２タッチラインＴＬ２と連結されることができる。第２タッチラインＴＬ２は第２タッチ電極ＴＥ２から伸びてダムＤＡＭの上部までパターンを形成することができる。第２タッチ電極ＴＥ２、第２タッチラインＴＬ２及びパッド電極ＰＡＤは同じ層に形成されることができ、同じ物質から形成されることができる。

【0135】

このような第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、第１タッチラインＴＬ１及び第２タッチラインＴＬ２は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ、Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）から形成されることができる。

【0136】

スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いて絶縁膜４１０上の全面に第５金属層を形成する。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第５金属層をパターニングして第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、第１タッチラインＴＬ１、第２タッチラインＴＬ２、及びパッド電極ＰＡＤを形成する。

【0137】

その後、第１タッチ電極ＴＥ１、及び第２タッチ電極ＴＥ２上にパッシベーション膜４２０を形成する。

【0138】

図面に具体的に示されていないが、パッシベーション膜４２０が形成された第１基板１１１は第２基板１１２と合着される。接着層（図示せず）を介して第１基板１１１のパッシベーション膜４２０と第２基板１１２を接着することにより、第１基板１１１と第２基板１１２を合着することができる。接着層（図示せず）は透明な接着レジン（ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｃｌｅａｒ ｒｅｓｉｎ、ＯＣＲ）又は透明な接着レジンフィルム（ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ ｆｉｌｍ、ＯＣＡ）であり得る。

【0139】

このような本発明の一実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド領域ＰＡをカバーするマスクを配置する必要がない。したがって、本発明の一実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡにマスクを配置しないことにより、アーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流が表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。

【0140】

図９ａ〜図９ｄは本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

【0141】

図９ａ〜図９ｄに示した平面図は前述した図６に示した本発明の一実施例による表示装置の製造方法に関するものであり、同じ構成に対しては同じ図面符号を付与した。また、本発明の他の実施例による表示装置の製造方法は、ブリッジコンタクトホールＢＣＴ、タッチコンタクトホールＴＣＴ、オープンホールＯＨ、及びパッドコンタクトホールＰＣＴを形成する方法に関するものである。したがって、以下の説明では、ブリッジコンタクトホールＢＣＴ、タッチコンタクトホールＴＣＴ、オープンホールＯＨ、及びパッドコンタクトホールＰＣＴの製造方法のみについて説明し、同じ構成についての重複説明は省略する。

【0142】

一番目で、図９ａに示すように、第１基板１１１上に絶縁膜４１０を全体的に形成する。

【0143】

二番目で、図９ｂに示すように、第２及び第３接続ライン２１６、２１７と有機パターン２４２の上部に備えられる第１無機膜３１０の一部を残しておき、タッチコンタクトホールＴＣＴ１、オープンホールＯＨ１、及びパッドコンタクトホールＴＣＴ１上の第２無機膜３３０及び絶縁膜４１０を除去する。このとき、ブリッジコンタクトホールＢＣＴは形成しない。一実施例と同様に、ブリッジコンタクトホールＢＣＴ、タッチコンタクトホールＴＣＴ、オープンホールＯＨ、及びパッドコンタクトホールＰＣＴを一括して食刻（ｅｔｃｈｃｉｎｇ）工程によって同時に形成する場合、ブリッジ電極ＢＥと第２及び第３接続ライン２１６、２１７に損傷（ｄａｍａｇｅ）が発生することがある。よって、本発明の他の実施例による製造方法は、比較的厚い層を貫通しなければならないタッチコンタクトホールＴＣＴ１、オープンホールＯＨ１、及びパッドコンタクトホールＴＣＴ１を第１無機膜３１０が一部残るように優先して形成し、ブリッジコンタクトホールＢＣＴは形成しない。

【0144】

三番目で、図９ｃに示すように、ブリッジコンタクトホールＢＣＴ、タッチコンタクトホールＴＣＴ、オープンホールＯＨ、及びパッドコンタクトホールＰＣＴを形成する。

【0145】

タッチコンタクトホールＴＣＴ１、オープンホールＯＨ１、及びパッドコンタクトホールＴＣＴ１に一部残された第１無機膜３１０とブリッジ電極ＢＥ上の絶縁膜４１０を食刻（ｅｔｃｈｃｉｎｇ）工程で同時に除去する。比較的薄く残った第１無機膜３１０とブリッジ電極ＢＥ上の絶縁膜４１０を、第２及び第３接続ライン２１６、２１７及びブリッジ電極ＢＥに損傷を与えないように、弱い食刻（ｅｔｃｈｃｉｎｇ）工程で除去する。よって、本発明の他の実施例による製造方法は、ブリッジコンタクトホールＢＣＴ、タッチコンタクトホールＴＣＴ、オープンホールＯＨ、及びパッドコンタクトホールＰＣＴの形成時に第２及び第３接続ライン２１６、２１７及びブリッジ電極ＢＥに損傷が発生することを防止することができる。

【0146】

四番目で、図９ｄに示すように、第１及び第２タッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２、第１及び第２タッチラインＴＬ１、ＴＬ２、及びパッド電極ＰＡＤを形成し、パッシベーション膜４２０を形成する。

【0147】

図９ａ〜図９ｄに示した表示装置の製造方法は前述した図８ａ〜図８ｆで説明した一実施例による表示装置の製造方法と同一である。したがって、同じ構成についての重複説明は省略する。

【0148】

上述したように、本発明の一実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡにマスク（ｍａｓｋ）を配置しないことにより、マスク（ｍａｓｋ）の境界面とパッド領域ＰＡに配置されるパッド電極ＰＡＤ又は第３接続ライン２１７のような金属ラインの間にアーク放電（ａｒｃｉｎｇ）現象が発生することを防止することができ、マスク（ｍａｓｋ）から流入する大電流が金属ラインに沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。

【0149】

また、本発明の一実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡまで形成された第１無機膜３１０が絶縁膜の役割をすることにより、第２無機膜３３０の製造工程でパッド領域ＰＡにマスク（ｍａｓｋ）を配置してもアーク放電（ａｒｃｉｎｇ）現象が発生しない。

【0150】

また、本発明の一実施例による表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時に第３接続ライン２１７のような金属ラインが第１無機膜３１０及び第２無機膜３２０によって露出されないので、バッファー層を形成する必要がない。したがって、本発明の一実施例による表示装置１００は、バッファー層を省略して製造コストを節減し、工程を減らすことができる。

【0151】

以上で添付図面に基づいて本発明の実施例をより詳細に説明したが、本発明は必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範疇内で多様に変形して実施可能である。したがって、本発明に開示された実施例は本発明の技術思想を限定するためのものではなくて説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例は全ての面で例示的なもので、限定的なものではことを理解しなければならない。本発明の保護範囲は請求範囲によって解釈されなければならなく、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならないであろう。

【符号の説明】

【0152】

１０ 薄膜トランジスタ層
２０ 有機発光素子層
３０ 封止層
４０ タッチセンシング層
１００ タッチスクリーン一体型表示装置
１１０ 表示パネル
１１１ 第１基板（下部基板）
１１２ 第２基板（上部基板）
１２０ ゲート駆動部
１３０ データ駆動部
１３１ ソースドライブＩＣ
１４０ 軟性フィルム
１５０ 回路ボード
１６０ タイミングコントローラー
１７０ ホストシステム
１８０ タッチ駆動部
１８１ 第１タッチ駆動部
１８２ 第２タッチ駆動部
１８３ タッチコントローラー
１９０ タッチ座標算出部
２１０ 薄膜トランジスタ
２１１ アクティブ層
２１２ ゲート電極
２１３ ソース電極
２１４ ドレイン電極
２２０ ゲート絶縁膜
２３０ 層間絶縁膜
２４１ 平坦化膜
２４２ ベンディング膜
２４３ ライン保護膜
２５０ 有機発光素子
２５１ 第１電極
２５２ 有機発光層
２５３ 第２電極
３００ 封止膜
３１０ 第１無機膜
３２０ 有機膜
３３０ 第２無機膜
４１０ 絶縁膜
４２０ パッシベーション膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8a】

【図8b】

【図8c】

【図8d】

【図8e】

【図8f】

【図9a】

【図9b】

【図9c】

【図9d】