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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6783497
(24)【登録日】2020年10月26日
(45)【発行日】2020年11月11日
(54)【発明の名称】セファロスポリン誘導体の中間体およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
C07D 501/24 20060101AFI20201102BHJP
C07D 501/46 20060101ALI20201102BHJP
C07D 501/04 20060101ALI20201102BHJP
A61K 31/546 20060101ALN20201102BHJP
A61P 31/04 20060101ALN20201102BHJP
【ＦＩ】
C07D501/24CSP
C07D501/46
C07D501/04
!A61K31/546
!A61P31/04
【請求項の数】10
【全頁数】41
(21)【出願番号】特願2016-546689(P2016-546689)
(86)(22)【出願日】2015年9月3日
(86)【国際出願番号】JP2015075042
(87)【国際公開番号】WO2016035847
(87)【国際公開日】20160310
【審査請求日】2018年7月4日
(31)【優先権主張番号】特願2014-180364(P2014-180364)
(32)【優先日】2014年9月4日
(33)【優先権主張国】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000001926
【氏名又は名称】塩野義製薬株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100113789
【弁理士】
【氏名又は名称】杉田 健一
(72)【発明者】
【氏名】福田 麻由
(72)【発明者】
【氏名】渡邊 健朗
(72)【発明者】
【氏名】栗田 貴教
(72)【発明者】
【氏名】横田 優貴
(72)【発明者】
【氏名】竹尾 正敏
(72)【発明者】
【氏名】野口 耕一
【審査官】
谷尾 忍
(56)【参考文献】
【文献】
国際公開第２０１４／０６９６４９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
国際公開第２０１０／０５０４６８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
国際公開第２０１３／０５２５６８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
国際公開第２０１１／１２５９６６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
国際公開第２０１１／１２５９６７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
Yamawaki, K., et al.，A novel series of parenteral cephalosporins exhibiting potent activities against Pseudomonas aeruginosa and other Gram-negative pathogens: Synthesis and structure-activity relationships，Bioorganic & Medicinal Chemistry，２００７年，vol.15，pp. 6716-6732
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｃ０７Ｄ ５０１／２４
Ｃ０７Ｄ ５０１／０４
Ｃ０７Ｄ ５０１／４６
Ａ６１Ｋ ３１／５４６
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
以下の工程：
（第２工程）
式（Ｖ）：
（式中、Ｒ１はｔ−ブトキシカルボニル基であり、Ｒ２はｔ−ブチル基であり、Ｒ３はｐ−メトキシベンジル基である。）
で示される化合物と過酢酸を溶媒としてアセトニトリルの存在下で反応させ式（ＩＶ）：
（式中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ３は、前記と同意義）
で示される化合物を得ることを特徴とする、式（ＩＶ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（第２工程）
式（Ｖ）：
【化1】
（式中、Ｒ１はｔ−ブトキシカルボニル基であり、Ｒ２はｔ−ブチル基であり、Ｒ３はｐ−メトキシベンジル基である。）
で示される化合物と過酢酸を溶媒としてアセトニトリルの存在下で反応させ式（ＩＶ）：
【化2】
（式中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ３は、前記と同意義）
で示される化合物を得ることを特徴とする、式（ＩＶ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
【請求項2】
以下の工程：
（第２工程）
式（Ｖ）：
（式中、Ｒ１はｔ−ブトキシカルボニル基であり、Ｒ２はｔ−ブチル基であり、Ｒ３はｐ−メトキシベンジル基である。）
で示される化合物と過酢酸をアセトニトリルおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの混合溶媒中で反応させ式（ＩＶ）：
（式中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ３は、前記と同意義）
で示される化合物を得ることを特徴とする、式（ＩＶ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（第２工程）
式（Ｖ）：
【化3】
（式中、Ｒ１はｔ−ブトキシカルボニル基であり、Ｒ２はｔ−ブチル基であり、Ｒ３はｐ−メトキシベンジル基である。）
で示される化合物と過酢酸をアセトニトリルおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの混合溶媒中で反応させ式（ＩＶ）：
【化4】
（式中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ３は、前記と同意義）
で示される化合物を得ることを特徴とする、式（ＩＶ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
【請求項3】
以下の工程：
（第１工程）式（ＶＩ）：
（式中、Ｒ３はｐ−メトキシベンジル基である）
で示される化合物と式（ＶＩＩＩ）：
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物を反応させ、式（Ｖ）：
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物を得る工程、および
（第２工程）
式（Ｖ）で示される化合物を溶媒としてアセトニトリルの存在下で過酢酸と反応させ式（ＩＶ）で示される化合物を得る工程を、連続して行うことを特徴とする、式（ＩＶ）：
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（第１工程）式（ＶＩ）：
【化5】
（式中、Ｒ３はｐ−メトキシベンジル基である）
で示される化合物と式（ＶＩＩＩ）：
【化6】
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物を反応させ、式（Ｖ）：
【化7】
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物を得る工程、および
（第２工程）
式（Ｖ）で示される化合物を溶媒としてアセトニトリルの存在下で過酢酸と反応させ式（ＩＶ）で示される化合物を得る工程を、連続して行うことを特徴とする、式（ＩＶ）：
【化8】
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
【請求項4】
以下の工程：
（第３工程）
式（ＩＶ）：
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物と式（Ｘ）：
（式中、Ｒ４およびＲ５はｐ−メトキシベンジル基である。）
を、ホウ酸またはボロン酸存在下で反応させ式（ＩＩＩ）：
（式中、X-はカウンターイオン、Ｒ４およびＲ５はｐ−メトキシベンジル基、その他の記号は請求項１と同意義）
で示される化合物を得ることを特徴とする、式（ＩＩＩ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（第３工程）
式（ＩＶ）：
【化9】
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物と式（Ｘ）：
【化10】
（式中、Ｒ４およびＲ５はｐ−メトキシベンジル基である。）
を、ホウ酸またはボロン酸存在下で反応させ式（ＩＩＩ）：
【化11】
（式中、X-はカウンターイオン、Ｒ４およびＲ５はｐ−メトキシベンジル基、その他の記号は請求項１と同意義）
で示される化合物を得ることを特徴とする、式（ＩＩＩ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
【請求項5】
以下の工程：
（第４工程）
請求項４記載の製造方法により、式（ＩＩＩ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得、得られた式（ＩＩＩ）で示される化合物を還元して式（ＩＩ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得ることを特徴とする、式（ＩＩ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（第４工程）
請求項４記載の製造方法により、式（ＩＩＩ）：
【化12】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得、得られた式（ＩＩＩ）で示される化合物を還元して式（ＩＩ）：
【化13】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得ることを特徴とする、式（ＩＩ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
【請求項6】
以下の工程：
（第４工程）
請求項４記載の製造方法により、式（ＩＩＩ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得、得られた式（ＩＩＩ）で示される化合物を還元し、式（ＩＩ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得る工程、および
（第５工程）
式（ＩＩ）で示される化合物を脱保護して式（ＩＡ）：
で示される化合物を得る工程、を連続して行うことを特徴とする、
式（ＩＡ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（第４工程）
請求項４記載の製造方法により、式（ＩＩＩ）：
【化14】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得、得られた式（ＩＩＩ）で示される化合物を還元し、式（ＩＩ）：
【化15】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得る工程、および
（第５工程）
式（ＩＩ）で示される化合物を脱保護して式（ＩＡ）：
【化16】
で示される化合物を得る工程、を連続して行うことを特徴とする、
式（ＩＡ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
【請求項7】
以下の工程：
（第３工程）式（ＩＶ）：
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物と式（Ｘ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物をホウ酸またはボロン酸存在下で反応させ式（ＩＩＩ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得る工程；
（第４工程）式（ＩＩＩ）で示される化合物を還元し式（ＩＩ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得る工程；および
（第５工程）式（ＩＩ）で示される化合物を脱保護して式（ＩＡ）で示される化合物を得ることを特徴とする、請求項６記載の式（ＩＡ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（第３工程）式（ＩＶ）：
【化17】
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物と式（Ｘ）：
【化18】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物をホウ酸またはボロン酸存在下で反応させ式（ＩＩＩ）：
【化19】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得る工程；
（第４工程）式（ＩＩＩ）で示される化合物を還元し式（ＩＩ）：
【化20】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得る工程；および
（第５工程）式（ＩＩ）で示される化合物を脱保護して式（ＩＡ）で示される化合物を得ることを特徴とする、請求項６記載の式（ＩＡ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
【請求項8】
以下の工程：
（第２工程）式（Ｖ）：
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物と過酢酸を反応させ式（ＩＶ）：
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物を得る工程；
（第３工程）式（ＩＶ）で示される化合物と式（Ｘ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物をホウ酸またはボロン酸存在下で反応させ式（ＩＩＩ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得る工程；
（第４工程）式（ＩＩＩ）で示される化合物を還元し式（ＩＩ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得る工程；および
（第５工程）式（ＩＩ）で示される化合物を脱保護して式（ＩＡ）で示される化合物を得ることを特徴とする請求項６記載の式（ＩＡ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（第２工程）式（Ｖ）：
【化21】
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物と過酢酸を反応させ式（ＩＶ）：
【化22】
（式中、各記号は請求項１と同意義）
で示される化合物を得る工程；
（第３工程）式（ＩＶ）で示される化合物と式（Ｘ）：
【化23】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物をホウ酸またはボロン酸存在下で反応させ式（ＩＩＩ）：
【化24】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得る工程；
（第４工程）式（ＩＩＩ）で示される化合物を還元し式（ＩＩ）：
【化25】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物を得る工程；および
（第５工程）式（ＩＩ）で示される化合物を脱保護して式（ＩＡ）で示される化合物を得ることを特徴とする請求項６記載の式（ＩＡ）で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
【請求項9】
式（ＩＩＩ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物。
【化26】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物。
【請求項10】
式（ＩＩ）：
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物。
【化27】
（式中、各記号は請求項４と同意義）
で示される化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、セファロスポリン誘導体の中間体およびその製造方法に関する。【背景技術】
【0002】
特許文献１には、下式：【化1】
で表されるカテコール基を有するセファロスポリン誘導体（以下、化合物（Ｉ）という）が広範な抗菌スペクトルを有し、特にβ−ラクタマーゼ産生菌に対し強い抗菌活性を示すため、感染症の治療および／または予防剤として有用であることが記載されている。またその実施例１２には、以下の化合物：
【化2】
（以下、化合物（ＩＡ）という）が開示されている。化合物（ＩＡ）については、その具体的な合成法は記載されていないが、以下に示す一般的合成法または類似化合物の具体的な合成法に準じて合成されている。
【0003】
特許文献１には、化合物（Ｉ）の一般的合成法として以下のスキームが記載されている。【化3】
【0004】
特許文献１には、上記化合物（ＩＸ）に相当する化合物９：【化4】
【化5】
およびその合成法が開示されているが、いずれも１位のスルホキシド基はラセミ形で記載されており、光学活性体に関する記載はない。
さらに、特許文献４および７には、式：
【化6】
で示されるＳ体の化合物が開示されているが、いずれも結晶ではなく、さらに結晶に関する記載はない。また、特許文献４には上記Ｓ体の化合物の製造方法の記載はあるが、本願発明の製法は記載されていない。さらに、Ｓ体やその利点に関する記載はない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】国際公開第２０１０／０５０４６８号
【特許文献2】国際公開第２０１１／１２５９６６号
【特許文献3】国際公開第２０１１／１２５９６７号
【特許文献4】国際公開第２０１３／０５２５６８号
【特許文献5】欧州特許公報４１６４１０号
【特許文献6】欧州特許公報４０９１６４号
【特許文献7】国際公開第２０１４／０６９６４９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
化合物（ＩＡ）等のセファロスポリン誘導体の工業的に効率の良い製造方法の開発が求められていた。またそのために有用な中間体およびその製造方法の開発が必要であった。【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者等は上記課題に鑑み鋭意検討した結果、特に、セフェム母核の１位のスルホキシドＳ体の製法、３位側鎖形成、および該スルホキシドＳ体の還元等において反応条件を種々検討することにより、反応の選択性や収率の向上、連続化反応や室温付近での反応、さらに結晶化による精製等を達成できることを見出し、以下の発明を見出した。【0008】
（項目１）結晶である、式（ＩＶ）：
【化7】
（式中、Ｒ１はアミノ基の保護基；Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立してカルボキシ基の保護基である。）
で示される化合物、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物。
（項目２）
Ｒ１がｔ−ブトキシカルボニル基であり、Ｒ２がｔ−ブチル基であり、Ｒ３がｐ−メトキシベンジル基である、項目１記載の結晶。
（項目３）
粉末Ｘ線回折スペクトルにおいて、回折角度（２θ）：４．３±０．２°、１０．９±０．２°、１４．５±０．２°、１８．３±０．２°および２１．２±０．２°から選択される少なくとも３本のピークを有する、項目２記載のメタノール和物の結晶。
（項目４）
粉末Ｘ線回折スペクトルにおいて、回折角度（２θ）：４．８±０．２°、１４．４±０．２°、１４．９±０．２°、１６．０±０．２°および２０．５±０．２°から選択される少なくとも３本のピークを有する、項目２記載の無溶媒和物の結晶。
（項目５）
以下の工程：
（第２工程）
式（Ｖ）：
【化8】
（式中、Ｒ１はアミノ基の保護基；Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立してカルボキシ基の保護基である。）
で示される化合物と過酸を溶媒中で反応させ式（ＩＶ）：
【化9】
（式中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ３は、前記と同意義）
で示される化合物を得る工程（ただし、溶媒がジクロロメタンのみである場合を除く）
を包含することを特徴とする、化合物（ＩＶ）、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（項目６）
該過酸が過酢酸である、項目５記載の製造方法。
（項目７）
以下の工程：
（第１工程）式（ＶＩ）：
【化10】
（式中、Ｒ３はカルボキシ基の保護基である）
で示される化合物と式（ＶＩＩ）：
【化11】
（式中、各記号は前記と同意義）
で示される化合物を反応させ、式（Ｖ）：
【化12】
（式中、各記号は前記と同意義）
で示される化合物を得る工程、および
（第２工程）
式（Ｖ）で示される化合物を過酸と反応させ化合物（ＩＶ）を得る工程を、連続して行うことを特徴とする、式（ＩＶ）：
【化13】
（式中、各定義は前記と同意義）
で示される化合物、その製薬上許容される塩またはそれらの溶媒和物、もしくはそれらの結晶の製造方法。
（項目８）
以下の工程：
（第３工程）
式（ＩＶ）：
【化14】
（式中、各記号は前記と同意義）
で示される化合物と式（Ｘ）：
【化15】
（式中、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立して水酸基の保護基である。）
を、ホウ酸またはボロン酸存在下で反応させ式（ＩＩＩ）：
【化16】
（式中、X-はカウンターイオン、その他の記号は前記と同意義）
で示される化合物を得る工程、
を包含することを特徴とする、化合物（ＩＩＩ）、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（項目９）
以下の工程：
（第４工程）
式（ＩＩＩ）：
【化17】
（式中、各記号は前記と同意義）
で示される化合物を還元して式（ＩＩ）：
【化18】
（式中、各記号は前記と同意義）
で示される化合物を得る工程、
を包含することを特徴とする、化合物（ＩＩ）、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（項目１０）
以下の工程：
（第４工程）
式（ＩＩＩ）：
【化19】
（式中、各記号は前記と同意義）
で示される化合物を還元し、式（ＩＩ）：
【化20】
（式中、各記号は前記と同意義）
で示される化合物を得る工程、および
（第５工程）
式（ＩＩ）で示される化合物を脱保護して式（ＩＡ）：
【化21】
で示される化合物を得る工程、を連続して行うことを特徴とする、
化合物（ＩＡ）、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（項目１１）
以下の工程：
（第３工程）化合物（ＩＶ）と化合物（Ｘ）をホウ酸またはボロン酸存在下で反応させ化合物（ＩＩＩ）を得る工程；
（第４工程）化合物（ＩＩＩ）を還元し化合物（ＩＩ）を得る工程；および
（第５工程）化合物（ＩＩ）を脱保護して化合物（ＩＡ）を得る工程；
を包含することを特徴とする、項目１０記載の化合物（ＩＡ）、その製薬上許容される塩またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（項目１２）
以下の工程：
（第２工程）化合物（Ｖ）と過酸を反応させ化合物（ＩＶ）を得る工程；
（第３工程）化合物（ＩＶ）と化合物（Ｘ）をホウ酸またはボロン酸存在下で反応させ化合物（ＩＩＩ）を得る工程；
（第４工程）化合物（ＩＩＩ）を還元し化合物（ＩＩ）を得る工程；および
（第５工程）化合物（ＩＩ）を脱保護して化合物（ＩＡ）を得る工程；
を包含することを特徴とする項目１０記載の化合物（ＩＡ）、その製薬上許容される塩またはそれらの溶媒和物の製造方法。
（項目１３）
式（ＩＩＩ）：
【化22】
（式中、各記号は前記と同意義）
で示される化合物。
（項目１４）
式（ＩＩ）：
【化23】
（式中、各定記号は前記と同意義）
で示される化合物。
（項目１５）
Ｒ１はｔ−ブトキシカルボニル基である、項目１〜４、１３または１４のいずれかに記載の化合物またはその溶媒和物の結晶。
（項目１６）
Ｒ１はｔ−ブトキシカルボニル基である、項目５〜１２のいずれかに記載の製造方法。
（項目１７）
Ｒ２はｔ−ブチル基である、項目１〜４、１３または１４のいずれかに記載の化合物またはその溶媒和物の結晶。
（項目１８）
Ｒ２はｔ−ブチル基である、項目５〜１２のいずれかに記載の製造方法。
（項目１９）
Ｒ３はｐ−メトキシベンジル基またはベンズヒドリル基である、項目１〜４、１３または１４のいずれかに記載の化合物またはその溶媒和物。
（項目２０）
Ｒ３はｐ−メトキシベンジル基またはベンズヒドリル基である、項目５〜１２のいずれかに記載の製造方法。
（項目２１）
Ｒ４およびＲ５はｐ−メトキシベンジル基である、項目１３または１４記載の化合物。
（項目２２）
Ｒ４およびＲ５はｐ−メトキシベンジル基である、項目８〜１２のいずれかに記載の製造方法。
【発明の効果】
【0009】
本発明によって、種々のセファロスポリン誘導体の工業的製法に有用な合成中間体およびその製造方法が提供される。またそれらを使用することにより、特に化合物（ＩＡ）を、収率良く、簡便に、安全に、効率良く製造することができる。【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施例３で得られた化合物（ＩＶ）のメタノール和物結晶の粉末Ｘ線回折スペクトルを示す。横軸は回折角度２θ（°）で、縦軸は強度（Ｃｏｕｎｔ）を表す。
【図2】実施例３で得られた化合物（ＩＶ）の無溶媒和物結晶の粉末Ｘ線回折スペクトルを示す。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本発明の製造方法は以下のスキームで示される。なお、本明細書中、化合物と化合物の反応させることには、その塩またはそれらの溶媒和物を反応させることを含む。また、以下の反応は単離を伴わず「工程を連続して」行ってもよい。「工程を連続して」行うとは、前工程の反応により生成した化合物を単離することなく、次工程を行うことを包含する。例えば、ワンポットで２つの工程を行うことが挙げられる。
【化24】
（式中、各記号は前記と同意義）
【0012】
（第１’工程）化合物（ＶＩＩ）に、所望により塩基存在下、メシルクロライドを反応させることにより化合物（ＶＩＩＩ）が得られる。
塩基としては、上記工程を効率よく進行させるものであれば特に制限されない。有機塩基または無機炭酸塩等の無機塩基を用いることができる。好ましくは、有機塩基を用いることができる。例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロウンデセン、１，８−ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルモルホリン等が挙げられる。好ましくはトリエチルアミンである。
塩基は、化合物（ＶＩＩ）に対して、約１〜２モル当量を用いて反応させればよい。
反応溶媒としては、上記工程を効率よく進行させるものであれば特に制限されない。例えば、アミド系溶媒（例：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン等）、酢酸エステル系溶媒（例：酢酸エチル、酢酸プロピル等）、炭化水素系溶媒（例：トルエン、ベンゼン、ヘキサン等）、エーテル系溶媒（例：シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン等）、ニトリル系溶媒（例：アセトニトリル、プロピオニトリル等）、ハロゲン系溶媒（例、ジクロロメタン、クロロホルム等）、ケトン系溶媒（例：アセトン、メチルエチルケトン等）、ジメチルスルホキシド等から選ばれる１以上を用いることができる。好ましくはアミド系溶媒であり、より好ましくは、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドである。
反応温度は、特に制限されないが通常、約−２０〜１００度、好ましくは約−１０〜０度である。
反応時間は、特に制限されないが、通常、０．５〜２０時間、好ましくは約０．５〜２時間である。
メシルクロライドの使用比率は、化合物（ＶＩＩ）に対して、好ましくは約１〜５モル当量、より好ましくは約１〜１．５モル当量である。メシルクロライドは一気に添加しても滴下により添加してもよい。
得られた化合物（ＶＩＩＩ）は単離せずに、次工程に使用してもよい。
【0013】
（第１工程）化合物（ＶＩ）に、所望により塩基存在下、化合物（ＶＩＩＩ）を反応させることにより化合物（Ｖ）が得られる。
当該反応は、通常のアミド化反応の条件に従って行えばよい。
塩基としては、上記工程を効率よく進行させるものであれば特に制限されない。有機塩基または無機炭酸塩等の無機塩基を用いることができる。好ましくは、有機塩基を用いることができる。例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロウンデセン、１，８−ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルモルホリン等が挙げられる。好ましくはＮ−メチルモルホリンである。
塩基は、化合物（ＶＩＩ）に対して、約１〜５モル当量を用いて反応させればよい。好ましくは、約１〜２モル当量である。
反応溶媒としては、上記工程を効率よく進行させるものであれば特に制限されない。例えば、アミド系溶媒（例：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン等）、酢酸エステル系溶媒（例：酢酸エチル、酢酸プロピル等）、炭化水素系溶媒（例：トルエン、ベンゼン、ヘキサン等）、エーテル系溶媒（例：シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、アニソール等）、ニトリル系溶媒（例：アセトニトリル、プロピオニトリル等）、ハロゲン系溶媒（例、ジクロロメタン、クロロホルム等）、ケトン系溶媒（例：アセトン、メチルエチルケトン等）、ジメチルスルホキシド等から選ばれる１以上を用いることができる。好ましくはアミド系溶媒、酢酸エステル系溶媒またはニトリル系溶媒であり、中でもＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、酢酸エチルまたはアセトニトリルが好ましい。より好ましくは、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとアセトニトリルの混合溶媒である。
反応温度は、特に制限されないが通常、約−２０〜１００度、好ましくは約−１０〜０度である。
反応時間は、特に制限されないが、通常、０．５〜２０時間、好ましくは約０．５〜２時間である。
化合物（ＶＩＩＩ）の使用比率は、化合物（ＶＩ）に対して、好ましくは約０．８〜５モル当量、より好ましくは約０．８〜１．５モル当量である。
得られた化合物（Ｖ）は単離せずに、次工程に使用してもよい。
【0014】
（第２工程）化合物（Ｖ）に過酸を反応させることにより、１−スルホキシドのＳ体である化合物（ＩＶ）が得られる。
反応溶媒としては、上記工程を効率よく進行させるものであれば特に制限されない。例えば、アルコール系溶媒（例：メタノール、エタノール、イソプロパノール等）、アミド系溶媒（例：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン等）、酢酸エステル系溶媒（例：酢酸エチル、酢酸プロピル等）、炭化水素系溶媒（例：トルエン、ベンゼン、ヘキサン等）、エーテル系溶媒（例：シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、アニソール等）、ニトリル系溶媒（例：アセトニトリル、プロピオニトリル等）、ハロゲン系溶媒（例、ジクロロメタン、クロロホルム等）、ケトン系溶媒（例：アセトン、メチルエチルケトン等）、ジメチルスルホキシド、水等から選ばれる１以上を用いることができる。溶媒は、必要に応じて水との２層溶媒や含水溶媒として用いることができる。好ましくはハロゲン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒またはニトリル系溶媒およびアミド系溶媒の混合溶媒である。より好ましくは、ジクロロメタン、アセトニトリル、Ｎ−メチルピロリドンまたはＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドである。さらに好ましくは、アセトニトリル、またはアセトニトリルおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドもしくはＮ−メチルピロリドンの混合溶媒である。該混合溶媒の割合（アセトニトリル：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドまたはＮ−メチルピロリドン）は、好ましくは５：１〜５：５、より好ましくは５：４〜５：５である。溶媒としてアセトニトリルを用いる場合、Ｓ体選択性を向上させることができる。
反応温度は、特に制限されないが好ましくは約−８０〜１０度、より好ましくは約−４０〜０度、さらに好ましくは約−１０〜０度である。反応温度は、Ｓ体の選択性の面からは低い方が好ましいが、例えば、溶媒の選択によって、工業的に制御可能な温度（例：約−１０〜０度）に設定することができる。
反応時間は、特に制限されないが好ましくは約０．５〜１０時間、より好ましくは約１〜３時間である。
【0015】
過酸としては、メタクロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）、過安息香酸、過酢酸、過酸化水素水、モノペルオキシフタル酸マグネシウム６水和物などが挙げられる。好ましくは過酢酸である。また、過酸を加える際に、過酸を必要に応じて溶媒に溶解させ滴下することが好ましい。滴下することで、滴下と同時に化合物（Ｖ）に過酸を反応させることができ、安全に反応熱などをコントロールすることができるので、大量製造時における爆発等の危険を回避できる。過酸の使用比率は、化合物（Ｖ）に対して、好ましくは約１〜２モル当量、より好ましくは約１〜１．２モル当量である。
反応効率や収率の向上のために、必要に応じて、過酸以外の添加剤を添加してもよい。添加剤としては、硝酸、硫酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、２−メチル‐２−ブテン、レゾルシノール、スルファミン酸等が挙げられる。好ましい添加剤としては、硫酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸等が挙げられる。
本反応によって、セフェム骨格の１位がＳ体のスルホキシドに選択的に変換される。Ｓ体の変換率は、好ましくは約８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは約９０％以上、特に好ましくは約９３％以上である。高比率のＳ体として得られた化合物（ＩＶ）は、単離せずに次工程に使用してもよいが、好ましくは塩、溶媒和物またはそれらの結晶として単離される。所望により、このような結晶化等の方法で精製することによって、非常に高純度のＳ体が得られる。
【0016】
結晶化方法（過飽和状態に移行する方法）としては、特に制限されず、例えば、蒸発法（晶析系から晶析溶媒を蒸発する方法）、冷却法（晶析系（又は化合物（ＩＶ）溶液を冷却する方法）、貧溶媒添加法（晶析系に化合物（ＩＶ）の貧溶媒を添加する方法）、種晶添加法（晶析系に化合物（ＩＶ）含有の種晶を添加する方法）などが例示できる。例えば、蒸発法（化合物（ＩＶ）と晶析溶媒とを含む晶析系（又は溶液）から、晶析溶媒を蒸発して過飽和状態にし、この過飽和状態から結晶化する方法）や冷却法（化合物（ＩＶ）と晶析溶媒とを含む晶析系（又は溶液）を冷却して過飽和状態にし、この過飽和状態から結晶化する方法）などから得られた種晶を得た後、化合物（ＩＶ）と晶析溶媒および／または酸に溶解させた溶液に種晶を添加して結晶化する種晶添加法などにより結晶化することができる。
晶析溶媒としては、アルコール系溶媒（例：メタノール、エタノール、イソプロパノール等）、またはアルコール系溶媒と水の混合溶媒を用いることができる。好ましくは、メタノール、エタノール、またはそれらと水の混合溶媒である。用いる溶媒に応じて、対応する溶媒和物の結晶を得ることもできる。得られた溶媒和物は、自然乾燥、通風乾燥または減圧乾燥をすることにより、無溶媒和物に変換することもできる。乾燥温度は、例えば、室温〜加温下、好ましくは２０〜６０度であってもよい。乾燥時間は、例えば、０．５〜４８時間、好ましくは０．５〜２４時間（例えば、２〜１８時間）程度であってもよい。１−スルホキシドのＲ体とＳ体は、各種溶媒に対する溶解度に差があるため、Ｒ体に比べてＳ体の方が結晶化等による１−スルホキシドの単離収率が向上する。また、Ｒ体に比べてＳ体の方が保存安定性等の安定性が高いため、Ｓ体の純度を上げておくことにより中間体としてより長期に安定に保存しておくことが可能となる。また、Ｓ体の非晶質体に比べてＳ体の結晶は、保存安定性、着色安定性等の安定性が高く、分解物の生成も抑制される。
さらに次工程の反応において、１−スルホキシドのＲ体よりもＳ体を使用することによって、化合物（ＩＩＩ）の収率が、好ましくは約１０％以上、向上する。
よって、本発明の１−スルホキシドのＳ体である化合物（ＩＶ）の結晶は、工業的中間体として非常に有用である。
【0017】
（第３工程）化合物（ＩＶ）と化合物（Ｘ）を反応させることにより、化合物（ＩＩＩ）が得られる。化合物（ＩＩＩ）も１−スルホキシドのＳ体である。
反応溶媒としては、上記工程を効率よく進行させるものであれば特に制限されない。アミド系溶媒（例：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン等）、酢酸エステル系溶媒（例：酢酸エチル、酢酸プロピル等）、炭化水素系溶媒（例：トルエン、ベンゼン、ヘキサン等）、エーテル系溶媒（例：シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、アニソール等）、ニトリル系溶媒（例：アセトニトリル、プロピオニトリル等）、ハロゲン系溶媒（例、ジクロロメタン、クロロホルム等）、ケトン系溶媒（例：アセトン、メチルエチルケトン等）、ジメチルスルホキシド等から選ばれる１以上を用いることができる。アミド系溶媒またはエーテル系溶媒が好ましい。中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンまたはテトラヒドロフランが好ましく、さらにＮ−メチルピロリドンが好ましい。
反応温度は、特に制限されないが通常、約０〜１００度、好ましくは約−５〜１５度である。
反応時間は、特に制限されないが通常、約０．５〜３６時間、好ましくは約３〜２４時間である。
【0018】
本反応は、必要に応じて、ハロゲン化アルカリ金属（例えば、沃化アルカリ金属（例：ＮａＩ，ＫＩ等）、臭化アルカリ金属（例：ＮａＢｒ、ＫＢｒ等）など）の存在下に行ってもよい。好ましくは、沃化アルカリ金属である。ハロゲン化アルカリ金属の添加により反応効率が良くなるため、反応時間や使用する試薬の削減や収率の向上が可能となる。ハロゲン化アルカリ金属の使用比率は、化合物（ＩＶ）に対して、好ましくは約１〜５モル当量、より好ましくは約１〜３モル当量である。
本反応は、好ましくは、ホウ酸またはその誘導体であるボロン酸（：Ｒ−Ｂ（ＯＨ）２）； Ｒはアルキル、置換もしくは非置換の炭素環、置換もしくは非置換の複素環等の置換基）の存在下で行うことにより、収率が例えば約５％以上向上する。
該炭素環または複素環は好ましくは３〜１０員環であり、より好ましくは５〜６員環である。該炭素環または複素環は飽和環でも不飽和環であってもよい。該炭素環または複素環の置換基としては、低級アルキル（例：メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル）、ハロ低級アルキル（例：トリフルオロメチル、クロロメチル）、ハロゲン（例：フッ素、塩素）、ヒドロキシ、カルボキシ、アミノ、低級アルコキシ（例：メトキシ、エトキシ、ｔ−ブトキシ）、シアノ、ニトロ、スルファモイル、イミノ、ヒドロキシイミノ、カルバモイル、低級アルキルカルバモイル（例：メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル）、アシル（例：アセチル、ベンゾイル）が例示できる。
ホウ酸またはボロン酸の使用比率は、化合物（ＩＶ）に対して、好ましくは約０．１〜０．４モル当量、より好ましくは約０．１〜０．３モル当量である。
得られた化合物（ＩＩＩ）は、単離せずに次工程に使用してもよい。
【0019】
（第４工程）化合物（ＩＩＩ）を還元することにより、化合物（ＩＩ）が得られる。
反応溶媒としては、上記工程を効率よく進行させるものであれば特に制限されない。アミド系溶媒（例：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン等）、酢酸エステル系溶媒（例：酢酸エチル、酢酸プロピル等）、炭化水素系溶媒（例：トルエン、ベンゼン、ヘキサン等）、エーテル系溶媒（例：シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、アニソール等）、ニトリル系溶媒（例：アセトニトリル、プロピオニトリル等）、ハロゲン系溶媒（例、ジクロロメタン、クロロホルム等）、ケトン系溶媒（例：アセトン、メチルエチルケトン等）等から選ばれる１以上を用いることができる。アミド系溶媒が好ましい。中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドまたはＮ−メチルピロリドンが好ましく、さらにＮ−メチルピロリドンが好ましい。
反応温度は、特に制限されないが、通常約−４０度〜約３０度、好ましくは約−１０〜 １０度である。
反応時間は、特に制限されないが、通常約１〜１０時間、好ましくは約１〜５時間である。
還元剤としては、三塩化リン、三臭化リン、塩化アセチルおよび沃化ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウムならびにヨウ素等が例示されるが、好ましくは三塩化リンまたは三臭化リンである。還元剤は必要に応じて溶媒に溶解させ滴下することが好ましい。滴下することで、滴下と同時に化合物（ＩＩＩ）に過酸を反応させることができ、安全に反応熱などをコントロールすることができるので、大量製造時における爆発等の危険を回避できる。
【0020】
（第５工程）化合物（ＩＩ）の各保護基を除去することにより、化合物（ＩＡ）、その製薬上許容される塩、またはそれらの溶媒和物が得られる。
当該反応は、当業者に周知のアミノ基、ヒドロキシ基またはカルボキシ基の各脱保護反応の条件に準じて行えばよい。各保護基は、順次、脱保護してよいが、好ましくはワンポット反応で単離工程を経ずに順次脱保護を行うか、または１反応ですべての保護基が除去すればよい。
反応溶媒としては、上記工程を効率よく進行させるものであれば特に制限されない。酢酸エステル系溶媒（例：酢酸エチル、酢酸プロピル等）、炭化水素系溶媒（例：トルエン、ベンゼン、ヘキサン等）、エーテル系溶媒（例：シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、アニソール等）、ハロゲン系溶媒（例、ジクロロメタン、クロロホルム等）、ケトン系溶媒（例：アセトン、メチルエチルケトン等）等から選ばれる１以上を用いることができる。溶媒としては、必要に応じて水との２層溶媒や含水溶媒を用いることができる。ケトン系溶媒および／またはエーテル系溶媒が好ましい。中でも、アニソール、メチルエチルケトンが好ましく、さらにアニソールおよびメチルエチルケトンの混合溶媒が好ましい。
反応温度は、特に制限されないが、通常約−１０〜３０度、好ましくは約１０〜２０度である。
反応時間は、特に制限されないが、通常約０．５〜５時間、好ましくは約０．５〜２時間である。
【0021】
脱保護試薬としては、塩酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸などが例示される。好ましくは、硫酸である。上記反応に使用できる保護基（アミノ保護基、ヒドロキシ保護基、カルボキシ保護基など）としては、例えば、Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ、Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎｅ著、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ Ｉｎｃ．（１９９１年）などに記載されている保護基をあげることができる。保護基の導入および脱離は、有機合成化学で常用される方法（例えば、Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ、Ｔ． Ｗ． Ｇｒｅｅｎｅ著、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ Ｉｎｃ．（１９９１年）参照）やそれらに準じて行うことができる。
得られた化合物（ＩＡ）を含む反応液は、当業者周知の方法に従って後処理や精製を行えばよい。好ましくは、化合物（ＩＡ）を含む粗製物に移動相（例えば、アセトニトリル‐水など、所望によりギ酸、酢酸、塩酸、硫酸などの酸を添加していてもよい）を用いてカラム処理することで得られる化合物（ＩＡ）を含む溶出液から、所望により、濃縮、結晶化などを行うことにより、酸付加塩（例：塩酸塩、硫酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸塩、またはこれらの混合酸塩）を単離してもよい。該酸付加塩は水和物等の結晶であってもよい。また該酸付加塩を塩交換反応によってアルカリ金属塩（例：ナトリウム塩）に変換してもよい。すなわち、例えば、化合物（ＩＡ）の酸付加塩またはその水和物を含有する溶液に水酸化ナトリウム水溶液または重曹等のＮａソースを加え、ｐＨを約５〜６．５に調節し、減圧濃縮および／または凍結乾燥することにより、化合物（ＩＡ）のナトリウム塩を得ることができる。
【0022】
製薬上許容される塩としては、例えば、酸付加塩または金属塩などが挙げられる。酸付加塩の該酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、マレイン酸、クエン酸、酒石酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸またはこれらの酸から選択される２種の混合酸などが挙げられる。金属塩としては、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩、カルシウム塩、マグネシウム塩などが挙げられる。溶媒和物としては、水和物、アセトニトリル和物などが例示される。
【0023】
アミノ保護基としては、β‐ラクタム系抗菌剤の分野で一般に使用され得る種々のアミノ保護基が使用できる。その具体例としては、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ベンジルオキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、アリル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンズヒドリル基、トリチル基等が例示される。Ｒ１は好ましくはｔ−ブトキシカルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基であり、より好ましくはｔ−ブトキシカルボニル基である。【0024】
ヒドロキシ保護基としては、β‐ラクタム系抗菌剤の分野で一般に使用され得る種々のヒドロキシ保護基が使用できる。その具体例としては、ベンジル基、ｐ−メトキシフェニルベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、アセチル基、ホルミル基、ベンゾイル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、メチルカーボネート基、イソブチルカーボネート基、ベンジルカーボネート基、ビニルカーボネート基、フェニルカーボネート基、メシル基、トシル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、２−（トリメチルシリル）エトキリメチル基、プロペニル基、フェナシル基、テトラヒドロピラニル基、プレニル基等が例示される。Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ独立して好ましくはｐ−メトキシベンジル基またはプレニル基であり、より好ましくは、ｐ−メトキシベンジル基である。【0025】
カルボキシ保護基としては、β‐ラクタム系抗菌剤の分野で一般に使用され得る種々のカルボキシ保護基が使用できる。その具体例としては、低級アルキル（例：メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル）、低級アルカノイルオキシ（低級）アルキル、（例：アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、バレリルオキシメチル、ピバロイルオキシメチル、ヘキサノイルオキシメチル）、低級アルカンスルホニルオキシ（低級）アルキル（例：２−メシルエチル）、モノ（またはジまたはトリ）ハロ（低級）アルキル（例：２−ヨードエチル、２，２，２−トリクロロエチル）、低級アルコキシカルボニルオキシ（低級）アルキル（例：メトキシカルボニルオキシメチル、エトキシカルボニルオキシメチル、プロポキシカルボニルオキシメチル、ｔ−ブトキシカルボニルオキシメチル、１−（または２−）メトキシカルボニルオキシエチル）、低級アルケニル（例：ビニル、アリル）、低級アルキニル（例：エチニル、プロピニル）、（置換）アリール（低級）アルキル（例：ベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ｐ−ニトロベンジル、フェネチル、トリチル、ベンズヒドリル、ビス（メトキシフェニル）メチル、３，４−ジメトキシベンジル、４−ヒドロキシ‐３，５−ジｔ−ブチルベンジル）、（置換）アリール（例：フェニル、ｐ−クロロフェニル、トリル、ｔ−ブチルフェニル、キシリル）が例示される。Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立して好ましくはｔ−ブチル基、ｐ−メトキシベンジル基、ベンズヒドリル基である。より好ましくは、Ｒ２はｔ−ブチル基、Ｒ３はｐ−メトキシベンジル基、ベンズヒドリル基であり、さらに好ましくは、Ｒ３はｐ−メトキシベンジル基である。【0026】
さらに本発明は、Ｒ１＝ｔ−ブトキシカルボニル、Ｒ２＝ｔ−ブチル、Ｒ３＝ｐ−メトキシベンジルである化合物（ＩＶ）の結晶を提供する。該結晶は、好ましくはメタノール和物、メタノール‐水和物、水和物または無溶媒和物である。該結晶は、好ましくは、以下に示す粉末Ｘ線パターンを示す。回折角度（２θ）：４．３±０．２°、１０．９±０．２°、１２．７±０．２°、１４．５±０．２°、１６．２±０．２°、１８．０±０．２°、１８．３±０．２°、２１．２±０．２°、２５．６±０．２°および２６．５±０．２°から選択される少なくとも３本のピークを有する。
好ましくは、回折角度（２θ）：４．３±０．２°、１０．９±０．２°、１４．５±０．２°、１８．３±０．２°および２１．２±０．２°から選択される少なくとも３本のピークである。
上記パターンを示す結晶は、好ましくはメタノール和物である。
または、回折角度（２θ）：４．８±０．２°、１４．１±０．２°、１４．４±０．２°、１４．９±０．２°、１６．０±０．２°、１７．１±０．２°、１７．６±０．２°、２０．５±０．２°、２５．２±０．２°および３３．１±０．２°から選択される少なくとも３本のピークを有する。
好ましくは、回折角度（２θ）：４．８±０．２°、１４．４±０．２°、１４．９±０．２°、１６．０±０．２°および２０．５±０．２°から選択される少なくとも３本のピークである。
上記パターンを示す結晶は、好ましくは無溶媒和物である。
【0027】
以下に本発明の結晶を特定する方法につき説明する。特に言及がなければ、本明細書中および特許請求の範囲の記載の数値は、おおよその値である。数値の変動は、装置キャリブレーション、装置エラー、物質の純度、結晶サイズ、サンプルサイズ、その他の因子に起因する。
【0028】
一般に、粉末Ｘ線回折における回折角度（２θ）は±０．２°の範囲内で誤差が生じ得るため、上記の回折角度の値は±０．２°程度の範囲内の数値も含むものとして理解される必要がある。したがって、粉末Ｘ線回折におけるピークの回折角度が完全に一致する結晶だけでなく、ピークの回折角度が±０．２°程度の誤差で一致する結晶も本発明に含まれる。【0029】
一般に、後述の表及び図において表示されるピークの絶対強度、及び相対強度は、多くの因子、例えばＸ線ビームに対する結晶の選択配向の効果、粗大粒子の影響、分析される物質の純度又はサンプルの結晶化度によって変動し得ることが知られている。また、ピーク位置についても、サンプル高の変動に基づいてシフトし得る。さらに、異なる波長を使用して測定するとブラッグ式（ｎλ＝２ｄｓｉｎθ）に従って異なるシフトが得られるが、このような別の波長の使用により得られる別のＸＲＰＤパターンも、本発明の範囲に含まれる。本明細書中で用いる特徴的な回折ピークは、観察された回折パターンから選択されるピークである。複数の結晶を区別する上では、ピークの大きさよりも、その結晶に見られ、他の結晶で見られないピークが、その結晶を特定する上で好ましい特徴的なピークとなる。そういった特徴的なピークであれば、一つ又は二つのピークでも、当該結晶を特徴付けることができる。
【0030】
なお、本明細書中、回折ピークは、１つの鋭いピーク（シングレット形）であってもよく、１つのなだらかなピーク（ブロード形）であってもよく、２〜５つ程度の多重ピーク（タブレット形、トリプレット形、カルテット形、クインテット形）などのマルチプレット形）であっても良いが、通常、１つの鋭いピークである場合が多い。【実施例】
【0031】
本発明を以下の実施例によりさらに詳しく説明する。これらは本発明を限定するものではない。数値（例えば、量、温度など）に関して正確性を保証する努力をしているが、いくらかの誤差および偏差は考慮されるべきである。特に示さなければ、％は成分の重量％および組成物の全重量の重量％であり、当量は成分のモル当量を意味する。圧力は大気圧かまたはそれに近い圧力である。本明細書で使用する他の略語は以下のように定義される。（略号）：
Ｂｏｃ：ｔ−ブトキシカルボニル
ＤＭＡ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＤＭＦ：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン
ＰＭＢ：ｐ−メトキシベンジル
【0032】
実施例で得られたＮＭＲ分析は３００ＭＨｚ若しくは４００ＭＨｚで行い、ＤＭＳＯ−ｄ６、ＣＤＣｌ３等を用いて測定した。【0033】
（粉末Ｘ線回折パターンの測定）各実施例で得られた結晶の粉末Ｘ線回折測定は、日本薬局方の一般試験法に記載された粉末Ｘ線回折測定法に従い、以下の測定条件で行った。なお、試料フォルダとしてアルミ板を用いている。２−Ｔｈｅｔａ （２θ）値が３８°付近にあらわれているピークは、アルミのピークである。
（装置）
Ｒｉｇａｋｕ社製ＲＩＮＴ ＴＴＲ ＩＩＩ
（操作方法）
測定法：反射法，平行ビーム法
光源の種類：Ｃｕ管球
使用波長：ＣｕＫα線
管電流：３００ｍＡ
管電圧：５０Ｋｖ
Ｘ線の入射角（２θ）：４°〜４０°
サンプリング幅：０．０２°
スキャンスピード：５°/min
【実施例1】
【0034】
＜化合物４の合成＞【化25】
工程１：化合物１０の合成
窒素雰囲気下、化合物９（２５．０ｋｇ、１６４．３ｍｏｌ）をメタノール（１２５Ｌ）に溶解し、−７℃に冷却した。次亜塩素酸ナトリウム水溶液（１１〜１２％）（１３５L、２６１．１ｍｏｌ）を−7℃で２時間３０分かけて滴下し、−7℃で３時間撹拌した。反応液を硫酸水とメタノールの混合液に４０℃で加え、１時間３０分撹拌し、析出した固体をろ取することにより未乾の固体を得た。未乾の固体をメタノール−水で再結晶し、乾燥することで化合物１０（４６．０kg、含量５７．３％、収率８６．１％）を得た。
【0035】
工程２：化合物１１の合成窒素雰囲気下、化合物１０（含量換算２６．０kg、１３９．３ｍｏｌ）をＤＭＡ（１３０Ｌ）に溶解し、ピリジン（３０．９ｋｇ、３９１．２ｍｏｌ）を加えて５０℃に加熱した。塩化アルミニウム（２６．０ｋｇ、１９５．０ｍｏｌ）のアニソール（７８Ｌ）溶液を５３℃で２時間かけて滴下し、５３℃で２時間撹拌した。反応液に希塩酸とテトラヒドロフランを加え抽出し、水層をテトラヒドロフランで抽出した。有機層を合併し、減圧濃縮した。分離した水層を分液し除去することで化合物１１（１３２．０ｋｇ、含量１７．２％、収率９４．４％）を得た。
工程３：化合物１２の合成
窒素雰囲気下、化合物１１（含量換算１２．０ｋｇ、６９．５ｍｏｌ）にｐ−メトキシベンジルクロライド（２３．０ｋｇ、１４７．１ｍｏｌ）を加えた。この溶液を炭酸カリウム（２２．１ｋｇ、１５９．８ｍｏｌ）、ヨウ化ナトリウム（０．５１６ｋｇ、３．４ｍｏｌ）、ｐ−メトキシベンジルクロライド（１．１ｋｇ、６．８ｍｏｌ）のＤＭＦ（４７Ｌ）の懸濁液に４０℃で加え、４０℃で２時間３０分撹拌した。２０℃に冷却し、水とテトラヒドロフランを加えて抽出し、水層をテトラヒドロフランで抽出した。有機層を合併し、食塩水で２回洗浄した後、減圧濃縮した。イソプロピルアルコールを加え、減圧濃縮し固体を析出させた後、５℃に冷却し、ろ取することで化合物１２（２５．０ｋｇ、収率８６．９％）を得た。
【0036】
工程４：化合物１３の合成窒素雰囲気下、化合物１２（３２．０ｋｇ、７７．５ｍｏｌ）をＤＭＦ（３２０Ｌ）に溶解し、リン酸二水素ナトリウム二水和物（３．０ｋｇ、１９．３ｍｏｌ）と３５％過酸化水素水（９．１ｋｇ、９３．９ｍｏｌ）を２７℃で加えた。２０℃に冷却し、次亜塩素酸ナトリウム（１０．５ｋｇ、１１６．４ｍｏｌ）水溶液を２０℃で１時間４５分かけて滴下し、２時間２５分撹拌した。３０℃に昇温し、水および希塩酸を加え、３０℃で１時間２５分撹拌した。析出した固体をろ取することで化合物１３（３２．８ｋｇ、収率９７．６％）を得た。
1H NMR (DMSO-d6) δ : 3.74 (s, 3 H) 3.78 (s, 3 H) 4.88 (s, 2 H) 5.17 (s, 2 H) 6.86 (d, J=8.59 Hz, 2 H) 6.99 (m, J=8.59 Hz, 2 H) 7.21 - 7.34 (m, 3 H) 7.44 (m, J=8.59 Hz, 2 H) 7.61 (d, J=8.59 Hz, 1 H) 13.00 (br. s., 1 H)
【0037】
工程５：化合物４の合成窒素雰囲気下、化合物１３（３２．０ｋｇ、７４．６ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（１６０Ｌ）に懸濁させ、２７℃でトリエチルアミン（１２．２ｋｇ、１２０．２ｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、溶解させた。この溶液を塩化メタンスルホニル（１１．２ｋｇ、９７．８ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液に−１０℃で、４時間かけて滴下し、２０分撹拌した。この反応液を化合物１４（１０．２ｋｇ、８９．７ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液に、−５℃で２時間かけて滴下し、２時間撹拌した。水を加えて抽出し、有機層にアセトン（６４Ｌ）を加えた後、１０％水酸化ナトリウム水溶液（５．９２ｋｇ）を加えてｐＨを１０．０とした。３０℃で水を加えて、固体を析出させた後、３０℃で７５分撹拌した。５℃に冷却し、３０分撹拌した後、析出した固体をろ取することで化合物４（３５．２ｋｇ、収率８９．９％）を得た。
1H NMR（CDCl3）δ： 1.76 (br. s., 4 H) 2.54 (br. s., 4 H) 2.69 (t, J=6.06 Hz, 2 H) 3.54 (q, J=5.81 Hz, 2 H) 3.79 (s, 3 H) 3.82 (s, 3 H) 4.95 (s, 2 H) 5.07 (s, 2 H) 6.83 (d, J=7.83 Hz, 2 H) 6.92 (dd, J=8.46, 4.67 Hz, 4 H) 7.34 (d, J=7.33 Hz, 4 H) 7.42 (d, J=8.59 Hz, 1 H)
【実施例2】
【0038】
第１工程【化26】
工程１
窒素雰囲気下、化合物２（２５４．３ｇ、５９２ｍｍｏｌ）をＤＭＡ（６００ｍＬ）に溶解し、−５℃に冷却した。塩化メタンスルホニル（６７．８３ｇ、５９２ｍｍｏｌ）を加え、トリエチルアミン（５９．９２ｇ、５９２ｍｏｌ）を−５℃で２５分かけて滴下し、−５℃で６０分撹拌した。これを化合物１（２００．０ｇ、４９３ｍｍｏｌ）の酢酸エチル（１Ｌ）の懸濁液に加え、Ｎ−メチルモルホリン（９９．８３ｇ、９８７ｍｍｏｌ）を−５℃で２０分かけて滴下し、−５℃で６０分撹拌した。
反応液を酢酸エチルと希塩酸の混合液に加え、抽出した。有機層を水、炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣にｎ−ヘプタンを加え固体を析出させた後、ろ取することにより化合物６（３７３．１ｇ、収率９７．０％）を得た。
1H-NMR（CDCl3）δ： 1.41 (s, 9 H) 1.53 (s, 9 H) 1.59 (s, 3 H) 1.62 (s, 3 H) 3.47 (d, J=18.19 Hz, 1 H) 3.64 (d, J=18.19 Hz, 1 H) 3.81 (s, 3 H) 4.45 (d, J=11.87 Hz, 1 H) 4.54 (d, J=11.87 Hz, 1 H) 5.05 (d, J=5.05 Hz, 1 H) 5.17 - 5.29 (m, 2 H) 6.00 (dd, J=8.84, 5.05 Hz, 1 H) 6.90 (d, J=7.93 Hz, 2 H) 7.26 - 7.37 (m, 3 H) 8.21 (d, J=8.84 Hz, 1 H)
【実施例3】
【0039】
第２工程＜化合物３の無溶媒和物の種晶Ａ合成＞
【化27】
工程１：化合物３の無溶媒和物の種晶Ａ合成
窒素雰囲気下、化合物６（１２０．００ｇ、１５４ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（６００ｍＬ）に溶解し、−２０℃に冷却した。３９％過酢酸（２９．９９ｇ、１５４ｍｍｏｌ）を５０分かけて滴下し、−２０℃で３０分撹拌した。反応液を亜硫酸水素ナトリウム水溶液に加え、抽出した。有機層を水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣にエタノールを加え結晶を析出させた後０℃に冷却し、結晶をろ取し、風乾することにより化合物３の無溶媒和物の種晶Ａ（９２．１０ｇ、収率７５．２％）を得た。
1H-NMR（CDCl3）δ：1.41 (s, 9 H) 1.52 (s, 9 H) 1.58 (d, J=6.06 Hz, 6 H) 3.42 (d, J=18.69 Hz, 1 H) 3.78 - 3.86 (m, 4 H) 4.23 (d, J=12.63 Hz, 1 H) 4.58 (d, J=3.79 Hz, 1 H) 5.01 (d, J=12.38 Hz, 1 H) 5.21 - 5.32 (m, 2 H) 6.20 (dd, J=9.85, 4.80 Hz, 1 H) 6.91 (d, J=8.59 Hz, 2 H) 7.25 - 7.30 (m, 1 H) 7.36 (d, J=8.59 Hz, 2 H) 7.88 (d, J=9.85 Hz, 1 H) 8.23 - 8.66 (m, 1 H)
【0040】
第１工程および第２工程＜化合物３のメタノール和物結晶および無溶媒和物結晶の合成＞
【化28】
窒素雰囲気下、化合物２（５．８３ｇ、１３．６ｍｍｏｌ）をＤＭＡ（１５ｍＬ）に溶解し、−５℃に冷却した。塩化メタンスルホニル（１．７０ｇ、１４．８ｍｍｏｌ）を加え、トリエチルアミン（１．７５ｇ、１７．３ｍｍｏｌ）を−５℃で９０分かけて滴下し、−５℃で５分撹拌した。これを化合物１（５．００ｇ、１２．３ｍｍｏｌ）のＤＭＡ（５ｍＬ）とアセトニトリル（２２．５ｍＬ）の懸濁液に加え、Ｎ−メチルモルホリン（２．５０ｇ、２４．７ｍｍｏｌ）を−５℃で９０分かけて滴下し、−５℃で３０分撹拌した。アセトニトリル（２．５ｍＬ）、７５％精硫酸（０．８１ｇ）、３，５−ジヒドロキシ安息香酸（０．５０ｇ）加え、３９％過酢酸（２．４１ｇ、１２．４ｍｍｏｌ）を−５℃で９０分かけて滴下し、−５℃で３０分撹拌した。
反応液をメチルエチルケトンと亜硫酸水素ナトリウムおよび食塩の水溶液の混合液に加え、抽出した。有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液とアンモニア水の混合液で洗浄した後、食塩水で洗浄した。溶媒を減圧濃縮し、得られた残渣にメタノールを加え、種晶Ａ（５．１ｍｇ）を加え、結晶を析出させた後、メタノール−水を加え、−１０℃に冷却し、ろ取することにより化合物３のメタノール和物の結晶を得た。この結晶を終夜で風乾し，５０℃で２時間減圧乾燥することにより化合物３の無溶媒和物の結晶（８．３４ｇ、収率８５％）を得た。水分量は、カール・フィッシャー法の容量滴定より測定を行った。ただし，滴定剤として三菱化学製アクアミクロン（登録商標）滴定剤SS-Z3mgを用いた。
1H NMR (CDCl3) δ : 1.36 - 1.48 (m, 9 H) 1.48 - 1.62 (m, 15 H) 3.42 (d, J=18.45 Hz, 1 H) 3.78 - 3.87 (m, 4 H) 4.23 (d, J=12.42 Hz, 1 H) 4.59 (d, J=4.77 Hz, 1 H) 5.01 (d, J=12.42 Hz, 1 H) 5.18 - 5.36 (m, 2 H) 6.20 (dd, J=9.72, 4.83 Hz, 1 H) 6.91 (m, J=8.28 Hz, 2 H) 7.26 - 7.31 (m, 1 H) 7.36 (m, J=8.41 Hz, 2 H) 7.90 (d, J=9.79 Hz, 1 H) 8.47 (br. s., 1 H)
水分量（ＫＦ法）：0.6131%
【0041】
得られた化合物３のメタノール和物結晶の粉末Ｘ線回折の結果を図１および表１に示す。【表1】
【0042】
特徴的な回折ピークを示す回折角度２θは、４．３±０．２°、１０．９±０．２°、１２．７±０．２°、１４．５±０．２°、１６．２±０．２°、１８．０±０．２°、１８．３±０．２°、２１．２±０．２°、２５．６±０．２°および２６．５±０．２°である。好ましくは、４．３±０．２°、１０．９±０．２°、１４．５±０．２°、１８．３±０．２°および２１．２±０．２°である。【0043】
得られた化合物３の無溶媒和物の結晶の粉末Ｘ線回折の結果を図２および表２に示す。【表2】
【0044】
特徴的な回折ピークを示す回折角度２θは、４．８±０．２°、１４．１±０．２°、１４．４±０．２°、１４．９±０．２°、１６．０±０．２°、１７．１±０．２°、１７．６±０．２°、２０．５±０．２°、２５．２±０．２°および３３．１±０．２°である。好ましくは、４．８±０．２°、１４．４±０．２°、１４．９±０．２°、１６．０±０．２°および２０．５±０．２°である。【実施例4】
【0045】
第３工程【化29】
工程１ 化合物７の合成
窒素雰囲気下、ホウ酸（４６．０ ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）、ヨウ化ナトリウム（１．１３ｇ、７．５３ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（６ｍＬ）に溶解し、０℃に冷却した。化合物３（２．００ｇ、２．５１ｍｍｏｌ）、化合物４（１．４５ｇ、２．７６ｍｍｏｌ）を加え、０℃で６時間撹拌、７℃で１７時間静置した。
メチルエチルケトンと亜硫酸水素ナトリウム水溶液の混合液に加え、抽出した。有機層を硫酸と５％食塩水の混合液で２回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、得られた残渣をＯＤＳカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル−硫酸）で精製して化合物７（２．６０ｇ、収率７３．２％）を得た。
1H NMR (DMSO-D6) δ： 1.38(s, 9 H) 1.47(s, 9 H) 1.48(s, 3 H) 1.49(s, 3 H) 1.91 - 2.07 (m, 4 H) 3.40 - 3.67 (m, 8 H) 3.75 (s, 3 H) 3.76 (s, 3 H) 3.77 (s, 3 H) 4.13 (d, J=20.01 Hz, 1 H) 4.33 (d, J=20.01 Hz, 1 H) 4.34 (d, J=12.00 Hz, 1 H) 4.71 (d, J=12.00 Hz, 1 H) 4.90 (s, 2 H) 5.17 (s, 2 H) 5.23 (d, J=4.00 Hz, 1 H) 5.28 (d, J=12.00 Hz, 1 H) 5.39 (d, J=12.00 Hz, 1 H) 6.16 (dd, J=8.00, 4.00 Hz, 1 H) 6.86 - 6.99 (m, 6 H) 7.23 - 7.45 (m, 9 H) 8.65 (d, J=8.00 Hz, 1 H) 8.75 (t, J=4.00 Hz, 1 H) 11.81 (br. s., 1 H)
【実施例5】
【0046】
工程１：種晶Ｂの合成 化合物（ＩＡ）は国際公開第２０１０／０５０４６８号に記載の方法に従って調製した。化合物（ＩＡ）(100mg)を1.0 mol/Lのｐ−トルエンスルホン酸水溶液（2mL）に室温で超音波を用いて溶解し、４℃で４日間静置した。析出物をろ過して種晶Ｂ（73mg）を得た。顕微鏡により、針状結晶であることを確認した。
工程２：種晶Ｃ
種晶Ｂ（５０ｍｇ）を室温で６ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４（３ｍＬ）に超音波浴上で溶解させ、４℃で２日間静置する。析出した結晶性固体をろ過後、氷冷水で洗浄して種晶Ｃ(23mg)を得た。
【0047】
＜化合物（ＩＡ）の合成＞【化30】
工程３：化合物３の合成
窒素雰囲気下、化合物２（３５．０ｋｇ、８１．４２ｍｏｌ）をＤＭＡ（９０Ｌ）に溶解し、−５℃に冷却した。塩化メタンスルホニル（１０．２ｋｇ、８８．８２ｍｏｌ）を加え、トリエチルアミン（１０．５ｋｇ、１０３．６３ｍｍｏｌ）を−５℃で８０分かけて滴下し、−５℃で３０分撹拌した。これを化合物１（３０．００ｋｇ、７４．０２ｍｏｌ）のアセトニトリル（１２０Ｌ）とＤＭＡ（３０Ｌ）の懸濁液に加え、Ｎ−メチルモルホリン（１５．０ｋｇ、１４８．０４ｍｍｏｌ）を−５℃で７０分かけて滴下し、−５℃で６０分撹拌した。アセトニトリル（１５Ｌ）、７５％精硫酸（４．８ｋｇ）、３，５−ジヒドロキシ安息香酸（３．００ｋｇ）加え、過酢酸（３９．８％）（１４．１４ｋｇ、７４．０２ｍｏｌ）を−５℃で７０分かけて滴下し、−５℃で１４０分撹拌した。 反応液をメチルエチルケトンと亜硫酸水素ナトリウムおよび食塩の水溶液の混合液に加え、抽出した。有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液とアンモニア水の混合液で洗浄した後、食塩水で洗浄した。７５％精硫酸を加え、溶媒を減圧濃縮し、得られた残渣にメタノールを加え、種晶Ａ（３０ｇ）を加え、結晶を析出させた後、メタノール−水を加え、−１０℃に冷却し、ろ過、冷メタノール−水で結晶を洗浄、減圧乾燥することにより化合物３（収量５３．３２ｋｇ、収率９０．５％）を得た（（Ｒ）：（Ｓ）=１．３０：９５．７３）。
【0048】
工程４：化合物（ＩＡ）の合成窒素雰囲気下、ホウ酸（０．４ｋｇ、６．７８ｍｏｌ）をＮＭＰ（５０Ｌ）に溶解し、ヨウ化ナトリウム（１０．２ｋｇ、６７．８０ｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。化合物３（１８．０ｋｇ、２２．６０ｍｏｌ）、化合物４（１３．１ｋｇ、２４．８６ｍｏｌ）を加え、０℃で６時間撹拌した。７℃に昇温し、１６時間撹拌した後、反応液をＨＰＬＣで化合物７の生成を確認した。反応液にＮＭＰ（１８Ｌ）を加え、０℃に冷却した後、三塩化リン（４．０ｋｇ、２９．３８ｍｏｌ）を０℃で６０分かけて滴下し、０℃で３時間撹拌した後、反応液をＨＰＬＣで化合物８の生成を確認した。
反応液にアニソール（３６Ｌ）を加え、この液をメチルエチルケトンおよび亜硫酸水素ナトリウム水溶液の混合液に加え、抽出した。有機層を硫酸と食塩水の混合液で２回洗浄した。アニソール（１８０Ｌ）を加え、−５℃に冷却し７５％精硫酸（７２．０ｋｇ）を加え、１５℃で９０分撹拌した後、反応液をＨＰＬＣで化合物（ＩＡ）の生成を確認した。水（９０Ｌ）とメチルエチルケトン（５４Ｌ）を加え、抽出した。水層をメチルイソブチルケトンで洗浄した後、クロマト分離用小粒径合成吸着剤（ダイヤイオンTMＨＰ２０ＳＳ）を用いた逆層カラムクロマトグラフィー（アセトニトリル−硫酸水溶液）により精製した。得られた溶出液に７５％精硫酸（３３．３ｋｇ）とｐ−トルエンスルホン酸一水和物（１６．７ｋｇ）の水溶液を加えた後、種晶Ｃ（１８０ｇ）を加え、結晶を析出させた。５℃に冷却し、５℃で１０時間撹拌し、析出した結晶をろ過した。その結晶を５℃に冷やした硫酸水で洗浄して化合物（ＩＡ）のｐ−トルエンスルホン酸および硫酸の混合酸塩の水和物結晶（１６．６８ｋｇ、含量換算収率６３．７％）を得た。
1H-NMR（DMSO-d6）δ：1.48 (d, J=6.02 Hz, 6 H) 1.80 - 2.20 (m, 5 H) 2.29 (s, 4 H) 3.21 - 3.85 (m, 9 H) 3.99 (d, J=17.07 Hz, 1 H) 4.29 (d, J=14.18 Hz, 1 H) 4.65 (d, J=14.18 Hz, 1 H) 5.32 (d, J=5.14 Hz, 1 H) 5.96 (dd, J=8.22, 5.08 Hz, 1 H) 6.74 - 6.83 (m, 3 H) 7.11 (m, J=7.91 Hz, 2 H) 7.48 (m, J=8.03 Hz, 2 H) 8.47 (t, J=5.40 Hz, 1 H) 9.59 (d, J=8.28 Hz, 1 H) 10.12 (Br s, 1 H)
水分量測定はカール・フィッシャー法により測定した。測定方法は、日本薬局方 一般試験法 水分（電量滴定）より試験を行った。ただし、陽極液として三菱化学製アクアミクロン（登録商標）AX，陰極液としてアクアミクロン（登録商標）CXUを用いた。カール・フィッシャー法による水分測定は±０．３％の範囲内で誤差が生じ得るので、水分含量の値は±０．３％程度の範囲内の数値も含むものとして理解される必要がある。
【0049】
得られた結晶のｐ−トルエンスルホン酸および硫酸の含有量は以下の方法により定量した。（ｐ−トルエンスルホン酸含有量測定方法）
工程１：試料溶液の調製
試料約４０ ｍｇを精密に量り、試料希釈溶媒に溶かし、正確に25 mLとした。この液2 mLを正確に量り、試料希釈溶媒を加えて正確に20 mLとした。
工程２：標準溶液の調製
25 ℃/60%RHの環境で恒湿化したｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム標準品 約25 mgを精密に量り、試料希釈溶媒に溶かし、正確に100 mLとした。この液5 mLを正確に量り、試料希釈溶媒を加えて正確に50 mLとした。
上記の試料希釈溶媒は5 mmol/Lリン酸塩緩衝液：液体クロマトグラフィー用アセトニトリル混液 (9：1)を用いた。ここでリン酸塩緩衝液は 水：0.05 mol/Lリン酸二水素ナトリウム試液：0.05 mol/Lリン酸水素二ナトリウム試液混液 ＝18：1：1 (pHが約7.1)を用いた。
工程３：測定および定量
上記試料溶液および標準溶液を下記試験条件で液体クロマトグラフィーにより測定を行い、p-トルエンスルホン酸のピーク面積を自動積分法により測定した。なお、脱水物換算とは、全量から水分含量を除いたものを１００％として計算した値である。
（試験条件）
カラム：Unison UK-C18, φ4.6 × 150 mm, 3 μm，Imtakt製
カラム温度：35 ℃付近の一定温度
流量：毎分1.0 mL (p-トルエンスルホン酸の保持時間 約7分)
検出器：紫外吸光光度計 (測定波長：218 nm)
移動相A：0.1%トリフルオロ酢酸溶液
移動相B：液体クロマトグラフィー用アセトニトリル
グラジエントプログラム
以下の計算式を用いて、試料中のp-トルエンスルホン酸の含有量を求めた。
p-トルエンスルホン酸の量 (%)
MT：試料の秤取量 (mg)
P：ｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム標準品の純度 (%)
WT：試料の水分 (%)
AT：試料溶液から得られるp-トルエンスルホン酸のピーク面積
AS：標準溶液から得られるp-トルエンスルホン酸のピーク面積
172.20：p-トルエンスルホン酸の分子量
194.18：p-トルエンスルホン酸ナトリウムの分子量
【0050】
（硫酸含有量測定方法）工程１：標準溶液の調製
無水硫酸ナトリウム 約50 mgを精密に量り、移動相に溶かし正確に25 mLとした。この液2 mLを正確に量り，移動相を加えて正確に50 mLとした。さらにこの液2 mLを正確に量り、移動相を加えて正確に20 mLとした。
工程２：試料溶液の調製
試料 約30 mgを精密に量り、移動相に溶かし正確に25 mLとした。この液2 mLを正確に量り、移動相を加えて正確に20 mLとした。
工程３：測定および定量
上記試料溶液および標準溶液を下記試験条件で液体クロマトグラフィー（イオンクロマトグラフィー）により測定を行い、硫酸イオンのピーク面積を自動積分法により測定した。（試験条件）
カラム：Shim-pack IC-A3，φ4.6×150 mm，5 μm，島津製作所
カラム温度：40 ℃付近の一定温度
流量：毎分1.2 mL (硫酸イオンの保持時間 約15分)
検出器：電気伝導度検出器 (ノンサプレッサ方式)
移動相：Bis-Tris 約0.67 g，ホウ酸 約3.09 g，及び粉砕したp-ヒドロキシ安息香酸 約1.11 gを精密に量り、水に溶かし正確に1000 mLとした溶液
以下の計算式を用いて、試料中の硫酸の含有量を求めた。
硫酸の量 (%) = MS / MT × 100 / (100-WT) × AT / AS × 98.08 / 142.04 × 1 / 25 × 100
MS：無水硫酸ナトリウムの秤取量 (mg)
MT：試料の秤取量 (mg)
WT：試料の水分 (%)
AS：標準溶液から得られる硫酸イオンのピーク面積
AT：試料溶液から得られる硫酸イオンのピーク面積
98.08：硫酸の分子量
142.04：無水硫酸ナトリウムの分子量
1 / 25：希釈倍率
（結果）
水分量（ＫＦ法）：１３．３％
ｐ−トルエンスルホン酸：２１．５±０．２％（脱水物換算）
硫酸：４．９±０．１％（脱水物換算）
【実施例6】
【0051】
第４工程【化31】
工程１ 化合物10の合成
窒素雰囲気下、化合物９（１．００ｇ、０．７６ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（４ｍＬ）に溶解し、０℃に冷却した。三塩化リン（０．１４ｇ、１．０２ｍｏｌ）を1時間かけて滴下し、０℃で２時間撹拌した。
酢酸エチルと塩化ナトリウム水溶液の混合液に加え、抽出した。有機層を５％食塩，０．７５％硫酸水で２回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧留去して化合物１０（０．９７ｇ、収率９８．２％）を得た。
1H NMR (400 MHz, CHLOROFORM-d) δ ： 1.38 - 1.42 (m, 9 H) 1.51 (s, 9 H) 1.57 (s, 3 H) 1.60 (s, 3 H) 1.92 - 2.04 (m, 4 H) 2.33 - 2.43 (m, 2 H) 2.84 (s, 2 H) 3.35 - 3.47 (m, 3 H) 3.76 - 3.80 (m, 7 H) 3.82 (s, 3 H) 3.87 (d, J=5.90 Hz, 2 H) 3.99 (d, J=17.94 Hz, 1 H) 4.61 (d, J=13.68 Hz, 1 H) 4.91 (s, 2 H) 4.95 (d, J=13.55 Hz, 1 H) 5.03 (s, 2 H) 5.14 - 5.21 (m, 1 H) 5.22 - 5.30 (m, 2 H) 5.95 (dd, J=8.60, 5.21 Hz, 1 H) 6.81 (d, J=7.79 Hz, 2 H) 6.86 - 6.94 (m, 5 H) 7.27 - 7.38 (m, 8 H) 8.29 (d, J=8.66 Hz, 1 H) 8.70 (s, 1 H)