技術分野
反射電極を有した発光素子
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
発明者らの検討によると、たとえ絶縁膜によって反射電極が封止されていても、高温、高電流で使用するとAgがマイグレーションを起こし、反射電極内にボイドが生じてしまうことがわかった。このボイドは反射電極の反射率を低下させ、発光素子の光量を低下させてしまう。また、電流リークなどの原因にもなる。
また、反射電極の反射率を向上させるためには、Agをなるべく厚くする必要がある。しかし、Agを厚くするとマイグレーションを起こしやすくなり、特許文献1の構造を採用しても、Agが厚い場合にはマイグレーションの抑制効果が十分でなかった。
そこで本発明は、マイグレーションが抑制された反射電極を実現することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、p層と、p層上に設けられた透明電極と、透明電極上に設けられたDBR層と、DBR層上に設けられ、DBR層に設けられた孔を介して透明電極と接続された反射電極と、を有した発光素子であって、反射電極は、AgまたはAg合金からなり、厚さが10〜100nmの反射膜と、透明導電性酸化物からなり、厚さが1〜10nmの酸化膜とを交互に繰り返し積層させ、反射膜の層数を2以上とした構造であり、反射膜は、・・・ 続きを
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【発明の効果】
本発明によれば、マイグレーション抑制の効果が高い反射電極を実現することができ、発光素子の光量低下を抑制することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 実施例1の発光素子の構成を示した断面図。
【図2】 実施例1の発光素子を上方から見た平面図。
【図3】 反射電極17の構成を示した図。
【図4】 光度と駆動時間の関係を示したグラフ。
10:基板
11:n層
12:発光層
13:p層
14:透明電極
15:nドット電極
16:DBR層
17:反射電極
17A:反射膜
17B:酸化膜
18:カバーメタル層
19:pドット電極
23:p側接合層
24:n側接合層
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