特許6783990ＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法および基板の製造方法

発明の名称　ＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法および基板の製造方法

出願人　豊田合成株式会社　（識別番号 241463）

　　　　特許公開件数ランキング 93 位（325件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 162 位（190件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6783990

公報発行日　2020年11月11

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6783990

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