(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記端部における平均結晶粒径が1μm以上3μm以下であり、前記中央部における平均結晶粒径が、前記端部における平均結晶粒径よりも1μm以上大きい、請求項1に記載の電子部品用筐体。
前記中央部における結晶粒子のアスペクト比の平均値が、前記端部における結晶粒子のアスペクト比の平均値よりも大きい、請求項1または請求項2に記載の電子部品用筐体。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本開示の電子部品用筐体について図を参照しながら説明する。
図1は本実施形態の電子部品用筐体を含むヒューズの一例を示す、(a)は斜視図であり、(b)は断面図である。
【0012】
また、
図2は、
図1に示す電子部品用筐体を構成する筒状体の内壁のSEM写真であり、(a)は端部、(b)は中央部を示す。
【0013】
図1に示すヒューズ10は、セラミックスからなる筒状体の電子部品用筐体2と、この電子部品用筐体2内に位置するヒューズ素子4と、この電子部品用筐体2内に位置するとともにヒューズ素子4を覆う消弧剤5と、電子部品用筐体2の第1端および第2端に位置する金属からなるキャップ3とを備える。
【0014】
電子部品用筐体2の第1端および第2端に位置するキャップ3は、はんだによって電子部品用筐体2に接合され、このキャップ3とヒューズ素子4とは電気的に接続されているものである。
【0015】
そして、キャップ3に電圧を印加すると、ヒューズ素子4に通電することができ、過電流が流れた場合にはヒューズ素子4が溶断して通電を遮断させることができるようになっている。また、電子部品用筐体2の内部には、ヒューズ素子4の溶断によって発生するアークを消弧する消弧剤5が充填されており、この消弧剤5は、例えば、酸化アルミニウム、酸化珪素等を主成分とする。酸化珪素を主成分とする消弧剤5の場合、消弧剤5は、例えば、珪砂、ゼオライトまたはこれらの混合体である。
図2は、電子部品用筐体2の内壁のSEM写真であり、(a)は端部、(b)は中央部である。
図2に示すように、本実施形態の電子部品用筐体2は、結晶粒子6と結晶粒子6間に位置する粒界相7を有するセラミックスからなり、電子部品用筐体2(筒状体)の内壁において、中央部における平均結晶粒径が、端部における平均結晶粒径よりも大きい。
【0016】
本実施形態の電子部品用筐体2は、中央部における平均結晶粒径が、端部における平均結晶粒径よりも大きいことにより、中央部における放熱性が高くなり、ヒューズ素子4が溶断した場合においてセラミックスからなる電子部品用筐体2が破損しにくくなる。これは、中央部の方が端部よりも単位体積当たりにおける、結晶粒子6よりも熱伝導性が低い粒界相7の体積が少なくなるためである。
【0017】
ここで、端部とは、電子部品用筐体2の第1端から第2端までの距離(長さ)を5等分したうちの両端からそれぞれ1/5までの領域をいう。また、中央部とは、5等分したうちの中央の領域をいう。
【0018】
結晶粒子6の平均結晶粒径は、コード法によって求めることができる。平均結晶粒径は、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、倍率を2000倍として筒状体である電子部品用筐体2の内壁を撮影し、60μm×45μmの範囲で同じ長さの直線を4本引き、この4本の直線上に存在する結晶の個数をこれら直線の合計長さ(但し、直線が結晶粒子6間に存在する空隙部を通過する場合には、通過した直線の長さ分を差し引く。)で除すことで求めることができる。なお、直線1本当たりの長さは、例えば、20μmとすればよい。
【0019】
図2(a)、(b)に示す写真の結晶粒子2の平均結晶粒径は、コード法によって求めると、それぞれ2.3μm、3.6μmである。
【0020】
本実施形態の電子部品用筐体2は、端部における平均結晶粒径が1μm以上3μm以下
であり、中央部における平均結晶粒径が、端部における平均結晶粒径よりも1μm以上大きくてもよい。
【0021】
このような構成を満たすときには、金属製のキャップ3をはんだで接合する場合、線膨張係数の違いにより、端部は熱応力が残留しやすく、中央部よりも機械的強度が低下しやすいが、端部における平均結晶粒径が上記範囲にあると、機械的強度の低下を抑制することができる。
【0022】
また、中央部においては、フォノン伝導の障害となる粒界相の体積を減少させることができるため、中央部における放熱性をより高くすることができる。
【0023】
なお、中央部における機械的強度を維持するという点から、中央部における平均結晶粒径と端部における平均結晶粒径との差は、4μm以内にするとよい。
【0024】
本実施形態の電子部品用筐体2は、中央部における結晶粒子のアスペクト比の平均値が、端部における結晶粒子のアスペクト比の平均値よりも大きくてもよい。
【0025】
ヒューズ素子4の溶断する部分が長手方向の中央部である場合、定格電流を超える電流が流れると、まず、この部分が溶融、液体、気化の順で相変化する。そして、この相変化により、電子部品用筐体2の内壁の中央部が高圧を受けて、マイクロクラックが結晶粒子6や粒界相7の内部を進行しやすい。上述した構成であると、中央部におけるマイクロクラックの進行を抑制することができるため、長期間に亘って用いることができる。
【0026】
結晶粒子6のアスペクト比の平均値は、JIS R 1670:2006に準拠して求めればよい。具体的には、まず、SEMを用いて、倍率を2000倍として電子部品用筐体2の内壁を撮影し、60μm×45μmの範囲を対象とする。そして、この範囲から、測定個数を、例えば、8個以上12個以下とし、各結晶粒子6の長径および短径を測定し、長径を短径で割った値をアスペクト比とすればよい。
【0027】
なお、
図2(a)、(b)に示す写真の結晶粒子6のアスペクト比は、JIS R 1670:2006に準拠して求めると、それぞれ1.45、1.64である。
【0028】
中央部における結晶粒子6のアスペクト比の平均値は、1.6以上であってもよい。このような構成を満たすときには、中央部における破壊靭性が高くなるため、マイクロクラックがさらに進行しにくくなり、長期間に亘って用いることができる。
【0029】
また、端部における結晶粒子6のアスペクト比の平均値は、1.5以下であってもよい。このような構成を満たすときには、端部において球状化された結晶粒子6が多くなるため、結晶粒子6同士の結合力が高くなり、機械的強度の低下をさらに抑制することができる。
【0030】
図2に示す電子部品用筐体2を形成するセラミックスは、酸化アルミニウムが主成分であり、結晶粒子6は酸化アルミニウムの結晶である。また、粒界相7は、例えば、珪素、マグネシウムおよびカルシウムの酸化物を含んでいる。
【0031】
なお、主成分とは、酸化アルミニウムが主成分であるセラミックスの場合、セラミックスを構成する全成分100質量%のうち、AlをAl
2O
3に換算した値である酸化アルミニウムの含有量が80質量%以上である成分をいう。
【0032】
セラミックスの成分は、X線回折装置(XRD)にて測定し同定することにより確認す
ることができる。また、含有量については、蛍光X線分析装置(XRF)またはICP(Inductively Coupled Plasma)発光分光分析装置(ICP)を用いて、含有元素の含有量を求め、XRDで同定された成分に換算すればよい。
【0033】
図3は、
図1に示す電子部品用筐体2の内壁に垂直な断面(貫通孔の軸方向に直交する断面)の模式図である。
【0034】
図3に示すように、電子部品用筐体2の内壁において、粒界相7の露出部7aよりも突出している突出結晶粒子6aを有していてもよい。
【0035】
このような構成を満たすときには、粒界相7の露出部7aに消弧剤5が接触しにくくるため、粒界相7の露出部を起点とするマイクロクラックが発生しにくくなり、その進展を抑制することができる。
【0036】
突出結晶粒子6aは、
図2(a)、(b)でも観察され、特に、端部では、顕著に観察される。
【0037】
次に、本実施形態の電子部品用筐体の製造方法の一例を説明する。
【0038】
主成分が酸化アルミニウムである電子部品用筐体を得る場合、まず、主成分である酸化アルミニウム粉末と、焼結助剤として酸化珪素、炭酸カルシウムおよび酸化マグネシウムムの各粉末と、必要に応じて酸化アルミニウム粉末を分散させる分散剤と、バインダーとをボールミルまたはビーズミルにより40〜50時間湿式混合してスラリーとする。
【0039】
ここで、酸化アルミニウム粉末の平均粒径(D
50)は、0.8μm以上2.2μm以下であり、上記粉末の合計100質量%における酸化珪素粉末の含有量は3.3〜5質量%、炭酸カルシウム粉末の含有量は、1.3〜2.0質量%、酸化マグネシウム粉末の含有量は、1.7〜2.6質量%である。
【0040】
そして、スラリーを噴霧乾燥することで主成分が酸化アルミニウムである顆粒を得る。次に、顆粒を上パンチ、下パンチ、ダイおよびコアを組み合わせた成形型の内部空間に充填し、成形圧を、例えば、80MPa以上120Mpa以下として、1軸プレス装置を用いて円筒状の成形体を得る。そして、焼成温度を1500℃以上1600℃以下として、1時間以上3時間以下保持することで本実施形態の電子部品用筐体を得ることができる。
【0041】
ここで、成形工程の最終段階で、ダイを所定位置で固定して、上パンチおよびピンコアが同期して動くように制御する。このように制御することで、充填密度の低いニュートラルラインが成形体の上面と内周面との交差部から成形体の下面と外周面との交差部に向う対角線上に現れる。ニュートラルラインは、通常、成形体の高さ方向中央部に現れやすいが、成形工程の最終段階で上述したように制御することで、成形体の部位による密度の差が抑制される。すなわち、従来よりも中央部における充填密度が高くなる。そして、焼成工程では、成形体の内面の中央部は端部よりも熱が滞留しやすく、滞留した熱により粒成長が促進されるため、上記方法により、中央部における平均結晶粒径が、端部における平均結晶粒径よりも大きい、本実施形態の電子部品用筐体を得ることができる。
【0042】
なお、端部における平均結晶粒径が1μm以上3μm以下であり、中央部における平均結晶粒径が、端部における平均結晶粒径よりも1μm以上大きい電子部品用筐体を得るには、平均粒径(D
50)が0.9μm以上2.0μm以下である酸化アルミニウム粉末を用いればよい。
【0043】
また、中央部における結晶粒子のアスペクト比の平均値が、端部における結晶粒子のアスペクト比の平均値よりも大きい電子部品用筐体を得るには、焼成温度を1530℃以上1600℃以下として、1時間以上3時間以下保持すればよい。
【0044】
また、中央部における結晶粒子のアスペクト比の平均値が1.6以上である電子部品用筐体を得るには、焼成温度を1540℃以上1600℃以下として、1時間以上3時間以下保持すればよい。
【0045】
また、端部における結晶粒子のアスペクト比の平均値が1.5以下である電子部品用筐体を得るには、平均粒径(D
50)が0.9μm以上1.9μm以下である酸化アルミニウム粉末を用いればよい。
【0046】
また、粒界相の露出部よりも突出している突出結晶粒子を有する電子部品用筐体を得るには、サーマルエッチング、ケミカルエッチング等の表面処理を施せばよい。
【0047】
このような製造方法によって得られた電子部品用筐体は、中央部における放熱性が高いため、長期間に亘って用いることができる。
【0048】
なお、本実施形態の電子部品用筐体は、内部にヒューズ素子が収容されている例で示したが、ヒューズ素子以外、真空スイッチ(真空負荷開閉器)等の電子部品が収容されていてもよい。