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特許6789570活性領域がＩｎＮの層を含む発光ダイオード
発明の名称 活性領域がＩｎＮの層を含む発光ダイオード
出願人 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ （識別番号 502124444）
特許公開件数ランキング 539 位（49件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 578 位（39件）（共同出願を含む）
出願人 アレディア （識別番号 515151273）
特許公開件数ランキング 11770 位（1件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 4051 位（3件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-6789570
公報発行日 2020年11月25
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6789570
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