知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6798086
(24)【登録日】2020年11月24日
(45)【発行日】2020年12月9日
(54)【発明の名称】エンベロープトラッキングバイアス回路及び電力増幅装置
(51)【国際特許分類】
H03F 1/02 20060101AFI20201130BHJP
H03F 3/24 20060101ALI20201130BHJP
【ＦＩ】
H03F1/02
H03F3/24
【請求項の数】30
【全頁数】29
(21)【出願番号】特願2018-116339(P2018-116339)
(22)【出願日】2018年6月19日
(65)【公開番号】特開2019-80300(P2019-80300A)
(43)【公開日】2019年5月23日
【審査請求日】2018年6月19日
(31)【優先権主張番号】10-2017-0138695
(32)【優先日】2017年10月24日
(33)【優先権主張国】KR
(31)【優先権主張番号】10-2017-0178413
(32)【優先日】2017年12月22日
(33)【優先権主張国】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】ハー、ジョン オク
(72)【発明者】
【氏名】キム、ジェオン フン
(72)【発明者】
【氏名】ジョー、ビョン ハク
【審査官】
竹内 亨
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１７−１２７００１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特表２００２−５００８４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１７−１８４０７３（ＪＰ，Ａ）
【文献】
国際公開第２０１４／１６０１９１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
特開２０１３−００９２００（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特表２０１６−５１１６１７（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００６−２８７３３７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０３Ｆ １／００−３／７２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
第２制御信号に応答して増幅利得を可変し、可変された前記増幅利得を用いて前記検出回路から入力される前記検出信号を差動増幅し、前記差動増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記差動増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含む、エンベロープトラッキングバイアス回路。
第２制御信号に応答して増幅利得を可変し、可変された前記増幅利得を用いて前記検出回路から入力される前記検出信号を差動増幅し、前記差動増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記差動増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含む、エンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項2】
前記増幅回路は直流オフセット除去回路をさらに含む、請求項１に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項3】
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含む、請求項１または２に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含む、請求項１または２に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項4】
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含む、請求項３に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含む、請求項３に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項5】
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含む、
エンベロープトラッキングバイアス回路。
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含む、
エンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項6】
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端に接続され、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させ、前記減衰したＥＴ動作電圧を出力する第１減衰器と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を非反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記非反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含む、請求項４に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
前記第１入力端に接続され、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させ、前記減衰したＥＴ動作電圧を出力する第１減衰器と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を非反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記非反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含む、請求項４に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項7】
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端に接続され、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させ、前記減衰したＥＴ動作電圧を出力する第１減衰器と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を非反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記非反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含む、
エンベロープトラッキングバイアス回路。
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端に接続され、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させ、前記減衰したＥＴ動作電圧を出力する第１減衰器と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を非反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記非反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含む、
エンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項8】
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
基準動作電圧をバッファし、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記バッファされた（ｂｕｆｆｅｒｅｄ）基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含む、請求項４に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
基準動作電圧をバッファし、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記バッファされた（ｂｕｆｆｅｒｅｄ）基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含む、請求項４に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項9】
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
基準動作電圧をバッファし、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記バッファされた（ｂｕｆｆｅｒｅｄ）基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含む、
エンベロープトラッキングバイアス回路。
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
基準動作電圧をバッファし、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記バッファされた（ｂｕｆｆｅｒｅｄ）基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含む、
エンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項10】
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出して、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、請求項４から９のいずれか一項に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出して、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、請求項４から９のいずれか一項に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項11】
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出して、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、
エンベロープトラッキングバイアス回路。
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出して、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、
エンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項12】
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路、及び前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたポジティブエンベロープ信号を出力するポジティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ポジティブ整流回路から出力される前記ポジティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたポジティブエンベロープ信号をスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、請求項４から１１のいずれか一項に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路、及び前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたポジティブエンベロープ信号を出力するポジティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ポジティブ整流回路から出力される前記ポジティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたポジティブエンベロープ信号をスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、請求項４から１１のいずれか一項に記載のエンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項13】
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路、及び前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたポジティブエンベロープ信号を出力するポジティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ポジティブ整流回路から出力される前記ポジティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたポジティブエンベロープ信号をスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、
エンベロープトラッキングバイアス回路。
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路、及び前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたポジティブエンベロープ信号を出力するポジティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ポジティブ整流回路から出力される前記ポジティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたポジティブエンベロープ信号をスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、
エンベロープトラッキングバイアス回路。
【請求項14】
電力増幅器と、
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
第２制御信号に応答して増幅利得を可変し、可変された前記増幅利得を用いて前記検出回路から入力される前記検出信号を差動増幅し、前記差動増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記差動増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含む、電力増幅装置。
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
第２制御信号に応答して増幅利得を可変し、可変された前記増幅利得を用いて前記検出回路から入力される前記検出信号を差動増幅し、前記差動増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記差動増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含む、電力増幅装置。
【請求項15】
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出し、前記検出されたエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含む、請求項１４に記載の電力増幅装置。
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出し、前記検出されたエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含む、請求項１４に記載の電力増幅装置。
【請求項16】
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含む、請求項１５に記載の電力増幅装置。
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含む、請求項１５に記載の電力増幅装置。
【請求項17】
電力増幅器と、
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出し、前記検出されたエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含む、
電力増幅装置。
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出し、前記検出されたエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含む、
電力増幅装置。
【請求項18】
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端に接続され、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させ、前記減衰したＥＴ動作電圧を出力する第１減衰器と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を非反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記非反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含む、請求項１５に記載の電力増幅装置。
前記第１入力端に接続され、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させ、前記減衰したＥＴ動作電圧を出力する第１減衰器と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を非反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記非反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含む、請求項１５に記載の電力増幅装置。
【請求項19】
電力増幅器と、
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出し、前記検出されたエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端に接続され、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させ、前記減衰したＥＴ動作電圧を出力する第１減衰器と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を非反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記非反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含む、
電力増幅装置。
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出し、前記検出されたエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端に接続され、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させ、前記減衰したＥＴ動作電圧を出力する第１減衰器と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
前記第１減衰器を介して入力される前記減衰したＥＴ動作電圧を非反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記非反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含む、
電力増幅装置。
【請求項20】
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
基準動作電圧をバッファし、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記バッファされた基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含む、請求項１５に記載の電力増幅装置。
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
基準動作電圧をバッファし、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記バッファされた基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含む、請求項１５に記載の電力増幅装置。
【請求項21】
電力増幅器と、
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出し、前記検出されたエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
基準動作電圧をバッファし、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記バッファされた基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含む、
電力増幅装置。
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出し、前記検出されたエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、
前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、前記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、前記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、
基準動作電圧をバッファし、前記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、前記バッファされた基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含む、
電力増幅装置。
【請求項22】
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープを検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、請求項１５から２１のいずれか一項に記載の電力増幅装置。
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープを検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、請求項１５から２１のいずれか一項に記載の電力増幅装置。
【請求項23】
電力増幅器と、
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープを検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、
電力増幅装置。
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープを検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、
電力増幅装置。
【請求項24】
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路、及び前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたポジティブエンベロープ信号を出力するポジティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ポジティブ整流回路から出力される前記ポジティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたポジティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、請求項１５から２３のいずれか一項に記載の電力増幅装置。
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路、及び前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたポジティブエンベロープ信号を出力するポジティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ポジティブ整流回路から出力される前記ポジティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたポジティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、請求項１５から２３のいずれか一項に記載の電力増幅装置。
【請求項25】
電力増幅器と、
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路、及び前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたポジティブエンベロープ信号を出力するポジティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ポジティブ整流回路から出力される前記ポジティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたポジティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、
電力増幅装置。
第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、前記ＥＴ動作電圧及び前記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、
前記検出回路から入力される前記検出信号を増幅し、前記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、
前記増幅回路から入力される前記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、前記生成されたＥＴバイアス電流を前記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
前記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、前記第１入力端を介して入力される前記ＥＴ動作電圧を増幅し、前記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、
前記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出してエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含み、
前記ＲＦエンベロープ検出回路は、
前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路、及び前記第２入力端を介して入力される前記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出し、前記検出されたポジティブエンベロープ信号を出力するポジティブ整流回路を含む整流回路と、
前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ネガティブ整流回路から出力される前記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び前記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、前記ポジティブ整流回路から出力される前記ポジティブエンベロープ信号をバッファし、前記バッファされたポジティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含む、
電力増幅装置。
【請求項26】
ＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及び動作電圧を受信し、前記ＲＦ信号の特性に基づいた特性信号を生成し、制御信号に応答して、前記動作電圧または前記特性信号を検出信号として出力する検出回路と、
前記検出信号に基づいてバイアス信号を生成するバイアス出力回路と、を含み、
前記動作電圧は、前記ＲＦ信号の特性に依存し、
前記特性信号は、前記ＲＦ信号のエンベロープ信号であり、
前記検出回路は、
差動構造（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する増幅回路に該当する第１値を有する制御信号に応答して、前記動作電圧を前記検出信号として出力し、
シングル−エンド構造（ｓｉｎｇｌｅ−ｅｎｄｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する前記増幅回路に該当する第２値を有する制御信号に応答して、前記特性信号をシングル−エンド信号である前記検出信号として出力する、
バイアス回路。
前記検出信号に基づいてバイアス信号を生成するバイアス出力回路と、を含み、
前記動作電圧は、前記ＲＦ信号の特性に依存し、
前記特性信号は、前記ＲＦ信号のエンベロープ信号であり、
前記検出回路は、
差動構造（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する増幅回路に該当する第１値を有する制御信号に応答して、前記動作電圧を前記検出信号として出力し、
シングル−エンド構造（ｓｉｎｇｌｅ−ｅｎｄｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する前記増幅回路に該当する第２値を有する制御信号に応答して、前記特性信号をシングル−エンド信号である前記検出信号として出力する、
バイアス回路。
【請求項27】
前記ＲＦ信号は、電力増幅器のＲＦ入力信号または前記電力増幅器のＲＦ出力信号であり、
前記動作電圧は、前記ＲＦ出力信号のエンベロープまたは前記ＲＦ入力信号のエンベロープを追跡する前記電力増幅器のＥＴ（ｅｎｖｅｌｏｐｅ ｔｒａｃｋｉｎｇ）動作電圧であり、
前記バイアス出力回路は、
前記検出信号に基づいて、前記バイアス信号としてＥＴバイアス信号を生成し、
前記ＥＴバイアス信号を前記電力増幅器のバイアス信号として前記電力増幅器に出力する、請求項２６に記載のバイアス回路。
前記動作電圧は、前記ＲＦ出力信号のエンベロープまたは前記ＲＦ入力信号のエンベロープを追跡する前記電力増幅器のＥＴ（ｅｎｖｅｌｏｐｅ ｔｒａｃｋｉｎｇ）動作電圧であり、
前記バイアス出力回路は、
前記検出信号に基づいて、前記バイアス信号としてＥＴバイアス信号を生成し、
前記ＥＴバイアス信号を前記電力増幅器のバイアス信号として前記電力増幅器に出力する、請求項２６に記載のバイアス回路。
【請求項28】
ＲＦ信号及び前記ＲＦ信号に関連した動作電圧を受信し、前記ＲＦ信号に基づいて時変信号（ｔｉｍｅ−ｖａｒｙｉｎｇ ｓｉｇｎａｌ）を生成し、制御信号に応答して前記動作電圧または前記時変信号を検出信号として出力する検出回路と、
前記検出信号を増幅する増幅回路と、
前記増幅された検出信号に基づいてバイアス信号を生成するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
差動構造（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する増幅回路に該当する第１値を有する制御信号に応答して、前記検出信号を差動信号として出力し、
シングル−エンド構造（ｓｉｎｇｌｅ−ｅｎｄｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する前記増幅回路に該当する第２値を有する制御信号に応答して、前記検出信号をシングル−エンド信号として出力する、
バイアス回路。
前記検出信号を増幅する増幅回路と、
前記増幅された検出信号に基づいてバイアス信号を生成するバイアス出力回路と、を含み、
前記検出回路は、
差動構造（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する増幅回路に該当する第１値を有する制御信号に応答して、前記検出信号を差動信号として出力し、
シングル−エンド構造（ｓｉｎｇｌｅ−ｅｎｄｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する前記増幅回路に該当する第２値を有する制御信号に応答して、前記検出信号をシングル−エンド信号として出力する、
バイアス回路。
【請求項29】
前記検出回路は、
前記第１値を有する前記制御信号に応答して、前記動作電圧を前記検出信号として出力し、
前記第１値と異なる第２値を有する前記制御信号に応答して、前記時変信号を前記検出信号として出力する、請求項２８に記載のバイアス回路。
前記第１値を有する前記制御信号に応答して、前記動作電圧を前記検出信号として出力し、
前記第１値と異なる第２値を有する前記制御信号に応答して、前記時変信号を前記検出信号として出力する、請求項２８に記載のバイアス回路。
【請求項30】
前記ＲＦ信号は、電力増幅器のＲＦ入力信号または前記電力増幅器のＲＦ出力信号であり、
前記動作電圧は、前記ＲＦ出力信号のエンベロープまたは前記ＲＦ入力信号のエンベロープを追跡する前記電力増幅器のＥＴ動作電圧であり、
前記時変信号は、前記ＲＦ信号のエンベロープ信号であり、
前記バイアス出力回路は、
前記検出信号に基づいて、前記バイアス信号としてＥＴバイアス信号を生成し、
前記ＥＴバイアス信号を前記電力増幅器のバイアス信号として前記電力増幅器に出力する、請求項２８または２９に記載のバイアス回路。
前記動作電圧は、前記ＲＦ出力信号のエンベロープまたは前記ＲＦ入力信号のエンベロープを追跡する前記電力増幅器のＥＴ動作電圧であり、
前記時変信号は、前記ＲＦ信号のエンベロープ信号であり、
前記バイアス出力回路は、
前記検出信号に基づいて、前記バイアス信号としてＥＴバイアス信号を生成し、
前記ＥＴバイアス信号を前記電力増幅器のバイアス信号として前記電力増幅器に出力する、請求項２８または２９に記載のバイアス回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、エンベロープトラッキングバイアス回路及び電力増幅装置に関する。
【背景技術】
【0002】
通常、ＰＡ（Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）の電流消費を低減するための方法として、ＡＰＴ（Ａｖｅｒａｇｅ Ｐｏｗｅｒ Ｔｒａｃｋｉｎｇ）またはＥＴ（Ｅｎｖｅｌｏｐｅ Ｔｒａｃｋｉｎｇ）が用いられることができる。
【0003】
ＡＰＴ方法は、上記ＰＡの平均出力電力に応じて電源電圧（ＶＣＣ）を調節することにより効率を高める方法であり、ＥＴ（Ｅｎｖｅｌｏｐｅ Ｔｒａｃｋｉｎｇ）は、上記ＰＡにより増幅されたＲＦ信号のエンベロープ（ｅｎｖｅｌｏｐｅ）に応じてＰＡの電源電圧を制御することにより効率を高める方法である。
【0004】
ＥＴ方法は、小さい振幅を有するＲＦ信号に対してＰＡ電源電圧を下げることで平均的な電流消費を減らし、反対に大きい振幅を有するＲＦ信号に対してはＰＡ電源電圧を上げることで線形性が劣化しないようにする方法である。
【0005】
また、ＡＰＴ方法は、予め設定された周期間のエンベロープ信号（Ｅｎｖｅｌｏｐｅ Ｓｉｇｎａｌ）の平均値を追従するＶＣＣを提供し、ＥＴ方法は、上記エンベロープ信号の瞬時値を追従するＶＣＣを提供し、それを実現するためには、別のＥＴモジュレーター（ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）が必要である。
【0006】
従来の電力増幅装置は、電流消費を低減するためにＥＴバイアス回路を含み得るが、従来のＥＴバイアス回路は、ＲＦ信号のエンベロープに基づく構造を有するか、またはＥＴ動作電圧（ＥＴ＿ＶＣＣ）に基づいてＥＴバイアス信号を出力する構造を有する。
【0007】
しかしながら、従来のＥＴバイアス回路では、ＲＦ信号のエンベロープ及びＥＴ動作電圧（ＥＴ＿ＶＣＣ）を両方とも用いることができないため、様々な構造で実現される様々な電力増幅装置への適用範囲が制限的であるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開２０１５−１８５８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明の一実施形態は、ＲＦ信号のエンベロープまたはＥＴ動作電圧の１つを選択的に用いて電力増幅器（ＰＡ、Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）のバイアス信号を提供することができるエンベロープトラッキングバイアス回路及び電力増幅装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一実施形態によると、第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、上記ＥＴ動作電圧及びエンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、上記検出回路から入力される上記検出信号を増幅し、上記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、上記増幅回路から入力される上記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、上記生成されたＥＴバイアス電流を出力するバイアス出力回路と、を含む、エンベロープトラッキングバイアス回路が提案される。
【0011】
上記検出回路は、上記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、上記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、上記第２入力端を介して入力される上記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出して上記エンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含むことができる。
【0012】
上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含むことができる。
【0013】
上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、上記第１入力端に接続され、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させ、上記減衰したＥＴ動作電圧を出力する第１減衰器と、上記第１減衰器を介して入力される上記減衰したＥＴ動作電圧を反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、上記反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、上記第１減衰器を介して入力される上記減衰したＥＴ動作電圧を非反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、上記非反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含むことができる。
【0014】
上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、基準動作電圧をバッファし、上記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、上記バッファされた基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含むことができる。
【0015】
上記ＲＦエンベロープ検出回路は、上記第２入力端を介して入力され上記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出して、上記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路を含む整流回路と、上記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、上記ネガティブ整流回路から出力される上記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、上記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含むことができる。
【0016】
上記ＲＦエンベロープ検出回路は、上記第２入力端を介して入力される上記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、上記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路、及び上記第２入力端を介して入力される上記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出し、上記検出されたポジティブエンベロープ信号を出力するポジティブ整流回路を含む整流回路と、上記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、上記ネガティブ整流回路から出力される上記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、上記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び上記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、上記ポジティブ整流回路から出力される上記ポジティブエンベロープ信号をバッファし、上記バッファされたポジティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含むことができる。
【0017】
また、本発明の一実施形態によると、電力増幅器と、第１制御信号に応答して、第１入力端を介して入力されるＥＴ動作電圧、及び第２入力端を介して入力されるＲＦ信号から検出したエンベロープ信号のうち１つを選択し、上記ＥＴ動作電圧及びエンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号として出力する検出回路と、上記検出回路から入力される上記検出信号を増幅し、上記増幅された検出信号を出力する増幅回路と、上記増幅回路から入力される上記増幅された検出信号に基づいてＥＴバイアス電流を生成し、上記生成されたＥＴバイアス電流を上記電力増幅器に供給するバイアス出力回路と、を含む電力増幅装置が提案される。
【0018】
上記検出回路は、上記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、上記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、上記第２入力端を介して入力される上記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出して上記検出されたエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含むことができる。
【0019】
上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含むことができる。
【0020】
上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、上記第１入力端に接続され、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させる第１減衰器と、上記第１減衰器を介して入力されるＥＴ動作電圧を反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、上記第１減衰器を介して入力されるＥＴ動作電圧を非反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、上記非反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含むことができる。
【0021】
上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、基準動作電圧をバッファリングし、上記第１ＶＣＣ制御信号に応答して、上記基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含むことができる。
【0022】
上記ＲＦエンベロープ検出回路は、上記第２入力端を介して入力される上記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出するネガティブ整流回路を含む整流回路と、上記ネガティブ整流回路から出力される信号をバッファリング及びスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含むことができる。
【0023】
上記ＲＦエンベロープ検出回路は、上記第２入力端を介して入力される上記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出するネガティブ整流回路、及び上記第２入力端を介して入力される上記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出するポジティブ整流回路を含む整流回路と、上記ネガティブ整流回路から出力される信号をバッファリング及びスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び上記ポジティブ整流回路から出力される信号をバッファリング及びスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含むことができる。
【0024】
上記検出回路は、上記第１制御信号のＶＣＣ制御信号に応答して、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を増幅し、上記増幅されたＥＴ動作電圧を出力するＥＴ ＶＣＣ検出回路と、上記第１制御信号のＲＦ制御信号に応答して、上記第２出力端を介して入力される上記ＲＦ信号からエンベロープ信号を検出し、上記検出されたエンベロープ信号を出力するＲＦエンベロープ検出回路と、を含むことができる。
【0025】
上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする反転増幅回路を含むことができる。
【0026】
上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、上記第１入力端に接続され、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を予め設定された電圧範囲内に減衰させ、上記減衰したＥＴ動作電圧を出力する第１減衰器と、上記第１減衰器を介して入力される上記減衰したＥＴ動作電圧を反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、上記反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、上記第１減衰器を介して入力される上記減衰したＥＴ動作電圧を非反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、上記非反転増幅され、減衰したＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第２非反転増幅回路と、を含むことができる。
【0027】
上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路は、上記第１入力端を介して入力される上記ＥＴ動作電圧を反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号の第１ＶＣＣ制御信号に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフする第１反転増幅回路と、基準動作電圧をバッファし、上記ＶＣＣ制御信号の第２ＶＣＣ制御信号に応答して、上記バッファされた基準動作電圧の出力をスイッチングオン及びオフするバッファ回路と、を含むことができる。
【0028】
上記ＲＦエンベロープ検出回路は、上記第２入力端を介して入力される上記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、上記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路を含む整流回路と、上記ＲＦ制御信号の第１ＲＦ制御信号に応答して、上記ネガティブ整流回路から出力される上記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、上記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含むことができる。
【0029】
上記ＲＦエンベロープ検出回路は、上記第２入力端を介して入力される上記ＲＦ信号からネガティブエンベロープ信号を検出し、上記検出されたネガティブエンベロープ信号を出力するネガティブ整流回路、及び上記第２入力端を介して入力される上記ＲＦ信号からポジティブエンベロープ信号を検出し、上記検出されたポジティブエンベロープ信号を出力するポジティブ整流回路を含む整流回路と、上記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、上記ネガティブ整流回路から出力される上記ネガティブエンベロープ信号をバッファし、上記バッファされたネガティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第１バッファードスイッチ回路、及び上記ＲＦ制御信号の第２ＲＦ制御信号に応答して、上記ポジティブ整流回路から出力される上記ポジティブエンベロープ信号をバッファし、上記バッファされたポジティブエンベロープ信号の出力をスイッチングオン及びオフする第２バッファードスイッチ回路を含むバッファ回路と、を含むことができる。
【0030】
本発明の他の一実施形態によると、ＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及び動作電圧を受信し、上記ＲＦ信号の特性に基づいた特性信号を生成し、制御信号に応答して、上記動作電圧または上記特性信号を上記検出信号として出力する検出回路と、上記検出信号に基づいてバイアス信号を生成するバイアス出力回路と、を含むバイアス回路が提案される。
【0031】
上記動作電圧は、上記ＲＦ信号の特性に依存するように構成されることができる。
【0032】
上記検出回路は、第１値を有する制御信号に応答して、上記動作電圧を上記検出信号として出力し、上記第１値と異なる第２値を有する制御信号に応答して、上記特性信号を上記検出信号として出力するように構成されることができる。
【0033】
上記ＲＦ信号は、上記電力増幅器のＲＦ入力信号または上記電力増幅器のＲＦ出力信号であり、上記動作電圧は、上記ＲＦ出力信号のエンベロープまたは上記ＲＦ入力信号のエンベロープを追跡する上記電力増幅器のＥＴ（ｅｎｖｅｌｏｐｅ ｔｒａｃｋｉｎｇ）動作電圧であり、上記特性信号は、上記ＲＦ信号のエンベロープ信号であり、上記バイアス出力回路は、上記検出信号に基づいて、上記バイアス信号としてＥＴバイアス信号を生成し、上記ＥＴバイアス信号を上記電力増幅器のバイアス信号として上記電力増幅器に出力するように構成されることができる。
【0034】
本発明の他の一実施形態によると、ＲＦ信号及び上記ＲＦ信号に関連した動作電圧を受信し、上記ＲＦ信号に基づいて時変信号（ｔｉｍｅ−ｖａｒｙｉｎｇ ｓｉｇｎａｌ）を生成し、制御信号に応答して上記動作電圧または上記時変信号を検出信号として出力するように構成される検出回路と、上記検出信号を増幅する増幅回路と、上記増幅された検出信号に基づいてバイアス信号を生成するバイアス出力回路と、を含むバイアス回路が提供される。
【0035】
上記検出回路は、第１値を有する上記制御信号に応答して、上記動作電圧を上記検出信号として出力し、上記第１値と異なる第２値を有する上記制御信号に応答して、上記時変信号を上記検出信号として出力するように構成されることができる。
【0036】
上記検出回路は、差動構造（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する増幅回路に該当する第１値を有する制御信号に応答して、上記検出信号を差動信号として出力し、シングル−エンド構造（ｓｉｎｇｌｅ−ｅｎｄｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する上記増幅回路に該当する第２値を有する制御信号に応答して、上記検出信号をシングル−エンド信号として出力するように構成されることができる。
【0037】
上記ＲＦ信号は、上記電力増幅器のＲＦ入力信号または上記電力増幅器のＲＦ出力信号であり、上記動作電圧は、上記ＲＦ出力信号のエンベロープまたは上記ＲＦ入力信号のエンベロープを追跡する上記電力増幅器のＥＴ動作電圧であり、上記時変信号は、上記ＲＦ信号のエンベロープ信号であり、上記バイアス出力回路は、上記検出信号に基づいて、上記バイアス信号としてＥＴバイアス信号を生成し、上記ＥＴバイアス信号を上記電力増幅器のバイアス信号として上記電力増幅器に出力するように構成されることができる。
【発明の効果】
【0038】
本発明の一実施形態によると、ＲＦ信号のエンベロープまたはＥＴ ＶＣＣのうち１つを選択的に用いて電力増幅器（ＰＡ、Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）のバイアス信号を出力することができるため、電力増幅器（ＰＡ）の特性に適したＥＴバイアスを出力することができる。
【0039】
このように、ＲＦ信号とＥＴ ＶＣＣを両方とも用いることができるため、汎用性が広く、ＥＴバイアス信号の電流または電圧として出力できるように設計することで、電力増幅器（ＰＡ）ＩＣへの適用範囲が拡大されることができる。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路の第１実施形態を示す図である。
【図2】本発明の一実施形態による電力増幅装置を例示するブロック図である。
【図3】本発明の一実施形態による検出回路の一例示図である。
【図10】ＥＴ ＶＣＣ検出回路及びＲＦエンベロープ検出回路の入力及び出力信号波形の例示図である。
【図11】本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路の第２実施形態を示す図である。
【図13】本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路の第３実施形態を示す図である。
【図14】エンベロープトラッキングバイアス回路における制御回路の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0041】
本発明は、以下で説明される実施形態に限定されず、本発明の思想及び範囲を逸脱することなく多様に変更可能であることを理解すべきである。
【0042】
また、本発明の各実施形態において、１つの例として説明される構造、形状、及び数値は、本発明の技術的事項の理解のための例に過ぎないため、これに限定されるのではなく、本発明の思想及び範囲を逸脱することなく多様に変更可能であることを理解すべきである。本発明の実施形態は、互いに組み合わされて様々な新しい実施形態を成すことができる。
【0043】
そして、本発明で参照された図面において、本発明の全体的な内容に基づき、実質的に同一の構成と機能を有する構成要素には、同一の符号を用いる。
【0044】
以下では、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるように、本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【0045】
図１は本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路の第１実施形態を示す図である。
【0046】
図１を参照すると、本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路は、電力増幅器（図１には示されていない）にＥＴバイアス信号を提供するために、検出回路１００と、増幅回路２００と、バイアス出力回路３００と、バイアス制御回路４００と、を含むことができる。
【0047】
図２は本発明の一実施形態による電力増幅装置を例示するブロック図である。
【0048】
図２を参照すると、本発明の一実施形態による電力増幅装置は、電力増幅器５０と、検出回路１００と、増幅回路２００と、バイアス出力回路３００と、バイアス制御回路４００と、エンベロープトラッキングモジュレーター５００と、を含むことができる。
【0049】
上記バイアス制御回路４００は、電力増幅器５０（ＰＡ）の特性パラメーターを記憶し、上記特性パラメーターに基づいて、第１制御信号ＳＣ１、または第１制御信号ＳＣ１及び第２制御信号ＳＣ２、または第１制御信号ＳＣ１、第２制御信号ＳＣ２、及び第３制御信号ＳＣ３を提供する。
【0050】
上記第１制御信号ＳＣ１は、ＲＦ信号モードまたはＥＴ＿ＶＣＣモードのうち１つのモードを選択するための制御信号であり、差動信号またはシングル−エンド信号を選択するための制御信号である。上記第２制御信号ＳＣ２は、利得制御信号である。上記第３制御信号ＳＣ３は、バイアス信号のレベルを調節するための制御信号である。
【0051】
一例として、上記特性パラメーターは、電力増幅器（ＰＡ）の動作特性に応じて決定され、該当電力増幅器の動作特性は、該当電力増幅回路に対する周波数帯、利得、出力電力、帯域幅、及び電力モードの少なくとも１つまたはそれらの組み合わせを含む。
【0052】
上記検出回路１００は、第１制御信号ＳＣ１に応答して、第１入力端ＩＮ１を介して入力されるＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣ、及び第２入力端ＩＮ２を介して入力されるＲＦ信号ＳＲＦから検出されたエンベロープ信号のうち１つを選択し、上記ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣ及び上記エンベロープ信号のうちから選択された１つを検出信号Ｓ１００として出力することができる。一例として、上記検出回路１００は、ＲＦ信号ＳＲＦ及びＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣの入力を同時に受ける場合には、ＲＦ信号ＳＲＦ及びＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣのうち何れか１つを選択して受信する。他の一例として、上記検出回路１００は、ＲＦ信号ＳＲＦのみ受信する。
【0053】
上記増幅回路２００は、上記検出回路１００から入力される上記検出信号Ｓ１００を増幅し、上記増幅された検出信号Ｓ２００を出力することができる。一例として、上記増幅回路２００は、上記バイアス制御回路４００からの第２制御信号ＳＣ２に応答して増幅利得を可変し、可変された増幅利得を用いて上記検出信号Ｓ１００を差動増幅することができる。一例として、上記増幅回路２００が直流オフセット除去回路を含むことができ、この場合には、上記検出信号Ｓ１００の直流オフセットを除去することができる。
【0054】
上記バイアス出力回路３００は、上記増幅回路２００から入力される上記増幅された検出信号Ｓ２００に基づいて、ＥＴバイアス電流Ｉｅｔ＿ｂｉａｓを生成することができる。一例として、上記バイアス出力回路３００は、上記バイアス制御回路４００からの第３制御信号ＳＣ３に応答して、上記増幅された検出信号Ｓ２００に基づいて、電流ソースまたは電流シンクにより調節されたＥＴバイアス電流Ｉｅｔ＿ｂｉａｓまたはＥＴバイアス電圧Ｖｅｔ＿ｂｉａｓを生成することができる。
【0055】
図２を参照すると、本発明の一実施形態による電力増幅装置は、ＲＦ信号ＳＲＦと、ＥＴモジュレーター５００から出力されるＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣと、を同時に受ける検出回路１００を含むことができる。一例として、ＥＴモジュレーター５００を含まない場合には、検出回路１００はＲＦ信号ＳＲＦのみ受信する。
【0056】
本発明の各図面において、同一の符号及び同一の機能の構成要素についての不要な重複説明はできるだけ省略し、各図面において異なる点を中心に説明する。
【0057】
図３は本発明の一実施形態による検出回路の一例示図である。
【0058】
図３を参照すると、上記検出回路１００は、ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０と、ＲＦエンベロープ検出回路１２０と、を含む。
【0059】
上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０は、上記第１制御信号ＳＣ１のＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣに応答して、上記第１入力端ＩＮ１を介して入力される上記ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣを増幅し、増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０を検出信号Ｓ１００として出力することができる。一例として、ＥＴモジュレーター５００を用いる電力増幅装置（図２参照）の場合、上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０は、図２に示された上記ＥＴモジュレーター５００から電力増幅器５０（ＰＡ）に出力されるＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣの入力を受けることができる。
【0060】
上記ＲＦエンベロープ検出回路１２０は、上記第１制御信号ＳＣ１のＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦに応答して、上記第２入力端ＩＮ２を介して入力される上記ＲＦ信号ＳＲＦからエンベロープ信号を検出し、エンベロープ信号Ｓ１２０を検出信号Ｓ１００として出力することができる。一例として、上記ＲＦ信号ＳＲＦは、電力増幅器５０に入力されるＲＦ信号または電力増幅器５０から出力されるＲＦ信号であることができる。
【0061】
図３に係り、上記バイアス制御回路４００は、上記第１制御信号ＳＣ１に含まれたＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ及びＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦを出力することができる。例えば、ＲＦ信号モードである場合にはアクティブレベルのＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦを出力することができ、ＥＴ＿ＶＣＣモードである場合にはアクティブレベルのＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣを出力することができる。
【0063】
図４を参照すると、上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０は反転増幅回路１１１を含むことができる。
【0064】
上記反転増幅回路１１１は、上記第１入力端ＩＮ１を介して入力される上記ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣを反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣに応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０の出力をスイッチングオン及びオフすることができる。
【0065】
図４に示された例において、上記反転増幅回路１１１は、第１演算増幅器Ａ１１と、第１スイッチＳＷ１１と、２つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２と、を含むことができる。上記２つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２のうち１つの抵抗Ｒ１１は上記第１演算増幅器Ａ１１の反転入力端に接続され、上記２つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２のうちもう１つの抵抗Ｒ１２は上記第１演算増幅器Ａ１１の反転入力端と上記第１演算増幅器Ａ１１の出力端との間に接続されており、２つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２は、上記第１演算増幅器Ａ１１の反転増幅利得（−Ｒ１２／Ｒ１１）を決定する。
【0066】
上記第１演算増幅器Ａ１１は、非反転入力端を介して基準電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣの入力を受け、反転入力端に入力されるＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣを上記反転増幅利得で反転増幅し、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０を第１演算増幅器Ａ１１の出力端を介して出力することができる。実際、上記第１演算増幅器Ａ１１は、上記ＥＴ動作電圧ＴＥ＿ＶＣＣと上記基準電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣとの間の反転増幅された誤差を出力する。しかし、説明を簡潔にするために、上記第１演算増幅器Ａ１１の出力を、反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０とする。
【0067】
上記第１スイッチＳＷ１１は第１演算増幅器Ａ１１の出力端に接続されており、上記ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣに応答してオン状態（例えば、ＥＴ＿ＶＣＣモード）またはオフ状態（例えば、ＲＦ信号モード）になることができ、第１スイッチＳＷ１１がオン状態である場合には上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０が出力され、第１スイッチＳＷ１１がオフ状態である場合には上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０が出力されないことができる。
【0069】
図５を参照すると、上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０は、第１減衰器１１２と、第１反転増幅回路１１３と、第２非反転増幅回路１１４と、を含むことができる。
【0070】
上記第１減衰器１１２は上記第１入力端ＩＮ１に接続されており、上記第１入力端ＩＮ１を介して入力される上記ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣを予め設定された電圧範囲内に減衰させることができる。一例として、上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０は、比較的高い電圧範囲の上記ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣの入力を受け、ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣは、ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０の後段で歪みなしに処理可能な電圧範囲となるように第１減衰器１１２により減衰する必要がある。
【0071】
上記第１反転増幅回路１１３は、上記第１減衰器１１２を介して入力されるＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣを反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣの第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１の出力をスイッチングオン及びオフすることができる。
【0072】
一例として、上記第１反転増幅回路１１３は、第１演算増幅器Ａ１１と、第１スイッチＳＷ１１と、２つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２と、を含むことができる。上記第１反転増幅回路１１３は、図４に示された反転増幅回路１１１と同様の動作を行い、上記第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１を出力するか、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１を出力しないことができる。実際、上記第１演算増幅器Ａ１１は、上記第１減衰器１１２を介して入力される上記ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣと上記第１演算増幅器Ａ１１の非反転端子を介して入力される上記基準電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣとの間の反転増幅された誤差を出力する。しかし、説明を簡潔にするために、上記第１演算増幅器Ａ１１の出力を、反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１とする。
【0073】
上記第２非反転増幅回路１１４は、上記第１減衰器１１２を介して入力されるＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣを非反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣの第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２に応答して、上記非反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿２の出力をスイッチングオン及びオフすることができる。
【0074】
一例として、上記第２非反転増幅回路１１４は、第２演算増幅器Ａ１２と、第２スイッチＳＷ１２と、２つの抵抗Ｒ１３、Ｒ１４と、を含むことができる。上記２つの抵抗Ｒ１３、Ｒ１４のうち１つの抵抗Ｒ１３は上記第２演算増幅器Ａ１２の反転入力端に接続され、上記２つの抵抗Ｒ１３、Ｒ１４のうちもう１つの抵抗Ｒ１４は上記第２演算増幅器Ａ１２の反転入力端と上記第２演算増幅器Ａ１２の出力端との間に接続されており、２つの抵抗Ｒ１３、Ｒ１４は、上記第２演算増幅器Ａ１２の非反転増幅利得（１＋Ｒ１４／Ｒ１３）を決定する。
【0075】
上記第２演算増幅器Ａ１２は、反転入力端を介して基準電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣの入力を受け、第１減衰器１１２を介して非反転入力端に入力されるＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣを上記非反転増幅利得で非反転増幅し、上記非反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿２を第２演算増幅器Ａ１２の出力端を介して出力することができる。実際、上記第２演算増幅器Ａ１２は、上記第１減衰器１１２を介して入力される上記ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣと上記基準電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣとの間の非反転増幅された誤差を出力する。しかし、説明を簡潔にするために、上記第２演算増幅器Ａ１２の出力を、非反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿２とする。
【0076】
上記第２スイッチＳＷ１２は第２演算増幅器Ａ１２の出力端に接続されており、上記第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２の値に依存してオン状態またはオフ状態になることができ、第２スイッチＳＷ１２がオン状態である場合には上記非反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿２が出力され、第２スイッチＳＷ１２がオフ状態である場合には、上記非反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿２が出力されないことができる。
【0077】
一例として、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１と上記非反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿２は、位相が互いに反対である差動電圧信号（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｖｏｌｔａｇｅ ｓｉｇｎａｌ）であることができる。例えば、増幅回路２００が差動増幅構造を有する場合には、上記第１制御信号ＳＣ１のＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣにより、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１と上記非反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿２が両方とも出力されることができ、増幅回路２００がシングル−エンド増幅構造を有する場合には、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１と上記非反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿２のうち１つのみが上記第１制御信号ＳＣ１のＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣにより出力されることができる。
【0078】
図５に係り、上記バイアス制御回路４００は、上記ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣに含まれる第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１及び第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２を出力することができる。例えば、シングル−エンドモードである場合には、上記第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１及び第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２のうち１つのみを、アクティブレベルを有する信号として出力する。また、差動モードである場合には、上記第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１及び第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２を両方ともアクティブレベルを有する信号として出力する。上記シングル−エンドモードにおいて、アクティブレベルを有する信号として出力できる上記第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１及び第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２のうち１つは、予め設定されることができる。
【0080】
図６を参照すると、上記ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０は、第１反転増幅回路１１５と、バッファ回路１１６と、を含むことができる。
【0081】
上記第１反転増幅回路１１５は、上記第１入力端ＩＮ１を介して入力される上記ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣを反転増幅し、上記ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣの第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１の出力をスイッチングオン及びオフすることができる。
【0082】
上記バッファ回路１１６は、基準動作電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣをバッファし、上記ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣの第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２に応答して、上記バッファされた基準動作電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣの出力をスイッチングオン及びオフすることができる。
【0083】
一例として、上記第１反転増幅回路１１５は、第１演算増幅器Ａ１１と、第１スイッチＳＷ１１と、２つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２と、を含むことができる。上記第１反転増幅回路１１５は、図４に示された反転増幅回路１１１と同様の動作を行い、上記第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣに応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１を出力するか、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１を出力しないことができる。実際、上記第１演算増幅器Ａ１１は、上記第１減衰器１１２を介して入力される上記ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣと上記第１演算増幅器Ａ１１の非反転端子を介して入力される上記基準電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣとの間の反転増幅された誤差を出力する。しかし、説明を簡潔にするために、上記第１演算増幅器Ａ１１の出力を、反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１とする。
【0084】
上記バッファ回路１１６は、上記第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２に応答して、上記バッファされた基準動作電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣを出力するか出力しないことができる。一例として、上記バッファ回路１１６は、バッファ増幅器Ｂ１１と、スイッチＳＷ１２と、を含むことができる。上記バッファ増幅器Ｂ１１は、バッファされた基準動作電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣとして入力される基準動作電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣをバッファ増幅器Ｂ１１の出力端から出力し、スイッチＳＷ１２は、上記第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２に応答して、上記バッファされた基準動作電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣをスイッチングオン／オフすることができる。
【0085】
例えば、増幅回路２００が差動増幅構造を有する場合には、上記第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１及び第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２のそれぞれに応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１と上記バッファされた基準動作電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣが両方とも出力されることができる。また、増幅回路２００がシングル−エンド増幅構造を有する場合には、第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２に応答して、上記基準動作電圧ＲＥＦ＿ＶＣＣは出力されず、第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１に応答して、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１のみが出力されることができる。
【0086】
図６に係り、上記バイアス制御回路４００は、上記ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣとして第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１及び第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２を出力することができる。例えば、シングル−エンドモードである場合には、上記第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１を、アクティブレベルを有する信号として出力することができる。また、差動モードである場合には、上記第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１及び第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２を両方ともアクティブレベルを有する信号として出力することができる。
【0088】
図７を参照すると、上記ＲＦエンベロープ検出回路１２０は、ネガティブ整流回路１２１＿１を含む整流回路１２１と、第１バッファードスイッチ回路１２２＿１を含むバッファ回路１２２と、を含むことができる。
【0089】
上記ネガティブ整流回路１２１＿１は、上記第２入力端ＩＮ２を介して入力される上記ＲＦ信号ＳＲＦからネガティブエンベロープ信号を検出することができる。一例として、ネガティブ整流回路１２１＿１は、第２入力端ＩＮ２に接続された直流ブロッキングキャパシターＣＣ１と、上記直流ブロッキングキャパシターＣＣ１に接続されたカソードを有し、ネガティブ整流を行う第１ダイオードＤ１１と、上記第１ダイオードＤ１１のアノードと上記バッファ回路１２２の入力端との間に接続された抵抗Ｒ２２と、抵抗Ｒ２２と上記バッファ回路１２２の入力端との間の接続ノードとバイアス電圧ＶＢＩＡＳ端子との間に接続された抵抗Ｒ２１と、抵抗Ｒ２２と上記バッファ回路１２２の入力端との間の接続ノードと接地との間に接続されたキャパシターＣ１２と、上記第１ダイオードＤ１１のアノードと接地との間に接続されたキャパシターＣ１１と、上記第１ダイオードＤ１１のカソードと接地との間に接続された抵抗Ｒ２３と、を含むことができる。上記抵抗とキャパシターは、上記検出されたネガティブエンベロープ信号をフィルタリングするＲＣフィルターを形成する。
【0090】
上記第１バッファードスイッチ回路１２２＿１は、上記ネガティブ整流回路１２１＿１から出力される信号をバッファリング及びスイッチングオン及びオフすることができる。一例として、上記第１バッファードスイッチ回路１２２＿１は、上記ネガティブ整流回路１２１＿１とバッファ回路１２２の出力端との間に直列に接続された第１非反転バッファＢ２１及び第１バッファスイッチＳＷ２１を含むことができる。上記第１非反転バッファＢ２１は、ネガティブ整流回路１２１＿１から入力されるネガティブエンベロープ信号をバッファし、上記第１非反転バッファＢ２１の出力端から上記バッファされたネガティブエンベロープ信号を出力し、上記第１バッファスイッチＳＷ２１は、上記ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦの第１ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦ１に応答して、上記第１非反転バッファＢ２１から出力された上記バッファされたネガティブエンベロープ信号Ｓ１２０をスイッチングオン及びオフすることができる。
【0091】
図７に係り、図１及び図２の上記バイアス制御回路４００は、上記ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦの第１ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦ１を出力することができる。例えば、ＲＦ信号モードである場合には、上記第１ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦ１を、アクティブレベルを有する信号として出力することができる。
【0093】
図８を参照すると、上記ＲＦエンベロープ検出回路１２０は、ネガティブ整流回路１２１＿１及びポジティブ整流回路１２１＿２を含む整流回路１２１と、第１バッファードスイッチ回路１２２＿１及び第２バッファードスイッチ回路１２２＿２を含むバッファ回路１２２と、を含むことができる。
【0094】
上記ネガティブ整流回路１２１＿１は、上記第２入力端ＩＮ２を介して入力される上記ＲＦ信号ＳＲＦからネガティブエンベロープ信号を検出してネガティブエンベロープ信号Ｓ１２０＿１を出力することができ、上記ポジティブ整流回路１２１＿２は、上記第２入力端ＩＮ２を介して入力される上記ＲＦ信号ＳＲＦからポジティブエンベロープ信号を検出してポジティブエンベロープ信号Ｓ１２０＿２を出力することができる。
【0095】
上記第１バッファードスイッチ回路１２２＿１は、上記ネガティブ整流回路１２１＿１から出力される上記ネガティブエンベロープ信号Ｓ１２０＿１をバッファリング及びスイッチングオン及びオフすることができ、上記第２バッファードスイッチ回路１２２＿２は、上記ポジティブ整流回路１２１＿２から出力される上記ポジティブエンベロープ信号Ｓ１２０＿２をバッファリング及びスイッチングオン及びオフすることができる。
【0096】
一例として、ネガティブ整流回路１２１＿１及び上記第１バッファードスイッチ回路１２２＿１は、図７のネガティブ整流回路１２１＿１及び第１バッファードスイッチ回路１２２＿１と同様に動作し、ネガティブエンベロープ信号Ｓ１２０＿１を出力することができる。
【0097】
一例として、ポジティブ整流回路１２１＿２は、第２入力端ＩＮ２に接続された直流ブロッキングキャパシターＣＣ２と、上記直流ブロッキングキャパシターＣＣ２に接続されたアノードを有し、ポジティブ整流を行う第２ダイオードＤ１２と、上記第２ダイオードＤ１２のカソードと上記バッファ回路１２２の入力端との間に接続された抵抗Ｒ２５と、上記第２ダイオードＤ１２のアノードとバイアス電圧ＶＢＩＡＳ端子との間に接続された抵抗Ｒ２４と、上記第２ダイオードＤ１２のカソードと接地との間に接続されたキャパシターＣ１３と、上記抵抗Ｒ２５と上記バッファ回路１２２の入力端との間の接続ノードと接地との間に接続されたキャパシターＣ１４と、抵抗Ｒ２６と、を含むことができる。
【0098】
一例として、上記第２バッファードスイッチ回路１２２＿２は、上記ポジティブ整流回路１２１＿２とバッファ回路１２２の出力端との間に直列に接続された第２非反転バッファＢ２２及び第２バッファスイッチＳＷ２２を含むことができる。上記第２非反転バッファＢ２２は、ポジティブ整流回路１２１＿２から入力されるポジティブエンベロープ信号をバッファし、上記第２非反転バッファＢ２２の出力端から上記バッファされたポジティブエンベロープ信号を出力する。上記第２バッファスイッチＳＷ２２は、上記ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦの第２ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦ２に応答して、上記第２非反転バッファＢ２２から出力される上記バッファされたポジティブエンベロープ信号Ｓ１２０＿２をスイッチングオン及びオフすることができる。
【0099】
図８に係り、図１及び図２の上記バイアス制御回路４００は、上記ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦの第１ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦ１及び第２ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦ２を出力することができる。例えば、シングル−エンドモードである場合には、上記第１ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦ１及び第２ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦ２のうち１つの信号のみを、アクティブレベルを有する信号として出力することができる。また、差動モードである場合には、上記第１ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦ１及び第２ＲＦ制御信号ＥＮ＿ＲＦ２を両方ともアクティブレベルを有する信号として出力することができる。上記シングル−エンドモードにおいて、アクティブレベルを有する信号として出力できる上記第１ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ１及び第２ＶＣＣ制御信号ＥＮ＿ＶＣＣ２のうち１つは、予め設定されることができる。
【0100】
一方、ネガティブ整流を行う第１ダイオードＤ１１及びポジティブ整流を行う第２ダイオードＤ１２はそれぞれ、反対方向に接続された整流素子であって、それぞれは、ＲＦ信号ＳＲＦのネガティブ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）エンベロープ及びポジティブ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）エンベロープ信号を検出することができる。そして、上記検出されたポジティブ及びネガティブエンベロープ信号は、抵抗とキャパシターからなるＲＣフィルターによりフィルタリングされることができる。また、上記抵抗Ｒ２２とキャパシターＣ１２は、上記検出されたネガティブエンベロープ信号をフィルタリングする第１ローパスＲＣフィルターを形成し、上記抵抗Ｒ２５とキャパシターＣ１４は、上記検出されたポジティブエンベロープ信号をフィルタリングする第２ローパスＲＣフィルターを形成する。
【0103】
入力されるＲＦ信号ＳＲＦのうちネガティブ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）エンベロープ信号は、上記ネガティブ整流回路１２１＿１により検出され、上記第１バッファードスイッチ回路１２２＿１によりバッファされる。
【0104】
入力されるＲＦ信号ＳＲＦのうちポジティブ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）エンベロープ信号は、上記ポジティブ整流回路１２１＿２により検出され、上記第２バッファードスイッチ回路１２２＿２によりバッファされる。
【0105】
図１０は、ＥＴ ＶＣＣ検出回路及びＲＦエンベロープ検出回路の入力及び出力信号波形の例示図である。
【0106】
図１０は、本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路または電力増幅装置が、ＥＴ ＶＣＣモードで動作する場合、そしてエンベロープトラッキングバイアス回路または電力増幅装置が、ＲＦ信号モードで動作する場合に、図３のＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０及びＲＦエンベロープ検出回路１２０の入力及び出力信号の波形を例示している。図１０の波形は、０ｕｓｅｃから１．５ｕｓｅｃまでＲＦ信号ＳＲＦがターンオフされ、ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣのみが印加され、その後１．５ｕｓｅｃから３ｕｓｅｃまでの間に上記ＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣがターンオフされ、上記ＲＦ信号ＳＲＦが印加されるテストを行うことにより得られる。
【0107】
図１０を参照すると、本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路または電力増幅装置がＥＴ ＶＣＣモードで動作する場合、ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０はイネーブル（例えば、アクティブ状態）となり、ＲＦエンベロープ検出回路１２０はディスエーブル（例えば、ノンアクティブ状態）となることができる。この場合、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１及び上記非反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿２が出力されることができる。
【0108】
これとは反対に、本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路または電力増幅装置がＲＦ信号モードで動作する場合、ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０はディスエーブル（例えば、ノンアクティブ状態）となり、ＲＦエンベロープ検出回路１２０はイネーブル（例えば、アクティブ状態）となる。この場合、ネガティブエンベロープ信号Ｓ１２０＿１及びポジティブエンベロープ信号Ｓ１２０＿２を出力する。
【0109】
図１０から分かるように、０ｕｓｅｃから１．５ｕｓｅｃまでＥＴ動作電圧ＥＴ＿ＶＣＣのみが印加され、ＥＴ ＶＣＣ検出回路１１０のみがオン状態で、上記反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿１及び上記非反転増幅されたＥＴ動作電圧Ｓ１１０＿２が出力される。
【0110】
その後、図１０から分かるように、１．５ｕｓｅｃから３ｕｓｅｃまでの間にはＲＦ信号ＳＲＦのみが印加され、ＲＦエンベロープ検出回路１２０のみがオン状態で、ネガティブエンベロープ信号Ｓ１２０＿１及びポジティブエンベロープ信号Ｓ１２０＿２が出力される。
【0111】
図１０に示されたグラフは、増幅回路２００が差動構造を有する場合の例示であって、上記増幅回路２００は、これに限定されず、シングル−エンド構造を有することができる。
【0114】
このように、第１バイアス出力回路３１０は、電力増幅回路の駆動増幅器（ＤＡ）（図１１には示されていない）のような第１電力増幅器に第１バイアス信号を第１出力端子ＯＵＴ１を介して提供する。第２バイアス出力回路３２０は、電力増幅回路の電力増幅器（ＰＡ）（図１１には示されていない）のような第２電力増幅器に第２バイアス信号を第２出力端子ＯＵＴ２を介して提供する。一例として、上記駆動増幅器（ＤＡ）及び電力増幅器（ＰＡ）は、増幅利得を全体的に大きく獲得するために直列に接続される。上記駆動増幅器（ＤＡ）は、入力端子（図１には示されていない）を介して入力信号を受信し、上記駆動増幅器（ＤＡ）の出力は、上記電力増幅器（ＰＡ）の入力端に接続される。上記駆動増幅器（ＤＡ）は、全体増幅利得の一部を提供し、入力端子と上記電力増幅器（ＰＡ）との間のインピーダンスマッチングを行い、上記電力増幅器（ＰＡ）と入力端子との間のバッファとして作用する。
【0115】
一例として、図１１に示されたように、第１バイアス出力回路３１０は、バイアス制御回路４００から出力される第３制御信号ＳＣ３の１ ＳＣ３＿１により制御される。第２バイアス出力回路３２０は、バイアス制御回路４００から出力される第３制御信号ＳＣ３の２ ＳＣ３＿２により第１バイアス出力回路３１０と個別的に制御される。
【0116】
第１バイアス出力回路３１０と第２バイアス出力回路３２０はそれぞれ、バイアス制御回路４００の第３制御信号ＳＣ３を介して互いに個別的に制御されることができる。
【0117】
図１３は本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路の第３実施形態を示す図である。
【0118】
図１３を参照すると、本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路の第３実施形態によるバイアス出力回路３００は、第１バイアス出力回路３３０及びＶ／Ｉ変換回路３５０を含むことができる。
【0119】
一例として、上記Ｖ／Ｉ変換回路３５０は、負荷抵抗ＲＬ及びバッファＢ３１を含むことができる。例えば、上記第１バイアス出力回路３３０がＥＴバイアス電流Ｉｅｔ＿ｂｉａｓを出力する場合、上記ＥＴバイアス電流Ｉｅｔ＿ｂｉａｓをＶ／Ｉ変換回路３５０がＥＴバイアス電圧Ｖｅｔ＿ｂｉａｓに変更して出力することができる。
【0120】
これにより、図１３における本発明の一実施形態によるエンベロープトラッキングバイアス回路は、電力増幅装置への適用範囲を拡大することができる。
【0122】
上記メモリ４２０は、プロセッサ４１０によって実行される時に、プロセッサ４１０が、図１〜図１３を参照して説明されたように、図１、図２、図１１〜図１３の上記バイアス制御回路４００の機能を実行させる命令を記憶する。
【0123】
上述の本発明の実施形態によると、ＲＦ信号から検出されたＲＦ信号のエンベロープ及びＥＴ ＶＣＣのうち１つを選択的に用いることにより、電力増幅器（ＰＡ）のバイアス信号が提供できるため、ＰＡ特性に適したＥＴバイアスが提供されることができる。
【0124】
上述のように、エンベロープトラッキングバイアス回路は、ＲＦ信号から検出されたエンベロープ信号及びＥＴ ＶＣＣ動作電圧を両方とも用いることができるため、幅広い適用性を有することができ、エンベロープトラッキングバイアス回路がＥＴバイアス信号を電流または電圧として提供するように設計された場合、電力増幅器（ＰＡ）集積回路へのエンベロープトラッキングバイアス回路の適用範囲が拡大されることができる。
【符号の説明】
【0125】
１００ 検出回路２００ 増幅回路
３００ バイアス出力回路
４００ バイアス制御回路