特許6798769IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

一般に、センサチップ組立体(SCA)に関し、特に、マイクレンズアレイなどの、光学要素を有するセンサチップ組立体に関する。さらに詳細には、マイクロレンズアレイ、センサアレイ、および読み出し集積回路(ROIC)を製造するための方法および装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様は、センサチップ組立体を製造するための方法を提供する。光検出器ウェハおよび光学ウェハは、互いにボンディングされる。光検出器は光検出器ウェハ上に形成される。回路ウェハは、光検出器ウェハ上に光検出器を形成した後、光学ウェハにボンディングされる光検出器ウェハにボンディングされる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】例示的な実施形態による集積回路製造システムのブロック図である。

【図2】一例によるマイクロレンズウェハの断面図である。

【図3】一例による光検出器ウェハにボンディングされるマイクロレンズウェハの断面図である。

【図4】一例による基板が除去された光検出器ウェハにボンディングされるマイクロレンズウェハの断面図である。

【図5】一例による光検出器を伴う光検出器ウェハにボンディングされるマイクロレンズウェハの断面図である。

【図6】一例による読み出し集積回路ウェハにボンディングされる光検出器ウェハの断面図である。

【図7】例示的な実施形態による光検出器の断面図である。

【図8】例示的な実施形態による光学ウェハの平面図である。

【図9】例示的な実施形態によるセンサチップ組立体を製造するための高レベル処理のフローチャートである。

【図10】例示的な実施形態によるセンサチップ組立体を製造するための処理のフローチャートである。

【図11】例示的な実施形態による、光検出器ウェハ上に光検出器を形成する処理のフローチャートである。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

100 センサチップ組立体製造システム   102 センサチップ組立体   106 ウェハ   108 半導体製造装置   116 光検出器製造処理   118 ウェハレベルアライメント   119 光学ウェハ   120 光検出器ウェハ   121 回路ウェハ   122 アライメントマークのグループ   123 マイクロレンズウェハ   124 マイクロレンズの配列   125 マイクロレンズ   129 光検出器   130 読み出し集積回路ウェハ   131 読み出し集積回路   132 アレイ   133 アバランシェ・フォトダイオード   134 集積回路   136 ウェハスタック   138 チップ   144 基板   146 エピタキシャル層   200 マイクロレンズウェハ   202 マイクロレンズ   204 裏面   206 表面   210 直径   212 厚さ   300 光検出器ウェハ   302 基板   304 エピタキシャル層   306 直径   308 厚さ   310 厚さ   500 光検出器   502 バンプ   504 光検出器   506 区分   600 読み出し集積回路ウェハ   602 読み出し集積回路   604 バンプ   606 ウェハスタック   608 直径   610 厚さ   700 アバランシェ光検出器   702 p+InPバッファ   704 基板層   706 InP増倍層   708 InPフィールドストップ層   710 nGaAsP吸収層   712 n+InP層   714 接点   716 アンダーバンプ金属   718 インジウムバンプ   720 表面   800 アライメントマークのグループ   802 アライメントマーク   804 アライメントマーク   806 マイクロレンズ   900 操作   902 操作   904 操作   906 操作   1000 操作   1002 操作   1004 操作   1006 操作   1008 操作   1010 操作   1012 操作   1100 操作   1102 操作

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