特許 6803498 電子装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】6803498

(24)【登録日】2020年12月2日

(45)【発行日】2020年12月23日

(54)【発明の名称】電子装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/29 20060101AFI20201214BHJP

   H01L 23/31 20060101ALI20201214BHJP

   H01L 23/00 20060101ALI20201214BHJP

   B32B 37/06 20060101ALI20201214BHJP

   B32B 27/00 20060101ALI20201214BHJP

   C09J 7/29 20180101ALI20201214BHJP

   C09J 201/02 20060101ALI20201214BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/30 D

   H01L23/00 C

   B32B37/06

   B32B27/00 M

   C09J7/29

   C09J201/02

【請求項の数】11

【全頁数】16

(21)【出願番号】特願2020-545611(P2020-545611)

(86)(22)【出願日】2020年3月10日

(86)【国際出願番号】JP2020010246

【審査請求日】2020年8月31日

(31)【優先権主張番号】特願2019-67184(P2019-67184)

(32)【優先日】2019年3月29日

(33)【優先権主張国】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000220099

【氏名又は名称】三井化学東セロ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100110928

【弁理士】

【氏名又は名称】速水 進治

(72)【発明者】

【氏名】室伏 貴信

(72)【発明者】

【氏名】森本 哲光

【審査官】 井上 弘亘

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第2018/147097（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第2017/170449（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開2015-179825（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開2018-107425（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開2017-137487（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開2014-131016（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２３／２９

Ｂ３２Ｂ ２７／００

Ｂ３２Ｂ ３７／０６

Ｃ０９Ｊ ７／２９

Ｃ０９Ｊ ２０１／０２

Ｈ０１Ｌ ２３／００

Ｈ０１Ｌ ２３／３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

回路形成面を有する電子部品と、基材層、凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有し、前記電子部品の前記回路形成面側に貼り付けられた粘着性積層フィルムと、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に貼り付けられた熱硬化性保護フィルムと、
を備える構造体を準備する準備工程（Ａ）と、
前記構造体を加熱することにより、前記熱硬化性保護フィルムを熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）と、
を備える電子装置の製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の電子装置の製造方法において、
前記準備工程（Ａ）は、
前記電子部品の前記回路形成面に前記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、前記粘着性積層フィルムにおける前記凹凸吸収性樹脂層を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程と、
前記硬化工程の後に、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に前記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程と、
を含む電子装置の製造方法。

【請求項3】

請求項２に記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に前記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程における加熱温度が５０℃以上９０℃以下である電子装置の製造方法。

【請求項4】

請求項２または３に記載の電子装置の製造方法において、
前記準備工程（Ａ）は、前記硬化工程の前に、前記電子部品の前記回路形成面に前記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程を含む電子装置の製造方法。

【請求項5】

請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記熱硬化工程（Ｂ）における加熱温度が１２０℃以上１７０℃以下である電子装置の製造方法。

【請求項6】

請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品の前記回路形成面はバンプ電極を含む電子装置の製造方法。

【請求項7】

請求項６に記載の電子装置の製造方法において、
前記バンプ電極の高さをＨ［μｍ］とし、前記凹凸吸収性樹脂層の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが０．０１以上１以下である電子装置の製造方法。

【請求項8】

請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記凹凸吸収性樹脂層が架橋性樹脂を含む電子装置の製造方法。

【請求項9】

請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記凹凸吸収性樹脂層の厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である電子装置の製造方法。

【請求項10】

請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記基材層を構成する樹脂がポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリイミドからなる群から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。

【請求項11】

請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子装置（例えば、半導体装置）の製造工程では、電子部品（例えば、半導体ウエハ）の非回路形成面（裏面）を保護する観点から、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程をおこなう場合がある。
このような熱硬化性保護フィルムに関する技術としては、例えば、特許文献１（特開２０１７−１１８８号公報）に記載のものが挙げられる。

【0003】

特許文献１には、非導電性無機材料で構成された保護層と、上記保護層の一方の面に設けられた接着剤層とを具備する半導体用保護フィルムが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１７−１１８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

近年の傾向として電子部品の厚みが薄くなってきている。本発明者らの検討によれば、電子部品の厚みが薄くなるに従い、従来の電子装置の製造方法において、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付けた後に上記保護フィルムを熱硬化する際に、電子部品に反りが生じやすくなる傾向にあることが明らかになった。特に、ウエハーレベルＣＳＰの様に樹脂と半導体が一体化されており当該樹脂の厚みが比較的厚い場合や、電極等で表面の凹凸が大きくい場合には、反りが生じやすい傾向にある。電子部品に反りが生じると、電子部品のハンドリングが難しくなったり、電極にクラックが発生したりしてしまう。

【0006】

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、反りを抑制することが可能な電子装置の製造方法を提供することが可能な電子装置の製造方法を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、電子部品の回路形成面を保護するための表面保護フィルムとして、基材層、凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有する粘着性積層フィルムを使用し、この粘着性積層フィルムを貼り付けた状態で、電子部品の非回路形成面に貼り付けた熱硬化性保護フィルムの熱硬化をおこなうことにより、電子部品の反りを抑制できることを見出して、本発明を完成させた。

【0008】

本発明によれば、以下に示す電子装置の製造方法が提供される。

【0009】

［１］
回路形成面を有する電子部品と、基材層、凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有し、上記電子部品の上記回路形成面側に貼り付けられた粘着性積層フィルムと、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に貼り付けられた熱硬化性保護フィルムと、
を備える構造体を準備する準備工程（Ａ）と、
上記構造体を加熱することにより、上記熱硬化性保護フィルムを熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）と、
を備える電子装置の製造方法。
［２］
上記［１］に記載の電子装置の製造方法において、
上記準備工程（Ａ）は、
上記電子部品の上記回路形成面に上記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、上記粘着性積層フィルムにおける上記凹凸吸収性樹脂層を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程と、
上記硬化工程の後に、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に上記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程と、
を含む電子装置の製造方法。
［３］
上記［２］に記載の電子装置の製造方法において、
上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に上記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程における加熱温度が５０℃以上９０℃以下である電子装置の製造方法。
［４］
上記［２］または［３］に記載の電子装置の製造方法において、
上記準備工程（Ａ）は、上記硬化工程の前に、上記電子部品の上記回路形成面に上記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程を含む電子装置の製造方法。
［５］
上記［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記熱硬化工程（Ｂ）における加熱温度が１２０℃以上１７０℃以下である電子装置の製造方法。
［６］
上記［１］乃至［５］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記電子部品の上記回路形成面はバンプ電極を含む電子装置の製造方法。
［７］
上記［６］に記載の電子装置の製造方法において、
上記バンプ電極の高さをＨ［μｍ］とし、上記凹凸吸収性樹脂層の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが０．０１以上１以下である電子装置の製造方法。
［８］
上記［１］乃至［７］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記凹凸吸収性樹脂層が架橋性樹脂を含む電子装置の製造方法。
［９］
上記［１］乃至［８］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記凹凸吸収性樹脂層の厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である電子装置の製造方法。
［１０］
上記［１］乃至［９］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記基材層を構成する樹脂がポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリイミドからなる群から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
［１１］
上記［１］乃至［１０］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、反りを抑制することが可能な電子装置の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明に係る実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。また、数値範囲の「Ａ〜Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。また、本実施形態において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル、メタクリルまたはアクリルおよびメタクリルの両方を意味する。

【0013】

図１は、本発明に係る実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。

【0014】

本実施形態に係る電子装置の製造方法は、以下の工程（Ａ）および工程（Ｂ）を含む。
（Ａ）回路形成面１０Ａを有する電子部品１０と、基材層２０、凹凸吸収性樹脂層３０および粘着性樹脂層４０をこの順番に有し、電子部品１０の回路形成面１０Ａ側に貼り付けられた粘着性積層フィルム５０と、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに貼り付けられた熱硬化性保護フィルム７０と、を備える構造体６０を準備する準備工程
（Ｂ）構造体６０を加熱することにより、熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程

【0015】

前述したように、本発明者らの検討によれば、電子部品の厚みが薄くなるに従い、従来の電子装置の製造方法において、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付けた後に上記保護フィルムを熱硬化する際に、電子部品に反りが生じやすくなる傾向にあることが明らかになった。特に、ウエハーレベルＣＳＰの様に樹脂と半導体が一体化されており当該樹脂の厚みが比較的厚い場合や、電極等で表面の凹凸が大きくい場合には、反りが生じやすい傾向にある。電子部品に反りが生じると、電子部品のハンドリングが難しなったり、電極にクラックが発生したりしてしまう。
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、電子部品１０の回路形成面１０Ａを保護するための表面保護フィルムとして、基材層２０、凹凸吸収性樹脂層３０および粘着性樹脂層４０をこの順番に有する粘着性積層フィルム５０を使用し、この粘着性積層フィルム５０を貼り付けた状態で、回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに貼り付けられた熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）をおこなうことによって、熱硬化工程（Ｂ）における電子部品１０の反りを抑制できることを見出した。
以上のように、本実施形態に係る電子装置の製造方法によれば、電子装置の反りを抑制することが可能となる。

【0016】

１．粘着性積層フィルム
以下、本実施形態に係る電子装置の製造方法で用いる粘着性積層フィルム５０について説明する。

【0017】

＜基材層＞
基材層２０は、粘着性積層フィルム５０の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。
基材層２０は特に限定されないが、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
基材層２０を構成する樹脂としては、公知の熱可塑性樹脂を用いることができる。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）、ポリ（１−ブテン）等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ナイロン−６、ナイロン−６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリアクリレート；ポリメタアクリレート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリアミドイミド；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリアクリロニトリル；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリエーテルエーテルケトン；ポリフェニレンスルフィド；ポリフェニレンエーテル；ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、ポリブチレンテレフタレート等のエラストマー；等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
これらの中でも、透明性を良好にする観点から、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、およびポリブチレンテレフタレートから選択される一種または二種以上が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、ポリブチレンテレフタレートおよびポリイミドから選択される一種または二種以上がより好ましい。
また、粘着性積層フィルム５０の柔軟性や伸縮性等の特性と耐熱性とのバランスを向上させる観点から、基材層２０を構成する樹脂としては、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、およびポリブチレンテレフタレート等から選択される一種または二種以上がさらに好ましい。これにより、粘着性積層フィルム５０の伸縮性や柔軟性が向上し、電子部品１０と粘着性積層フィルム５０とを剥離する際に粘着性積層フィルム５０を面内方向に拡張させることがより一層容易になり、粘着性積層フィルム５０から電子部品１０を剥離し易くなる。

【0018】

基材層２０の融点は１００℃以上であることが好ましい。融点上限は特に限定されず、加工性等を鑑みて選択すればよい。
このような基材層２０を用いると、工程（Ｂ）において粘着性積層フィルム５０が高温に曝されても粘着性積層フィルム５０の変形や溶融をより一層抑制することができる。

【0019】

基材層２０は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
また、基材層２０を形成するために使用する樹脂フィルムの形態としては、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよい。

【0020】

基材層２０の厚さは、良好なフィルム特性を得る観点から、好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上３００μｍ以下、さらに好ましくは２５μｍ以上２５０μｍ以下である。
基材層２０は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。

【0021】

＜凹凸吸収性樹脂層＞
本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、基材層２０と粘着性樹脂層４０との間に凹凸吸収性樹脂層３０を有する。
凹凸吸収性樹脂層３０は、粘着性積層フィルム５０の回路形成面１０Ａへの追従性を良好にし、回路形成面１０Ａと粘着性積層フィルム５０との密着性を良好にすることを目的として設けられる層である。さらに、凹凸吸収性樹脂層３０は熱硬化または紫外線硬化することで、粘着性積層フィルム５０の耐熱性を高めることを目的として設けられる層である。これによって、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において電子部品の反りを抑制することができる。さらに電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において、凹凸吸収性樹脂層３０が溶融して樹脂のハミ出しが起きるのを抑制できる。

【0022】

凹凸吸収性樹脂層３０を構成する樹脂は、凹凸吸収性を示すものであれば特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、および（メタ）アクリル系樹脂からなる群から選択される一種または二種以上が挙げられる。

【0023】

また、凹凸吸収性樹脂層３０は架橋性樹脂を含むことが好ましい。凹凸吸収性樹脂層３０が架橋性樹脂を含むことにより、工程（Ｂ）の前に凹凸吸収性樹脂層３０をより効果的に熱硬化または紫外線硬化させることができ、凹凸吸収性樹脂層３０の耐熱性をより一層向上させることが可能となる。これにより、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において電子部品の反りをより一層抑制することができる。さらに電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において、凹凸吸収性樹脂層３０が溶融して樹脂のハミ出しが起きるのをより一層抑制できる。
本実施形態に係る架橋性樹脂としては凹凸吸収性樹脂層３０を形成でき、かつ、熱や紫外線等によって架橋して耐熱性が向上する樹脂であれば特に限定されないが、例えば、エチレンおよび炭素数３〜２０のα−オレフィンとを含むエチレン・α−オレフィン共重合体、高密度エチレン系樹脂、低密度エチレン系樹脂、中密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、プロピレン（共）重合体、１−ブテン（共）重合体、４−メチルペンテン−１（共）重合体、エチレン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α−オレフィン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α−オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・芳香族ビニル共重合体、エチレン・α−オレフィン・芳香族ビニル共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・α−オレフィン・不飽和無水カルボン酸共重合体等のエチレン・無水カルボン酸系共重合体；エチレン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・α−オレフィン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体等のエチレン・エポキシ系共重合体；エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸プロピル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸ブチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸ヘキシル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシエチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシプロピル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸グリシジル共重合体等のエチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体；エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・マレイン酸共重合体、エチレン・フマル酸共重合体、エチレン・クロトン酸共重合体等のエチレン・エチレン性不飽和酸共重合体；エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピオン酸ビニル共重合体、エチレン・酪酸ビニル共重合体、エチレン・ステアリン酸ビニル共重合体等のエチレン・ビニルエステル共重合体；エチレン・スチレン共重合体等；（メタ）アクリル酸エステル（共）重合体等の不飽和カルボン酸エステル（共）重合体；エチレン・アクリル酸金属塩共重合体、エチレン・メタアクリル酸金属塩共重合体等のアイオノマー樹脂；ウレタン系樹脂；シリコーン系樹脂；アクリル酸系樹脂；メタアクリル酸系樹脂；環状オレフィン（共）重合体；α−オレフィン・芳香族ビニル化合物・芳香族ポリエン共重合体；エチレン・α−オレフィン・芳香族ビニル化合物；芳香族ポリエン共重合体；エチレン・芳香族ビニル化合物・芳香族ポリエン共重合体；スチレン系樹脂；アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体；スチレン・共役ジエン共重合体；アクリロニトリル・スチレン共重合体；アクリロニトリル・エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエン・スチレン共重合体；アクリロニトリル・エチレン・α−オレフィン・共役ポリエン・スチレン共重合体；メタアクリル酸・スチレン共重合体；エチレンテレフタレート樹脂；フッ素樹脂；ポリエステルカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー；ポリスチレン系熱可塑性エラストマー；ポリウレタン系熱可塑性エラストマー；１，２−ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー；トランスポリイソプレン系熱可塑性エラストマー；塩素化ポリエチレン系熱可塑性エラストマー；液晶性ポリエステル；ポリ乳酸等から選択される一種または二種以上を用いることができる。

【0024】

これらの中でも、有機過酸化物等の架橋剤による架橋が容易であることから、エチレンおよび炭素数３〜２０のα−オレフィンからなるエチレン・α−オレフィン共重合体、低密度エチレン系樹脂、中密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、エチレン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α−オレフィン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α−オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・芳香族ビニル共重合体、エチレン・α−オレフィン・芳香族ビニル共重合体等のオレフィン系樹脂、エチレン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・α−オレフィン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・α−オレフィン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタアクリル酸共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体、１，２−ポリブタジエン系熱可塑性エラストマーから選択される一種または二種以上を用いることが好ましい。
エチレンおよび炭素数３〜２０のα−オレフィンからなるエチレン・α−オレフィン共重合体、低密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α−オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・α−オレフィン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・α−オレフィン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタアクリル酸共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体から選択される一種または二種以上を用いることがより好ましい。
エチレンおよび炭素数３〜２０のα−オレフィンからなるエチレン・α−オレフィン共重合体、低密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α−オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタアクリル酸共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体から選択される一種または二種以上を用いることがさらに好ましい。
これらの中でも、エチレン・α−オレフィン共重合体およびエチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される少なくとも一種が特に好ましく使用される。なお本実施形態においては上述した樹脂は、単独で用いてもよいし、ブレンドして用いてもよい。

【0025】

本実施形態における架橋性樹脂として用いられる、エチレンおよび炭素数３〜２０のα−オレフィンからなるエチレン・α−オレフィン共重合体のα−オレフィンとしては、通常、炭素数３〜２０のα−オレフィンを１種類単独でまたは２種類以上を組み合わせて用いることができる。中でも好ましいのは、炭素数が１０以下であるα−オレフィンであり、とくに好ましいのは炭素数が３〜８のα−オレフィンである。このようなα−オレフィンとしては、例えば、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブテン、３，３−ジメチル−１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン等を挙げることができる。これらの中でも、入手の容易さからプロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテンおよび１−オクテンが好ましい。なお、エチレン・α−オレフィン共重合体はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよいが、柔軟性の観点からランダム共重合体が好ましい。

【0026】

凹凸吸収性樹脂層３０の厚さは、電子部品１０の回路形成面１０Ａの凹凸を埋め込むことができる厚さであれば、特に制限されないが、例えば、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上９００μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以上８００μｍ以下であることがさらに好ましく、５０μｍ以上７００μｍ以下であることが特に好ましい。

【0027】

電子部品１０の回路形成面１０Ａに存在するバンプ電極の高さをＨ［μｍ］とし、凹凸吸収性樹脂層３０の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが１以下であることが好ましく、０．８５以下であることがより好ましく、０．７以下であることがさらに好ましい。Ｈ／ｄが上記上限値以下であると、粘着性積層フィルム５０の厚みをより薄くしつつ、凹凸吸収性をより良好にすることができる。
Ｈ／ｄの下限は特に限定されないが、例えば、０．０１以上である。バンプ電極の高さは、一般的に２μｍ以上６００μｍ以下である。

【0028】

＜粘着性樹脂層＞
粘着性樹脂層４０は、凹凸吸収性樹脂層３０の一方の面側に設けられる層であり、粘着性積層フィルム５０を電子部品１０の回路形成面１０Ａに貼り付ける際に、電子部品１０の回路形成面１０Ａに接触して粘着する層である。

【0029】

粘着性樹脂層４０を構成する粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、スチレン系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、接着力の調整を容易にできる点等から、（メタ）アクリル系重合体をベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。

【0030】

また、粘着性樹脂層４０を構成する粘着剤としては、放射線により粘着力を低下させる放射線架橋型粘着剤を用いることもできる。放射線架橋型粘着剤により構成された粘着性樹脂層４０は、放射線の照射により架橋して粘着力が著しく減少するため、後述する電子部品１０と粘着性積層フィルム５０とを剥離する工程（Ｃ）において、粘着性樹脂層４０から電子部品１０を剥離し易くなる。放射線としては、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。
放射線架橋型粘着剤としては、紫外線架橋型粘着剤が好ましい。

【0031】

（メタ）アクリル系粘着剤に含まれる（メタ）アクリル系重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル化合物の単独重合体、（メタ）アクリル酸エステル化合物とコモノマーとの共重合体等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステル化合物としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステル化合物は一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
また、（メタ）アクリル系共重合体を構成するコモノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、（メタ）アクリルニトリル、スチレン、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、（メタ）アクリルアマイド、メチロール（メタ）アクリルアマイド、無水マレイン酸等が挙げられる。これらのコモノマーは一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。

【0032】

放射線架橋型粘着剤は、例えば、上記（メタ）アクリル系重合体と、架橋性化合物（炭素−炭素二重結合を有する成分）と、光重合開始剤または熱重合開始剤と、を含む。

【0033】

架橋性化合物としては、例えば、分子中に炭素−炭素二重結合を有し、ラジカル重合により架橋可能なモノマー、オリゴマーまたはポリマー等が挙げられる。このような架橋性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル；エステル（メタ）アクリレートオリゴマー；２−プロペニルジ−３−ブテニルシアヌレート、２−ヒドロキシエチルビス（２−（メタ）アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート等のイソシアヌレートまたはイソシアヌレート化合物等が挙げられる。
なお、（メタ）アクリル系重合体が、ポリマーの側鎖に炭素−炭素二重結合を有する放射線架橋型ポリマーである場合は、架橋性化合物を加えなくてもよい。

【0034】

架橋性化合物の含有量は、（メタ）アクリル系重合体１００質量部に対して５〜９００質量部が好ましく、５〜１００質量部がより好ましく、１０〜５０質量部がさらに好ましい。架橋性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも少ない場合に比べて粘着力の調整がし易くなり、上記範囲よりも多い場合に比べて、熱や光に対する感度が高すぎることによる保存安定性の低下が起こりにくい。

【0035】

光重合開始剤としては、放射線を照射することにより開裂しラジカルを生成する化合物であればよく、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等の芳香族ケトン類；ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン；クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類等が挙げられる。

【0036】

熱重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物誘導体やアゾ系重合開始剤等が挙げられる。加熱時に窒素が発生しない点から、好ましくは有機過酸化物誘導体である。熱重合開始剤としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルおよびパーオキシジカーボネート等が挙げられる。

【0037】

粘着剤には架橋剤を添加してもよい。架橋剤としては、例えば、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリストールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物；テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジン系化合物；テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物等が挙げられる。
架橋剤の含有量は、粘着性樹脂層４０の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、（メタ）アクリル系重合体１００質量部に対し、０．１質量部以上１０質量部以下であることが好ましい。

【0038】

粘着性樹脂層４０の厚みは特に制限されないが、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

【0039】

粘着性樹脂層４０は、例えば、凹凸吸収性樹脂層３０上に粘着剤塗布液を塗布することにより形成することができる。
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０〜１７０℃において、１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。

【0040】

本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、凹凸吸収性樹脂層３０を紫外線硬化させたり、粘着性樹脂層４０を紫外線架橋させたりする場合には、当該硬化や架橋を本発明の目的を妨げない程度に光線透過率を有する必要がある。

【0041】

本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０全体の厚さは、機械的特性と取扱い性のバランスから、好ましくは２５μｍ以上１１００μｍ以下であり、より好ましくは１００μｍ以上９００μｍ以下であり、さらに好ましくは２００μｍ以上８００μｍ以下である。

【0042】

本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、各層の間に接着層（図示せず）を設けていてもよい。この接着層によれば、各層の間の接着性を向上させることができる。

【0043】

次に、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０の製造方法の一例について説明する。
まず、基材層２０の一方の面に凹凸吸収性樹脂層３０を押出しラミネート法によって形成する。次いで、凹凸吸収性樹脂層３０上に粘着剤塗布液を塗布し乾燥させることによって、粘着性樹脂層４０を形成し、粘着性積層フィルム５０が得られる。
また、基材層２０と凹凸吸収性樹脂層３０とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の基材層２０とフィルム状の凹凸吸収性樹脂層３０とをラミネート（積層）して形成してもよい。

【0044】

２．電子装置の製造方法
次に、本実施形態に係る電子装置の製造方法の各工程について説明する。

【0045】

（工程（Ａ））
はじめに、回路形成面１０Ａを有する電子部品１０と、基材層２０、凹凸吸収性樹脂層３０および粘着性樹脂層４０をこの順番に有し、電子部品１０の回路形成面１０Ａ側に貼り付けられた粘着性積層フィルム５０と、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに貼り付けられた熱硬化性保護フィルム７０と、を備える構造体６０を準備する。

【0046】

このような構造体６０は、例えば、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０を貼り付ける工程（Ａ１）と、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）とをおこなうことによって作製することができる。

【0047】

電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０を貼り付ける方法は特に限定されず、一般的に公知の方法で剥がすことができる。例えば、人手により行ってもよいし、ロール状の粘着性積層フィルム５０を取り付けた自動貼り機と称される装置によって行ってもよい。

【0048】

電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける方法は特に限定されず、一般的に公知の方法で剥がすことができる。例えば、人手により行ってもよいし、ロール状の熱硬化性保護フィルム７０を取り付けた自動貼り機と称される装置によって行ってもよい。

【0049】

電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）は、例えば、熱硬化性保護フィルム７０を加熱しながら行われる。工程（Ａ２）における加熱温度は熱硬化性保護フィルム７０の種類によって適宜設定されるため特に限定されないが、例えば、５０℃以上９０℃以下であり、好ましくは６０℃以上８０℃以下である。

【0050】

熱硬化性保護フィルム７０としては特に限定されず、例えば、公知の熱硬化型の半導体裏面保護用フィルムを用いることができる。
熱硬化性保護フィルム７０は、例えば、熱硬化性の接着剤層を備え、必要に応じて保護層をさらに備えてもよい。
接着剤層としては、熱硬化性樹脂により形成されていることが好ましく、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂により形成されていることがより好ましい。
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、１種または２種以上を用いることができる。これらの中でも、イオン性不純物等の含有量が少ないエポキシ樹脂が好ましい。
熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種または２種以上を用いることができる。これらの中でも、イオン性不純物等の含有量が少ないアクリル樹脂が好ましい。

【0051】

接着剤層には、必要に応じて他の添加剤を含有させることができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤等が挙げられる。

【0052】

保護層は、例えば、耐熱性樹脂、金属等で構成されている。
保護層を構成する耐熱性樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。これらの中でも、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等が挙げられる。
保護層を構成する金属としては特に限定されないが、例えば、アルミニウム、アルマイト、ステンレス、鉄、チタン、スズ、銅等が挙げられる。

【0053】

熱硬化性保護フィルム７０は、市販のフィルムを用いてもよい。市販のフィルムとしては、例えば、リンテック社製のチップ裏面保護テープ（製品名：「ＬＣテープ」シリーズ）等が挙げられる。

【0054】

電子部品１０としては回路形成面１０Ａを有する電子部品１０であれば特に限定されないが、例えば、半導体ウエハ、サファイア基盤、タンタル酸リチウム基板、モールドウエハ、モールドパネル、モールドアレイパッケージ、半導体基板等が挙げられる。
また、半導体基板としては、例えば、シリコン基板、ゲルマニウム基板、ゲルマニウム−ヒ素基板、ガリウム−リン基板、ガリウム−ヒ素−アルミニウム基板、ガリウム−ヒ素基板、等が挙げられる。

【0055】

また、電子部品１０はどのような用途の電子部品であってもよいが、例えば、ロジック用（例えば、通信用、高周波信号処理用等）、メモリ用、センサー用、電源用の電子部品等が挙げられる。これらは、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

【0056】

電子部品１０の回路形成面１０Ａは、例えば、電極１０Ｂを有することにより、凹凸構造となっている。
また、電極１０Ｂは、電子装置を実装面に実装する際に、実装面に形成された電極に対して接合されて、電子装置と実装面（プリント基板等の実装面）との間の電気的接続を形成するものである。
電極１０Ｂとしては、例えば、ボールバンプ、印刷バンプ、スタッドバンプ、めっきバンプ、ピラーバンプ等のバンプ電極が挙げられる。すなわち、電極１０Ｂは、通常凸電極である。これらのバンプ電極は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
また、バンプ電極を構成する金属種は特に限定されず、例えば、銀、金、銅、錫、鉛、ビスマス及びこれらの合金等が挙げられる。これらの金属種は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。

【0057】

本実施形態に係る電子装置の製造方法において、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）の前に、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０が貼り付けられた状態で、粘着性積層フィルム５０における凹凸吸収性樹脂層３０を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程（Ａ３）を行うことが好ましい。これにより、粘着性積層フィルム５０の耐熱性を向上させることができる。こうすることで、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において電子部品１０の反りを抑制することができる。さらに電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において、凹凸吸収性樹脂層３０が溶融して樹脂のハミ出しが起きるのを抑制できる。

【0058】

凹凸吸収性樹脂層３０の熱硬化方法としては架橋性樹脂を熱硬化できる方法であれば特に限定されないが、ラジカル重合開始剤による熱架橋が挙げられる。
ラジカル重合開始剤による熱架橋は、架橋性樹脂の架橋に用いられているラジカル重合開始剤を用いることができる。ラジカル重合開始剤としては、公知の熱ラジカル重合開始剤を用いることができる。

【0059】

また、凹凸吸収性樹脂層３０に紫外線を照射することによって、凹凸吸収性樹脂層３０を架橋させて硬化させることができる。
紫外線は、例えば、粘着性積層フィルム５０の基材層２０側の面から照射される。
また、いずれの架橋方法においても凹凸吸収性樹脂層３０に架橋助剤を配合して凹凸吸収性樹脂層３０の架橋をおこなってもよい。

【0060】

本実施形態に係る電子装置の製造方法において、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０が貼り付けられた状態で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃをバックグラインドするバックグラインド工程（Ａ４）をおこなってもよい。すなわち、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０をバックグラインドテープとして使用してもよい。ここで、バックグラインド工程（Ａ４）の前に硬化工程（Ａ３）をおこなうと、粘着性積層フィルム５０の粘着力が低下するため、バックグラインド工程（Ａ４）において、粘着性積層フィルム５０が剥れてしまう懸念がある。そのため、硬化工程（Ａ３）の前にバックグラインド工程（Ａ４）を行うことが好ましい。

【0061】

バックグラインド工程（Ａ４）では、粘着性積層フィルム５０に貼り付けられた状態で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃをバックグラインドする。
ここで、バックグラインドするとは、電子部品１０を割ったり、破損したりすることなく、所定の厚みまで薄化加工することを意味する。
電子部品１０のバックグラインドは、公知の方法で行うことができる。例えば、研削機のチャックテーブル等に電子部品１０を固定し、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃを研削する方法が挙げられる。

【0062】

裏面研削方式としては特に限定されないが、例えば、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式を採用することができる。それぞれ研削は、水を電子部品１０と砥石にかけて冷却しながら行うことができる。

【0063】

（工程（Ｂ））
つぎに、構造体６０を加熱することにより、熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる。

【0064】

熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる工程（Ｂ）における加熱温度は熱硬化性保護フィルム７０の種類によって適宜設定されるため特に限定されないが、例えば、１２０℃以上１７０℃以下であり、好ましくは１３０℃以上１６０℃以下である。

【0065】

（工程（Ｃ））
また、本実施形態に係る電子装置の製造方法において、工程（Ｂ）の後に電子部品１０と粘着性積層フィルム５０とを剥離する工程（Ｃ）をさらにおこなってもよい。この工程（Ｃ）をおこなうことで、粘着性積層フィルム５０から電子部品１０を剥離することができる。剥離温度は、例えば２０〜１００℃である。
電子部品１０と粘着性積層フィルム５０との剥離は、公知の方法で行うことができる。

【0066】

（その他の工程）
本実施形態に係る電子装置の製造方法は、上記以外のその他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、電子装置の製造方法において公知の工程を用いることができる。

【0067】

例えば、金属膜形成工程、アニール処理、ダイシング工程、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、フリップチップ接続工程、キュア加温テスト工程、封止工程、リフロー工程等の電子部品の製造工程において一般的におこなわれている任意の工程等をさらに行ってもよい。

【0068】

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

【0069】

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

【0070】

この出願は、２０１９年３月２９日に出願された日本出願特願２０１９−０６７１８４号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

【符号の説明】

【0071】

１０ 電子部品
１０Ａ 回路形成面
１０Ｂ 電極
１０Ｃ 回路形成面とは反対側の表面
２０ 基材層
３０ 凹凸吸収性樹脂層
４０ 粘着性樹脂層
５０ 粘着性積層フィルム
６０ 構造体
７０ 熱硬化性保護フィルム

【要約】

回路形成面（１０Ａ）を有する電子部品（１０）と、基材層（２０）、凹凸吸収性樹脂層（３０）および粘着性樹脂層（４０）をこの順番に有し、電子部品（１０）の回路形成面（１０Ａ）側に貼り付けられた粘着性積層フィルム（５０）と、電子部品（１０）の回路形成面（１０Ａ）とは反対側の面（１０Ｃ）に貼り付けられた熱硬化性保護フィルム（７０）と、を備える構造体（６０）を準備する準備工程（Ａ）と、構造体（６０）を加熱することにより、熱硬化性保護フィルム（７０）を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）と、を備える電子装置の製造方法。

【図1】