特許第6803575号(P6803575)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6803575Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ２化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ
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