特許6803575Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ２化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ

発明の名称　Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ２化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ

出願人　独立行政法人物質・材料研究機構　（識別番号 301023238）

　　　　特許公開件数ランキング 390 位（106件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 277 位（112件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6803575

公報発行日　2020年12月23

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6803575

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